1. AMD砸6.65亿美元收购芬兰初创公司Silo AI,与英伟达竞争
根据英国业界周三(7月10日)消息,AMD将以6.65亿美元收购芬兰人工智能(AI)初创公司Silo AI,意图寻求扩大其AI服务,以与市场领导者英伟达竞争。
AMD 表示,Silo AI的300名成员将使用其软件工具建构定制大型语言模型(LLM),这笔全现金收购预料将在今年下半年完成,不过仍须获得监管机构批准。AMD人工智能事业群资深副总裁Vamsi Boppana表示,该笔交易既有助于公司加快与客户的接触与布署,也有助加速自家AI技术。
2. 三星、SK海力士探索激光解键合技术 或用于HBM4
据韩媒报道,三星电子和SK海力士已经开始进行高带宽存储器(HBM)晶圆的工艺技术转换,这一转换以防止晶圆翘曲的新技术引入为核心,被认为是针对下一代HBM。预计随着工艺转换,材料和设备供应链也将发生变化。
据悉三星电子和SK海力士,最近正在与合作伙伴一起开发将HBM用晶圆剥离(解键合)工艺改为激光方法。晶圆解键合是在工艺中将变薄的晶圆从临时载片上分离出来的工作。半导体制造过程中,主晶圆和载体晶圆是通过粘合剂粘在一起的,然后用刀片剥离,因此被称为机械解键合。
3. 夏普携手Aoi将三重工厂将转为先进封装产线,生产FOLP产品
鸿海旗下子公司夏普公司(Sharp Corporation)宣布,与日本电子元件制造商Aoi Electronics达成合作协议,将在夏普位于三重县的液晶面板工厂内引入先进的半导体封装生产线,用于生产Aoi的Fan-out Laminate Package(FOLP)产品。
Aoi Electronics、夏普以及Sharp Display Technology已于今日签署了基本合作协议。根据协议,Aoi Electronics将利用夏普三重工厂的现有厂房和设施,建立半导体后段制程生产线。预计该生产线将在2024年内建成,并计划于2026年全面投产,届时月产能将达到2万片。
4. 三星电子工会计划“无限期”罢工,将中断芯片生产
三星电子全国工会表示,准备将正在进行的罢工“无限期”延长,此举可能会影响全球最大存储制造商厂商的芯片生产。三星工会在其网站上发表声明称,在“确认管理层无意进行对话”后,工会宣布总罢工。
工会呼吁总罢工,这急速加剧了与三星的争端。7月8日,数千名工人在首尔南部的三星芯片制造厂外集会,开始了最初为期三天的罢工,要求三星提高工资,并履行带薪休假承诺,此外需赔偿因罢工造成的工资损失。这是三星集团半个世纪以来规模最大的有组织劳工行动。工会最新声明表示,“我们已经明确确定中断生产线,三星公司将对这一决定感到遗憾,我们认为管理层最终会让步,坐上谈判桌。”
5. 机构:中国面板厂商主导大尺寸LCD电视市场,份额逾70%
据研究机构Omdia报告,目前中国面板制造商正领导全球大尺寸电视LCD(液晶)面板市场,包括京东方、TCL华星光电、HKC等正成为这一市场的主导者。这些公司占据65/75/85英寸液晶电视市场70%~85%份额,在超大尺寸(90~115英寸)液晶电视市场中,几乎占据100%份额。
从2024年1月至5月,TCL、海信等中国电视品牌,在面板采购市场的份额扩大至28%,这些品牌率先采用超大尺寸面板(98~115英寸)的战略引人注目。这一战略不仅帮助面板制造商有效利用产能,还支持中国电视品牌成为全球超大尺寸液晶电视市场的全球领导者。
6. 小鹏 P7+ 汽车官图首次亮相:尺寸超 5 米,号称“开启智驾新时代”
小鹏汽车董事长何小鹏官宣,将推一款小鹏 P7+ 全新车型。该车尺寸超 5 米,号称“技术 +”。何小鹏还称,小鹏 P7+ 的使命是“开启智驾新时代”。
按照官方此前的财报电话会议内容,这款小鹏 P7+ 预计就是四季度将推出的新型 B 级全电动轿车,也是首款实现技术成本降低 25% 目标的车型。根据此前爆料,该车内部代号 F57,将不会使用任何激光雷达,而是首次转向类似于特斯拉 FSD 的纯视觉智驾解决方案。
今日看点丨三星、SK海力士探索激光解键合技术 或用于HBM4;小鹏 P7+ 汽车官图首次亮相
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2024-03-25 11:42:04494
刚刚!SK海力士出局!
