大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
2018-04-10 14:04:34
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在本文中，我们将讨论一些设计技术，以在不影响性能的情况下实现更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541186 
URA/B_YMD-30WR3 系列是MORNSUN为满足客户对更高功率密度产品的需求，而最新推出的宽压高功率密度产品。
2020-08-04 11:13:351227 日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广
2023-09-06 14:18:431207 
【 2023 年 11 月 29 日 ， 德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET
2023-12-05 17:03:49446 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术，相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181539 
7引脚封装的1200 V CoolSiC™ MOSFET （一种表面贴装器件）。它将三个应用整合在一起，在一个尺寸仅为425 x 865 x 160 mm3的紧凑封装中实现了三个一系统的设计，具有重要
2022-08-09 15:17:41
40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3（亦称D2PAK）封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49
（BOM）中的组件更少，同时还能提供具有高可靠性的高密度解决方案，但可提供的功率相对有限。诸如网络路由器、交换机、企业服务器和嵌入式工业系统等应用的耗电量越来越高，需要30A、40A、60A或更高电流以
2019-07-31 04:45:11
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
是优化效率。通过控制转子电流的幅度和相角，使得提供一个真正的无功功率组件成为可能。通常情况下，通过磁场矢量控制可做到这一点。为此，转子电流按照笛卡儿坐标系统进行转换，随后再转换成复杂数值范围。该复杂
2018-12-04 09:57:08
可靠性是什么？充实一下这方面的知识 产品、系统在规定的条件下，规定的时间内，完成规定功能的能力称为可靠性。 这里的产品可以泛指任何系统、设备和元器件。产品可靠性定义的要素是三个“规定”：“规定
2015-08-04 11:04:27
可靠性是我们在开展电子产品设计过程中常常绕不开的问题。例如，客户需要我们提供相关的可靠性预计报告，客户需要我们的产品提供相应的可靠性试验报告，或者企业内部需要控制产品质量，制定了一系列的可靠性工作
2017-12-08 10:47:19
MOSFET 寄生特性都比硅MOSFET为好。但是，这种技术确实能够提供许多优势，加上在硬开关应用中的牢固性，使其值得在更高效电源转换应用中考虑采用。650V CoolSiC系列的推出令这些优势更加明显，从而
2023-03-14 14:05:02
区域。氮化铝的导热系数几乎是氧化铝的五倍，用于热跳线芯片，以保持紧凑电子组件冷却，从而提高产品的可靠性。“对需要板级热管理的紧凑型大功率组件的需求正在不断增长，”TT Electronics应用与营销
2019-05-05 10:27:10
，从而在不改变封装体积的情况下提高输出功率。另一个普遍的希望是，能够最终避免采用插件封装的器件（比如TO220、TO247）。阻断电压为40V和60V的最新一代英飞凌MOSFET，如今可满足设计工
2018-12-06 09:46:29
所需的组件，降低系统成本，提高可靠性。 英飞凌新型功率晶体管PTVA127002EV非常适用于空中交通管制应用和气象观察应用的L波段雷达系统。雷达系统在特定频率范围内发射高能电子脉冲，然后检测脉冲
2018-11-29 11:38:26
，此时由于二极管反向恢复所产生的峰值电压要远远小于其他型号MOSFET. 因此CoolMOS CFD2在LLC拓扑电源系统发生启机，动态负载，过载，短路等异常情况下表现出更高的可靠性。图8图9同时我们在图
2018-12-05 09:56:02
。所有这些应用都需要具备更高功率密度的先进半导体系统。此类功率模块的决定性要素是出色的可靠性、坚固性和长使用寿命。 图1 英飞凌1200V功率模块振动条件下的坚固性和可靠性不仅是牵引应用关注的焦点，同时也
2018-12-03 13:49:12
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 编辑
因能源效率标准和最终系统要求的推动，在不影响功率密度的高能的情况下，能缩减应用电源的外形尺寸且有效解决方案是当下电源设计人
2012-04-28 10:21:32
