在国际电子电路研讨会大会（ISSCC）上，三星展示了采用10纳米FinFET工艺技术制造的300mm晶圆，这表明三星10纳米FinFET工艺技术最终基本定型。
2015-05-28 10:25:27
1715 12纳米领先性能(12LP)的FinFET半导体制造工艺。该技术预计将提高当前代14纳米 FinFET产品的密度和性能，同时满足从人工智能、虚拟现实到高端智能手机、网络基础设施等最具计算密集型处理需求的应用。 这项全新的12LP技术与当前市场上的16 /14纳米 FinFET解决方案相比，电路密度提高
2017-09-25 16:12:368666 是德科技（NYSE：KEYS）发布 PathWave Design 2020 产品，其中包括是德科技最新版本的电子设计自动化软件，用于加速射频（RF）和微波、5G 以及汽车设计工程师的设计工作流程。
2019-06-15 09:33:373957 （Microcontroller Unit, MCU）市场，最新推出95纳米单绝缘栅非易失性嵌入式存储器（95纳米5V SG eNVM）工艺平台。在保证产品稳定性能的同时，95纳米5V SG eNVM工艺平台以其低功耗、低成本
2017-08-31 10:25:23
台积电0.18工艺电源电压分别是多少？是1.8v跟3.3v吗？
2021-06-25 06:32:37
` 观点：在技术领先的优势下，台积电获得苹果iPhone5芯片追加订单已成事实。然而，在iPhone 5推出后，苹果已朝下一世代A7处理器迈进，台积电凭借技术领先的优势，预估未来1-2年内
2012-09-27 16:48:11
台积电正在大量生产用于苹果iPhone8手机的10nm A11处理器。消息称，苹果可能在下个月初正式发布iPhone 8，但是具体发货日期仍然不确定。 据悉，台积电已经采用10nm FinFET
2017-08-17 11:05:18
射频芯片和基带芯片的关系是什么？射频芯片是什么工作原理？
2021-06-15 09:16:25
)有限公司(以下简称“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工艺的TD-SCDMA射频(RF)芯片，一举弥补了中国TD-SCDMA产业链发展的短板。随后，锐迪科宣布“推出全球首颗支持HSDPA的TD-SCDMA
2019-07-05 08:33:25
`2.4 GHz CMOS工艺 高效单芯片射频前端集成芯片 产品介绍 AT2401C 是一款面向Zigbee，无线传感网络以及其他2.4GHz 频段无线系统的全集成射频功能的射频前端单芯片
2018-07-28 15:18:34
射频芯片设备造价和流程复杂度远高于MCU
2021-01-28 08:00:20
谁能分享一下射频电路PCB的设计流程吗？
2019-12-31 15:44:03
HSDPA的TD/GSM双模芯片(RDA8206)；鼎芯TD射频芯片(射频收发器CL4020+模拟基带CL4520)实现系统级HSDPA传输；广晟推出TD/GSM双模芯片(RS1012)。有人评述这三家公司
2019-07-05 06:53:47
产品介绍AT2401C 是一款面向Zigbee，无线传感网络以及其他2.4GHz 频段无线系统的全集成射频功能的射频前端单芯片。AT2401C 是采用CMOS 工艺实现的单芯片器件，其内部集成
2019-07-17 12:22:28
微电子(RDA)公司开发出基于全新RF收发结构的单芯片收发器及集成天线开关的高效率功放模块。本文介绍RDA PHS射频收发器芯片的设计方法。
2019-09-20 07:46:19
ESP32 是集成 2.4 GHz Wi-Fi 和蓝牙双模的单芯片方案，采用台积电 (TSMC) 低功耗 40 纳米工艺，具有超高的射频性能、稳定性、通用性和可靠性，以及超低的功耗，满足不同的功耗需求，适用于各种应用场景。
2023-09-18 09:03:17
`7纳米芯片一直被视为芯片业“皇冠上的珍珠”，令全球芯片企业趋之若鹜。在大家热火朝天地竞相布局7纳米工艺时，全球第二大的芯片大厂GlobalFoundries（格罗方德，格芯，以下简称GF）突然宣布
2018-09-05 14:38:53