在基础晶圆上通过硅通孔(TSV)连接多层DRAM,首批HBM3E产品均采用8层堆叠,容量为24GB。SK海力士和三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称,英伟达已经向SK海力士支付了约合5.4亿至7.7亿美元的预付款,供应下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推进12层
2024-03-27 09:12:08299
三星联席CEO在AI合作交流中力推HBM内存
庆桂显此行主要推广三星的HBM内存,并探索AI合作可能性。然而,由于此前在HBM策略上出现失误,三星已被竞争对手SK海力士超越;位于第三位的美光近年来也在HBM3芯片上取得突破,成功获得英伟达H200订单。
2024-04-16 16:46:05453
SK海力士联手台积电推出HBM4,引领下一代DRAM创新
SK海力士表示,凭借其在AI应用领域存储器发展的领先地位,以及与台积电在全球顶尖逻辑代工领域的深厚合作基础,该公司有信心持续引领HBM技术创新。通过整合IC设计厂、晶圆代工厂及存储器厂的技术资源,SK海力士将进一步提升存储器产品性能,实现新的突破。
2024-04-19 09:28:04310
SK海力士与台积电共同研发HBM4,预计2026年投产
自 HBM3E(第五代 HBM 产品)起,SK海力士的 HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产;然而,从 HMB4(第六代 HBM 产品)开始,该公司将转用台积电的先进逻辑工艺。
2024-04-19 10:32:07364
SK海力士将采用台积电7nm制程生产HBM4内存基片
HBM内存基础裸片即DRAM堆叠基座,兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订HBM内存合作协议,首要任务便是提升HBM基础逻辑芯片性能。
2024-04-23 16:41:19525
SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025年
SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基础裸片合作协议,原本预计HBM4内存要等到2026年才会问世。
2024-05-06 15:10:21219
SK海力士明年HBM产能基本售罄
SK海力士近日宣布,其高带宽内存(HBM)芯片在2025年的产能已经基本售罄。这一成绩主要归功于人工智能(AI)技术的蓬勃发展,极大地推动了市场对HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39278
SK海力士加速HBM4E内存研发,预计2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市场需求,SK海力士将提速研发进程,预计最快在 2026 年推出 HBM4E 内存在内存带宽上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09244
涨价20%!三星、 SK 海力士将停止供货这类芯片
业界传出,全球前二大DRAM供货商三星、SK海力士全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存,下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM,引起市场抢货潮,导致近期DDR3价格飙涨,最高涨幅达二成,且下半年报价还会再上扬。
2024-05-14 10:31:58198
三星电子与SK海力士预测存储芯片市场需求强烈,HBM产能售罄
全球知名存储芯片制造巨头三星及SK海力士预判,今年DRAM和高带宽存储器(HBM)价格将持续攀升,受益于市场对于高端芯片,尤其是人工智能相关芯片的强大需求。
2024-05-15 09:23:52214
SK海力士提前一年量产HBM4E第七代高带宽存储器
据业内人士预计,HBM4E的堆叠层数将增加到16~20层,而SK海力士原本计划在2026年量产16层的HBM4产品。此外,该公司还暗示,有可能从HBM4开始采用“混合键合”技术以实现更高的堆叠层数。
2024-05-15 09:45:35228
SK海力士HBM4E存储器提前一年量产
SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026年开始,提前一年量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明,SK海力士在HBM技术领域的研发速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13491
三星HBM3E芯片验证仍在进行,英伟达订单分配备受关注
业内评论指出,三星HBM之所以出现问题,主要原因在于负责英伟达GPU制造的台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准。由于SK海力士8层HBM3E的生产方式与三星有所差异,导致三星产品未能顺利通过验证。
2024-05-16 17:56:20763
台积电在欧洲技术研讨会上展示HBM4的12FFC+和N5制造工艺
目前,我们正在携手众多HBM存储伙伴(如美光、三星、SK海力士等)共同推进HBM4在先进制程中的全面集成。12FFC+基础Dies在满足HBM性能需求的同时,具有显著的成本优势;而N5基础Dies则可在较低功耗条件下实现HBM4的预期速度。
2024-05-17 10:07:08265
三星和SK海力士下半年停产DDR3内存