如果基于GaN的HEMT可靠性的标准化测试方法迫在眉睫，那么制造商在帮助同时提供高质量GaN器件方面正在做什么？ GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其极高的耐高温性和高功率密度而在半导体行业中
2020-09-23 10:46:20
GaN功率集成电路可靠性的系统方法
2023-06-19 06:52:09
qualification recipe）即可。由于长期的业界经验和可靠性模型的验证，人们现在可以接受将基于标准的测试用于硅材料的做法，不过也有例外的情况。功率金属氧化物半导体场效应晶体管
2018-09-10 14:48:19
功率密度 12V VIN 至 24V/7A 倍压器如图 2 所示，该解决方案的大致尺寸为 23mm x 16.5mm x 5mm，而功率密度高达 1500W/in3。图 2：估计的解决方案尺寸高效率由于在
2018-10-31 11:26:48
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
，采用了的全新的封装技术，以及芯片技术。这使得PrimePACK模块的可靠性大大提高。尤其在双馈风力发电系统中，由于其转子侧变换器特殊的工况，PrimePACK模块的寿命能大大提高，尤其是功率周次，并且
2018-12-04 09:59:11
SiC MOS器件的栅极氧化物可靠性的挑战是，在某些工业应用给定的工作条件下，保证最大故障率低于1 FIT，这与今天的IGBT故障率相当。除了性能之外，可靠性和坚固性是SiC MOSFET讨论最多
2022-07-12 16:18:49
些情况下，也观察到最小偏差，证实了SiC MOSFET在这些条件下的性能和可靠性。栅极氧化物是碳化硅MOSFET的关键元素，因此其可靠性非常重要。栅极氧化物可靠性的评估分为两部分。第一部分基于TDDB（时间
2019-07-30 15:15:17
问题。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不会发生这类问题）ROHM通过开发不会扩大堆垛层错的独特工艺，成功地确保了体二极管通电的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET产品中，实施了
2018-11-30 11:30:41
。本篇到此结束。关于SiC-MOSFET，将会借其他机会再提供数据。（截至2016年10月）关键要点:・ROHM针对SiC-SBD的可靠性，面向标准的半导体元器件，根据标准进行试验与评估。＜ 相关产品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
单元和三角函数加速器等特性，可实现更高的功率密度和高瞬态响应，能够处理复杂的对时间要求严格的计算。灵活的高分辨率控制在大功率服务器 PSU 系统中，即使在高频下，实现更大的电源容量并保持相位间同步也
2022-11-03 06:45:41
什么是功率密度？功率密度的发展史如何实现高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
扩展了其650伏(V) SiC二极管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车（EV / HEV）充电器、电信电源和数据中心电源等
2018-10-29 08:51:19
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
。能够实现更高功率密度的转换器拓扑事实证明，得益于零电压开关（ZVS）和无缓冲损耗，诸如有源钳位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC转换器等半桥（HB）拓扑，即使在很高开关频率下也能实现高能效
2022-06-14 10:14:18
单片GaN器件集成驱动功率转换的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
泛的现代电子系统。现代电子系统的可靠性表现为，在规定条件下，系统准确无误运行的能力．突出了可靠性的软件和运行中的失误概率。可靠性设计则是在产品开发过程中，保证运行可靠的全部设计手段，甚至包括了产品
2021-01-11 09:34:49
可靠性设计是单片机应甩系统设计必不可少的设计内容。本文从现代电子系统的可靠性出发，详细论述了单片机应用系统的可靠性特点。提出了芯片选择、电源设计、PCB制作、噪声失敏控制、程序失控回复等集合硬件系统
2021-02-05 07:57:48
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
，但经过多年的研究、实际验证和 可靠性测试，GaN定会成为解决功率密度问题的最佳技术。德州仪器已经在高于硅材料的工作温度和电压下，对GaN装置进行了2000万小时的加速可靠性测试。在此测试时间内，远程
2019-03-01 09:52:45
，输出功率高等出色的电化学性能。而可穿戴MSC及其阵列需要拉伸至大于30％的应变以适应人体运动，如何在具备拉伸性的情况下保持其高的面电容和能量密度是一个难题。目前常用的两种策略是：1、在刚性MSC组件之间...
