总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能
2012-02-02 11:55:20
20788 业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e-mode）氮化镓器件的供应商 奈梅亨 ， 2023 年 5 月 10 日 ： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出
2023-05-10 09:24:51420 
）。另一方面，功率GaN的技术路线从不同的层面看还有非常丰富的种类。 器件模式 功率GaN FET目前有两种主流方向，包括增强型E-Mode和耗尽型D-Mode。其中增强型GaN FET是单芯片常关器件，而耗尽型GaN FET是双芯片常关器件（共源共栅Cascode结构）。 E-
2024-02-28 00:13:001844 2.5A功率增强型电机驱动模块的特性是什么？2.5A功率增强型电机驱动模块有哪些功能？
2021-10-15 09:13:09
2.5A功率增强型电机驱动模块的优点有哪些？2.5A功率增强型电机驱动模块的产品参数有哪些？2.5A功率增强型电机驱动模块的注意事项有哪些？
2021-06-29 09:05:41
`《白皮书》由北京未来芯片技术高精尖创新中心邀请斯坦福大学、清华大学、香港科技大学、***新竹清华大学及北京半导体行业协会，新思科技等在内的领域顶尖研究者和产业界资深专家，包括10余位IEEE
2018-12-13 16:40:38
5G射频测试技术白皮书详解
2021-01-13 06:33:58
适配器解决方案能够以更低的成本实现更多功能。与e-mode等其他氮化镓解决方案相比，我们的常闭型SuperGaN®场效应晶体管(FET)设计简便并具有类似标准硅的驱动性能，同时能以极小的空间占用提供更高
2021-08-12 10:55:49
请问各位大神，能不能列举出增强型51有3个定时器以上，PDIP40封装的，另外能附带技术手册吗
2012-10-23 21:11:49
增强型NFC技术如何让移动设备可靠地仿真非接触式卡片？
2021-05-21 06:56:39
中BSP315P的接法确可以导通（不符合预期），而BSP317P不能导通（符合预期）。这是为什么呢？？2、图中增强型PMOS管 中的Tc ，Tj是什么意思呢？3、像图中的这两种PMOS管的D,S极能对调用吗？？？以上请各位大侠帮忙指导。谢谢！
2017-11-22 10:01:58
文中，将回顾这三种方法，并分享直列式电机电流感应使用增强型脉冲宽度调制（PWM）抑制的五大优势。 如图1所示，基本上有三种不同的方法来测量三相电动机驱动系统中的电流：低侧、直流链路和直列测量。图1所示
2016-12-09 17:22:03
能否介绍增强型Howland电流源、EHCS 实现过程、复合放大器技术应用？
2019-01-25 18:13:07
，以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此，氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面，氮化镓还被用于蓝光激光技术（最明显
2023-06-15 15:50:54
数据中心），或任何可以处理高达数百伏高电压的设备，均可受益于氮化镓等技术，从而提高电源管理系统的效率和规模。（白皮书下载：GaN将能效提高到一个新的水平。）
寻找理想开关
任何电源管理系统的核心
2019-03-14 06:45:11
和功率密度，这超出了硅MOSFET技术的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此，开始了氮化镓晶体管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和优势 松下混合漏极栅极注入晶体管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
的节能。这些电力足以为30多万个家庭提供一年的电量。 任何可以直接从电网获得电力的设备（从智能手机充电器到数据中心），或任何可以处理高达数百伏高电压的设备，均可受益于氮化镓等技术，从而提高电源管理系统的效率和规模。（白皮书下载：GaN将能效提高到一个新的水平。）
2020-11-03 08:59:19
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势，高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
在一段时间内不会在所有应用中取代硅。 原因如下：
第一个需要克服的障碍是 GaN 晶体管的耗尽特性。 有源功率和逻辑电路需要常开和常关类型的晶体管。 虽然可以生产常关型 GaN 晶体管，但它们要么依赖于典型
2023-08-21 17:06:18
白皮书
第二代ClearClock™三次泛音晶体振荡器
在这份全新的白皮书中，我们讨论了最新一代超低抖动三次泛音晶体振荡器的特点、优势、性能和特性，这些振荡器旨在为各种高速应用提供稳定准确的时钟信号
2023-09-13 09:51:52
