解析光刻芯片掩模的核心作用与设计
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2017-09-29 09:09:1712238
什么是掩模版?掩模版(光罩MASK)—半导体芯片的母板设计
掩模版(Photomask)又称光罩、光掩模、光刻掩模版、掩膜版、掩膜板等,是光刻工艺中关键部件之一,是下游行业产品制造过程中的图形“底片”转移用的高精密工具
2023-12-25 11:41:135424
2025年,全球集成电路(IC)光掩模市场总销售有望达到1508.54百万美元
`集成电路(IC)光掩模,又称光罩、掩膜版、光刻掩膜版、掩模版等,是下游行业产品制造过程中的图形“底片”转移用的高精密工具,是承载图形设计和工艺技术等知识产权信息的载体。掩膜版用于下游电子元器件
2019-12-10 17:18:10
光刻技术原理及应用
被显影液溶解,获得的图形与掩模版图形互补。负性抗蚀剂的附着力强、灵敏度高、显影条件要求不严,适于低集成度的器件的生产。 半导体器件和集成电路对光刻曝光技术提出了越来越高的要求,在单位面积上要求完善传递
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光刻机工艺的原理及设备
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2020-07-07 14:22:55
光刻胶
MEMS、芯片封装和微加工等领域。目前,直接采用 SU8光刻胶来制备深宽比高的微结构与微零件已经成为微加工领域的一项新技术。在微流控芯片加工中,SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。运用
2018-07-12 11:57:08
光刻胶在集成电路制造中的应用
文章编号:1003-353X(2005)06-0032-051 引言作为微电子技术核心的集成电路制造技术是电子工业的基础,其发展更新的速度是其他产业无法企及的。在集成电路制作过程中,光刻是其关键工艺[1
2018-08-23 11:56:31
芯片制作工艺流程 二
,然后以设定的转速和时间甩胶。由于离心力的作用,光刻胶在基片表面均匀地展开,多余的光刻胶被甩掉,获得一定厚度的光刻胶膜,光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和甩胶的转速来控制。所谓光刻胶,是对光、电子束或X线
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芯片里面100多亿晶体管是如何实现的
,光刻和刻蚀是其中最为核心的两个步骤。 而晶体管就是通过光刻和蚀刻雕刻出来的,光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光,光刻胶见光后会
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解析LED晶圆激光刻划技术
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2011-12-01 11:48:46
Futurrex高端光刻胶
并可作永久隔层。 NR9-P 系列 负性光刻胶,具有高粘附性适用于电镀及湿法蚀刻。 NR71-P 系列 负性光刻胶,用于干法蚀刻中掩模应用并能作为永久隔层。 NR21-P 系列 负性光刻胶,用于厚度超过
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JCMSuite应用—衰减相移掩模
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一文带你了解芯片制造的6个关键步骤
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半导体光刻技术基本原理
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魂迁光刻,梦绕芯片,中芯国际终获ASML大型光刻机 精选资料分享
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造,光刻机作为集成电路制造中最关键的设备,对芯片制作工艺有着决定性的影响,被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”,根据之前中芯国际的公报,目...
2021-07-29 09:36:46
英特尔认为浸入式光刻能延伸到11纳米
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英特尔的先进光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特尔希望EUV或者无掩模电子束光刻能作为193纳米浸入式光刻在11纳米的后补者
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掩膜ROM型产品单价便宜,却有额外增加开发费用的风险。掩膜ROM型产品的风险因素主要有二。首先是掩膜
2010-03-26 11:07:043695
看懂光刻机:光刻工艺流程详解
光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤,耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上,这一过程通过光刻来实现, 光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能
2018-04-08 16:10:52162273
一文解析刻蚀机和光刻机的原理及区别
光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。
2018-04-10 09:49:17131483
一文看懂asml光刻机工作原理及基本构造
在半导体芯片制造设备中,投资最大、也是最为关键的是光刻机,光刻机同时也是精度与难度最高、技术最为密集、进步最快的一种系统性工程设备。光学光刻技术与其它光刻技术相比,具有生产率高、成本低、易实现高的对准和套刻精度、掩模制作相对简单、工艺条件容易掌握等优点,一直是半导体芯片制造产业中的主流光刻技术。
2018-04-10 11:26:34205917
我国芯片产业为何会被光刻机掐住了脖子?
