飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)已经扩充其短路额定IGBT产品组合，为电机驱动设计者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低损耗和短路耐用性至关重要的三相电机驱动应用
2012-09-10 09:59:45
613 飞兆半导体已扩展和改进了其采用Dual Cool封装的产品组合，解决了DC-DC转换应用中面临提升功率密度的同时节省电路板空间和降低热阻的挑战。
2013-01-08 17:04:441112 通过立足于超结技术创新和20多年的丰富经验，英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）进一步扩展其CoolMOSTM产品组合，推出全新PFD7系列，该系列不仅具备一流的性能
2020-02-14 18:50:132537 英飞凌科技股份公司成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言，新推出的600 V CoolMOS™ S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。
2020-03-04 07:46:001360 该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片，可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和传导损耗可以最大限度地减少冷却器件的尺寸。
2020-07-14 17:40:231316 URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN为满足客户对更高功率密度产品的需求，而最新推出的宽压高功率密度产品。
2020-08-04 11:13:351227 半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ，扩展了英飞凌采用成熟的62 mm 封装设计的产品组合。电流输出能力的提高为系统设计人员在设计额定电流更高方案的时候，不仅提供最大
2023-08-07 11:12:56417 
。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431207 
英飞凌 | CoolSiC™器件为台达双向逆变器提供助力英飞凌科技股份公司的CoolSiC™产品被总部位于台湾的全球领先的电源管理及散热解决方案提供商台达电子选用，使得台达电子向着利用绿色电力实现
2022-08-09 15:17:41
功率密度。得益于此，英飞凌率先将40 A 650V IGBT和40 A二极管组合到D2PAK封装中。较之竞争对手的D2PAK封装产品，这个新的产品家族的额定参数高于市场上的所有其他产品，其他组合封装
2018-10-23 16:21:49
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
。依托其成本合算、节能高效和高功率密度的器件，英飞凌驱动着汽车电子的未来。 [/td][/tr]英飞凌汽车电子解决方案.pdf (3.17 MB )
2018-12-13 17:15:46
，对通信电源产品提出了高效率、高功率密度的客观要求。同时新型高性能器件的不断涌现与和软开关技术的出现，客观上也为通信电源的高效率，高功率密度设计提供了可能性。本文主要介绍了一台1.8KW的高效率通信
2011-03-10 11:00:12
能量轉換元件如變壓器、儲能元件如電感及電容，達到高效率、高功率密度的要求。為求簡便，本文以下稱之電源轉換技術。電源轉換技術的發展著重在達到高功率密度及高轉換效率，即為所謂的「輕、薄、短、小」。電源轉換
2018-12-05 09:48:34
射频功率放大器被广泛应用于各种无线通信设备中。在通讯基站中，线性功放占其成本比例约占1／3。高效率，低成本的解决功放的线性化问题显得非常重要。因此高效率高线性的功放一直是功放研究的热门课题。
2019-09-17 08:08:11
本文将对AB类与D类放大器进行比较，讨论D类放大器高效率实现原理，并解释了输出为脉宽调制（PWM）波形时还可通过扬声器听到正常声音的原因。
2021-06-04 06:37:20
解决方案更高的功率密度和更高的效率。无铅RoHS封装新增PowerTrench器件，丰富了FAI中等电压范围MOSFET产品阵容，作为齐全的PowerTrenchMOSFET产品系列的一部分，它能够满足
2012-04-28 10:21:32
描述PMP20978 参考设计是一种高效率、高功率密度和轻量化的谐振转换器参考设计。此设计将 390V 输入转换为 48V/1kW 输出。PMP20637 功率级具有超过 140W/in^3
2018-10-26 10:32:18
克服了上述问题，可实现高功率密度、高效率 (达 99%) 的解决方案。这款固定比例、高电压、高功率开关电容器控制器内置 4 个 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，用于驱动外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
LTM4657是采用相同引脚配置的高效率微型封装降压器μModule器件系列中的一款产品。与LTM4626和LTM4638相比，它的开关频率更低, 因此LTM4657在8 A输出电流范围内提供更高
2020-10-30 07:58:28
朝着更高功率密度、更高能效的功率转换器设计方向前进，需要采用SuperSO8、S3O8 或DirectFET/CanPAK等全新封装代替有管脚的SMD封装或适用于低压MOSFET的过孔器件。由于存在封装
2018-12-07 10:21:41
PCB加工如何实现高精度和高效率的钻孔呢？有哪些方法和步骤呢？
2023-04-11 14:50:58
本文提出了一种超高效率、高功率密度的功率因数设计校正(PFC)和非对称半桥(AHB)反激变换器140w PD3.1适配器应用程序。在升压PFC设计中，采用了GaNSense功率ic，以实现更高的频率