恩智浦半导体（NXP Semiconductors），近日推出业界领先的QUBIC4 BiCMOS硅技术，巩固了其在射频领域的领导地位，实现在高频率上提供更优的性能和更高集成度的同时，为客户带来成本
2019-07-12 08:03:23
前段时间，微波射频网报道了高通新推出的RF360射频前端解决方案（查看详情），新产品首次实现了单个移动终端支持全球所有4G LTE制式和频段的设计。接下来让我们一起深度解析RF360全新移动射频前端解决方案。
2019-06-27 06:19:28
半导体厂英特尔的步步进逼。 业界人士指出，台积电整合16纳米FinFET Plus及InFO WLP所推出的一元化（turnkey）服务，可将64位应用处理器的运算效能及低功耗特色发挥到极致，对手因
2014-05-07 15:30:16
据外媒报道，预计台积电将获得高通新一代电源管理芯片(PWM IC)70%至80%的订单。高通前一代电源管理芯片是由中芯国际(SMIC)生产的，后者在其8英寸晶圆厂使用0.18至0.153微米工艺来生
2017-09-27 09:13:24
`目录：1 范围 2 规范性引用文件 3 术语和定义 4 印制板基板 5 PCB设计基本工艺要求 6 拼板设计 7 射频元器件的选用原则 8 射频板布局设计 9 射频板布线设计 10 射频PCB设计的EMC 11 射频板ESD工艺 12 表面贴装元件的焊盘设计 13 射频板阻焊层设计 下载链接：`
2018-03-26 17:24:59
公司的器件产品。任职资格：1.电子信息科学相关专业2.掌握RF相关知识，进行射频匹配、调试；3.熟悉射频测试仪器；4.熟悉射频芯片测试流程；5.熟悉PCB版图设计，熟练使用PCB layout软件
2017-08-16 10:57:53
整机研发到软件开发，从外观设计到批量生产的整体服务。3.思科德技术芯路历程4.产品方案1)开发板系列产品开发板提供PDF格式原理图、驱动程序源码、芯片及外设datasheet、CPU引脚定义、开发环境
2013-11-19 17:26:07
ANSYS期望仿真研发平台能够跨越所有物理领域和仿真类别，将用户的工程仿真体验和产品开发结果改善10倍、用户的设计流程性能提升10 倍、洞察力提升10倍、生产力提升10倍，从而让用户在明显降低成本
2019-08-26 08:24:39
0 引言 本文介绍的是如何利用射频技术构建一个自动测试台以实现对加速度传感器的性能检测。加速度传感器广泛用于汽车领域，它主要用在以下几个方面：安全气袋，翻转检测，碰撞检测，车辆动态控制，刹车
2018-11-01 15:16:47
设备采用超外差时分双工方式来完成设计,在符合WiMAX 标准的射频套片推出之前，成功选用SIGE 公司生产的中频芯片SE7051L10 和Texasinstruments 公司生产的射频芯片
2019-08-16 06:26:46
芯片组，英飞凌立刻跟进，也大量推出RFCMOS工艺的产品，而高通在收购Berkana后，也大力采用RFCMOS工艺，一批新进射频厂家无一例外都采用RFCMOS工艺，甚至是最先进的65纳米RFCMOS工艺
2016-09-15 11:28:41
，应用材料公司在对应的商机规模可望有一定程度增加。15年来，芯片代工企业一直在铜互联工艺中使用TaN/Ta薄膜，但当前更高的布线密度增加了工艺难度，业界迫切需要来自材料的创新。于是，具备低电阻率、与铜
2014-07-12 17:17:04
芯片产品从定义到面向市场，大约3~6个月时间。然后以蓝牙为代表的射频技术，与MCU微控制器的设计制造应用流程有诸多不同：开发一款射频SOC蓝牙芯片的周期远远长于开发一款MCU芯片。在设计上射频技术的工作
2021-11-10 06:49:50
Kochpatcharin表示：“台积公司与新思科技等开放创新平台（OIP）合作伙伴紧密合作，助力我们的客户在执行定制及模拟模块的工艺制程设计迁移时，提高生产效率并加快设计收敛。现在，通过全新的新思科技AI驱动型模
2023-04-03 16:03:26
2014年推出。这个处理器的代号为Broadwell。 Broadwell处理器是作为英特尔路线图中“工艺年”推出的。它实际上是2013年推出的Haswell架构缩小的14纳米芯片。然而
2011-12-05 10:49:55
，所以只能以旧工艺（16nm制程）制造A10处理器。除此之外，台积电还将独家代工重大变化的2017年版iPhone采用的A11处理器。据称A11芯片将采用10纳米FinFET工艺，最早有望于明年二季度