”级别的“神器”我国能赶超欧美吗?特别是最近某科技媒体称,“是什么卡了我们的脖子—— 这些“细节”让中国难望顶级光刻机项背”,笔者根据公开资料解析我国光刻机最新进展。所谓光刻机,原理实际上跟照相机差不多
2018-07-29 11:16:005435
说一说光刻机的那些事儿
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗、烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。最初的工序是用光来制作一个掩模版,然后在硅片表面均匀涂抹光刻胶,将掩模版上的图形或者电路结构转移复制到硅片上,然后通过光学刻蚀的方法在硅片上刻蚀出已经“复制”到硅片上的内容。
2018-05-03 15:06:1319445
光刻技术的基本原理!光刻技术的种类光学光刻
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2019-01-02 16:32:2323711
浅析光刻技术的原理和EUV光刻技术前景
光刻是集成电路最重要的加工工艺,他的作用,如同金工车间中车床的作用。在整个芯片制造工艺中,几乎每个工艺的实施,都离不开光刻的技术。光刻也是制造芯片的最关键技术,他占芯片制造成本的35%以上。在如今的科技与社会发展中,光刻技术的增长,直接关系到大型计算机的运作等高科技领域。
2019-02-25 10:07:535812
干货!光刻技术的原理和EUV光刻技术前景
光刻是集成电路最重要的加工工艺,他的作用,如同金工车间中车床的作用。在整个芯片制造工艺中,几乎每个工艺的实施,都离不开光刻的技术。
2019-03-02 09:41:2911136
深度探究光刻技术的原理和EUV光刻技术前景
光刻是集成电路最重要的加工工艺,他的作用,如同金工车间中车床的作用。在整个芯片制造工艺中,几乎每个工艺的实施,都离不开光刻的技术。光刻也是制造芯片的最关键技术,他占芯片制造成本的35%以上。在如今的科技与社会发展中,光刻技术的增长,直接关系到大型计算机的运作等高科技领域。
2019-03-03 10:00:314088
一文让你深度了解光刻机
光刻是集成电路最重要的加工工艺,他的作用,如同金工车间中车床的作用。在整个芯片制造工艺中,几乎每个工艺的实施,都离不开光刻的技术。
2019-05-08 10:58:4710086
助力高级光刻技术:存储和运输EUV掩模面临的挑战
随着半导体行业持续突破设计尺寸不断缩小的极限,极紫外 (EUV) 光刻技术的运用逐渐扩展到大规模生产环境中。对于 7 纳米及更小的高级节点,EUV 光刻技术是一种能够简化图案形成工艺的支持技术。要在如此精细的尺寸下进行可靠制模,超净的掩模必不可少。
2019-07-03 15:32:371712
回顾半导体技术趋势及其对光刻的影响分析与应用
应用厚的光刻胶,并使用阶梯式掩模形成图案(A thick photoresist is applied and patterned with the stair-step mask.)。 蚀刻和收缩
2019-08-28 14:17:503984
为晶圆级CSP生产设定掩模标准
MUNICH - Karl Suss KG GmbH&公司今天宣布与硅谷的Image Technology公司合作,开发和标准化9英寸掩模,用于大批量晶圆凸点和晶圆级芯片级封装的生产。总体目标是降低晶圆级芯片级封装的掩模成本。
2019-08-13 10:48:592262
一文读懂光刻机的工作原理
光刻是集成电路最重要的加工工艺,他的作用,如同金工车间中车床的作用。光刻是制造芯片的最关键技术,在整个芯片制造工艺中,几乎每个工艺的实施,都离不开光刻的技术。
2019-11-23 10:45:54158604
光刻机能干什么_英特尔用的什么光刻机_光刻机在芯片生产有何作用
光刻机是芯片制造的核心设备之一,作为目前世界上最复杂的精密设备之一,其实光刻机除了能用于生产芯片之外,还有用于封装的光刻机,或者是用于LED制造领域的投影光刻机。目前,我国高端的光刻机,基本上是从荷兰ASML进口的。
2020-03-18 11:12:0244388
音圈电机在光刻机掩模台系统中的应用
作为芯片制造的核心设备之一,光刻机对芯片生产的工艺有着决定性影响。 据悉,光刻机按照用途可分为生产芯片的光刻机、封装芯片的光刻机以及用于LED制造领域的投影光刻机。其中,生产芯片的High End
2020-06-15 08:05:54999
提高光刻机性能的关键技术及光刻机的发展情况
Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。 光刻(Photolithography) 意思是用光来制作一个图形(工艺);在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时复制到硅片上的过程。 一般的光刻工艺要经
2020-08-28 14:39:0411746
政策助力光刻机行业发展,我国光刻机行业研发进度仍待加快
光刻机又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等,是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术,把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机是半导体产业中最关键设备,光刻工艺决定了半导体线路的线宽,同时也决定了芯片的性能和功耗。
2020-09-30 16:17:135162
ASML光刻机的工作原理及关键技术解析
光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等,是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术,把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。
2020-10-09 11:29:369260
政策助力光刻机行业发展,top3企业销售量呈现波动增长的态势
光刻机又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等,是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术,把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机是半导体产业中最关键设备,光刻工艺决定了半导体线路的线宽,同时也决定了芯片的性能和功耗。
2020-10-10 17:17:071496
芯片光刻技术的基本原理及主要步骤
在集成电路的制造过程中,有一个重要的环节光刻,正因为有了它,我们才能在微小的芯片上实现功能。 根据维基百科的定义,光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画
2020-11-11 10:14:2022384
极紫外(EUV)光刻技术将如何影响掩模收入?
体上,三分之二的调查参与者认为这将产生积极的影响。前往EUV时,口罩的数量减少了。这是因为EUV将整个行业带回单一模式。具有多个图案的193nm浸入需要在高级节点处使用更多的掩模。
2020-11-23 14:42:091096
紫外线探测器的性能特点及在光刻机中的应用研究
光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干
2020-12-28 14:17:152440
关于紫外线探测器在紫外光刻机中的应用
光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫 Mask Alignment System。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干
2020-12-29 09:14:542095
英诺赛科和ASML建立合作关系,可批量购买光刻机
作为全球最顶尖的半导体设备制造商,AMSL在芯片产业链中扮演着尤为关键的角色,由它生产出来的光刻机更是芯片制造过程所需的核心设备。顾名思义,光刻机的主要作用就是光刻, 将设计好的集成电路刻画在硅片上,这便是芯片代工最重要的环节。
2021-01-26 16:40:582351
为什么说EDA工具是可以比肩光刻机的重要设备?
在芯片设计、制造的诸多环节中,光刻机等核心设备发挥了至关重要的作用。殊不知,在众多核心设备中,EDA工具才是真正的重中之重。
2021-05-02 11:49:002682
光刻机原理介绍
光刻机,是现代光学工业之花,是半导体行业中的核心技术。 可能有很多人都无法切身理解光刻机的重要地位,光刻机,是制造芯片的机器,要是没有了光刻机,我们就没有办法造出芯片,自然也就
2021-07-07 14:31:18125772
光刻机原理怎么做芯片
光刻机原理怎么做芯片 光刻是集成电路中最重要的工艺,光刻机是制造芯片的核心装备,在芯片的制作中,几乎每个工艺的实施,都需要用到光刻技术。可以说,光刻机是半导体界的一颗明珠。那么光刻机原理怎么做芯片
2021-08-07 14:54:5412869
芯片制造都需要什么过程?
