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电子发烧友网>制造/封装>今日看点丨三星、SK海力士探索激光解键合技术 或用于HBM4;小鹏 P7+ 汽车官图首次亮相

今日看点丨三星、SK海力士探索激光解键合技术 或用于HBM4;小鹏 P7+ 汽车官图首次亮相

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三星存储业务派狼将金奇南对战SK海力士 SK海力士如临大敌

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HBM需求高涨 三星SK海力士投资超2万亿韩元积极扩产

据业界透露,三星电子、sk海力士等存储半导体企业正在推进hbm生产线的扩张。两家公司计划到明年年底为止投资2万亿韩元以上,将目前hbm生产线的生产能力增加两倍以上。sk海力士计划在利川现有的hbm生产基地后,利用清州工厂的闲置空间。
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三星SK海力士存储器库存破表 牵动南亚科、华邦、群联等后市

据dram领域的调查企业trend force称,去年第四季度在dram领域,三星以45.1%的世界市场占有率居首位,sk海力士以27.7%位居第二。在nand闪存领域,三星以世界第1位占据了第4季度的世界市场占有率33.8%,sk海力士(包括solidm)以17.1%占据了第3位。
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存储厂商HBM订单暴增

目前,HBM产品的主要供应商是三星SK海力士和美光。根据全球市场调研机构TrendForce集邦咨询的调查显示,2022年,SK海力士HBM市场占据了50%的份额,三星占据了40%,美光占据了10%。
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三星/SK海力士获美出口管制无限期豁免 南亚科、旺宏等首当其冲

美国将三星电子和sk海力士指定为veu(认证终端)用户,无限期开放了美国企业对中国国内三星sk海力士工厂的半导体制造设备出口。同样,受到美方禁令的台积电也于10月9日表示,对市场传闻不予评论。
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SK海力士资本支出大增,HBM是重点

SK海力士明年计划的设施投资为10万亿韩元(76.2亿美元),超出了市场预期。证券界最初预测“SK海力士明年的投资额将与今年类似,约为6万亿至7万亿韩元”。鉴于经济挑战,观察人士预计严格的管理措施将延续到明年。由于存储半导体价格大幅下跌,SK海力士预计今年赤字将超过8万亿韩元。
2023-11-22 17:28:05627

三星SK海力士加码半导体设备投资与产量,以缓解行业压力

12月18日,传闻三星SK海力士正筹划于来年加大芯片制造设备的投入,如三星电子预计投注27万亿韩元,SK海力士则计划注入5.3万亿韩元,增幅分别达25%与100%。
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三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:22576

三星电子和SK海力士将联合投资622万亿韩元 推进“超级集群”计划

三星电子和SK海力士将联合投资622万亿韩元,推进“超级集群”计划。
2024-01-23 11:35:48464

三星加大投资提升HBM产能,与SK海力士竞争加剧

近日,据报道,三星电子正计划大规模扩大其HBM(高带宽内存)产能,以满足不断增长的市场需求。这一举措将进一步加剧与SK海力士的竞争。
2024-01-26 15:33:09444

OpenAI首席执行会见三星SK海力士高管

近日,OpenAI的首席执行Sam Altman前往韩国,与三星电子和SK海力士的高管进行了会面。据报道,这次会面的主要议题是探讨建立一个AI半导体联盟以及投资机会的可能性。
2024-01-30 18:23:46845

消息称三星正在整合混合技术

据业界消息人士透露,为了进一步提升其芯片代工能力,三星正全力推进混合技术的整合工作。据悉,应用材料公司和Besi Semiconductor已在三星的天安园区开始安装先进的混合设备,这些设备预计将用于三星的下一代封装解决方案,如X-Cube和SAINT。
2024-02-18 11:13:23473

SK海力士宣布HBM内存生产配额全部售罄

SK 海力士副总裁 Kim Ki-Tae 对此表示,作为 HBM 行业翘楚,海力士洞察到市场对 HBM 存储的巨大需求,现已提前调整产量,以期更好地满足市场需求,保护其市场占有率。
2024-02-23 14:12:00503

SK海力士扩大对芯片投资

SK海力士正积极应对AI开发中关键组件HBM(高带宽存储器)日益增长的需求,为此公司正加大在先进芯片封装方面的投入。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长明确指出,公司正在韩国投入超过10亿美元,以扩大和改进其芯片封装技术
2024-03-08 10:53:44809

三星追赶AI芯片竞赛,计划采用海力士制造技术

三星必须采取一些措施来提高其HBM产量......采用MUF技术三星来说有点不得已而为之,因为它最终遵循了SK海力士首次使用的技术
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三星否认MR-RUF方式用于HBM内存生产

实现HBM的关键所在为多层DRAM堆叠,市场主要采用两种合作程: SK海力士旗下的MR-RUF与三星的TC-NCF方案。前者为反流焊接粘附DRAM,后填塑模具填充间隙;后者则为热压粘连NCF(非导电薄膜)至各DRAM层之间。
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英伟达对三星HBM3E进行测试,海力士仍稳坐HBM市场头把交椅

现如今,SK海力士为英伟达AI半导体提供主要HBM产品,同时自去年起,美光公司也加入了该供应阵营。据悉,相比其他竞争对手,三星电子在HBM授权上大约晚了一年有余。
2024-03-22 09:53:23375

英伟达寻求从三星采购HBM芯片

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刚刚!SK海力士出局!