2023-06-16 08:06:45
什么是功率密度？功率密度的发展史如何实现高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
描述TIDA-01495 是一款具有低厚度（17mm 高）、94.1% 的峰值效率、高功率密度、通用输入、24V 直流及 480W 输出的消费级交流/直流电源参考设计。其电路具有
2018-10-15 09:37:43
描述 PMP20978 参考设计是一种高效率、高功率密度和轻量化的谐振转换器参考设计。此设计将 390V 输入转换为 48V/1kW 输出。PMP20637 功率级具有超过 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
单相异步电机如何才能实现高效率的工作
2021-01-27 07:48:07
解决方案来简化您的设计，提高功率密度和可靠性了。在GaN解决方案门户上查看TI完整的GaN直流/直流转换产品组合。 更多电源类博文更多充电类产品TI更多视频培训原文链接：https
2019-07-29 04:45:02
功率密度本设计实现35W/in3功率密度，满载94.5%效率@ 90Vac，并通过CE和RE标准足够的保证金。
2023-06-16 09:04:37
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-03-01 09:52:45
实现功率密度非常高的紧凑型电源设计的方法
2020-11-24 07:13:23
，高功率密度的电源模块多采用国际流行的工业标准封装，产品兼容性更广。其次，产品的同等功率体积重量大大缩小，只有传统产品的四分之一。第三，技术指标有重大改善，特别是效率提高到90%.第四，产品本身优异的热
2016-01-25 11:29:20
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
）5mm×6mm FET这类更新的方形扁平无引线（QFN）封装在硅片和源极管脚之间能提供更小的封装电阻。单位面积的电阻较小意味着单位面积的传导损耗较少，也意味着更高的电流能力和更高的功率密度。因此
2017-08-21 14:21:03
`该模块在更小的空间里包含了各种智慧特性，简化了下一代的服务器以及通讯系统的功率输出，在下一代服务器以及通讯系统功率输出应用中，在不断缩小电路板可用空间中实现高效率与高功率密度是设计人员面临的两大
2013-12-09 10:06:45
，通过循环泄漏能量并将其传递到输出端而不是耗散以实现高于传统反激式转换器的效率;最后可以实现更高的功率密度更低的开关能耗使开关频率更高，使无源元件体积更小。银联宝科技推出新款开关电源芯片U6773S
2018-07-10 09:15:22
整个寿命周期成本时，逐步减少能量转换过程中的小部分损失并不一定会带来总体成本或环境效益的大幅提升。另一方面，将更多能量转换设备集成到更小的封装中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工厂或数据中心
2020-10-27 10:46:12
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-08-06 07:20:51
2023 年 3 月 2 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出10款结合了瑞萨广泛产品的全新“成功产品组合”——其中包括电动汽车（EV）充电、仪表盘
2023-03-02 14:29:51
%。对损耗的改善情况显示在图4中，尤其是在15A的峰值电流下的损耗降低得非常明显。结论：TrenchFET IV产品用在同步降压转换器中，能够提高整体的系统效率和功率密度。这些产品的更高性能还能够实现更小
2013-12-31 11:45:20
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
电动工具中直流电机的配置已从有刷直流大幅转向更可靠、更高效的无刷直流（BLDC）解决方案转变。斩波器配置等典型有刷直流拓扑通常根据双向开关的使用与否实现一个或两个功率金属氧化物半导体场效应晶体管
2019-08-01 08:16:08
采用短或厚的导线实现低电阻连接，才能充分发挥SuperSO8封装的优势。 实现更高功率密度和效率的芯片和封装技术只有将高性能的半导体技术与最先进的封装技术结合起来，才能满足对更高效率和更高功率密度的需求
2018-12-07 10:23:12
怎样去设计一种高效率音频功率放大器？如何对高效率音频功率放大器进行测试验证？
2021-06-02 06:11:23
，高效率的特性。§可实现5V~20V以内任意电压的恒压输出，100mA~5A以内的任意电流恒流输出以及300mW~60W恒功率输出。§让负载通过USB PD协议对适配器进行编程，按照最佳供电效率的方式，给
2017-04-12 18:43:19
集成是固态电子产品的基础，将类似且互补的功能汇集到单一器件中的能力驱动着整个行业的发展。随着封装、晶圆处理和光刻技术的发展，功能密度不断提高，在物理尺寸和功率两方面都提供了更高能效的方案。对产品
2020-10-28 09:10:17
近日，实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.宣布，扩展其面向Wi-Fi网关、机顶盒、路由器、企业级接入点的802.11ax产品组合。此次推出的集成模块和高级滤波器的高效率产品组合可改善Wi-Fi覆盖范围，帮助实现外形更小巧的终端产品，并降低消费者、服务提供商和制造商的成本。
2019-09-04 06:00:03
，0.85V/25A PoL，PCB 面积为 40mm x 55mm在 0.85V/25A、500kHz 时 >82% 的高效率通过 PMBus 和 TI 的 Fusion GUI 进行自适应电压
2022-09-27 06:47:49
传统变压器介绍高功率密度变压器的常见绕组结构