在掩模版上制作需要印刷的图案蓝图。晶圆放入光刻机后,光束会通过掩模版投射到晶圆上。光刻机内的光学元件将图案缩小并聚焦到光刻胶涂层上。
2021-12-08 13:45:502094
光刻机制作芯片过程
光刻机制作芯片过程非常复杂,而光刻机是制造芯片最重要的设备之一,由于先进光刻机的技术封锁,中国芯片厂商的芯片制作工艺目前比较落后,也没有优秀的国产光刻机来掌握到最先进的光刻技术。
2021-12-30 11:23:2111145
光刻技术是什么,有哪些作用
光刻是在掩模中转移几何形状图案的过程,是覆盖在表面的一层薄薄的辐射敏感材料(称为抗辐射剂) ,也是一种半导体晶片。 图5.1简要说明了光刻用于集成电路制造的工艺。 如图5.1(b)所示,辐射为通过
2022-03-09 13:36:164884
晶片清洗、阻挡层形成和光刻胶应用
什么是光刻?光刻是将掩模上的几何形状转移到硅片表面的过程。光刻工艺中涉及的步骤是晶圆清洗;阻挡层的形成;光刻胶应用;软烤;掩模对准;曝光和显影;和硬烤。
2022-03-15 11:38:02850
TiN硬掩模湿法去除工艺的介绍
介绍 TiN硬掩模(TiN-HM)集成方案已广泛用于BEOL图案化,以避免等离子体灰化过程中的超低k (ULK)损伤。随着技术节点的进步,新的集成方案必须被用于利用193 nm浸没光刻来图案化80
2022-06-15 16:28:161851
半导体等精密电子器件制造的核心流程:光刻工艺
光刻胶作为影响光刻效果核心要素之一,是电子产业的关键材料。光刻胶由溶剂、光引发剂和成膜树脂三种主要成分组成,是一种具有光化学敏感性的混合液体。其利用光化学反应,经曝光、显影等光刻工艺,将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上,是用于微细加工技术的关键性电子化学品。
2022-06-21 09:30:0916641
euv光刻机目前几纳米 中国5纳米光刻机突破了吗
大家都知道,芯片制造的核心设备之一就是光刻机了。现在,全球最先进的光刻机是荷兰ASML的EUV光刻机,那么euv光刻机目前几纳米呢? 到现在,世界上最先进的光刻机能够实现5nm的加工。也就是荷兰
2022-07-10 11:17:4242766
euv光刻机是哪个国家的
机是哪个国家的呢? euv光刻机许多国家都有,理论上来说,芯片强国的光刻机也应该很强,但是最强的光刻机制造强国,不是美国、韩国等芯片强国,而是荷兰。 EUV光刻机有光源系统、光学镜头、双工作台系统三大核心技术。 目前,在全世
2022-07-10 11:42:276977
euv光刻机是干什么的
光刻机是大规模集成电路生产的核心设备,它能够制造和维护需要高水平的光学和电子产业基础,全球只有少数制造商掌握了这一基础。 光刻机的作用是对芯片晶圆进行扫描曝光,对集成电路进行蚀刻。精度更高的光刻
2022-07-10 14:35:066173
euv光刻机原理是什么
euv光刻机原理是什么 芯片生产的工具就是紫外光刻机,是大规模集成电路生产的核心设备,对芯片技术有着决定性的影响。小于5 nm的芯片只能由EUV光刻机生产。那么euv光刻机原理是什么呢? EUV
2022-07-10 15:28:1015099
用于后端光刻的新型无掩模技术分析
从 2D 扩展到异构集成和 3D 封装对于提高半导体器件性能变得越来越重要。近年来,先进封装技术的复杂性和可变性都在增加,以支持更广泛的设备和应用。在本文中,我们研究了传统光刻方法在先进封装中的局限性,并评估了一种用于后端光刻的新型无掩模曝光。
