采用电感耦合等离子体刻蚀法对氮化镓基发光二极管结构进行干法刻蚀,刻蚀气体为氯气,添加气体为三氯化硼。研究了刻蚀气体流量、电感耦合等离子体功率、射频功率和室压等关键工艺参数对氮化镓基发光二极管结构刻蚀
2022-04-26 14:07:28
1762 
等离子体工艺广泛应用于半导体制造中。比如,IC制造中的所有图形化刻蚀均为等离子体刻蚀或干法刻蚀,等离子体增强式化学气相沉积(PECVD)和高密度等离子体化学气相沉积 (HDP CVD)广泛用于电介质
2022-11-15 09:57:31
2626 等离子体图形化刻蚀过程中,刻蚀图形将影响刻蚀速率和刻蚀轮廓,称为负载效应。负载效应有两种:宏观负载效应和微观负载效应。
2023-02-08 09:41:26
2467 单晶硅刻蚀用来形成相邻晶体管间的绝缘区,多晶硅刻蚀用于形成栅极和局部连线。
2023-02-13 11:13:23
5905 
在上一篇文章,我们介绍了光刻工艺,即利用光罩(掩膜)把设计好的电路图形绘制在涂覆了光刻胶的晶圆表面上。下一步,将在晶圆上进行刻蚀工艺,以去除不必要的材料,只保留所需的图形。
2023-06-28 10:04:58
844 
在半导体前端工艺第三篇中,我们了解了如何制作“饼干模具”。本期,我们就来讲讲如何采用这个“饼干模具”印出我们想要的“饼干”。这一步骤的重点,在于如何移除不需要的材料,即“刻蚀(Etching)工艺”。
2023-08-10 15:06:10
506 湿法刻蚀由于精度较差,只适用于很粗糙的制程,但它还是有优点的,比如价格便宜,适合批量处理,酸槽里可以一次浸泡25张硅片,所以有些高校和实验室,还在用湿法做器件,芯片厂里也会用湿法刻蚀来显露表面缺陷(defect),腐蚀背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44
891 
在半导体制程工艺中,有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺,如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉,“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料,从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备,在其他类似工艺中也很常见。
2023-09-24 17:42:03
996 
但是里面也有几个关键的工艺参数需要控制的。同样Etch GaAs也可以用ICP干法刻蚀的工艺,比湿法工艺效果要好些,侧壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29
407 干法刻蚀技术是一种在大气或真空条件下进行的刻蚀过程,通常使用气体中的离子或化学物质来去除材料表面的部分,通过掩膜和刻蚀参数的调控,可以实现各向异性及各向同性刻蚀的任意切换,从而形成所需的图案或结构
2024-01-20 10:24:56
1114 
在半导体加工工艺中,常听到的两个词就是光刻(Lithography)和刻蚀(Etching),它们像俩兄弟一样,一前一后的出现,有着千丝万缕的联系,这一节介绍半导体刻蚀工艺。
2024-01-26 10:01:58
552 
随着ALD厚度的增加,SiN /基底界面处的孔形状从方形变为圆形,并且逐渐变小。在足够的ALD厚度下,菱形孔的尖端可视度有限,这会导致较低的刻蚀速率且刻蚀保持圆形。
2021-11-15 14:34:30
1697 
电子发烧友网报道(文/周凯扬)在半导体制造的各路工序中,尤其是前道工序中,技术难度最大的主要三大流程当属光刻、刻蚀和薄膜沉积了。这三大工艺的先进程度直接决定了晶圆厂所能实现的最高工艺节点,所用产品
2023-07-30 03:24:48
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铝、干法刻蚀钛、干法刻蚀氮化钛等)20、 等离子去胶21、 DRIE (硅深槽刻蚀)、ICP、TSV22、 湿法刻蚀23、 膜厚测量24、 纳米、微米台阶测量25、 电阻、方阻、电阻率测量等26、 半导体
2015-01-07 16:15:47
有没有半导体工艺方面的资料啊
2014-04-09 22:42:37