在基础晶圆上通过硅通孔(TSV)连接多层DRAM,首批HBM3E产品均采用8层堆叠,容量为24GB。SK海力士三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称,英伟达已经向SK海力士支付了约5.4亿至7.7亿美元的预付款,供应下一代HBM3E。 SK海力士三星都在推进12层
2024-03-27 09:12:08299

三星联席CEO在AI合作交流中力推HBM内存

庆桂显此行主要推广三星HBM内存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出现失误,三星已被竞争对手SK海力士超越;位于第位的美光近年来也在HBM3芯片上取得突破,成功获得英伟达H200订单。
2024-04-16 16:46:05453

SK海力士联手台积电推出HBM4,引领下一代DRAM创新

SK海力士表示,凭借其在AI应用领域存储器发展的领先地位,以及与台积电在全球顶尖逻辑代工领域的深厚合作基础,该公司有信心持续引领HBM技术创新。通过整合IC设计厂、晶圆代工厂及存储器厂的技术资源,SK海力士将进一步提升存储器产品性能,实现新的突破。
2024-04-19 09:28:04310

SK海力士与台积电共同研发HBM4,预计2026年投产

HBM3E(第五代 HBM 产品)起,SK海力士HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产;然而,从 HMB4(第六代 HBM 产品)开始,该公司将转用台积电的先进逻辑工艺。
2024-04-19 10:32:07364

SK海力士将采用台积电7nm制程生产HBM4内存基片

HBM内存基础裸片即DRAM堆叠基座,兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订HBM内存合作协议,首要任务便是提升HBM基础逻辑芯片性能。
2024-04-23 16:41:19525

SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025年

SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基础裸片合作协议,原本预计HBM4内存要等到2026年才会问世。
2024-05-06 15:10:21219

SK海力士明年HBM产能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高带宽内存(HBM)芯片在2025年的产能已经基本售罄。这一成绩主要归功于人工智能(AI)技术的蓬勃发展,极大地推动了市场对HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39278

SK海力士加速HBM4E内存研发,预计2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市场需求,SK海力士将提速研发进程,预计最快在 2026 年推出 HBM4E 内存在内存带宽上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09244

涨价20%!三星SK 海力士将停止供货这类芯片

业界传出,全球前二大DRAM供货商三星SK海力士全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存,下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM,引起市场抢货潮,导致近期DDR3价格飙涨,最高涨幅达二成,且下半年报价还会再上扬。
2024-05-14 10:31:58198

三星电子与SK海力士预测存储芯片市场需求强烈,HBM产能售罄

全球知名存储芯片制造巨头三星SK海力士预判,今年DRAM和高带宽存储器(HBM)价格将持续攀升,受益于市场对于高端芯片,尤其是人工智能相关芯片的强大需求。
2024-05-15 09:23:52214

SK海力士提前一年量产HBM4E第七代高带宽存储器

据业内人士预计,HBM4E的堆叠层数将增加到16~20层,而SK海力士原本计划在2026年量产16层的HBM4产品。此外,该公司还暗示,有可能从HBM4开始采用“混合技术以实现更高的堆叠层数。
2024-05-15 09:45:35228

SK海力士HBM4E存储器提前一年量产

SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026年开始,提前一年量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明,SK海力士HBM技术领域的研发速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13491

三星HBM3E芯片验证仍在进行,英伟达订单分配备受关注

业内评论指出,三星HBM之所以出现问题,主要原因在于负责英伟达GPU制造的台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准。由于SK海力士8层HBM3E的生产方式与三星有所差异,导致三星产品未能顺利通过验证。
2024-05-16 17:56:20763

台积电在欧洲技术研讨会上展示HBM4的12FFC+和N5制造工艺

目前,我们正在携手众多HBM存储伙伴(如美光、三星SK海力士等)共同推进HBM4在先进制程中的全面集成。12FFC+基础Dies在满足HBM性能需求的同时,具有显著的成本优势;而N5基础Dies则可在较低功耗条件下实现HBM4的预期速度。
2024-05-17 10:07:08265