2016-07-21 17:07:54
10nm将会流片，而张忠谋更是信心十足，他直言不讳地表示10nm量产后将会抢下更高的份额。台积电联席CEO刘德音此前也曾在一次投资人会议上透露，公司计划首先让自己的10纳米芯片产线在今年底前全面展开
2016-01-25 09:38:11
40nm等工艺节点推出蓝牙IP解决方案，并已进入量产。此次推出的22nm双模蓝牙射频IP将使得公司的智能物联网IP平台更具特色。结合锐成芯微丰富的模拟IP、存储IP、接口IP、IP整合及芯片定制服务、专业及时的技术支持，锐成芯微期待为广大物联网应用市场提供更完善的技术解决方案。
2023-02-15 17:09:56
英飞凌发布全新LTE及3G射频芯片SMARTi LU和SMARTi UEmicro
英飞凌(Infineon Technology)宣布推出具备最高传输速率的第二代LTE射频收发器样片──SMARTi
2009-01-27 17:52:511417 中芯国际和新思科技携手推出参考设计流程4.0
全球领先的半导体设计、验证和制造软件及知识产权（IP）供应商新思科技公司与中国内地最大的芯片代工企业中芯国际集成电
2009-06-29 07:43:54369 高通携手TSMC，继续28纳米工艺上合作
高通公司（Qualcomm Incorporated）与其专业集成电路制造服务伙伴－TSMC前不久日共同宣布，双方正在28纳米工艺技术进行密切合作。此
2010-01-13 08:59:23910 新思科技与中芯国际合作推出用于中芯65纳米低漏电工艺技术的、获得USB标志认证的DesignWareUSB 2.0 nanoPHY
通过芯片验证的DesignWare PHY IP
2010-05-20 17:39:09588 新思科技完整实施流程助力英飞凌在中国成功实现首款40纳米3G基带处理器芯片设计和一次流片成功
中国北京和西安，2010年8月9日—全
2010-08-11 14:39:39510 台积电TSMC已经准备量产28纳米工艺的ARM处理器了。TSMC在2011年第四季度开始从28纳米芯片获得营收，目前28纳米工艺芯片占有公司总营收的额5%。在今年晚些时候，TSMC将加速28纳米芯片的生
2012-04-18 10:22:37830 
该14纳米产品体系与芯片是ARM、Cadence与IBM之间在14纳米及以上高级工艺节点上开发系统级芯片（SoC）多年努力的重要里程碑。使用FinFET技术以14纳米标准设计的SoC能够大幅降低功耗。 这
2012-11-16 14:35:551270 新思科技公司日前宣布：该公司与三星在FinFET技术上的多年合作已经实现了一个关键性的里程碑，即采用三星的14LPE工艺成功实现了首款测试芯片的流片
2013-01-09 12:11:311062 2016年5月19日，北京讯——ARM今日发布了首款采用台积电公司（TSMC）10纳米FinFET工艺技术的多核 64位 ARM®v8-A 处理器测试芯片。仿真基准检验结果显示，相较于目前常用于多款顶尖智能手机计算芯片的16纳米FinFET+工艺技术，此测试芯片展现更佳运算能力与功耗表现。
2016-05-19 16:41:50662 赛灵思、Arm、Cadence和台积公司今日宣布一项合作，将共同构建首款基于台积7纳米FinFET工艺的支持芯片间缓存一致性（CCIX）的加速器测试芯片，并计划在2018年交付
2017-09-23 10:32:124003 赛灵思、Arm、Cadence和台积公司今日宣布计划在 2018 年交付 7 纳米 FinFET 工艺芯片。这一测试芯片旨在从硅芯片层面证明 CCIX 能够支持多核高性能 Arm CPU 和 FPGA 加速器实现一致性互联。
2017-09-25 11:20:206826 在2011年初，英特尔公司推出了商业化的FinFET，使用在其22纳米节点的工艺上［3］。从IntelCorei7-3770之后的22纳米的处理器均使用了FinFET技术。由于FinFET具有
2018-07-18 13:49:00119524 
汉天下电子有限公司是一家fabless的半导体设计公司，其定义、设计和生产应用于手机、无线通讯等方面的新型SOC芯片和射频芯片，已于日前正式宣布和IBM的战略合作。IBM是世界领先的RFSOI工艺