半导体发展至今,无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进,如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样,半导体器件的规格在不断的缩小,芯片的集成度也在不断提升,工艺制程从90nm
2020-12-10 06:55:40
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用,但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP
2019-08-20 08:01:20
半导体工艺讲座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41:23
半导体器件与工艺
2012-08-20 08:39:08
AOE刻蚀氧化硅可以,同时这个设备可以刻蚀硅吗?大致的气体配比是怎样的,我这里常规的刻蚀气体都有,但是过去用的ICP,还没有用过AOE刻蚀硅,请哪位大佬指点一下,谢谢。
2022-10-21 07:20:28
实现,必须采用微加工技术制造。微加工技术包括硅的体微加工技术、表面微加工技术和特殊微加工技术。体加工技术是指沿着硅衬底的厚度方向对硅衬底进行刻蚀的工艺,包括湿法刻蚀和干法刻蚀,是实现三维结构的重要方法
2016-12-09 17:46:21
30 dBm,增益大于5 dB。关键词:碳化硅;金属?半导体场效应晶体管;牺牲氧化;干法刻蚀;等平面工艺
2009-10-06 09:48:48
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:GaN 基板的表面处理编号:JFSJ-21-077作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html关键词: GaN 衬底
2021-07-07 10:26:01
新加坡知名半导体晶圆代工厂招聘资深刻蚀工艺工程师和刻蚀设备主管!此职位为内部推荐,深刻蚀工艺工程师需要有LAM 8寸机台poly刻蚀经验。刻蚀设备主管需要熟悉LAM8寸机台。待遇优厚。有兴趣的朋友可以将简历发到我的邮箱sternice81@gmail.com,我会转发给HR。
2017-04-29 14:23:25
蒸发,所以刻蚀要在一个装有冷却盖的密封回流容器中进行。主要问题是光刻胶层经不起刻蚀剂的温度和高刻蚀速率。因此,需要一层二氧化硅或其他材料来阻挡刻蚀剂。这两个因素已导致对于氮化硅使用干法刻蚀技术。蒸汽刻蚀
2018-12-21 13:49:20
的加工工艺流程,加工过程中需要运用刻蚀机在晶圆上把复杂的3D图形一层一层“堆叠”起来,实现单片机IC芯片的更小化。芯片,本质上是一片载有集成电路(IC:Integrated circuit)的半导体元件
2018-08-23 17:34:34
今日分享晶圆制造过程中的工艺及运用到的半导体设备。晶圆制造过程中有几大重要的步骤:氧化、沉积、光刻、刻蚀、离子注入/扩散等。这几个主要步骤都需要若干种半导体设备,满足不同的需要。设备中应用较为广泛
2018-10-15 15:11:22
击穿电压。同时,还简要描述了这种器件的制造工艺。关键词:静电感应晶闸管;埋栅结构;台面刻蚀;栅阴击穿;表面缺
2009-10-06 09:30:24
形成电路,而“湿法”刻蚀(使用化学浴)主要用于清洁晶圆。 干法刻蚀是半导体制造中最常用的工艺之一。 开始刻蚀前,晶圆上会涂上一层光刻胶或硬掩膜(通常是氧化物或氮化物),然后在光刻时将电路图形曝光在晶圆
2017-10-09 19:41:52
问个菜的问题:半导体(或集成电路)工艺 来个人讲讲 半导体工艺 集成电路工艺 硅工艺 CMOS工艺的概念和区别以及联系吧。查了一下:集成电路工艺(integrated
2009-09-16 11:51:34
具备熟练的英文报告撰写能力者优先;5. 精通至少一种贴合技术者优先;6. 对AMOLED显示材料有一定的研究者优先。三、干法工艺工程师岗位职责:1.负责干法刻蚀设备评估,完成设备比对表及设备招标
2017-02-04 10:04:52
、具有半导体器件工艺开发工作经历,3年以上工作经验,4、具有良好的团队合作精神和进取精神三、半导体刻蚀工艺工程师职责描述:1、 独立负责干法、湿法刻蚀工艺,进行刻蚀工艺菜单的调试; 2、优化干法刻蚀、湿法
2016-10-26 17:05:04