通道的电导率会降低。最终可以通过在栅极端施加+ve电压来控制漏极电流。要激活这种耗尽型 MOSFET，栅极电压必须为0V，并且漏极电流值要大，以便晶体管处于有源区。因此，再次打开这个MOSFET，+ve
2022-09-13 08:00:00
本帖最后由 zya538 于 2012-12-21 18:46 编辑
Altera文档资料：白皮书
2012-12-21 18:10:06
BFD技术白皮书 华为BFD(双向转发检测)是一套用来实现快速检测的国际标准协议，提供一种轻负荷、持续时间短的检测。与以往的其他“HELLO”检测机制相比，具有许多独到的优势。华为公司已经在高端网络产品上实现了BFD技术，并将提供整套解决方案。 [hide][/hide]
2009-12-12 10:12:22
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）衬底上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。这种GaN内匹配（IM）场效应晶体管与其他技术相比，提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓（GaN）高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC）。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
关键词： FTTH FTTB FTTx EPON 技术 白皮书摘 要：本文献是关于EPON技术的介绍说明型文档，目的在于说明EPON是一个什么技术、解决了什么问题。对EPON中的技术细节进行简单描述，可以帮助你了解EPON这种接入技术的特点。
2013-07-13 23:08:50
11月4-6日，华为开发者大会2022（HDC）在东莞松山湖举办，会上重磅首发《鸿蒙生态应用开发白皮书》！（以下简称《白皮书》）
该书全面阐释了鸿蒙生态下应用开发核心理念、关键能力以及创新体验，为
2022-11-11 11:59:43
IPTV服务质量白皮书
2019-10-14 14:11:22
`作为一家具有60多年历史的公司，MACOM在射频微波领域经验丰富，该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管，后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件（例如砷化镓GaAs）。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
分为增强型和耗尽型，这两种电子元器件工作原理略有不同，增强型管在栅极（G）加上正向电压时漏极（D）和源极（S）才能导通，而耗尽型即使栅极（G）没加正电压，漏极（D）和源极（S）也是导通的。其实到这场效应晶体管
2019-04-15 12:04:44
MiniGUI技术白皮书 Tech WhitePaper1 MiniGUI 简介
2009-03-28 12:23:32
Multisim10.0元件库没P沟道耗尽型MOSFET管，为什么，我其他几种都找到了结型FET增强型FET，耗尽型没P的啊
2012-11-03 10:45:54
。晶体管NPN型和PNP型结晶体管工作状态晶体管的工作原理类似于电子开关。它可以打开和关闭电流。晶体管背后的基本思想是，它允许您通过改变流经第二个通道的较小电流的强度来控制通过一个通道的电流。1）截止
2023-02-15 18:13:01
一般说明PW2202是硅N沟增强型vdmosfet，采用自对准平面技术，降低了传导损耗，改善了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于系统的各种功率开关电路中特征 VDS=200V，ID=2A RDS（开）
2020-12-11 16:37:57
QPD1004氮化镓晶体管产品介绍QPD1004报价QPD1004代理QPD1004咨询热线QPD1004现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50欧姆输入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
RF WCDMA基准比较测试白皮书，不看肯定后悔
2021-05-08 09:08:07
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脉冲条件脉冲宽度：120µsec，占空比10％笔记Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
TGF2977-SM氮化镓晶体管产品介绍TGF2977-SM报价TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨询热线TGF2977-SM现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
ZigBee白皮书
2012-08-20 09:50:41
本帖最后由 laterain 于 2012-6-11 10:43 编辑