近日,三星和SK海力士宣布,将于下半年停止生产并供应DDR3内存,转向利润更高的DDR5内存和HBM系列高带宽内存。此举标志着内存行业的一次重要转型。
2024-05-17 10:12:21293
SK海力士与台积电携手量产下一代HBM
近日,SK海力士与台积电宣布达成合作,计划量产下一代HBM(高带宽内存)。在这项合作中,台积电将主导基础芯片的前端工艺(FEOL)和后续布线工艺(BEOL),确保基础芯片的质量与性能。而SK海力士则负责晶圆测试和HBM的堆叠工作,确保产品的最终品质与可靠性。
2024-05-20 09:18:46291
三星、SK海力士对DRAM和NAND产量持保守态度
在DRAM和NAND芯片的生产上,三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨,这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能,进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:49311
SK海力士力挫三星,稳坐HBM行业领军地位
值得注意的是,早年对HBM技术表现出浓厚兴趣的三星,与英伟达共同研发了HBM及HBM2系列产品,然而销售初期市场反应冷淡,导致持续亏损。
2024-05-29 15:50:00262
SK海力士HBM技术再创新高,将集成更多功能
SK海力士正全力开发HBM4E存储设备,意欲打造集计算、缓存和网络存储于一身的新型HBM产品,进而提升性能与数据传输速率。
2024-05-29 16:41:27344
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞银集团最新报告指出,SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起,每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM)市场的领军企业,SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能已全部售罄,显示其产品的强劲需求。
2024-05-30 10:27:22291
TLB成功开发出CXL内存模块PCB,并向三星和SK海力士提供首批样品
近日,韩国上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功开发出CXL内存模块PCB,并已独家向三星电子和SK海力士提供了6款以上的首批样品。
2024-05-30 11:30:34417
三星与海力士引领DRAM革新:新一代HBM采用混合键合技术
在科技日新月异的今天,DRAM(动态随机存取存储器)作为计算机系统中的关键组件,其技术革新一直备受瞩目。近日,据业界权威消息源透露,韩国两大DRAM芯片巨头——三星和SK海力士,都将在新一代高带宽
2024-06-25 10:01:36226
台积电携手创意电子,斩获SK海力士HBM4芯片大单
在全球半导体市场的激烈竞争中,台积电再次凭借其卓越的技术实力和创新能力,携手旗下子公司创意电子,成功斩获了SK海力士在下一代HBM4(High Bandwidth Memory 4)芯片领域的重大
2024-06-25 10:13:12292
ASMPT与美光携手开发下一代HBM4键合设备
在半导体制造技术的持续演进中,韩国后端设备制造商ASMPT与全球知名的内存解决方案提供商美光公司近日宣布了一项重要的合作。据悉,ASMPT已向美光提供了专用于高带宽内存(HBM)生产的演示热压(TC)键合机,双方将携手开发下一代键合技术,以支持HBM4的生产。
2024-07-01 11:04:15409
三星与SK海力士启动芯片浸没式液冷测试
近日,科技界迎来了一则重要消息:三星电子与SK海力士已携手启动芯片产品对浸没式液冷的兼容测试。这一举措旨在响应服务器运营方对于建立浸没式液冷解决方案保修政策的需求,进一步推动数据中心冷却技术的革新。
2024-07-02 10:24:08324
美光HBM市场雄心勃勃,SK海力士加速应对挑战
雄心勃勃的宣言无疑给当前HBM市场的两大主要竞争对手——SK海力士和三星带来了不小的竞争压力,尤其是SK海力士,作为韩国DRAM行业的领军企业,正严阵以待,积极调整策略以应对美光的挑战。
2024-07-03 09:28:59250
三星电子与SK海力士加大DRAM与HBM产能,应对AI热潮下的存储需求
在全球人工智能(AI)技术持续升温的背景下,韩国两大存储芯片巨头——三星电子与SK海力士正积极调整生产策略,以应对日益增长且多样化的存储需求。据韩国媒体最新报道,这两家公司正分别在其位于平泽和无锡
2024-07-08 12:54:09163
小鹏汽车董事长何小鹏宣布全新车型P7+:开启智驾新时代
在7月10日的官方声明中,小鹏汽车董事长何小鹏正式宣布,公司将推出一款引人注目的全新车型——小鹏P7+。这款B级全电动轿车以其超过5米的车身尺寸和“技术+”的精准定位,预示着小鹏汽车在智能驾驶领域的又一重大突破。
2024-07-10 16:11:22435
英伟达、微软、亚马逊等排队求购SK海力士HBM芯片,这些国产设备厂迎机遇
AMD、微软和亚马逊等。 HBM(高带宽存储器),是由AMD和SK海力士发起的基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,适用于高存储器带宽需求的应用场合。如今HBM已经发展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代产品,SK海力士目前是唯一能量产HBM3的厂商。 HBM 成为
2023-07-06 09:06:312430
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