2021-09-10 08:27:03
设计带来更低的温升更高的可靠性。 那么，在设计过程中如何才能提高电源模块产品的功率密度呢?工程师可以从下面三个方向入手：第一，工程师可以在线路设计过程中采用先进的电路拓朴和转换技术，实现大功率低损耗
2016-01-25 11:29:20
实现功率密度非常高的紧凑型电源设计的方法
2020-11-24 07:13:23
高可靠性系统设计包括使用容错设计方法和选择适合的组件，以满足预期环境条件并符合标准要求。本文专门探讨实现高可靠性电源的半导体解决方案，这类电源提供冗余、电路保护和远程系统管理。本文将突出显示，半导体技术的改进和新的安全功能怎样简化了设计，并提高了组件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
PMU的原理是什么？如何提高数据采集系统的实时性与可靠性？
2021-05-12 06:45:42
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
）5mm×6mm FET这类更新的方形扁平无引线（QFN）封装在硅片和源极管脚之间能提供更小的封装电阻。单位面积的电阻较小意味着单位面积的传导损耗较少，也意味着更高的电流能力和更高的功率密度。因此
2017-08-21 14:21:03
压缩机、油泵、冷却泵、电动助力转向系统和加热器等。相比而言，混合动力/电动车 因为集成了高压动力电池（通常 144V 或 336V），将上述辅助系统电源从 12V 总线接入高压总线， 相同功率情况下，采用高压
2018-12-06 09:47:30
。因此，硬件可靠性设计在保证元器件可靠性的基础上，既要考虑单一控制单元的可靠性设计，更要考虑整个控制系统的可靠性设计。
2021-01-25 07:13:16
星期二海报对话会议下午3:30- 下午5:30智能功率模块PP013改善15A / 600V智能功率模块的系统级功率密度Jonathan Harper，安森美半导体Toshiyuki Iimura
2018-10-18 09:14:21
工作情况下，单片机系统的可靠性。必要的话可以放置在高温，高压以及强电磁干扰的环境下测试。 4、ESD和EFT等测试。可以使用各种干扰模拟器来测试单片机系统的可靠性。例如使用静电模拟器测试单片机系统的抗静电ESD能力；使用突波杂讯模拟器进行快速脉冲抗干扰EFT测试等。
2020-07-16 11:07:49
的占地面积，并以现有的管理成本创造出更多的价值。本文分析了追求能源转换效率在节能、采集/处理成本和机柜/工厂车间利用率中所占百分比的实际成本，并与增加功率密度和系统效率进行了比较。
2020-10-27 10:46:12
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-08-06 07:20:51
%。对损耗的改善情况显示在图4中，尤其是在15A的峰值电流下的损耗降低得非常明显。结论：TrenchFET IV产品用在同步降压转换器中，能够提高整体的系统效率和功率密度。这些产品的更高性能还能够实现更小
2013-12-31 11:45:20
具有更高的热性能和坚固性，以及高度可靠的环氧树脂灌封技术。所有这些都导致： 优化内部低杂散电感和电弧键合™结构，显著提升动态开关性能; 功率密度比主要竞争对手的模块高20-30%; 更低的热阻
2023-02-20 16:26:24
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
电动工具中直流电机的配置已从有刷直流大幅转向更可靠、更高效的无刷直流（BLDC）解决方案转变。斩波器配置等典型有刷直流拓扑通常根据双向开关的使用与否实现一个或两个功率金属氧化物半导体场效应晶体管
2019-08-01 08:16:08
我想问一下高速电路设计，是不是只要做好电源完整性分析和信号完整性分析，就可以保证系统的稳定了。要想达到高的可靠性，要做好哪些工作啊？在网上找了好久，也没有找到关于硬件可靠性的书籍。有经验的望给点提示。
2015-10-23 14:47:17
阻并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
的计算能力、感应能力和功能集提出了更高要求。 然而，分配于执行上述任务的空间并未增加，并且在很多情况下还要求减少占用的空间。这种形势不断提高了市场对密度更大和集成度更高的解决方案的需求，供电系统也不
2018-12-03 10:00:34
请问一下嵌入式无线系统应用中可靠性和功耗的优化方法是什么？
2021-06-03 06:11:48
解决方案是英飞凌应对挑战的方案：全新的汽车级Easy 1B/2B功率模块提供适用于高压和低功率应用（6kW以下）的灵活平台，采用多种半导体器件以降低系统成本。联系人：英飞凌公司Carlos Castro
2018-12-07 10:13:16
的情况下无缝更换这些模块。非稳压可变 5-8V 电压也可由 5-8V 稳压代替，不会对整个系统造成任何干扰，从而可以保持互操作性。第二级第二级完全取决于所分配的电源。在1毫安负载情况下，第二级就像
2021-05-26 19:13:52
开发人员来说，功率密度是一个始终存在的挑战，对各种电压下更高电流的需求（通常远低于系统总线）带来了对更小的降压稳压器的需求，这样的稳压器可通过一个单极里的多个放大器，将电压从高达48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
传统变压器介绍高功率密度变压器的常见绕组结构
2021-03-07 08:47:04
如果您想根据功率密度比较电源，则需要对这个简单的定义作出充分的说明。这里的输出功率是指转换器在最坏的环境条件下可以提供的连续输出功率。环境温度、最大可接受外壳温度、方向、海拔高度和预期寿命都可能会影响相关功率能力…
2022-11-07 06:45:10
对于现代的数据与电信电源系统，更高的系统效率和功率密度已成为核心焦点，因为小型高效的电源系统意味着节省空间和电费账单。
2011-07-14 09:15:132672 2016年5月10日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET技术，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。