2021-03-07 08:47:04
集成来减小系统体积我还将演示如何与TI合作，使用先进的技术能力和产品来实现这四个方面，帮助您改进并达到功率密度值。首先，让我们来定义功率密度，并着重了解一些根据功率密度值比较解决方案时的细节
2022-11-07 06:45:10
（或更小尺寸）实现相同输出功率量的约束，因此，对更高功率密度的需求已经成为一种趋势。TI的产品组合包括带高电流、快速升降时间和延时匹配的栅极驱动器。参见表1。 分类设备描述升/降时间延时匹配 高电流
2019-08-07 04:45:12
新年伊始，设计师们似乎在永远不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我讨论了高电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管
2019-03-08 06:45:10
IR推出高效率氮化镓功率器件
目前，硅功率器件主要通过封装和改善结构来优化性能提升效率，不过随着工艺技术的发展这个改善的空间已经不大了
2010-05-10 17:50:571017 对于现代的数据与电信电源系统，更高的系统效率和功率密度已成为核心焦点，因为小型高效的电源系统意味着节省空间和电费账单。
2011-07-14 09:15:132672 由于功率密度的增加，能量损耗的密度也更为集中。更高的效率就意味着更低的热损耗。提高电源效率正在迅速成为提高功率密度时唯一可行的措施。本文讨论的AC/DC电源，80%以上的效率
2011-09-29 11:30:581394 
在电路板尺寸不断缩小的新一代服务器和电信系统供电应用中，提高效率和功率密度是设计人员面临的重大挑战。为了应对挑战，飞兆半导体研发了智能功率级（SPS）模块系列——下一代超紧凑的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:011811 2016年5月10日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。
2016-05-10 18:14:091164 2017年6月30日，德国慕尼黑和纽伦堡讯—效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系统成本更低：这是基于碳化硅（SiC）的晶体管的主要优势。英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）开始批量生产EASY 1B——英飞凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模块。
2017-07-03 10:13:261770 全额定电流反并联二极管。全新TO-247PLUS 3脚和4脚封装可满足对更高功率密度和更高效率不断增长的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型应用包括变频器、光伏逆变器和不间断电源（UPS）。其他应用包括电池充电和储能系统。
2018-05-18 09:04:001989 基于最新的微沟道沟槽栅芯片技术，英飞凌推出全新1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 ，针对工业电机驱动应用进行芯片优化，实现更高功率密度与更优的开关特性。
2018-06-21 10:10:4412361 Vicor公司日前宣布推出兼容 VITA 62 电源的全新电源系统产品系列，专为 3U 开放式 VPX 系统精心设计，可在坚固的传导散热底座中实现高效率和高功率密度。
2019-04-03 16:44:482518 N.J.-ANADIGICS公司的Warren宣布推出新系列4 mm x 4 mm高效率低功率（HELP）宽带CDMA（W-CDMA）功率放大器（PA）模块。 AWT6270，AWT6271
2019-09-15 17:24:002677 URB_YMD-30WR3 系列是MORNSUN为满足客户对更高功率密度产品的需求，而最新推出的宽压高功率密度产品。
2019-10-22 13:48:241750 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力在电子商务网站上供应这款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:382779 全新的90W PoE产品组合符合IEEE 802.3bt标准，该标准将标准PoE功率提高了一倍以上，扩展了无线接入点和IoT无线网关的功能。该产品组合所提供的更高功率能力有助于实现PoE供电的5G小基站和数字化楼宇。
2020-03-18 09:20:232113 什么样的MOSFET才适合储能系统？英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET产品系列，帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。
2020-08-21 14:01:251014 
不同的拓扑结构和电压等级组合，有望成为下一代最佳性价比的MW级大功率T型三电平解决方案。 高效率、高可靠性 大功率T型三电平IGBT方案 当前光伏/储能/风电等应用中，单机功率需求越来越大；同时基于整机效率和电网友好考虑，三电平变换器也在逐渐成为新的主流方案。与此同
2020-09-23 14:12:228253 英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 英飞凌采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET，导通电阻从 30mΩ到 350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率
2021-03-01 12:16:022084 LTM4600-10A DC/DC uModule在紧凑的封装中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:17
