英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50V LDMOS工艺技术,全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计
2012-07-15 01:23:461329 英飞凌科技推出全新600V CoolMOS P6 产品系列,专为提升系统效率及易于使用所设计,补足了专注提供顶尖效能(CoolMOS CP)及强调使用方便性(如 CoolMOS C6 或 E6)两者之间的技术区间。
2012-11-13 08:54:331785 英飞凌科技公司将“全球首次”使用口径300mm的硅晶圆制造功率半导体。具体产品是有超结(Super Junction)构造的功率MOSFET“CoolMOS系列产品”,由奥地利菲拉赫工厂生产。
2013-02-25 08:53:001771 英飞凌CE系列CoolMOS 是英飞凌公司专为消费类电子产品和照明产品推出的高压功率MOSFET。##该案例为一款全球输入范围的15W充电器。##接下来介绍CE系列CoolMOS产品应用于LED球泡灯驱动器的案例。
2015-03-24 13:50:073825 更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS™ P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536152 为满足电动汽车市场的需求,英飞凌推出了全新的650V CoolMOS™ SJ功率 MOSFET CFD7A系列。这一产品经过专门优化,可以满足电动汽车应用 (如车载充电器、HV-LV DC-DC 转换器和辅助电源)的要求。
2020-05-31 09:15:361578 通过立足于超结技术创新和20多年的丰富经验,英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步扩展其CoolMOSTM产品组合,推出全新PFD7系列,该系列不仅具备一流的性能
2020-02-14 18:50:132620 英飞凌科技股份公司成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言,新推出的600 V CoolMOS™ S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。
2020-03-04 07:46:001402 凭借在汽车领域的多年从业经验,英飞凌将远超AEC Q101标准的最高品质与出色的技术知识相结合,推出CoolMOS™ CFD7A系列。
2020-05-09 09:05:381032 英飞凌科技宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化,进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。
2022-03-21 14:14:041543 / OTCQX代码:IFNNY)推出了适用于反激式拓扑结构的ICC80QSG单级脉冲宽度调制(PWM)控制器,进一步扩展了英飞凌旗下AC-DC控制器IC的产品阵容。该IC专为电池充电应用量身定制,与CoolMOS™ P7超级结(SJ)MOSFET配合使用,实现输出功率高达130 W的、可扩展的功率设
2022-10-10 17:06:25712 【 2023 年 03 月 27 日, 德国慕尼黑 讯】 英飞凌科技股份公司(FSE 代码:IFX / OTCQX 代码:IFNNY)日前宣布,推出全新的 iMOTION™ IMI110 系列智能
2023-03-27 14:42:30494 ,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结(SJ)MOSFET 的产品阵容。该系列器件主要适用于开关电源(SMPS)、太阳能系统、电池保护、固态继电器(SSR)、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑控制器(PLC)
2023-07-28 15:05:301115 【 2023 年 12 月 19 日,德国慕尼黑讯】 为提高结温传感的精度,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出带有集成温度传感器的全新CoolMOS
2023-12-19 15:22:261008 【 2024 年 6 月 24 日,德国慕尼黑讯】 全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管
2024-06-24 16:18:22359 SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明,
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET,根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低,使其特别适用于需要更多高效,更紧凑,LED照明,高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明,
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
。Infineon CoolMOS CFD2系列以其高击穿电压,快恢复体二极管,低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。1.引言:长期以来, 提升电源系统功率密度,效率以及系统