2016-05-10 18:14:091164 大联大旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
2018-04-23 16:18:003685 
。该模块分别针对CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片组的最佳点损耗进行了优化，具有更高的功率密度和高达48 kHz的开关频率，适用于新一代1500V光伏和储能应用。
2019-09-14 10:56:003727 什么样的MOSFET才适合储能系统？英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET产品系列，帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。
2020-08-21 14:01:251014 
英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 效率。 了解使用此 SMD 封装从而提高应用性能的多种方法：被动冷却解决方案、增大功率密度、延长使用寿命等等。 CoolSiC™沟槽 MOSFET 技术经过优化，将性能与可靠性相结合，并具有 3µs 的短路时间。由于采用 .XT 连接技术，其小巧封装外形的散热性能得到显著改善。相比标准封装的连接技术，
2021-03-01 12:16:022084 LTM4600-10A DC/DC uModule在紧凑的封装中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:17
5 英飞凌科技股份公司将EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301194 英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。
2022-02-15 13:51:382073 
CoolSiC™ MOSFET集高性能、坚固性和易用性于一身。由于开关损耗低，它们的效率很高，因此可以实现高功率密度。
2022-06-22 10:22:222876 
V 阻断电压的六组全桥模块，针对电动汽车 (EV) 中的牵引逆变器进行了优化。该功率模块建立在英飞凌的 CoolSiC 沟槽 MOSFET 技术之上，能够在高性能应用中实现高功率密度，并保持高可靠性
2022-08-04 17:09:471317 
电力电子领域的各种应用。MOSFET 的基本特性之一是其能够承受甚至非常高的工作电流、卓越的性能、稳健性和可靠性。该LFPAK88 MOSFET 提供出色的性能和高可靠性。LFPAK88 封装设计用于比 D²PAK 等旧金属电缆封装小尺寸和更高的功率密度，适用于当今空间受限的高功率汽车应用。
2022-08-09 08:02:112783 
基于WAYON维安MOSFET高功率密度应用于USB PD电源
2023-01-06 12:51:35549 
、高可靠性和高质量的节能牵引应用。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）为了满足上述需求，在其CoolSiC功率模块产品组合中增加了两款
2023-06-22 10:14:43333 
MOSFET也已经发展到了第3代，新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单，可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，
2023-10-17 23:10:02269 
碳化硅MOSFET在材料与器件特性上不同于传统硅，如何保证性能和可靠性的平衡是所有厂家需要面对的首要问题，英飞凌作为业界为数不多的采用沟槽栅做SiCMOSFET的企业，如何使用创新的非对称沟槽
2023-11-28 08:13:57372 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01311 英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ，旨在满足高压应用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 另外，CoolSiC MOSFET产品组合还成功实现了SiC MOSFET市场中的最低导通电阻值（Rdson），这大大提高了能效、功率密度，以及在电力系统中的可靠性，降低了零件使用数量。
2024-03-10 12:32:41502 英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET，满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源
2024-03-15 16:31:45210 
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度
2024-03-20 08:13:0574 英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日推出了全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列，这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装，为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29130 CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC技术的输出电流能力强，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:3567
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