‘社区化’发的在线教程不太好阅读，于是乎我便把这本书的pdf文档找来了。Download:[PDF]地面数字电视传输技术白皮书[PDF]数字电视传输技术
2012-06-11 10:40:42
Q1为N沟道增强型场效应管 该电路实际动作：当接通220V交流电，开关S为断开时，Q1导通，灯亮；当开关S闭合时，Q1截止，灯灭。问题：即然Q1为N沟道增强型
2010-11-16 12:28:04
i.MX 7ULP白皮书
2022-12-13 06:00:14
jAVA语言环境白皮书The Java Language Environment (A White Paper)1. Introduction to Java
2008-10-14 17:35:36
测、可穿戴电子产品等，都必须采用效能较好的MCU来达成。 为了帮助工程师朋友们更好地设计产品，电子发烧友在此特地制作了《超经典的MCU开发指南与电路图集》白皮书，以供大家进行参考设计。
2018-10-08 16:17:09
【PPT】ASIC安全管理技术白皮书 附件下载：
2011-02-24 11:32:04
【经典】智能电网白皮书资料汇编 工作、电路设计、方案设计等实战中很多时候遇到的问题在网上找不到好的解决办法，主要是因为工作中接触的各个产品、电子元器件都是各大公司的产品，而这些公司产品、适合技术
2010-12-23 20:15:33
中国移动互联网白皮书
2014-02-21 14:00:59
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的充电器件运行速度，比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化镓相比传统的硅，可以在更小的器件空间内处理更大的电场，同时提供更快的开关速度。此外，氮化镓比硅基半导体器件，可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
）。因此，硅注入毫无疑问对ITO和GaN材料之间形成欧姆接触非常有利。 工作晶体管 为了测试这种方法，我们将透明的源极和漏极欧姆接触技术应用到了真正的氮化镓晶体管上，其设计如图1所示。在这些器件中
2020-11-27 16:30:52
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268，只做原装，价格优势，实单欢迎洽谈。产品信息型号1：NV6127丝印：NV6127属性：氮化镓功率芯片封装：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
ESD增强型器件的特点是什么？如何对ESD增强型器件进行仿真分析？
2021-05-12 06:45:03
精选白皮书——《PCB设计秘籍》分类解答PCB设计过程中的设计技巧及常见问题，包含：1、高度ADC PCB布局布线规则及技巧2、电路散热技巧3、开关稳压器的接地处理4、高温环境下的封装考虑因素5、最大程度提高PCB对电源变化抗扰度……
2021-12-24 16:31:04
导电，故称为单极型晶体管。 单极型晶体管的工作原理 以N沟道增强型MOS场效应管为例说明其工作原理。N沟道增强型MOS管的结构模型如图1所示，它由两个背靠背的PN结组成。 图2是实际结构
2020-06-24 16:00:16
型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型
2019-05-08 09:26:37
材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结
2009-04-25 15:38:10
基于互联网IPv6协议白皮书
2014-02-20 17:30:34
；最大瞬态隔离电压，VOITM；及最大重复峰值隔离电压，VIORM（参见白皮书“高压增强型隔离：定义与测试方法”中的解释）。
2019-08-01 07:38:09
。场效应晶体管是防护电压的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道场效应晶体管和增强型的P沟道场效应晶体管。实际应用中，N场效应晶体管居多。N沟道
2019-03-29 12:02:16
IGBT是由哪些部分组成的？绝缘栅双极型晶体管IGBT有哪些特点？如何去使用绝缘栅双极型晶体管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
数字上/下变频器：VersaCOMM™白皮书
2019-07-08 09:33:14
，因而遇到的这些问题并非那些打从资料、技术方案所能解决的，所以自己就养成了搜集各大公司智能电网的白皮书的习惯。 下面各大公司2010年最新的智能电网的白皮书资料，在这里分享出来，有需要的童鞋可以去看
2010-12-23 21:08:58
功率/高频射频晶体管和发光二极管。2010年，第一款增强型氮化镓晶体管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后随即推出氮化镓功率集成电路- 将GaN FET、氮化镓基驱动电路和电路保护集成为单个器件
2023-06-25 14:17:47
