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电子发烧友网>制造/封装>今日看点丨小米首发搭载,高通发布骁龙 4s Gen 2 芯片;美光宣布第九代 276 层 TLC NAND 闪存量产

今日看点丨小米首发搭载,高通发布骁龙 4s Gen 2 芯片;美光宣布第九代 276 层 TLC NAND 闪存量产

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通今天发布了下一移动SoC芯片4 Gen2。该芯片采用了三星的4纳米工艺,与之前的6纳米工艺相比实现了升级,并带来了显著性能提升。
2023-06-27 17:42:092004

基于2323D TLC NAND闪存UFS 4.0模块能效提升25%

基于2323D TLC NAND闪存UFS 4.0模块能效提升25% 此前推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案,采用了2323D TLC NAND闪存;速度提升很大,可以达到最高
2023-07-19 19:02:21999

7s Gen 2芯片正式发布:采用4nm工艺

7s gen 2芯片配有4个2.4ghz性能核心和4个1.95ghz效率核心。adreno gpu的组合支持fhd +分辨率和144hz的处理速度。该平台支持fastconnect 6700、蓝牙le音频和蓝牙5.2。
2023-09-19 10:38:023069

三星和谷歌计划采用XR2+ Gen 2芯片

近日,宣布推出了一款全新芯片,名为XR2+ Gen 2。这款芯片是专门为混合现实(XR)设备设计的,预计将引发业界震动。
2024-01-07 16:32:38809

歌尔联合通推出XR2 Gen 2和XR2+Gen 2 MR参考设计

1月8日,歌尔联合通公司推出了基于XR2 Gen 2平台和 XR2+ Gen 2平台的下一混合现实(MR)参考设计。
2024-01-08 09:15:36537

小米14 Ultra发布搭载第三8移动平台

今日小米召开主题为“新层次”的新品发布会,正式推出了小米14 Ultra手机。新机搭载第三8移动平台,集小米领先技术于一身,带来全方位跨越的新一专业影像旗舰,让真实有层次。
2024-02-23 09:17:36708

8 Gen 4即将发布,采用定制“Phoenix”核心,人工智能不受影响

据了解,8Gen 4芯片搭载独家Phoenix核心和“2+6”的多核架构,以及创新的Slice GPU架构。值得注意的是,8Gen 4据传可能借鉴联发科天玑 9300的设计灵感
2024-02-29 09:59:48367

8s Gen3、7+ Gen3或发布小米Civi 4首发

据悉,本次发布会的亮点之一是全新的旗舰级芯片——8s Gen3。此芯片将作为8 Gen3之后的次高端产品面世,而搭载它的首款设备可能就是小米Civi 4手机。
2024-03-13 09:59:09456

小米Civi 4 Pro全球首发8s Gen 3,融入澎湃OS

据悉,Civi 4 Pro将率先采用8S Gen 3芯片,搭配全等深微曲面屏幕以及徕卡Summilux主摄像头(f/1.63大光圈)及2倍变焦长焦镜头(覆盖15mm至50 mm焦段)。
2024-03-19 10:15:18497

小米MIX Flip折叠屏新机将于5月推出,搭载8 Gen3

据悉,MIXFlip将成为小米品牌下的首款翻转折叠式屏幕手机,同时也是8 Gen3(即SM8650)旗舰处理器的首发搭载机型之一。据先前的传闻,此款手机并没有采用卫星通讯技术,但是会配备强大的拍照功能与大容量电池。
2024-03-19 15:58:55873

小米Civi 4 Pro手机惊艳登场,搭载第三8s移动平台

近日,小米正式发布了备受期待的小米Civi 4 Pro手机,这款新机不仅搭载了领先的第三8s移动平台,还配备了全新的小米澎湃OS系统,实现了在性能、影像、设计等多方面的跨越式升级,成为潮流旗舰市场的新宠。
2024-03-27 09:43:56357

通和谷歌宣布推出面向搭载的Windows PC的优化版Chrome浏览器

通技术公司和谷歌今日宣布,即日起推出面向搭载的Windows PC的优化版Chrome浏览器,先于2024年年中即将发布搭载®X Elite计算平台的PC面市。
2024-03-27 14:05:53327