2022-07-26 10:42:121098
光刻工艺中使用的曝光技术
根据所使用的辐射,有不同类型的光刻方法用于曝光的:光刻(光刻)、电子束光刻、x射线光刻、光刻和离子束光刻。在光学光刻技术中,有部分不透明和部分不透明的图案掩模(光片)半透明区域被使用。紫外线辐射或气体激光的照射以1:1的比例完成或者以4:1或10:1的比例减少。
2022-07-27 16:54:533169
移相掩模技术不同的分类方法
光刻图形质量的主要判据是图形成像的对比度,移相掩模方法可使对比度得到改善,从而使得其分辨率比传统方法改善 40%~100%。移相掩模按不同的分类方法可分为多种类型,其基本原理均为相邻透光图形透过的光振幅相位相反而产生相消干涉,振幅零点和(或)频谱分布压窄,从而改善对比度、分辦率和成像质量。
2022-10-17 14:54:091490
一文解析光刻机的工作原理
利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光,光刻胶见光后会发生性质变化,从而使光罩上得图形复印到薄片上,从而使薄片具有电子线路图的作用。
2022-12-01 09:32:113700
栅氧化层和多晶硅栅工艺示意图解析
当核心区域和 I/O 区域都已经生长晶体管后,沉积多晶硅层(Poly-Si)和硬掩模层(薄的SiON和PECVD二氧化硅)。沉积栅叠层(Cate-Stack)后,进行图形化硬掩模(经过光刻步骤)。
2022-12-08 09:53:044197
一文解析硅光集成技术与硅基光电子集成的挑战
光电子芯片在通信、计算、传感等领域的核心作用、 成本占比和创新应用不断提扩展和提高,成为与微电子“并驾齐驱”的技术引|擎。
2023-01-03 11:21:17524
***的简易工作原理图 掩模版都有哪些种类?
光刻掩模版,别称“掩模版”、“光刻板”、“光罩”、“遮光罩”,一般使用玻璃或者石英表面覆盖带有图案的金属图形,实现对光线的遮挡或透过功能,是微电子光刻工艺中的一个工具或者板材。
2023-02-13 09:27:292086
EUV光刻工艺制造技术主要有哪些难题?
光掩模可以被认为是芯片的模板。光掩模用电子束图案化并放置在光刻工具内。然后,光掩模可以吸收或散射光子,或允许它们穿过晶圆。这就是在晶圆上创建图案的原因。
2023-03-03 10:10:321129
EUV 光刻制造全流程设计解析
其全流程涉及了从 EUV 光源到反射镜系统,再到光掩模,再到对准系统,再到晶圆载物台,再到光刻胶化学成分,再到镀膜机和显影剂,再到计量学,再到单个晶圆。
2023-03-07 10:41:581134
音圈电机模组在主流光刻掩模台系统中的应用
光刻机是芯片智造的核心设备之一,也是当下尤为复杂的精密仪器之一。正因为此,荷兰光刻机智造商阿斯麦通研制的EUV光刻机才会“千金难求”。 很多人都对光刻机有所耳闻,但其实不同光刻机的用途并不
2023-04-06 08:56:49679
浅谈EUV光刻中的光刻胶和掩模等材料挑战
新的High NA EUV 光刻胶不能在封闭的研究环境中开发,必须通过精心设计的底层、新型硬掩模和高选择性蚀刻工艺进行优化以获得最佳性能。为了迎接这一挑战,imec 最近开发了一个新的工具箱来匹配光刻胶和底层的属性。
2023-04-13 11:52:121165
NVIDIA H100 GPU为2nm芯片加速计算光刻!