2017-12-05 13:22:37557 射频芯片是将无线电信号通信转换成一定的无线电信号波形， 并通过天线谐振发送出去的一个电子元器件。本文主要介绍了射频芯片的概念、关于射频芯片的相关公司以及基带芯片与射频芯片之间的的区别。
2017-12-16 11:38:5689212 IoT Wi-Fi芯片将打开开启新一轮的摩尔定律。众多射频IC厂家聚焦IoT WIFI芯片，研发集成射频IC，抢占未来物联网产品市场份额，据悉Realtek推出全新RTL8710BX Wi-Fi芯片，还获得九九物联鼎力支持。
2017-12-19 10:52:223785 2018年将会加速5G的进程，5G 的爆发性需求必将加速射频 IC 市场的高速成长。Gartner 预测2018年射频IC产业的成长率有可能会超过4.6%。
2018-01-25 14:50:161219 ANSYS宣布其ANSYS RedHawk和ANSYSR Totem获联华电子（UMC）的先进14纳米FinFET制程技术认证。ANSYS和联电透过认证和完整套装半导体设计解决方案，支援共同客户满足下一代行动和高效能运算（HPC）应用不断成长的需求。
2018-07-17 16:46:003390 采用新思科技Sentaurus、Process Explorer、StarRC、SiliconSmart、PrimeTime和IC Compiler II，DTCO方法学降低了先进半导体工艺开发的成本，并加快了上市速度。
2018-09-21 11:53:527913 英国比克科技（Pico Technology）于2018年9月25日在慕尼黑印度电子展和欧洲微波展同时发布两款射频新产品：快速射频信号合成器AS108和矢量网络分析仪标准检测件TA430和TA431。
2018-12-13 15:24:201232 据中国台湾消息报道，中国大陆芯片代工厂商中芯国际已经从竞争对手台积电手中，夺得华为旗下芯片企业海思半导体公司的14纳米FinFET工艺的芯片代工订单。
2020-01-14 15:31:432677 关注半导体产业的台湾《电子时报》（DigiTimes）1 月 13 日报道称，中国大陆芯片代工厂商中芯国际击败台积电，夺得华为旗下芯片企业海思半导体公司的 14 纳米 FinFET 工艺芯片代工订单。
2020-01-16 09:00:015094 利用对数放大器检测快速射频突发
2021-05-26 19:49:15
8 加利福尼亚州山景城，2022年6月2日– 新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）近日正式推出全新DesignDash设计优化解决方案，以扩展其EDA数据
2022-06-02 16:09:442433 新思科技联合Ansys、是德科技共同开发的高质量、紧密集成的RFIC设计产品，旨在通过全新射频设计流程优化N6无线系统的功率和性能。
2022-06-24 10:40:44992 新思科技（Synopsys）近日推出面向台积公司N6RF工艺的全新射频设计流程，以满足日益复杂的射频集成电路设计需求。
2022-06-24 14:30:13868 新思科技数字和定制设计流程获得台积公司的N3E和N4P工艺认证，并已推出面向该工艺的广泛IP核组合。
2022-07-12 11:10:51877 新思科技携手三星联合开发端到端射频设计参考流程和设计解决方案套件，并集成Ansys的领先技术，以加快设计完成。
2022-08-14 13:54:10871 RF 工艺技术设计的集成电路，快捷地对比电路前仿和识别设计时的电磁效应，并完成版图寄生参数提取的后仿结果。该 8nm 射频集成电路流程是三星最新推出的技术，进一步补充了其广泛的 RF 解决方案
2022-10-18 14:16:561341 ASIC设计服务暨IP研发销售厂商智原科技（Faraday Technology Corporation，TWSE： 3035）今日推出支援多家晶圆厂FinFET工艺的芯片后端设计服务（design implementation service），由客户指定制程（8纳米、7纳米、5纳米及更先进工艺）及生产的晶圆厂。