2018-12-05 09:56:02
公司也有生产,但是ROHM在推进独自开发。此次内置的SJ MOSFET不仅实现了650V的高耐压,还实现了低导通电阻与低栅极电荷,开关速度也非常快。这将大大改善开关即MOSFET的导通损耗与开关损耗。这
2019-04-29 01:41:22
散热器的D2PAK和SuperSO8 (5毫米x 6毫米)等贴片封装,从而大幅简化热管理。 因此,可以提高开关电源的功率密度,同时降低系统成本。 继去年发布展示有巨大优势的全新30V硅技术产品之后
2018-12-06 09:46:29
导读:近日,英飞凌宣布推出700瓦L波段射频功率晶体管。该晶体管具备业界最高的L波段输出功率(700瓦),适用于工作频率范围为1200 MHz~1400 MHz的雷达系统。这种新型器件可通过减少
2018-11-29 11:38:26
即可为 iMX7 供电,是一款具有高成本效益的设计。此 TI 设计支持众多的工业应用以及需要小型、高效和灵活电源解决方案的任何应用。主要特色3.3V 至 5.5V 输入电压范围可实现快速瞬态响应的 DCS-Control™ 拓扑高效率和低静态电流可实现轻负载效率的省电模式TLV6208x 系列方案可实现低成本解决方案
2018-12-28 11:50:55
品佳公司现正推广英飞凌(Infineon)第三代高集成度功率集成电路——CoolSET F3系列产品。该产品在单一封装中,组合了英飞凌CoolMOS功率MOSFET与新型脉宽调制(PWM)控制
2018-08-27 16:14:04
描述通过通用线路输入实现 +-24V 直流输出,专为音频应用而设计。此电源使用具有低成本 LM5021 控制器的双开关反激式拓扑。此电源旨在处理音频放大器所需的 150 瓦峰值功率,但采用的热设计适用于音频应用中常见的较低平均功率。特性通用线路输入高峰值功率低成本
2022-09-22 06:39:34
描述这款高效低成本升压转换器基于 5V 输入提供 +15V@1A 输出。大输出电容使其适用于具有大型瞬态负载的应用,如音频。
2018-09-06 09:17:05
加深理解,最好还是参阅技术规格的标准值和特性图表。【标准SJ MOSFET:AN系列】R50xxANx(500V)R52xxANx系列(520V)R60xxANx系列(600V)R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
本实施规则适用于时速200公里以下旅客列车DC600V供电系统的DC600V供电电源与逆变电源(简称普通型DC600V供电电源与逆变电源)产品认证。时速200公里及以上DC600V供电电源与逆变电源
2011-03-11 12:39:41
器件适用于 PDP 维持脉冲驱动、电机驱动、开关电源以及大功率直流转换器应用。特性:•浮动通道可实现高达 +600 V 的自举运行•4.5 A/4.5 A 的典型源电流/灌电流驱动能力•共模 dv
2022-01-18 10:43:31
PKJ4000系列,这款PKB-D是一款采用工业标准1/8砖格式的高密度转换器,输出为50V/5A,输入电压范围为36至60V。因此,其非常适用于50V的GaN基RFPA以及高压LDMOS应用。
2020-10-30 06:17:55
/>【正文快照】:IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅
2010-05-06 08:55:20
独立高侧和低侧参考输出通道。该输出驱动器有一个高脉冲电流缓冲级,适用于最小的驱动器跨导,同时浮动通道可以用来驱动工作在高达600V高侧配置的N沟道功率MOSFET或 IGBT。这些器件可为两种通道提供
2008-11-13 20:40:15
国际整流器 (IR) 近日推出可靠、高效且符合成本效益的控制IC,适用于荧光灯内的电感镇流器. IRS2538DS效仿电感镇流器控制系统,采用IR的镇流器及高电压专利技术,以此提供易用、高性能
2018-09-26 15:40:37
) MOSFET功率模块的极低电感封装 这款全新封装专为用于公司SP6LI 产品系列 而开发,经设计提供适用于SiC MOSFET技术的2.9 nH杂散电感,同时实现高电流、高开关频率以及高效率。美高森美将在德国
2018-10-23 16:22:24
MOSFET 采用 100%铜夹片LFPAK 封装。该封装坚固耐用,提供较高的板级可靠性和出色的热性能。LFPAK 封装适用于汽车以及工业和消费类应用。△ 具有较大 SOA 的 Nexperia MOSFET适用于 36V 锂电池系统应用
2022-10-28 16:18:03
选。这些产品包括用于电信设备和服务器的高效交流/直流开关电源和直流/直流转换器、D类放大器和电机控制驱动装置等。器件概念1998年,采用600 V CoolMOS™技术的商用化产品被推出,适用于功率
2018-12-07 10:21:41
、仪表计量和可再生能源方面的应用,同时也适用于在输入浪涌和电压骤升情况下要求电源仍能连续工作的标准电网电压的应用。900 V InnoSwitch-EP IC实现的电源效率非常高,在双路输出的18 W
2018-10-09 14:15:31
)”,非常适用于FA等工业设备和基站(冷却风扇)的电机驱动。近年来,为了支持工业设备和基站的电机所使用的24V输入,MOSFET作为用于驱动的器件,需要具备考虑到电压稳定裕度的、40V和60V的耐压能力
2021-07-14 15:17:34
STM8S发现示例不适用于Raisonance以上来自于谷歌翻译以下为原文 STM8S Discovery Examples don't work with Raisonance
