等离子体工艺广泛应用于半导体制造中。比如，IC制造中的所有图形化刻蚀均为等离子体刻蚀或干法刻蚀，等离子体增强式化学气相沉积(PECVD)和高密度等离子体化学气相沉积 (HDP CVD)广泛用于电介质
2022-11-15 09:57:31
2626 旋转圆盘与旋转轮类似，不同之处在于旋转圆盘不是摆动整个圆盘，而是用扫描离子束的方式在整个晶圆表面获得均匀的离子注入。下图说明了旋转圆盘系统。
2023-06-06 10:43:441185 
阱区注入的工艺说明如下图所示，是高能量离子注入过程，因为它需要形成阱区建立MOS晶体管。NMOS晶体管形成于P型阱区内，而P型晶体管形成于N型阱区。
2023-06-09 11:31:083889 
统的硅功率器件工艺中，高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法，两者各有优缺点。一般来说，高温扩散工艺简单，设备便宜，掺杂分布轮廓为等向性，且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。离子注入工艺复杂且设备昂贵，但它可独立控制掺杂元素的浓度和结深，虽然也会给衬底引入大量的点缺陷和扩展缺陷。
2023-12-22 09:41:21703 
，加工周期短，速度快。 联系方式：姚经理、马经理，010-51293689；sales@firstchip.cn工艺能力：1、 热氧化硅2、 硼、磷扩散，推进3、 离子注入（硼、磷）4、 高低温退火5
2015-01-07 16:15:47
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 编辑
半导体工艺
2012-08-20 09:02:05
有没有半导体工艺方面的资料啊
2014-04-09 22:42:37
半导体发展至今，无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进，如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样，半导体器件的规格在不断的缩小，芯片的集成度也在不断提升，工艺制程从90nm
2020-12-10 06:55:40
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-07-05 08:13:58
业界对哪种半导体工艺最适合某一给定应用存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-20 08:01:20
半导体工艺讲座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
半导体光刻蚀工艺
2021-02-05 09:41:23
半导体器件与工艺
2012-08-20 08:39:08
离子注入工艺资料~还不错哦~
2012-08-01 10:58:59
离子注入是将离子源产生的离子经加速后高速射向材料表面，当离子进入表面，将与固体中的原子碰撞，将其挤进内部，并在其射程前后和侧面激发出一个尾迹。这些撞离原子再与其它原子碰撞，后者再继续下去，大约在10-11s内，材料中将建立一个有数百个间隙原子和空位的区域。
2019-10-30 09:10:53
一个比较经典的半导体工艺制作的课件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半导体制造工艺》学习笔记`
2012-08-20 19:40:32
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：CMOS 单元工艺编号：JFSJ-21-027作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圆生产需要三个一般过程：硅
2021-07-06 09:32:40
压阻薄膜生长后，采用光刻、湿法刻蚀、离子注入和蒸发金属剥离图案技术制作压敏电阻微结构。引入电感耦合等离子体 (ICP) 将两个槽蚀刻到压阻层，然后在压阻薄膜台面的顶部沉积和图案化 Ti/Pt/Au
2021-07-07 10:22:15
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：IC制造工艺编号：JFSJ-21-046作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成电路的制造主要包括以下工艺
2021-07-08 13:13:06
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：硅纳米柱与金属辅助化学蚀刻的比较编号：JFSJ-21-015作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