2022-10-25 11:52:17724 ，纳斯达克股票代码：SNPS ）近日宣布，得益于与台积公司的长期合作，新思科技针对台积公司N3E工艺技术取得了多项关键成就，共同推动先进工艺节点的持续创新。新思科技经产品验证的数字和定制设计流程已在台积公司N3E工艺上获得认证。此外，该流程和新思科技广泛的
2022-11-08 13:37:191358 工艺技术取得了多项关键成就，共同推动先进工艺节点的持续创新。新思科技经产品验证的数字和定制设计流程已在台积公司N3E工艺上获得认证。此外，该流程和新思科技广泛的基础IP、接口IP组合已经在台积公司N3E工艺上实现了多项成功流片，助力合
2022-11-10 11:15:22502 技（Synopsys）、Ansys和是德科技近日宣布，推出针对台积公司16纳米精简型工艺技术（16FFC，16nm FinFET Compact）的全新毫米波（mmWave）射频（RF）设计流程。这个开放式前后端全设计流程集成了针对RFIC设计的行业领先的现代设计工具，双方的共同客户可以采用该流程来获得性能、功耗、成本
2022-11-15 18:15:01641 为满足5G/6G SoC对性能和功耗的严苛需求，新思科技(Synopsys,Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS)、Ansys和是德科技近日宣布，推出针对台积公司16纳米精简型工艺技术(16FFC
2022-11-16 16:24:19570 工艺技术的2D/2.5D/3D多裸晶芯片系统。基于与台积公司在3DFabric™技术和3Dblox™标准中的合作，新思科技提供了一系列全面的、系统级的、经过产品验证的解决方案，助力共同客户能够满足复杂的多裸晶芯片系统对于功耗和性能的严苛要求。
2022-11-16 16:25:43877 新思科技（Synopsys， Inc.）近日宣布，推出全面EDA和IP解决方案，面向采用了台积公司先进N7、N5和N3工艺技术的2D/2.5D/3D多裸晶芯片系统。基于与台积公司
2022-12-01 14:10:19486 ）设计流程是双方合作中的亮点之一 新思科技（Synopsys）近日宣布，连续第12年被评选为“台积公司OIP开放创新平台年度合作伙伴”（OIP，Open Innovation Platform）并斩获六个奖项，充分彰显了双方长期合作在 多裸晶芯片系统、 加速高质量接口IP、射频设计、云解决方案
2022-12-14 18:45:02534 摘要： 新思科技连续12年被评为“台积公司OIP年度合作伙伴” 该合作推动了多裸晶芯片系统的发展和先进节点设计 奖项涵盖数字和定制设计、IP、以及基于云的解决方案 推出毫米波（mmWave）射频
2022-12-15 10:48:45323 
针对台积公司16FFC的79GHz毫米波射频设计流程加速自动驾驶系统中射频集成电路的开发。 新思科技、Ansys和是德科技近日宣布，推出针对台积公司16纳米精简型工艺技术（16FFC）的全新
2023-05-17 05:45:01232 
股票代码：SNPS）近日宣布，携手台积公司和Ansys持续加强多裸晶芯片系统设计与制造方面的合作，助力加速异构芯片集成以实现下一阶段的系统可扩展性和功能。得益于与台积公司在3DFabric™技术和3Dblox™标准中的合作，新思科技能够为台积公司先进的7纳米、5纳米和3纳米工艺技
2023-05-17 15:43:06229 新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布，携手台积公司和Ansys持续加强多裸晶芯片系统设计与制造方面的合作，助力加速异构芯片集成以实现下一阶段的系统可扩展性和功能。得益于与台积公司
2023-05-18 16:04:08790 Ansys多物理场平台支持英特尔16nm工艺的全新射频功能和其他先进特性，能够通过与芯片相关的预测准确性来加速完成设计并提高性能
2023-08-15 09:27:50310 
广泛的关注。本文将从以下几个方面详细介绍该芯片的技术特点、优势和应用前景。 一、技术特点 中国首款可重构5G射频芯片采用的是28纳米工艺，这意味着芯片的尺寸小、功耗低、性能强大。与传统的固定功率的射频芯片不同，该芯片可以根据不同