2019-04-15 11:24:25
导读:近日,TT electronics 宣布推出新一代模压电感 器件--HM72E/A72E.该两款器件具有高性能和高成本效益,最大限度地减少了氧化。 该两款器件是专为需要降压、升压或
2018-09-26 15:44:31
的这些全新低端系列具备66 MIPS计算性能、32KB至160 KB嵌入式闪存和优化的12位SAR 模/数转换器(转换时间仅为600纳秒)。封装选项包括38引脚、48引脚和64引脚封装。得益于适用于
2018-12-04 09:54:03
求助各位大神,想学习labview图像处理,但是下载的vision assistant不适用于win8,labview2014的哪个版本的vision assistant适用于win8系统?
2016-06-09 10:34:31
/DC开关电源的设计开发。2009年加入英飞凌科技(中国)有限公司。任系统应用工程师,负责英飞凌功率半导体器件的应用和方案推广。演讲內容介紹:英飞凌新的OptiMOS产品为MOSFET分离器件设立了一个
2012-07-13 10:50:22
的数量。图1:英飞凌全新的汽车无刷直流电机驱动套件包含快速轻松开发适用于汽车系统的高效电机控制装置所需的全部硬件和软件。套件包括:- TLE 7184F电源板(12 V...24 V/20 A)- 无刷
2018-12-07 10:08:40
的数字产品和解决方案,在提供高性能表现的产品和系统解决方案的同时,极大的减轻了客户库存的压力和新产品推出的周期,扩展了研发设计的灵活性。英飞凌照明驱动IC以其丰富的产品类型,广泛的拓扑组合,搭配业界领先功率晶体管CoolMOS技术,充分满足了LED驱动电源设计的半导体器件选型需求。
2019-10-18 06:23:59
国内第一颗量产超结MOS(可替代英飞凌coolmos)大家好!我司是国内专业设计大功率MOS器件的公司。现我司已经实现了SJ-MOS的量产,可替代英飞凌的coolmos。这是我公司的网址
2011-01-05 09:49:53
、DFN8多种封装可选, 广泛适用于微逆、功率优化器、电源模块、新能源汽车等应用场景 。
NSD1224产品特性
VDD供电耐压:20V
HS桥臂中点耐压:-10V~115V
输入引脚耐受负压:-10V
2023-06-27 15:14:07
我想知道是否有适用于 LS1046ARDB 上的 Secure JTAG 的任何应用说明,就像适用于 i.MXRT10XX 系列的应用说明一样,例如适用于 i.MXRT10xx.pdf 的 Secure JTAG
2023-06-08 09:05:27
求一个适用于高频开关电路的mosfet,极间电容要小一点,越小越好
2019-08-19 13:47:23
驱动器的基本功能,使其成为低成本变频器系统的理想选择。RAJ2930004AGM可与瑞萨IGBT产品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。除适用于牵引逆变器外,该栅极驱动器IC还
2023-02-15 11:19:05
高速公路服务区的重要基础设施,确保电动汽车在日常驾驶和长途旅行中有地方充电。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列产品,通过优化器件结构设计,采用先进的工艺制造技术,进一步提高了产品性能,具有
2023-06-13 16:30:37
。IPL65R190E6 ——作为650V CoolMOS™E6器件的代表,具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOS™ E6器件易于应用,是各种高能效开关产品
2017-04-12 18:43:19
极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR, 但其电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 功率MOSFET的结构和工作原理 功率
2023-02-27 11:52:38
英飞凌欲借新一代超结MOSFET树立硬开关应用基准
英飞凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET产品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP两个产品系列的优势,可降低设
2009-06-23 21:17:44619 英飞凌推出高安全双界面MCU,适用于非接触应用
英飞凌科技股份公司近日在“智能卡暨身份识别技术工业展”(CARTES & IDentifica-tion)上推出了一款高安全的双界面
2009-11-24 13:38:52696 泰科电子推出适用于高功率应用的全新双工LC适配器
日前,泰科电子推出全新带防护盖的双工LC适配器系列产品,进一步壮大了其LC连接器和适配器的产品家族。该
2009-12-08 09:48:491027 英飞凌推出低成本半瓦LED驱动器系列
英飞凌科技股份公司宣布推出新的低成本线性LED驱动器系列,进一步壮大其高能效照明IC产品的阵容。全新推出的BCR320和BCR420产品
2009-12-16 08:54:25618 适用于节能家电的创新功率转换器件
英飞凌科技股份公司近日推出适用于节能家用电器电机驱动装置的功率转换器件系列。全新的600V RC IGBT驱动系列(RC指逆向导
2010-01-23 08:37:071186 英飞凌推出适用于节能家电的创新功率转换器件
英飞凌科技股份公司近日推出适用于节能家用电器电机驱动装置的功率转换器件系列。全新的600V RC IGBT驱动系列(RC指
