一文解析DASP CdTe的本征缺陷计算

·DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半导体缺陷和杂质性质的第一性原理计算模拟软件包，该软件包能针对输入的半导体晶体结构，基于材料基因组数据库和第一性原理软件包，自动计算并输出半导体的热力学稳定性，缺陷和杂质形成能及离化能级，半导体样品中缺陷、杂质和载流子浓度及费米能级，关键缺陷和杂质诱导的光致发光谱、载流子辐射和非辐射俘获截面及少子寿命。

针对任一半导体，DASP软件可以计算给出如下性质：热力学稳定性、元素化学势空间的稳定范围、缺陷（含杂质，下同）形成能、缺陷转变能级、各生长条件下的费米能级、载流子和缺陷浓度、缺陷的光致发光谱、缺陷对载流子的俘获截面、辐射和非辐射复合速率等。

本期将给大家介绍DASP CdTe的本征缺陷计算 5.1.3-5.1.3.2 的内容。

5.1.3. 缺陷形成能和转变能级计算DEC

5.1.3.1. 运行DEC模块

在上一步使用命令 dasp 2 执行TSC模块时，会生成CdTe/tsc目录，并在该目录中产生 2tsc.out 文件。等待程序执行完毕， 2tsc.out 有相应的完成标志。打开CdTe/dasp.in，确认化学势已被程序自动输入。

确认TSC模块完成后，回到CdTe目录，使用命令 dasp 3 执行DEC模块。DEC会在第一步已经生成的dec目录中继续输出相关文件，包括缺陷结构，缺陷目录，以及运行日志文件 3dec.out 。等待程序完成期间无需额外操作。

5.1.3.2. DEC模块运行流程

产生缺陷结构：

根据 dasp.in 中的参数intrinsic = T，DEC模块将产生CdTe的本征缺陷，即生成CdTe/dec/Intrinsic_Defect计算目录，在其下面分别有空位缺陷V_Cd，V_Te，反位缺陷Cd_Te，Te_Cd，间隙位缺陷Cd_i，Te_i的缺陷结构和目录。根据对称性判断，CdTe晶格中不存在非等价的Cd和Te原子，因此同样的缺陷构型只需产生一种。

同时，可在 3dec.out 看到DEC模块的输出如下：

可以看到，DEC模块目前只产生了所有缺陷电中性（q=0）的计算目录。

提交各缺陷q=0计算任务：

待中性缺陷的结构及其目录产生完毕后，DEC模块将调用VASP对其进行PBE优化和HSE总能的计算（对应于 dasp.in 中 level = 2 的参数），此步骤等待时间较长。可随时检查 3dec.out 文件。 3dec.out 中的相关信息如下所示：

可以看到Cd_Te1的电中性结构优化计算出现了某些错误，导致计算无法完成。但是程序并不会中断，而是继续完成除了Cd_Te之外的所有计算。因此，用户此时无需做额外操作，等待程序执行完毕即可。（Cd_Te缺陷的问题将在程序执行完毕后解决）遇到VASP计算出错的各类情况，请参考常见问题。

产生带电缺陷的计算目录：

等待所有（除Cd_Te和能量较高的间隙缺陷）电中性的计算完成之后，程序将根据中性缺陷的计算结果，判断各缺陷的价态范围，从而生成各带电缺陷的目录及文件，对于计算错误（undo，failed，not converged）或者不进行后续计算（skip）的缺陷，会进行提示。 3dec.out 中的相关信息如下所示：