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅,采用的是ICP系列设备,刻蚀气体使用的是SF6+O2,碳化硅上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 编辑
释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺,总部位于苏格兰的Point 35
2013-11-04 11:51:00
本文以金属刻蚀去胶腔为背景,简述干刻清洗工艺开发和评价过程。针对实际应用中的问题,展开讨论。通过实际案例分析,展示了干刻清洗工艺的应用价值。关键字:干刻清
2009-12-14 11:06:10
16 刻蚀•光刻就是在光刻胶上形成图形•下一步就是将光刻胶上的图形通过刻蚀转移到光刻胶下面的层上•刻蚀工艺分为湿法和干法刻蚀的品质•刻
2010-06-21 17:29:40
72 摘要 利用Cl2/BCl3/CH4电感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,实现了对AlGaInAs,InP材料的非选择性刻蚀。AlGaInAs与InP的刻蚀速率分别为820nm/min与770nm/min,获得了刻蚀深度为4.9μm,垂直光滑的A
2010-11-30 14:58:45
17 释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术
湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺,总部位于苏格兰的Point 35 Microstructures在SEMICON C
2009-11-18 09:17:32
880 干法刻蚀原理
刻蚀作用:去除边缘PN结,防止上下短路。干法刻蚀原理:利用高频辉光放电反应,使CF4气体激活成活性粒子,这些活性
2010-07-18 11:28:20
5637 苹果设计和工程团队研究出一种新型的键盘刻蚀工艺,利用不同的激光来制作苹果背光键盘.
2011-12-16 09:43:20
764 
本文实现了一种正面开口的热电堆结构,采用XeF2作为工作气体干法刻蚀工艺释放器件。相对于刻蚀硅,XeF2气体对铝等材料的刻蚀速率极小,这样就可以采用标准CMOS工艺中最常用的材料
2012-05-02 17:26:13
3612 
本文在浅沟槽隔离刻蚀过程中发现,当刻蚀腔室上石英窗口的温度超过85℃时,刻蚀终止出现在300mm晶圆的中心。我们认为刻蚀终止的原因是由于某些低挥发SiOxCly刻蚀产物再淀积。石英
2012-05-04 17:09:37
2803 
半导体制造刻蚀设备调度算法的研究_贾小恒
2017-03-19 11:28:16
2 晶体硅太阳能电池生产线刻蚀工序培训 1、刻蚀的作用及方法;2、刻蚀的工艺设备、操作流程及常用化学品;3、主要检测项目及标准;4、常见问题及解决方法;5、未来工艺的发展方向;
2017-09-29 10:29:09
24 目前市场上,一台新的干法刻蚀设备使用的射频源售价大概在1万美金左右,而维修一台射频源的费用一般也要1万元人民币以上,可见其费用相当昂贵。本着节约成木的原则,本单位对在使用中出现故障的射频源进行自主
2018-06-08 09:19:00
7395 
反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的(如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征)。光刻胶是另一个剥离的例子。总的来说,有图形刻蚀和无图形刻蚀工艺条件能够采用干法刻蚀或湿法腐蚀技术来实现。为了复制硅片表面材料上的掩膜图形,刻蚀必须满足一些特殊的要求。
2018-12-14 16:05:27
68523 据浦东时报报道,2020年开年,中微半导体成功中标长江存储9台刻蚀设备订单。
2020-01-08 10:49:09
4292 摘要:在半导体制造工艺的湿法刻蚀中,用热磷酸刻蚀氮化硅和氮氧化硅是其中一个相对复杂又难以控制的工艺。在这个工艺中,热磷酸刻蚀后的去离子水(DIW)清洗更是一个非常重要的步骤。主要分析了由于去离子水
2020-12-29 14:36:07
2510 