2010-01-25 08:44:19842 英飞凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飞凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件,进一步扩大OptiMOSTM产品阵容。全新200V和250V器件适用于48V系统
2010-01-26 09:22:57878 适用于汽车的DirectFET2功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、
2010-01-26 16:25:041207 采用PQFN封装的MOSFET 适用于ORing和电机驱动应用
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻 (R
2010-03-12 11:10:071271 泰科电子推出适用于LED印刷电路板上全新的IDC SSL连接器
日前,泰科电子宣布推出全新IDC SSL连接器,用于实现LED印刷电路板(PCB)上散线的快速、免工具刺破式连接。
2010-04-20 10:16:59613 用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8
英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8。新封装的占板空间
2010-05-12 18:17:181003 英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261868 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有超低导通电阻 (RDS(on)) ,适用于电池充电
2010-07-22 09:29:411213 美国国家半导体公司(NaTIonal Semiconductor Corporation)宣布推出九款适用于更宽工作温度范围的全新 SIMPLE SWITCHER电源模块。 这些产品全部通过强震和冲击测试,因此适用于各种恶劣
2010-08-04 09:14:101055 Power Integrations公司日前宣布推出一款适用于高压应用的高集成度电源IC产品系列 - HiperTFS。HiperTFS系列器件是唯一一款
2010-11-15 08:53:35784 英飞凌科技股份公司近日在法国巴黎“智能卡暨身份识别技术工业展(CARTES & IDentification)”上宣布推出适用于新一代安全IC的90纳米SOLID FLASH技术。依靠SOLID FLASH技术,英飞凌
2010-12-17 09:13:09785 英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:171901 英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40V OptiMOS P2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆,从而进一步
2011-09-13 08:33:16721 英飞凌科技推出采用先进沟槽技术制程的最新单一P通道40V汽车电源MOSFET系列产品。新型40V OptiMOS P2产品为提升能源效率、减少CO2排放及节省成本设立新的基准
2011-09-28 19:35:41714 英飞凌科技股份有限公司扩展其车用功率半导体系列产品,推出全新 650V CoolMOS CFDA。这是业界首创整合高速本体二极体技术的超接面 MOSFET 解决方案,符合最高的汽车认证标準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021504 CoolMOS具有优越的直流特性。为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构人手,结合电荷平衡 理论,分析了其高击穿电压BV、低导通电阻R。 的原理。通过理论计算,得到相关的设计
2012-06-20 16:37:2048 由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165/2,65/365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片,其优点是:用它做开关电源,无需加散热器,在通用电网即可输出20~50W 的功率;保护功能齐全
2012-06-20 16:43:4034 雅特生科技 (Artesyn Embedded Technologies) 宣布推出两系列适用于高功率密度工业设备、而且大小尺寸只有1 x 2 英寸(25.4mm x 50.8mm) 的全新隔离式直流/直流电源转换器。
2014-12-11 13:47:59956 e络盟日前宣布新增来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的CoolMOS™与OptiMOS™系列产品,进一步扩充其功率MOSFET产品组合。
2015-03-02 17:37:381443 2016年5月3日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)近日推出了TO-220 FullPAK Wide Creepage封装。全新封装适用于瞄准众多
2016-05-03 09:57:422084 MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%,为通信、工业和企业级电源提供