白皮书的总体情况该白皮书总结了欧盟5GPPP的16个项目在过去一年中的研发成果（涉及从5G物理层架构到总体架构、5G逻辑与功能架构、5G网络管理、5G软件网络与技术等各个领域）及共同点、趋势，并提出为
2019-07-11 06:24:04
最近研究了一些物联网相关的白皮书，分享给各位电友
2021-03-30 14:48:23
。在这次活动中，剑桥 GaN 器件公司宣布了其集成电路增强氮化镓(ICeGaN)技术，以修改 GaN 基功率晶体管的栅极行为。这种新技术基于增强型 GaN 高电子迁移率晶体管，具有超低比导通电阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
，将回顾这三种方法，并分享直列式电机电流感应使用增强型脉冲宽度调制（PWM）抑制的五大优势。如图1所示，基本上有三种不同的方法来测量三相电动机驱动系统中的电流：低侧、直流链路和直列测量。图1所示的是传统
2018-10-15 09:52:41
本帖最后由 niezidong 于 2017-8-23 20:43 编辑
简仪科技最近搞的开源平台跟NI是针锋相对啊。近期的宣传都带火药味，还出了一本白皮书。见附件。这白皮书就差直接说搞LabVIEW没前途了。各位对此有何高见？
2017-08-11 15:55:46
评估高可用性机制（白皮书）
2019-10-10 09:09:26
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-13 15:41 编辑
请用一句话通俗易懂的话解释下增强型捕获 eCAP的功能，谢谢
2018-06-13 02:08:55
=oxh_wx3、【周启全老师】开关电源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超结功率MOSFET技术白皮书资料来自网络
2019-06-26 20:37:17
，因此我们能够借用各种各样的既有商业光刻和加工技术。借助这些方法，精确定义几十纳米的晶体管尺寸和产生各种各样的器件拓扑结构变得相对简单。其他宽带隙的半导体材料不具备这种难以置信的有用特性，甚至氮化镓也不
2023-02-27 15:46:36
本帖最后由 dewfn 于 2013-3-27 20:07 编辑
高手进来看看这个电路图是不是画错了MOS管 图上画的是耗尽型，可是我查到的是增强型图上型号是SI4435可是我查到
2013-03-27 13:48:45
VPLS技术白皮书
VPLS技术白皮书摘 要：VPLS技术是在现有的广域网上提供虚拟以太网服务的技术，通过成员关系发现，PW建立与维护，
2010-03-15 14:49:16
23 增强型MOS晶体管,增强型MOS晶体管是什么意思
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上
2010-03-05 15:34:432338 什么是耗尽型MOS晶体管
据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。耗尽型是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟
2010-03-05 15:35:3118687 EPON技术白皮书
2017-01-14 14:34:4038 EIPS技术白皮书(20100531)
2016-12-29 19:32:210 CPP技术白皮书V1.0
2017-09-05 14:36:1312 N沟道增强型网络场效晶体管
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
2017-09-09 07:55:340 MiniGUI 技术白皮书
2017-10-27 15:11:0932 GaN场效应晶体管包括耗尽型（d-mode）、增强型（e-mode）、共源共栅型（cascode）等三种类型，并且每种都具有各自的栅极驱动和系统要求。
2022-03-31 09:32:131281 
新品首发丨芯导科技推出直驱型的E-Mode 氮化镓功率IC — PDG7115
2022-12-30 14:52:03225 
PRISEMI芯导科技推出直驱型的E-Mode 氮化镓功率IC — PDG7115
2023-01-06 10:56:46324 
业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e-mode）氮化镓器件的供应商。
2023-05-10 11:23:31820 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化
2023-05-30 09:03:15385 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出首批支持低电压（100/150 V）和高电压（650 V）应用的 E-mode（增强型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 高通SnapdragonSound技术白皮书
2022-05-18 14:48:1410
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