摘要:对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN7干法刻蚀方法的特点。回顾了GaN1法刻蚀领域的研究进展。以ICP刻蚀GaN和AIGaN材料为例,通过工艺参数的优化,得到了高刻蚀速率和理想的选择比及
2020-12-29 14:39:29
2909 
在集成电路的制造过程中,刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分,刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性刻蚀;后者是利用等离子体来进行
2020-12-29 14:42:58
8547 
摘要:简述了在SiC材料半导体器件制造工艺中,对SiC材料采用干法刻蚀工艺的必要性.总结了近年来SiC干法刻蚀技术的工艺发展状况. 半导体器件已广泛应用于各种场合,近年来其应用领域已拓展至许多
2020-12-30 10:30:11
7638 
很多化学物质氧化后会腐蚀自己但晶圆氧化生成的膜层却能保护自己“守护”晶圆的氧化工程是什么样的?解锁半导体8大工艺第二篇让芯君来满足你的好奇心 编辑:jq
2021-05-28 14:26:37
10082 刻蚀速率是指在刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度通常用Å/min表示, 刻蚀窗口的深度称为台阶高度。 为了高的产量, 希望有高的刻蚀速率。 在采用单片工艺的设备中, 这是一个很重要的参数。 刻蚀速率由工艺和设备变量决定, 如被刻蚀材料类型、 蚀机的结构配置、 使用的刻蚀气体和工艺参数设置。
2022-03-15 13:41:59
2907 
刻蚀室半导体IC制造中的至关重要的一道工艺,一般有干法刻蚀和湿法刻蚀两种,干法刻蚀和湿法刻蚀一个显著的区别是各向异性,更适合用于对形貌要求较高的工艺步骤。
2022-06-13 14:43:31
6 在 MEMS 制造工艺中,常用的干法刻蚀包括反应离子刻蚀 (Reactive lon Etching, RIE)、深反应离子刻蚀(Deep Reactive lon Etching, DRIE) 和XerF2各向同性蚀刻。
2022-10-10 10:12:15
3281 干法刻蚀工艺流程为,将刻蚀气体注入真空反应室,待压力稳定后,利用射频辉光放电产生等离子体;受高速电子撞击后分解产生自由基,并扩散到圆片表面被吸附。
2022-11-10 09:54:19
3264 湿法刻蚀是集成电路制造工艺最早采用的技术之一。虽然由于受其刻蚀的各向同性的限制,使得大部分的湿法刻蚀工艺被具有各向异性的干法刻蚀替代,但是它在尺寸较大的非关键层清洗中依然发挥着重要的作用。
2022-11-11 09:34:18
7251 其制造工艺流程如下:首先形成补偿侧墙 (Offset Spacer),经n+/p+轻掺杂源漏后,选择性地进行图形化,在p型源漏区先进行干法刻蚀,使其凹陷适当的深度(30~100nm);然后采用湿法各向异性刻蚀形成“钻石”形腔(Diamond Cavity,又称“∑”形状)
2023-01-05 14:08:31
2145 在将晶圆制成半导体的过程中需要采用数百项工程。其中,一项最重要的工艺是蚀刻(Etch)——即,在晶圆上刻画精细电路图案。蚀刻(Etch)工程的成功取决于在设定的分布范围内对各种变量进行管理,并且
2023-01-07 14:08:36
3141 刻蚀是移除晶圆表面材料,达到IC设计要求的一种工艺过程。刻蚀有两种:一种为图形 化刻蚀,这种刻蚀能将指定区域的材料去除,如将光刻胶或光刻版上的图形转移到衬底薄膜 上
2023-02-01 09:09:35
1748 刻蚀速率是测量刻蚀物质被移除的速率。由于刻蚀速率直接影响刻蚀的产量,因此刻蚀速率是一个重要参数。
2023-02-06 15:06:26
3998 湿法刻蚀利用化学溶液溶解晶圆表面的材料,达到制作器件和电路的要求。湿法刻蚀化学反应的生成物是气体、液体或可溶于刻蚀剂的固体。
2023-02-10 11:03:18
4085 。本研究采用电感耦合等离子体刻
蚀法对氮化镓基发光二极管结构进行干法刻蚀,刻蚀气体为氯气,添加气体为三氯化硼。研究了刻蚀气体流量、电感耦合等离
子体功率、射频功率和室压等关键工艺参数对氮化镓基发光二极管结构刻蚀性
2023-02-22 15:45:41
0 从下图中可以看出结合使用XeF2气流和氯离子轰击的刻蚀速率最高,明显高于这两种工艺单独使用时的刻蚀速率总和。