现代工艺技术将晶圆厂设备要求推向极限,需要实现突破其物理极限的高分辨率,这正是计算光刻技术发挥作用的地方。计算光刻就是为芯片生产制作光掩模的技术,它结合来自ASML设备和测试晶圆的关键数据,是一个模拟生产过程的算法。
2023-04-26 10:05:29918
EUV光刻的无名英雄
晶圆厂通常使用光刻胶来图案化抗蚀刻硬掩模,然后依靠硬掩模来保护晶圆。但是,如果光刻胶太薄,它可能会在第一个转移步骤完成之前被侵蚀掉。随着光刻胶厚度的减小,底层厚度也应该减小。
2023-04-27 16:25:00689
掩模场利用率MFU简介
扫描仪(scanner)是一种在wafer上创建die images的机器。它首先通过刻线(有时称为掩模)将光照射到涂有保护性光刻胶的wafer上,以刻上刻线图案的图像。
2023-05-06 09:51:385204
知识分享---光刻模块标准步骤
通常,光刻是作为特性良好的模块的一部分执行的,其中包括晶圆表面制备、光刻胶沉积、掩模和晶圆的对准、曝光、显影和适当的抗蚀剂调节。光刻工艺步骤需要按顺序进行表征,以确保模块末端剩余的抗蚀剂是掩模的最佳图像,并具有所需的侧壁轮廓。
2023-06-02 16:30:25421
一文解析EUV掩模版缺陷分类、检测、补偿
光刻机需要采用全反射光学元件,掩模需要采用反射式结构。
这些需求带来的是EUV光刻和掩模制造领域的颠覆性技术。EUV光刻掩模的制造面临着许多挑战,包括掩模基底的低热膨胀材料的开发、零缺陷衬底抛光、多层膜缺陷检查、多层膜缺陷修复等。
2023-06-07 10:45:541012
超级全面!一文看懂***:MEMS传感器及芯片制造的最核心设备
文章大纲 光刻是芯片制造最核心环节,大陆自给率亟待提升 ·光刻机是芯片制造的核心设备,市场规模全球第二 ·一超两强垄断市场,大陆卡脖子现象凸显 光刻机:多个先进系统的组合,核心零部件被海外厂商垄断
2023-06-19 10:04:008369
EUV光刻市场高速增长,复合年增长率21.8%
EUV掩膜,也称为EUV掩模或EUV光刻掩膜,对于极紫外光刻(EUVL)这种先进光刻技术至关重要。EUV光刻是一种先进技术,用于制造具有更小特征尺寸和增强性能的下一代半导体器件。
2023-08-07 15:55:02399
什么是光刻工艺?光刻的基本原理
光刻是半导体芯片生产流程中最复杂、最关键的工艺步骤,耗时长、成本高。半导体芯片生产的难点和关键点在于将电路图从掩模上转移至硅片上,这一过程通过光刻来实现, 光刻的工艺水平直接决定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531589
考虑光刻中厚掩模效应的边界层模型
短波长透明光学元件的缺乏限制了深紫外光刻中的可用波长,而晶片上所需的最小特征继续向更深的亚波长尺度收缩。这对用入射场代替掩模开口上的场的基尔霍夫边界条件造成了严重的限制,因为这种近似无法考虑光刻图像
2023-08-25 17:21:43279
光刻可制造性检查如何检测掩模版质量
随着工艺节点不断变小,掩模版制造难度日益增加,耗费的资金成本从数十万到上亿,呈指数级增长,同时生产掩模版的时间成本也大幅增加。如果不能在制造掩模版前就保证其设计有足够高的品质,重新优化设计并再次制造一批掩模版将增加巨大的资金成本和时间成本。
2023-11-02 14:25:59284
光刻各环节对应的不同模型种类
光学模型是基于霍普金斯(Hopkins)光学成像理论,预先计算出透射相交系数(TCCs),从而描述光刻机的光学成像。光学模型中,经过优化的光源,通过光刻机的照明系统,照射在掩模上。如果在实际光刻
2023-12-11 11:35:32288
编解码一体机在流媒体传输中的核心作用
编解码一体机在流媒体传输中起着核心作用,主要表现在以下几个方面: 1. 视频和音频编码:编解码一体机能够对视频和音频数据进行高效的编码,将原始的多媒体数据压缩成适合网络传输的格式。这样不仅可以减少
2024-01-31 14:20:22119
浅谈不同阶段光刻机工作方式
在曝光过程中,掩模版与涂覆有光刻胶的硅片直接接触。接触式光刻机的缩放比为1:1,分辨率可达到4-5微米。由于掩模和光刻胶膜层反复接触和分离,随着曝光次数的增加,会引起掩模版和光刻胶膜层损坏、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:3788
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