同一硅衬底上并排制造 nMOS 和 pMOS 晶体管。 制造方法概述 制作工艺顺序硅制造（详细内容略）晶圆加工（详细内容略）光刻（详细内容略）氧化物生长和去除（详细内容略）扩散和离子注入（详细内容略
2021-07-09 10:26:01
哪种半导体工艺最适合某一指定应用？对此，业界存在着广泛的争论。虽然某种特殊工艺技术能更好地服务一些应用，但其它工艺技术也有很大的应用空间。像CMOS、BiCMOS、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP
2019-08-02 08:23:59
1、 电子、物理、通信、材料等专业，本科以上学历，3年以上的PECVD\LPCVD沉积工作经验； 2、 了解半导体工艺、精通PECVD或LPCVD材料生长技术； 3、 精通PECVD或LPCVD设备
2012-12-19 22:42:16
, 垂直地射向样品表面, 进行物理轰击, 使得反应离子刻蚀具有很好的各向异性。离子注入机离子注入机是高压小型加速器中的一种。它是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，用做半导体
2018-09-03 09:31:49
今日分享晶圆制造过程中的工艺及运用到的半导体设备。晶圆制造过程中有几大重要的步骤：氧化、沉积、光刻、刻蚀、离子注入/扩散等。这几个主要步骤都需要若干种半导体设备，满足不同的需要。设备中应用较为广泛
2018-10-15 15:11:22
介质层进行P型杂质离子注入和N型杂质离子注入，进而形成P-层及JFET层。然后将JEFT层的中间区域作为半导体器件结构的JFET区域，在JEFT区域两侧进行离子注入，形成半导体器件结构的体区域。接着再
2020-07-07 11:42:42
FPGA在系统中表现出的特性是由芯片制造的半导体工艺决定的，当然它们之间的关系比较复杂。过去，在每一节点会改进工艺的各个方面，每一新器件的最佳工艺选择是尺寸最小的最新工艺。现在，情况已不再如此。
2019-09-17 07:40:28
如题，寻求一种Si衬底上N+离子注入的有效单项监控手段
2021-04-01 23:50:33
的设备。可供应翻新半导体工艺设备包括：光刻机 步进光刻机 涂胶显影 化学湿台 沉积设备 划片及磨片设备 电子束蒸发 CVD沉积设备 刻蚀设备 离子注入机 显微镜 探针台 薄膜测厚仪 表面检测设备 键合机
2009-10-14 11:05:53
的同义词？那CMOS工艺是属于什么工艺啊？我怎么记得以前好像说半导体工艺，一般都是说什么CMOS，NMOS，TTL等等譬如掺杂、注入、光刻、腐蚀这些又是属于什么工艺呢？那die bond,wire
2009-09-16 11:51:34
`超经典复旦大学微电子工艺教案包含：离子注入、晶体生长、实验室净化与硅片清洗、 光刻、氧化、工艺集成、未来趋势与挑战等。错过便不再拥有研究生毕业继续送资料——超经典复旦大学微电子工艺教案[hide][/hide]`
2011-12-15 15:23:57
的工艺流程也不同。按照目前绝大部分线路板厂的使用情况来看，大概分为以下三种类型：预处理加离子交换纯水系统;反渗透加离子交换系统;高效反渗透EDI超纯水设备。 半导体生产过程中，FPC/PCB湿流程
2013-08-12 16:52:42
芯片制造-半导体工艺制程实用教程学习笔记[/hide]
2009-11-18 11:44:51
请问各位大侠，离子注入时有遇到做V-CURVE时，出现倒着的抛物线吗？急，在线等，谢谢！
2018-08-05 19:29:33
，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。随着无线通信的发展，高频电路应用越来越广，今天我们来介绍适合用于射频、微波等高频电路的半导体材料及工艺情况。
2019-06-27 06:18:41
【作者】：秦希峰;季燕菊;王凤翔;付刚;赵优美;梁毅;【来源】：《济南大学学报(自然科学版)》2010年02期【摘要】：鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程
2010-04-22 11:36:02
锂离子电池特点锂离子电池的发展历史锂离子电池类型锂离子电池 的主要组成部分锂离子电池的制作工艺石墨烯在锂离子电池电极材料的应用
2021-03-01 11:32:24
M5525100－1/UM型大角度离子注入机:M5525100－1/UM 型大角度离子注入机可满足100 纳米，8 英寸集成电路制造工艺的要求，适合源漏区的大角度晕、袋、栅阈值调整、阱等注入，可获得良好
2009-12-19 12:57:02
12 离子注入技术又是近30年来在国际上蓬勃发展和广泛应用的一种材料表面改性高新技术。
2011-05-22 12:13:574275 
本文详细介绍离子注入技术的特点及性能，以及离子注入技术的英文全称。