2023-02-23 17:17:20
2706 功率半导体分立器件的主要工艺流程包括:在硅圆片上加工芯片(主要流程为薄膜制造、曝光和刻蚀),进行芯片封装,对加工完毕的芯片进行技术性能指标测试,其中主要生产工艺有外延工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、离子注入工艺和扩散工艺等。
2023-02-24 15:34:13
3185 等离子体最初用来刻蚀含碳物质,例如用氧等离子体剥除光刻胶,这就是所谓的等离子体剥除或等离子体灰化。等离子体中因高速电子分解碰撞产生的氧原子自由基会很快与含碳物质中的碳和氢反应,形成易挥发的co,co2和h2o并且将含碳物质有效地从表面移除。这个过程是在带有刻蚀隧道的桶状系统中进行的(见下图)。
2023-03-06 13:50:48
1074 严重的离子轰击将产生大量的热量,所以如果没有适当的冷却系统,晶圆温度就会提高。对于图形化刻蚀,晶圆上涂有一层光刻胶薄膜作为图形屏蔽层,如果晶圆温度超过150摄氏度,屏蔽层就会被烧焦,而且化学刻蚀速率
2023-03-06 13:52:33
827 对于湿法刻蚀,大部分刻蚀的终点都取决于时间,而时间又取决于预先设定的刻蚀速率和所需的刻蚀厚度。由于缺少自动监测终点的方法,所以通常由操作员目测终点。湿法刻蚀速率很容易受刻蚀剂温度与浓度的影响,这种影响对不同工作站和不同批量均有差异,因此单独用时间决定刻蚀终点很困难,一般釆用操作员目测的方式。
2023-03-06 13:56:03
1773 FinFET三维器件也可以用体硅衬底制作,这需要更好地控制单晶硅刻蚀工艺,如CD、深度和轮廓。
2023-03-30 09:39:18
2461 DRAM栅工艺中,在多晶硅上使用钙金属硅化物以减少局部连线的电阻。这种金属硅化物和多晶硅的堆叠薄膜刻蚀需要增加一道工艺刻蚀W或WSi2,一般先使用氟元素刻蚀钧金属硅化合物层,然后再使用氯元素刻蚀多晶硅。
2023-04-07 09:48:16
2200 金属刻蚀具有良好的轮廓控制、残余物控制,防止金属腐蚀很重要。金属刻蚀时铝中如果 有少量铜就会引起残余物问题,因为Cu Cl2的挥发性极低且会停留在晶圆表面。
2023-04-10 09:40:54
2330 压力主要控制刻蚀均匀性和刻蚀轮廓,同时也能影响刻蚀速率和选择性。改变压力会改变电子和离子的平均自由程(MFP),进而影响等离子体和刻蚀速率的均匀性。
2023-04-17 10:36:43
1922 本篇要讲的金属布线工艺,与前面提到的光刻、刻蚀、沉积等独立的工艺不同。在半导体制程中,光刻、刻蚀等工艺,其实是为了金属布线才进行的。在金属布线过程中,会采用很多与之前的电子元器件层性质不同的配线材料(金属)。
2023-04-25 10:38:49
986 
图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。
2023-04-28 11:24:27
1074 
在半导体制程工艺中,有很多不同名称的用于移除多余材料的工艺,如“清洗”、“刻蚀”等。如果说“清洗”工艺是把整张晶圆上多余的不纯物去除掉,“刻蚀”工艺则是在光刻胶的帮助下有选择性地移除不需要的材料,从而创建所需的微细图案。半导体“刻蚀”工艺所采用的气体和设备,在其他类似工艺中也很常见。
2023-06-15 17:51:57
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刻蚀在晶圆上完成电路图的光刻后,就要用刻蚀工艺来去除任何多余的氧化膜且只留下半导体电路图。要做到这一点需要利用液体、气体或等离子体来去除选定的多余部分。刻蚀的方法主要分为两种,取决于所使用的物质
2022-07-12 15:49:25
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离子束蚀刻 (Ion beam etch) 是一种物理干法蚀刻工艺。由此,氩离子以约1至3keV的离子束辐射到表面上。由于离子的能量,它们会撞击表面的材料。晶圆垂直或倾斜入离子束,蚀刻过程是绝对
2023-06-20 09:48:56
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Dimension, CD)小型化(2D视角),刻蚀工艺从湿法刻蚀转为干法刻蚀,因此所需的设备和工艺更加复杂。由于积极采用3D单元堆叠方法,刻蚀工艺的核心性能指数出现波动,从而刻蚀工艺与光刻工艺成为半导体制造的重要工艺流程之一。