5 高效率高功率密度电力电子技术及案例分析
2021-07-22 09:59:285 英飞凌科技股份公司将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301194 在QR反激式转换器中采用GaN HEMT和平面变压器，有助于提高开关频率和功率密度。然而，为了在超薄充电器和适配器设计中实现更高功率密度，软开关和变压器漏感能量回收变得不可或缺。
2022-03-31 09:26:451951 
CoolSiC™ MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度。
2022-06-22 10:22:222876 
服务器容量和快速连接以进行实时数据传输。实现这一目标需要高效的服务器和电信开关电源 (SMPS)。不可避免地，SMPS 的输出功率水平必须达到更高水平，同时保持相同的外形尺寸。这种苛刻的组合解释了为什么功率密度变得越来越重要。除了性能之外，系统成本降低以及模块化和设
2022-08-04 09:29:084193 
电力电子领域的各种应用。MOSFET 的基本特性之一是其能够承受甚至非常高的工作电流、卓越的性能、稳健性和可靠性。该LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封装设计用于比 D²PAK 等旧金属电缆封装小尺寸和更高的功率密度，适用于当今空间受限的高功率汽车应用。
2022-08-09 08:02:112783 
华为全新推出产品组合方案，以高性能资源池为基础，助力国泰君安成为证券行业分布式核心交易的标杆。
2022-08-25 11:17:401730 电子发烧友网站提供《具有高电压GaN FET的高效率和高功率密度1kW谐振转换器设计.zip》资料免费下载
2022-09-07 11:30:0510 本文将介绍实现更高电源功率密度的 3 种方法，工艺技术创新、电路设计技术优化、热优化封装研发
2022-12-22 11:59:59649 
为了适应业界对节省空间、提高功率密度和电流处理能力的需要，Nexperia大大改进了最新的铜夹封装。 LFPAK88结合了低RDSon和高ID，将功率密度基准设定为1 W / mm3以上。
2023-02-10 09:39:061313 
、储能等新兴领域提供更高效率、更安全、更绿色的电源管理方案和测试解决系统，携手助力绿色中国梦 、双碳目标的实现、大模型计算等。
2023-05-14 17:19:00753 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布扩充 NextPower 80/100 V MOSFET 产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供 LFPAK56E 封装
2023-06-21 10:34:32564 、高可靠性和高质量的节能牵引应用。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）为了满足上述需求，在其CoolSiC功率模块产品组合中增加了两款
2023-06-22 10:14:43333 
以设计有源天线系统、远程无线电单元和其他系统，以符合最新的 5G 要求并满足不断增长的数据传输和存储需求。同时，TI 的无桥 PFC 拓扑、GaN 电源产品和接口 IC，可以帮助您创建更加可靠、节能且经济高效的商用通信电源整流器，并确保具备更高功率密度
2023-11-08 08:21:30159 
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01311 技术的产品系列，其新封装形式一定程度上丰富了其市场价值主张。图1显示了目前可用的分立产品组合，重点如下：1.采用TO-247PLUS封装可实现高功率密度，可用于商用车和农用车(CAV)
2023-12-11 17:31:13196 应用提供比之前高八倍以上的功率密度。 中国上海（2024 年 3 月 6 日）– 德州仪器 (TI)（NASDAQ 代码：TXN）今日推出两个全新的功率转换器件产品系列，可帮助工程师在更小的空间内实现更高的功率，从而以更低的成本提供超高的功率密度。德州仪器新款 100V 集成氮化镓 (GaN) 功
2024-03-06 14:40:5378 
高八倍以上的功率密度。 上海2024年3月6日 /美通社/ -- 德州仪器 (TI)（NASDAQ 代码：TXN）今日推出两个全新的功率转换器件产品系列，可帮助工程师在更小的空间内实现更高的功率，从而以更低的成本提供超高的功率密度。德州仪器新款 100V 集成氮化镓 (GaN) 功率级采用热增强
2024-03-07 16:03:04225 另外，CoolSiC MOSFET产品组合还成功实现了SiC MOSFET市场中的最低导通电阻值（Rdson），这大大提高了能效、功率密度，以及在电力系统中的可靠性，降低了零件使用数量。
2024-03-10 12:32:41502 英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET，满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源
2024-03-15 16:31:45210 
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度
2024-03-20 08:13:0574 英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列，这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装，为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29130
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