2011-05-22 12:13:294861 
详细介绍离子注入技术的工作原理和离子注入系统原理图。
2011-05-22 12:24:1618742 
离子注入的特点,与通常的冶金方法不同,离子注入是用高能量的离子注入来获得表面合金层的,因而有其特点。
2011-05-22 12:27:084337 离子注入设备和方法:最简单的离子注入机（图2）应包括一个产生离子的离子源和放置待处理物件的靶室。
2011-05-22 12:29:557367 
离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的技术,其利用离子注入机实现半导体的掺杂,即将特定的杂质原子（Dopant）以离子加速的方式注入硅半导体晶体内改变其导电特性并最终
2011-05-22 12:34:0083 半导体工艺中应用的离子注入是将高能量的杂质离子导入到半导体晶体，以改变半导体，尤其是表面层的电学性质． 注入一般在50-500kev能量下进行 离子注入的优点 注入杂质不受材料溶
2011-05-22 12:37:320 离子注入是另一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中（称为 靶 ）而实现掺杂。 离子束是一种带电原子或带
2011-05-22 12:40:530 离子注入是另一种对半导体进行掺杂的方法。将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中（称为 靶 ）而实现掺杂。 离子束的性质 离子束是一种
2011-05-22 12:43:520 离子注入的特点是加工温度低，易做浅结，大面积注入杂质仍能保证均匀，掺杂种类广泛，并且易于自动化。由于采用了离子注入技术，大大地推动了半导体器件和集成电路工业的发展
2011-05-22 12:56:47118 上帝在调情 发表于: 2010-5-28 10:45 来源: 电子发烧友网 1． 什么是离子注入? 离子注入（Ion Implant）是一种把高能量的掺杂元素的离子注入半导体晶片中，以得到所需要的掺杂浓度和结深的
2011-05-22 13:00:000 电子发烧友为大家整理的离子注入技术专题有离子注入技术基本知识、离子注入技术论文及离子注入技术培训学习资料。离子注入技术就是把掺杂剂的原子引入固体中的一种材料改性方
2011-05-22 16:40:46
半导体硅工艺学是一部半导体材料技术丛书，重点阐述了半导体硅晶体us恒章、外延、杂质扩散和离子注入等工艺技术
2011-12-15 15:17:38117 光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制到以 后要进行刻蚀和离子注入的晶圆上。其原理与照相 相似，不同的是半导体晶圆与光刻胶代替了照相底 片与感光涂层。
2016-06-08 14:55:420 本文详细介绍了离子注入高效SE电池。
2017-11-06 17:27:083 近日，中车时代电气SiC产业化基地离子注入工艺设备技术调试完成，标志着SiC芯片生产线全线设备、工艺调试圆满完成，具备SiC产品的生产条件，下个月产线将正式启动试流片。
2018-01-15 09:50:096732 近日有消息显示，万业企业（600641.SH）全资子公司凯世通的低能大束流集成电路离子注入机已搬进杭州湾洁净室，目前正在根据集成电路芯片客户工艺要求，进行离子注入晶圆验证。
2019-12-31 10:04:085297 介绍工艺之前，我们先聊一下昨天一个朋友提到的日本日新的离子注入设备。日本日新是全球3大离子注入设备商之一。 1973年的时候，该公司就开始做离子注入的工艺设备。 目前的主要业务设备如上表。详细的可以
2020-11-20 10:03:276458 离子注入作为半导体常用的掺杂手段，具有热扩散掺杂技术无法比拟的优势。列表对比 掺杂原子被动打进到基板的晶体内部，但是它是被硬塞进去的，不是一个热平衡下的过程，杂质一般也不出在晶格点阵上，且离子轨迹
2020-11-20 10:10:305208 
沉积、光刻、刻蚀以及等离子注入是半导体和超越摩尔领域制造工艺的4大关键技术。
2021-06-03 11:02:25724 
摘要 新的全湿剥离工艺在去除高度注入的光刻胶时不需要干等离子体灰化工艺，同时保持低缺陷水平和至少相当于记录工艺的高产量性能。灰化步骤的消除减少了不希望的基板损坏和材料损失，改善了周期时间，释放
2022-03-01 14:39:431351 
本文章介绍了我们华林科纳一种光刻胶剥离用组合物，该组合物不仅对离子注入工艺后或离子注入工艺和高温加热工艺后硬化或变质为聚合物的光刻胶具有良好的去除力，而且使膜质腐蚀性最小化。半导体工艺中离子注入工艺
2022-07-01 15:16:081442 
与通过传统热扩散工艺进行掺杂的方式相比，离子注入掺杂具有如下优点。