2023-06-26 09:20:10
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在前几篇文章(点击查看),我们一直在借用饼干烘焙过程来形象地说明半导体制程 。在上一篇我们说到,为制作巧克力夹心,需通过“刻蚀工艺”挖出饼干的中间部分,然后倒入巧克力糖浆,再盖上一层饼干层。“倒入巧克力糖浆”和“盖上饼干层”的过程在半导体制程中就相当于“沉积工艺”。
2023-06-29 16:56:17
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第一种是间歇式刻蚀方法(BOSCH),即多次交替循环刻蚀和淀积工艺,刻蚀工艺使用的是SF6气体,淀积工艺使用的是C4F8气体
2023-07-14 09:54:46
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半导体工程装备、北方华创的主要品种是刻蚀、薄膜、清洗、热处理、晶体生长等核心技术装备,广泛应用逻辑部件,存储半导体零部件、先进封装、第三代半导体照明、微机电系统、新型显示、新能源,衬底材料制造等工艺过程。
2023-09-18 09:47:19
578 9月17日,北方华创在投资者互动平台表示,公司前期已经发布了首台国产12英寸CCP晶边干法刻蚀设备研发成功有关信息,目前已在客户端实现量产,其优秀的工艺均匀性、稳定性赢得客户高度评价。
2023-09-20 10:09:49
559 在半导体制造中,刻蚀工序是必不可少的环节。而刻蚀又可以分为干法刻蚀与湿法刻蚀,这两种技术各有优势,也各有一定的局限性,理解它们之间的差异是至关重要的。
2023-09-26 18:21:00
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有过深硅刻蚀的朋友经常会遇到这种情况:在一片晶圆上不同尺寸的孔或槽刻蚀速率是不同的。
2023-10-07 11:29:17
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据工信部网站11月16日消息,工信部公开征集了《半导体设备 集成电路制造用干法刻蚀设备测试方法》等196个行业标准、1个行业标准外文版、38个推荐性国家标准计划项目的意见。
2023-11-16 17:04:49
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半导体前端工艺(第四篇):刻蚀——有选择性地刻蚀材料,以创建所需图形
2023-11-27 16:54:26
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W刻蚀工艺中使用SF6作为主刻步气体,并通过加入N2以增加对光刻胶的选择比,加入O2减少碳沉积。在W回刻工艺中分为两步,第一步是快速均匀地刻掉大部分W,第二步则降低刻蚀速率减弱负载效应,避免产生凹坑,并使用对TiN有高选择比的化学气体进行刻蚀。
2023-12-06 09:38:53
1538 该专利详细阐述了一种针对含硅有机介电层的高效刻蚀方法及相应的半导体工艺设备。它主要涉及到通过交替运用至少两个刻蚀步骤来刻蚀含硅有机介电层。这两个步骤分别为第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤。
2023-12-06 11:58:16
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使用SEMulator3D®工艺步骤进行刻蚀终点探测 作者:泛林集团 Semiverse Solutions 部门软件应用工程师 Pradeep Nanja 介绍 半导体行业一直专注于使用先进的刻蚀
2024-01-19 16:02:42
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影响深硅刻蚀的关键参数有:气体流量、上电极功率、下电极功率、腔体压力和冷却器。
2024-02-25 10:44:39
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