通全新中端旗舰芯片8s Gen 3发布

8s Gen 3 的尺寸仅为 8.40×10.66mm,相较于 8 Gen 3 缩小了约 34.73%。这种紧凑的设计不仅提升了芯片的效率,还有助于提高手机的整体性能,为用户提供更流畅的使用体验。
2024-04-08 15:30:061566

三星V-NAND闪存或月底量产,堆叠层数将达290

据韩媒Hankyung透露,第九V-NAND闪存的堆叠层数将高达290,但IT之家此前曾报道过,三星在学术会议上展示了280堆叠的QLC闪存,其IO接口速度可达3.2GB/s
2024-04-12 16:05:39655

三星即将量产290V-NAND闪存

据韩国业界消息,三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290第九V-NAND(3D NAND闪存芯片
2024-04-17 15:06:59397

三星量产第九V-NAND闪存芯片,突破最高堆叠层数纪录

三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290第九V-NAND (3D NAND闪存芯片,这是继之前的236第八V-NAND后的显著提升,也代表着当前行业中最高的可量产堆叠层数。
2024-04-18 09:49:20378

三星宣布第九V-NAND 1Tb TLC产品开始量产

近日,三星宣布第九V-NAND 1Tb TLC产品开始量产,这将有助于巩固其在NAND闪存市场的卓越地位。
2024-04-23 11:48:05448

Nothing Phone (3)配置亮相:8s Gen 3芯片,6.7英寸大屏,7月发布

据悉,Nothing Phone (3) 预计于今年7月份正式亮相,搭载8s Gen 3芯片,这也是小米Civi 4 Pro和Redmi Turbo 3所采用的同款芯片
2024-04-23 16:16:01629

三星宣布量产第九V-NAND 1Tb TLC产品,采用290双重堆叠技术

作为V-NAND的核心技术,双重堆叠技术使旗舰V8闪存的层数从236增至290,主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算领域。据了解,三星计划于明年推出第十NAND芯片,采用三重堆叠技术
2024-04-28 10:08:01447

三星宣布量产第九V-NAND芯片,位密度提升50%

在技术层面,第九V-NAND无疑展现出了三星的卓越技术实力。它采用了双重堆叠技术,在原有的旗舰V8闪存236的基础上,再次实现了技术上的重大突破,堆叠层数飙升至惊人的290
2024-04-28 16:02:24734

三星第九V-NAND 1TB TLC量产,密度提升逾50%

第九V-NAND采用双堆叠设计,将旗舰版V8闪存原先的236进一步增加至290,主要应用于大型企业服务器及人工智能与云计算设备领域。
2024-04-28 17:36:18570

232QLC NAND芯片量产并出货,推出SSD新品

科技近期宣布,其创新的232QLC NAND芯片已成功实现量产并已开始出货。这一里程碑式的成就标志着光在NAND技术领域再次取得了显著进步,巩固了其在全球存储解决方案市场的领导地位。
2024-04-29 10:36:34554

232QLC NAND现已量产

科技近日宣布了重大技术突破,其先进的232QLC NAND闪存已成功实现量产,并已部分应用于Crucial英睿达固态硬盘(SSD)中。此外,还推出了2500 NVMeTM SSD,该产品已面向企业级存储客户大规模生产,并向PCOEM厂商提供了样品。
2024-05-06 10:59:25481

率先量产232QLC NAND产品

科技再次领跑行业前沿,近日宣布其232QLC NAND产品已成功实现量产,并已开始应用于部分Crucial英睿达固态硬盘中。这一突破性的技术不仅满足了客户端对数据存储的需求,同时也为数据中心提供了更高效的存储解决方案。
2024-05-09 14:53:55453

小米K80系列曝光:搭载8 Gen 4,支持120W快充

据悉,小米已加快红米K80系列手机的研发进程,预计将推出搭载8Gen3及8Gen4两种版本的产品。全系均采用2K护眼直屏设计,金属中框与玻璃机身相结合。
2024-05-27 10:24:57751

第九3D TLC NAND闪存技术的SSD产品开始出货

知名存储品牌近日正式宣布搭载其研发的第九(G9)3D TLC NAND闪存技术的固态硬盘产品已然问世,并已批量上市,成为全球业内首家成功跨越此历史性阶段的制造商。该产品所采用的堆叠层数高达
2024-07-31 17:11:17166

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