2022-10-31 09:06:015608 通常，退火工艺是与其他工艺（如离子注入、薄膜沉积、金属硅化物的形成等）结合在一起的，最常见的就是离子注入后的热退火。离子注入会撞击衬底原子，使其脱离原本的晶格结构，而对衬底晶格造成损伤。
2022-11-02 10:03:5215055 功率半导体分立器件的主要工艺流程包括：在硅圆片上加工芯片（主要流程为薄膜制造、曝光和刻蚀），进行芯片封装，对加工完毕的芯片进行技术性能指标测试，其中主要生产工艺有外延工艺、光刻工艺、刻蚀工艺、离子注入工艺和扩散工艺等。
2023-02-24 15:34:133185 第九步退火，离子注入后也会产生一些晶格缺陷，退火是将离子注入后的半导体放在一定温度下进行加热，使得注入的粒子扩散，恢复晶体结构，修复缺陷，激活所需要的电学特性。
2023-04-28 09:32:542021 经过氧化、光刻、刻蚀、沉积等工艺，晶圆表面会形成各种半导体元件。半导体制造商会让晶圆表面布满晶体管和电容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52532 
图案化工艺包括曝光(Exposure)、显影(Develope)、刻蚀(Etching)和离子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271074 
加热扩散的物理原理众所皆知，工艺工具相当简单且不昂贵，然而扩散过程有一些主要的限制。
2023-05-04 09:25:52503 
半导体材料最重要的特性之一是导电率可以通过掺杂物控制。集成电路制造过程中，半导体材料（如硅、错或1E-V族化合物砷化镓）不是通过N型掺杂物就是利用P型掺杂物进行掺杂。
2023-05-04 11:12:512175 
离子注入过程提供了比扩散过程更好的掺杂工艺控制（见下表）。例如，掺杂物浓度和结深在扩散过程中无法独立控制，因为浓度和结深都与扩散的温度和时间有关。离子注入可以独立控制掺杂浓度和结深，掺杂物浓度可以
2023-05-08 11:19:331545 
高电流的硅或错离子注入将严重破坏单晶体的晶格结构，并在晶圆表面附近产生非晶态层。
2023-05-19 09:22:131960 
高压直流电源用于加速离子，大约为200kV的DC电源供应系统被装配在注入机内。为了通过离子源产生离子，需要用热灯丝或射频等离子体源。热灯丝需要大电流和几百伏的供电系统，然而一个射频离子源需要大约
2023-05-26 14:44:171357 
集成电路前道工艺及对应设备主要分八大类，包括光刻（光刻机）、刻蚀（刻蚀机）、薄膜生长（PVD-物理气相沉积、CVD-化学气相沉积等薄膜设备）、扩散（扩散炉）、离子注入（离子注入机）、平坦化（CMP设备）、金属化（ECD设备）、湿法工艺（湿法工艺设备）等。
2023-05-30 10:47:121132 
当质谱仪选择了所需的离子后，离子将进入后段加速区域，射束电流与最后的离子能量被控制在该区内，离子束电流利用可调整的叶片控制，而离子能量则由后段加速电极的电位控制。
2023-06-04 16:38:261185 
在DRAM生产中，离子注入技术被应用于减少多晶硅和硅衬底之间的接触电阻，这种工艺是利用高流量的P型离子将接触孔的硅或多晶硅进行重掺杂。
2023-06-19 09:59:27317 
6.1.4半绝缘区域的离子注入6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.3p型区的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件
2022-01-06 09:23:25402 
6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成6.1离子注入第６章碳化硅器件工艺《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》往期内容：6.1.5高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长
2021-12-31 14:13:05466 在半导体制程中，移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种，引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如，光刻工艺中的光刻胶涂敷，其实也是在基底上形成各种薄膜；又如氧化工艺中晶圆（硅）氧化，也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢？
2023-06-29 16:58:37404 
在前几篇文章（点击查看），我们一直在借用饼干烘焙过程来形象地说明半导体制程 。在上一篇我们说到，为制作巧克力夹心，需通过“刻蚀工艺”挖出饼干的中间部分，然后倒入巧克力糖浆，再盖上一层饼干层。“倒入巧克力糖浆”和“盖上饼干层”的过程在半导体制程中就相当于“沉积工艺”。