2023-09-01 16:12:52733 射频前端和射频芯片的关系 射频前端和射频芯片有着紧密的关系，两者密不可分。射频前端是信息与信号处理中的重要组成部分，它是指从天线开始到最后一级放大器之间的电路系统。而射频芯片则是射频电路、微波电路
2023-09-05 09:19:141805 新思科技经认证的多裸晶芯片系统设计参考流程和安全的Die-to-Die IP解决方案，加速了三星SF 5/4/3工艺和I-Cube及X-Cube技术的设计和流片成功。 新思科技3DIC
2023-09-14 09:38:28839 《半导体芯科技》编译 来源：EENEWS EUROPE 新思科技（Synopsys）表示，其客户已在台积电2nm工艺上流片了多款芯片，同时对模拟和数字设计流程进行了认证。 新思科技表示，台积电2nm
2023-10-08 16:49:24285 新参考流程采用台积电 N4PRF 制程，提供了开放、高效的射频设计解决方案
2023-10-10 18:22:21457 多个设计流程在台积公司N2工艺上成功完成测试流片；多款IP产品已进入开发进程，不断加快产品上市时间 摘要： 新思科技经认证的数字和模拟设计流程可提高高性能计算、移动和AI芯片的产品质量
2023-10-19 11:44:22104 设计质量的同时，节省数周的手动迭代时间。 新思科技可互操作工艺设计套件（iPDK）适用于台积公司所有FinFET先进工艺节点，助力开发者快速上手模拟设计。 新思科技携手Ansys 和 Keysight 共同推出全新射频设计参考流程，能够为现代射频集成电路设计提供完整解决方案。 加利福
2023-10-24 11:41:37186 新思科技近日宣布，其数字和定制/模拟设计流程已通过台积公司N2工艺技术认证，能够帮助采用先进工艺节点的SoC实现更快、更高质量的交付。新思科技这两类芯片设计流程的发展势头强劲，其中数字设计流程已实现
2023-10-24 16:42:06475 新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布，面向台积公司N5A工艺推出业界领先的广泛车规级接口IP和基础IP产品组合，携手台积公司推动下一代“软件定义汽车”发展，满足汽车系统级芯片（SoC）的长期可靠性和高性能计算需求。
2023-10-24 17:24:56505 模拟设计 新思科技携手Ansys 和 Keysight 共同推出全新射频设计参考流程，能够为现代射频集成电路设计提供完整解决方案 新思科技(Synopsys)近日宣布，其模拟设计迁移流程已应用于台积公司N4P、N3E 和 N2 在内的多项先进工艺。作为新思科技定制设计系列产品
2023-11-09 10:59:40436 新思科技（Synopsys）被评为“台积公司开放创新平台（OIP）年度合作伙伴”（Open Innovation Platform，OIP）并获得数字芯片设计、模拟芯片设计、多裸晶芯片系统、射频
2023-11-14 10:31:46376 高速射频AD转换器前端设计
2023-11-24 15:41:11215 
全新参考流程针对台积公司 N4PRF 工艺打造，提供开放、高效的射频设计解决方案。
2023-11-27 16:54:02405 新思科技（Synopsy）近日宣布，携手Ansys 、三星半导体晶圆代工（以下简称“三星”）共同开发了面向三星14LPU工艺的全新射频集成电路（RFIC）设计参考流程
2023-12-11 18:25:55451 近日，国内领先的射频前端芯片公司开元通信宣布完成数亿元B轮融资。本轮融资将助力开元通信进一步丰富滤波器产品品类，提升优势产品线的综合市占率，并在新品类滤波芯片及全自研射频模组芯片等产品方向取得更大规模出货和市场地位。
2024-01-05 15:36:12203 新思科技（Synopsys）与Ansys两家业界巨头近日宣布，新思科技将以350亿美元的价格收购Ansys。这一并购计划旨在推动两家公司在芯片到系统设计解决方案领域的全球领导地位。
2024-01-17 14:53:48323 新思科技和Ansys近日宣布已达成最终协议，新思科技将收购Ansys。该交易预计于2025年上半年完成，并需获得股东和监管部门的批准。
2024-01-17 17:00:13557
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