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电子发烧友网>制造/封装>下一代EUV***长啥样?

下一代EUV***长啥样?

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绕开EUV***!机构:光芯片或将引领下一代芯片革命

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ASML研发下一代EUV光刻机 华为将满足英国提出的要求

ASML的副总裁Anthony Yen日前表示,他们已经开始研发下一代光刻机。他表示,在他们公司看来,一旦现有的系统到达了极限,他们有必要去继续推动新一代产品的发展,进而推动芯片的微缩。
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ASML最新一代EUV设备2025年量产

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关于ASML正在开发下一代EUV光刻机性能分析

通过提升功率,ASML已经将每小时可以处理的晶圆数量提升了。功率越大意味着晶圆可以更快地曝光。在195瓦特的时候,他们每小时可以处理125片晶圆; 功率在今年年初达到246 W之后,这个数字则来到了140片晶圆。该公司全年都在对客户机器进行改造,以期达到更高的标准。
2019-08-29 11:41:403078

ASML研发第二代EUV光刻机的微缩分辨率、套准精度提升了70%

据韩媒报道称,ASML正积极投资研发下一代EUV光刻机,与现有光刻机相比,二代EUV光刻机最大的变化就是High NA透镜,通过提升透镜规格使得新一代光刻机的微缩分辨率、套准精度两大光刻机核心指标提升70%,达到业界对几何式芯片微缩的要求。
2019-08-07 11:24:395849

ASML下一代EUV光刻机堪称史上最贵半导体设备 一台就是12亿元人民币

截至目前,华为麒麟990 5G是唯一应用了EUV极紫外光刻的商用芯片,台积电7nm EUV工艺制造,而高通刚发布的骁龙765/骁龙765G则使用了三星的7nm EUV工艺。
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台积电5nm EUV工艺6月实现量产,华为下一代旗舰处理器性能提升50%

台积电将会在今年年中开始进行5nm EUV工艺的量产,届时台积电的主要5nm工艺客户有苹果和华为两家。根据MyDrivers报道,华为的下一代旗舰处理器可能命名为麒麟1020,有5nm EUV工艺加持后性能会比麒麟990 5G SoC提升50%!
2020-03-07 15:52:092486

ASML凭什么称霸光刻机市场

近日,荷兰光刻机巨头阿斯麦(ASML)公司2019年的年报中披露了关于下一代EUV极紫光刻机的研发进程,预计2022年年初开始出货,2024年实现大规模生产。
2020-03-17 15:25:593120

ASML高管访问三星讨论EUV光刻设备供应和开发合作

工厂,讨论了在EUV光刻设备供应和开发方面的合作。ASML官员与三星电子副董事长金基南及其他三星重要高管进行了会谈。三星电子副会长李在镕没有参加会议。 业内人士认为,三星电子要求供应更多EUV光刻设备,并讨论了两家公司在开发下一代EUV光刻设备方面的合作。 IT之家获悉,三
2020-12-02 10:06:101454

台积电现采购 35 台 EUV 光刻机,占 ASML 过半产量

据中国台湾经济日报报道,EUV 光刻机制造商 ASML 首席执行官 Peter Wennink 带领高管拜访三星,双方寻求技术与投资合作。三星希望能抢在台积电之前,取得 ASML 下一代 EUV
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三星携手ASML开发下一代EUV光刻机方面的合作

据报道,三星正寻求加强与荷兰半导体设备制造商ASML的技术和投资合作。
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三星希望能抢在台积电之前,取得ASML下一代EUV设备供应

业内人士分析称,三星积极追赶台积电,不过台积电在高良率与低功耗方面拥有优势。7nm 制程方面,台积电先推出 FinFet 架构的 7nm 技术,再推出使用 EUV 的 N7 + 制程。5nm 方面,三星与台积电仍有二成产能的差距。
2020-12-04 17:23:531479

ASML下一代EUV光刻机延期:至少2025年

的出货不及预期的35台,而且他们还宣布了下一代高NA的EUV光刻机要到2025-2026年之间才能规模应用,意味着要延期了。 此前信息显示,ASML下一代EUV光刻机最早是2022年开始出样,大规模
2021-01-22 17:55:242639

ASML开发的下一代EUV平台

具有13.5nm波长源的高数值孔径系统将提高亚13nm半间距曝光所需的分辨率,以及更大的图像对比度以实现更好的印刷线均匀性。High-NA EUV光刻的分辨率通常被称为“13nm到8nm半间距”。
2022-06-02 15:03:561098

2nm芯片最新进展 台积电再曝2nm芯片新进展

前不久,台积电、三星电子已经爆出公司2nm芯片新进展,纷纷的寻求下一代 EUV 光刻机,今年台积电将实现3nm的量产,再往后就是在2025年量产2nm了,这也意味着现在2nm 技术战已经打响。
2022-07-05 10:05:352219

ASML下一代EUV光刻机High-NA来了!