2023-06-29 16:56:17830 
离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中，需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能，这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中，离子注入机就是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备。
2023-06-30 16:41:19412 和在刻蚀工艺中一样，半导体制造商在沉积过程中也会通过控制温度、压力等不同条件来把控膜层沉积的质量。例如，降低压强，沉积速率就会放慢，但可以提高垂直方向的沉积质量。因为，压强低表明设备内反应气体粒子
2023-07-02 11:36:401214 
来源：芯智讯，谢谢 编辑：感知芯视界 6月29日，据中国电子科技集团有限公司（以下简称“中国电科”）官方消息，该集团旗下中电科电子装备集团有限公司（以下简称“电科装备”）已实现国产离子注入机28纳米
2023-07-03 09:16:46651 半导体同时具有“导体”的特性，因此允许电流通过，而绝缘体则不允许电流通过。离子注入工艺将杂质添加到纯硅中，使其具有导电性能。我们可以根据实际需要使半导体导电或绝缘。 重复光刻、刻蚀和离子注入步骤会在
2023-07-03 10:21:572170 
离子注入机是芯片制造中的关键装备。在芯片制造过程中，需要掺入不同种类的元素按预定方式改变材料的电性能，这些元素以带电离子的形式被加速至预定能量并注入至特定半导体材料中，离子注入机就是执行这一掺杂工艺的芯片制造设备。
2023-07-03 15:05:55593 
掺杂物的种类、结深与掺杂物浓度是离子注入工艺的最重要因素。掺杂物种类可以通过离子注入机的质谱仪决定，掺杂物浓度由离子束电流与注入时间的乘积决定。四点探针是离子注入监测中最常使用的测量工具，可以测量
2023-07-07 09:51:172240 
在半导体制程中，移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种，引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如，光刻工艺中的光刻胶涂敷，其实也是在基底上形成各种薄膜；又如氧化工艺中晶圆（硅）氧化，也需要在基底表面添加各种新材料。那为什么唯独要强调“沉积”工艺呢？
2023-08-17 15:33:27370 
在晶硅太阳能电池的生产过程中，离子注入是一项非常重要的工艺，它可以大幅度提高光电转换率，实现在应用中的精益有效。「美能光伏」作为一家具有众多检测电池和组件性能设备的光伏企业，拥有的美能傅里叶红外光
2023-08-29 08:35:56376 
半导体的这些参数的最佳值。在广泛使用的绝缘体上硅晶片的制造过程中，对硅的起泡和分裂过程进行了详细的研究。因此，还对硅和化合物半导体的起泡过程进行了比较。这项比较研究在技术上是相关的，因为离子注入诱导的层分裂与直接晶片键合相结合，
2023-09-04 17:09:31317 
本文从离子注入工艺的温度控制出发，研究了离子注入工艺中的束流、注入能量、接触面粗糙度等因素对温控的影响，并结合器件的I-V曲线，探究了碲镉汞红外探测器工艺中注入温度的影响。
2023-09-29 10:45:002367 
半导体前端工艺：第六篇（完结篇）：金属布线 —— 为半导体注入生命的连接
2023-11-27 16:11:35254 
半导体前端工艺（第五篇）：沉积——“更小、更多”，微细化的关键
2023-11-27 16:48:42217 
想要使半导体导电，必须向纯净半导体中引入杂质，而离子注入是一种常用的方法，下面来具体介绍离子注入的概念。
2023-12-11 18:20:46764 
离子注入是一种重要的半导体工艺，用于在材料中引入离子，改变其物理和化学性质。离子注入仿真是对离子的注入过程进行建模和模拟，以帮助优化工艺参数并预测材料性能的变化。以下将详细介绍离子注入仿真的模型
2023-12-21 16:38:19256 半导体改变电阻率的方式有三种，原位掺杂、扩散和离子注入，这三种方式分别过程如何，有何区别呢？
2024-01-05 18:21:111111 
据了解，思锐智能专注于核心半导体前道工艺设备领域，且已实施“双主营”策略，提供LD（原子层沉积）设备及IMP（离子注入）设备，业务涵盖IC、3GS半导体、新能源、光学、零部件镀膜等高端领域。
2024-03-01 15:40:40174
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