三星SK海力士下半年停产DDR3内存

近日,三星SK海力士宣布,将于下半年停止生产并供应DDR3内存,转向利润更高的DDR5内存和HBM系列高带宽内存。此举标志着内存行业的一次重要转型。
2024-05-17 10:12:21293

SK海力士与台积电携手量产下一代HBM

近日,SK海力士与台积电宣布达成合作,计划量产下一代HBM(高带宽内存)。在这项合作中,台积电将主导基础芯片的前端工艺(FEOL)和后续布线工艺(BEOL),确保基础芯片的质量与性能。而SK海力士则负责晶圆测试和HBM的堆叠工作,确保产品的最终品质与可靠性。
2024-05-20 09:18:46291

三星SK海力士对DRAM和NAND产量持保守态度

在DRAM和NAND芯片的生产上,三星SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨,这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能,进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:49311

SK海力士力挫三星,稳坐HBM行业领军地位

值得注意的是,早年对HBM技术表现出浓厚兴趣的三星,与英伟达共同研发了HBMHBM2系列产品,然而销售初期市场反应冷淡,导致持续亏损。
2024-05-29 15:50:00262

SK海力士HBM技术再创新高,将集成更多功能

SK海力士正全力开发HBM4E存储设备,意欲打造集计算、缓存和网络存储于一身的新型HBM产品,进而提升性能与数据传输速率。
2024-05-29 16:41:27344

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞银集团最新报告指出,SK海力士HBM4芯片预计从2026年起,每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM)市场的领军企业,SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能已全部售罄,显示其产品的强劲需求。
2024-05-30 10:27:22291

TLB成功开发出CXL内存模块PCB,并向三星SK海力士提供首批样品

近日,韩国上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功开发出CXL内存模块PCB,并已独家向三星电子和SK海力士提供了6款以上的首批样品。
2024-05-30 11:30:34417

三星海力士引领DRAM革新:新一代HBM采用混合技术

在科技日新月异的今天,DRAM(动态随机存取存储器)作为计算机系统中的关键组件,其技术革新一直备受瞩目。近日,据业界权威消息源透露,韩国两大DRAM芯片巨头——三星SK海力士,都将在新一代高带宽
2024-06-25 10:01:36226

台积电携手创意电子,斩获SK海力士HBM4芯片大单

在全球半导体市场的激烈竞争中,台积电再次凭借其卓越的技术实力和创新能力,携手旗下子公司创意电子,成功斩获了SK海力士在下一代HBM4(High Bandwidth Memory 4)芯片领域的重大
2024-06-25 10:13:12292

ASMPT与美光携手开发下一代HBM4设备

在半导体制造技术的持续演进中,韩国后端设备制造商ASMPT与全球知名的内存解决方案提供商美光公司近日宣布了一项重要的合作。据悉,ASMPT已向美光提供了专用于高带宽内存(HBM)生产的演示热压(TC)机,双方将携手开发下一代技术,以支持HBM4的生产。
2024-07-01 11:04:15409

三星SK海力士启动芯片浸没式液冷测试

近日,科技界迎来了一则重要消息:三星电子与SK海力士已携手启动芯片产品对浸没式液冷的兼容测试。这一举措旨在响应服务器运营方对于建立浸没式液冷解决方案保修政策的需求,进一步推动数据中心冷却技术的革新。
2024-07-02 10:24:08324

美光HBM市场雄心勃勃,SK海力士加速应对挑战

雄心勃勃的宣言无疑给当前HBM市场的两大主要竞争对手——SK海力士三星带来了不小的竞争压力,尤其是SK海力士,作为韩国DRAM行业的领军企业,正严阵以待,积极调整策略以应对美光的挑战。
2024-07-03 09:28:59250

三星电子与SK海力士加大DRAM与HBM产能,应对AI热潮下的存储需求

在全球人工智能(AI)技术持续升温的背景下,韩国两大存储芯片巨头——三星电子与SK海力士正积极调整生产策略,以应对日益增长且多样化的存储需求。据韩国媒体最新报道,这两家公司正分别在其位于平泽和无锡
2024-07-08 12:54:09163

汽车董事长何小宣布全新车型P7+:开启智驾新时代

7月10日的官方声明中,小汽车董事长何小正式宣布,公司将推出一款引人注目的全新车型——小P7+。这款B级全电动轿车以其超过5米的车身尺寸和“技术+”的精准定位,预示着小汽车在智能驾驶领域的又一重大突破。
2024-07-10 16:11:22435

英伟达、微软、亚马逊等排队求购SK海力士HBM芯片,这些国产设备厂迎机遇

AMD、微软和亚马逊等。   HBM(高带宽存储器),是由AMD和SK海力士发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场合。如今HBM已经发展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代产品,SK海力士目前是唯一能量产HBM3的厂商。   HBM 成为
2023-07-06 09:06:312430

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