2017-02-10 15:10:111787 2012年10月10日,德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出适用于工商业传感应用的首颗单片雷达解决方案。采用硅锗工艺和工作在24GHz ISM
2019-03-20 09:27:56562 最新CoolMOS系列MOSFET独特的封装技术,在采用了表面贴装的ThinPAK后极可实现600伏的电压。另外,张建浩先生还就使用表面贴装MOS管提出了建议,即在PCB板上以打孔的方式,实现散热功能。
2018-06-26 16:48:007787 雅特生科技(Artesyn Embedded Technologies) 推出一款最新的4插槽电源外壳和另一全新的保持模块。这两款新产品都适用于该公司的第二代MicroMP (MP)系列可配置交流
2019-05-16 09:35:102822 。该模块分别针对CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片组的最佳点损耗进行了优化,具有更高的功率密度和高达48 kHz的开关频率,适用于新一代1500V光伏和储能应用。
2019-09-14 10:56:003941 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出另两个碳化硅(SiC) MOSFET系列,扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。 这些新器件适用于各种
2020-03-12 14:55:512700 IR推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值,适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。
2020-08-30 08:33:00830 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60E 导通电阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351438 在今年的虚拟 PCIM 贸易展上,英飞凌科技发布了一款基于成熟的、市场领先的 CoolSiC MOSFET 技术的新型汽车电源模块。HybridPACK Drive CoolSiC 具有 1200
2022-08-04 17:09:471452 CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术,补全了 CoolMOS™ 7 系列。
2022-09-30 17:09:321346 ™ PFD7高压MOSFET系列,为950V 超结(SJ)技术树立了新的行业标准。全新950V系列具有出色的性能和易用性,采用集成的快速体二极管,可确保器件的稳健性,同时降低了BOM(材料清单)成本。该产品专为超高功率密度和超高效率的产品设计量身打造,主要用于照明系统以及消费和工业领域的开关电
2022-11-09 11:33:15455 上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容,以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。
2023-02-10 09:41:01483 SJ-FET是新一代高压MOSFET系列正在利用先进的电荷平衡机制低导通电阻和较低的栅极充电性能。这项先进的技术是为最大限度地减少传导而量身定制的损耗,提供卓越的开关性能,并承受极端的dv/dt速率和更高的雪崩能量。SJ-FET适用于各种交流/直流电源转换切换模式操作以获得更高的效率。
2023-06-14 17:09:020 Nexperia 适用于 36V 电池系统的特定应用 MOSFET
2023-11-30 11:47:40369 适用于电表的防干扰隔离反激式电源
2023-12-06 16:10:56393 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布其适用于汽车和工业电机控制应用的MOTIX™系列再添新成员。
2023-12-25 10:35:44449 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)宣布其适用于汽车和工业电机控制应用的MOTIX系列再添新成员。为进一步扩大这一先进产品系列的阵容,英飞凌推出了MOTIX双通道栅极
2024-01-08 08:13:50253 英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC™MOSFET,满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源
2024-03-15 16:31:45393 随着英飞凌技术公司推出全新的OptiMOS™ 6 200 V MOSFET系列产品,电机驱动应用领域得到了显著的推进。
2024-04-17 11:08:28286 英飞凌科技发布了其全新SSI系列固态隔离器,这是一款集成了隔离型栅极驱动电源的革命性产品。SSI系列固态隔离器旨在驱动MOS电压驱动型功率晶体管,如CoolMOS™、OptiMOS™、TRENCHSTOP™ IGBT或CoolSiC™,无需额外的专用电源来驱动功率晶体管的栅极。
2024-05-11 11:35:17374
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