对于3nm后的节点,ASML及其合作伙伴正在研究一种全新的EUV工具——Twinscan EXE:5000系列,具有0.55 NA(High-NA)透镜,能够达到8nm分辨率,可以避免3nm及以上的多图案。
2022-08-17 15:44:041910

台积电已启动1nm工艺先导计划 升级下一代EUV光刻机是关键

在先进工艺上,台积电今年底量产3nm工艺,2025年则是量产2nm工艺,这一代会开始使用GAA晶体管,放弃现在的FinFET晶体管技术。 再往后呢?2nm之后是1.4nm工艺,Intel、台积电及三星这三大芯片厂商也在冲刺,其中三星首个宣布2027年量产1.4nm工艺,台积电没说时间点,预计也是在2027年左右。 1.4nm之后就是1nm工艺了,这个节点曾经被认为是摩尔定律的物理极限,是无法实现的,但是现在芯片厂商也已经在攻关中。 台积电已经启动了先导计划,传闻中的1nm晶圆
2022-10-31 11:06:301316

下一代家电供电:如何集腋成裘

下一代家电供电:如何集腋成裘
2022-11-02 08:16:071

1纳米芯片代表什么?

据悉,下一代EUV光刻机必须要升级下一代的高NA(数值孔径)标准,从现在的0.33 NA提升到0.55 NA,更高的NA意味着更分辨率更高,是3nm之后的工艺必备的条件。
2022-11-30 09:52:4830113

三星研发下一代EUV关键组件

半导体和显示材料开发商石墨烯实验室于11月14日宣布,其已开发出用石墨烯制造小于5纳米的EUV薄膜(pellicles)的技术,并已准备好量产新型薄膜。
2023-02-16 09:07:34369

下一代EUV***,关键技术拆解!

但imec先进成像、工艺和材料高级副总裁斯蒂芬·希尔(Steven Scheer)在接受采访时非常理性地指出,要经济高效地引入High NA EUV光刻机,还需翻越“四堵墙”,包括改进EUV光刻胶的厚度、底层材料的属性、3D掩膜效应对成像的影响,以及与新型逻辑晶体管、存储芯片组件进行协同设计。
2023-03-17 09:27:091230

Renesas与Wolfspeed的20亿美元交易带来的启示

该行业甚至愿意更进一步,通过合作和共同融资来开发下一代半导体制造设备,就像最近ASML和Imec之间的协议一样。他们说,将在开发下一代EUV设备上合作。公司在一份声明中表示,其他未公开的企业也将加入这个联盟。
2023-07-18 15:28:51359

EUV光刻市场高速增长,复合年增长率21.8%

EUV掩膜,也称为EUV掩模或EUV光刻掩膜,对于极紫外光刻(EUVL)这种先进光刻技术至关重要。EUV光刻是一种先进技术,用于制造具有更小特征尺寸和增强性能的下一代半导体器件。
2023-08-07 15:55:02399

高数值孔径EUV的技术要求是什么

今年的大部分讨论都集中在 EUV下一步发展以及高数值孔径 EUV 的时间表和技术要求上。ASML战略营销高级总监Michael Lercel表示,目标是提高EUV的能源效率,以及他们下一代高数值孔径EUV工具的开发状况。
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高数值孔径 EUV技术路线图

高数值孔径EUV 今年的大部分讨论都集中在EUV下一步发展以及高数值孔径EUV的时间表和技术要求上。ASML战略营销高级总监Michael Lercel表示,其目标是提高EUV的能源效率,以及下一代高数值孔径EUV工具的发展状况。
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纳米电子创新中心Imec与三井化学宣布建立战略合作伙伴关系

比利时纳米电子创新中心imec和日本化学公司三井化学宣布建立战略合作伙伴关系,将下一代EUV半导体光刻系统的关键组件商业化。
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押注2nm!英特尔26亿抢单下一代 EUV光刻机,台积电三星决战2025!

了。   芯片制造离不开光刻机,特别是在先进制程上,EUV光刻机由来自荷兰的ASML所垄断。同时,尽管目前市面上,EUV光刻机客户仅有三家,但需求不断增加的情况底下,EUV光刻机依然供不应求。   针对后3nm时代的芯片制造工艺,High-NA(高数值孔径)EUV光刻机
2022-06-29 08:32:004635

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