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电子发烧友网>制造/封装>今日看点丨小米“无按键”旗舰手机被曝 2025 年亮相;SK海力士成功开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM

今日看点丨小米“无按键”旗舰手机被曝 2025 年亮相;SK海力士成功开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM

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SK海力士全球最高速LPDDR5T移动DRAM与高通完成性能验证

完成与高通最新移动处理器的兼容性验证,正式开始向客户提供产品 "将通过加强与高通的合作,实现智能手机发展为AI时代的核心应用。" 韩国首尔202310月25日 /美通社/ -- SK海力士25日
2023-10-25 18:17:54931

SK海力士三季度亏损97亿元,SK海力士确认反对西数与铠侠合并

SK海力士称,由于高性能半导体存储器产品的市场需求增加,公司业绩开始持续改善。尤其是面向人工智能的存储器产品,如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等,销售表现良好。因此与上一季度相比,营业收入增长了24%,营业亏损减少了38%。
2023-10-31 17:02:28551

SK海力士全面推进全球最高速率LPDDR5T DRAM商用化

sk海力士透露,LPDDR5T是迄今为止最能大幅提高智能手机性能的存储产品中速度最快的产品。公司方面强调说,将继续扩大产品适用范围,引领移动dram领域的升级。
2023-11-13 10:32:311007

澜起科技荣获SK海力士“最佳供应商奖”

SK海力士提供优质的产品和服务。从DDR4世跨越到DDR5,澜起科技与SK海力士合作的产品涵盖DDR4、DDR5内存接口芯片及DDR5内存模组配套芯片。 随着人工智能、机器学习等异构计算飞速发展,CXL作为一种全新的高速互连协议迅速崛起,吸引业界各大厂商争
2023-12-04 09:02:37803

SK海力士:挑战美国限制,推进中国半导体技术升级

无锡工厂是SK海力士的核心生产基地,其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前,无锡工厂正在生产两较旧的10纳米DRAM
2024-01-16 10:45:25231

SK海力士持续投资无锡的原因

无锡工厂是SK海力士的核心生产基地,其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前,无锡工厂正在生产两较旧的10nm制程DRAM
2024-01-31 11:23:05620

AI需求激增,三星与SK海力士计划增产高价值DRAM

趋势,半导体巨头三星电子和SK海力士正考虑增加工厂的半导体晶圆投入量,以加速向更先进的10纳米第四(1a)和第五(1b)版本的过渡。
2024-03-06 10:49:49531

刚刚!SK海力士出局!

在基础晶圆上通过硅通孔(TSV)连接多层DRAM,首批HBM3E产品均采用8层堆叠,容量为24GB。SK海力士和三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称,英伟达已经向SK海力士支付了约合5.4亿至7.7亿美元的预付款,供应下一HBM3E。 SK海力士和三星都在推进12层
2024-03-27 09:12:08415

SK海力士与台积电共同研发HBM4,预计2026投产

自 HBM3E(第五 HBM 产品)起,SK海力士的 HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产;然而,从 HMB4(第六代 HBM 产品)开始,该公司将转用台积电的先进逻辑工艺。
2024-04-19 10:32:07456

SK海力士考虑新建DRAM工厂

SK海力士,作为全球领先的内存芯片制造商,正在积极考虑建设一家新的DRAM工厂。这一决策源于其现有的龙仁芯片集群投产计划的推迟,以及对今年内存芯片需求大幅增长的预测。
2024-05-06 10:52:02454

SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025

SK海力士宣布,计划于2025下半年推出首采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基础裸片合作协议,原本预计HBM4内存要等到2026才会问世。
2024-05-06 15:10:21296

SK海力士推出新一移动端NAND闪存解决方案ZUFS 4.0

今日SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破,他们成功发出了面向端侧(On-Device)AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。这款产品的推出,标志着SK海力士在闪存技术领域的又一次飞跃。
2024-05-09 11:00:30440

涨价20%!三星、 SK 海力士将停止供货这类芯片

业界传出,全球前二大DRAM供货商三星、SK海力士全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存,下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM,引起市场抢货潮,导致近期DDR3价格飙涨,最高涨幅达二成,且下半年报价还会再上扬。
2024-05-14 10:31:58265

SK海力士HBM4E内存2025下半年采用32Gb DRAM裸片量产

值得注意的是,目前全球三大内存制造商都还未开始量产1c nm(第六代10+nm)制程DRAM内存颗粒。早前报道,三星电子与SK海力士预计今年内实现1c nm DRAM的量产,而美光则需等到明年。新一颗粒有望在密度和能效方面取得显著进步。
2024-05-14 14:56:27326

三星和SK海力士下半年停产DDR3内存

近日,三星和SK海力士宣布,将于下半年停止生产并供应DDR3内存,转向利润更高的DDR5内存和HBM系列高带宽内存。此举标志着内存行业的一次重要转型。
2024-05-17 10:12:21405

SK海力士引入创新MOR技术于DRAM生产

SK海力士在半导体领域再次迈出创新步伐,计划在其第6(1c工艺,约10nm)DRAM的生产中,首次采用Inpria的下一金属氧化物光刻胶(MOR)。这一突破性的应用标志着MOR技术正式进入DRAM量产工艺。
2024-05-30 11:02:58532

TLB成功开发出CXL内存模块PCB,并向三星和SK海力士提供首批样品

近日,韩国上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功开发出CXL内存模块PCB,并已独家向三星电子和SK海力士提供了6以上的首批样品。
2024-05-30 11:30:34523

SK海力士加大1b DRAM产能以满足市场需求

全球半导体产业风起云涌的当下,SK海力士再次展现出其前瞻性和决断力。据行业内部消息透露,该公司正积极扩大其第51b DRAM的生产规模,以应对当前市场对HBM(高带宽内存)及DDR5 DRAM不断增长的需求。
2024-06-17 16:30:50444

SK海力士扩产1b DRAM,引领存储行业新热潮

在6月17日传来的最新消息中,全球知名的半导体制造商SK海力士正积极布局,大力扩展其第51b DRAM的生产规模。这一举措旨在应对日益增长的高带宽内存(HBM)和DDR5 DRAM的市场需求,进一步巩固其在存储领域的领先地位。
2024-06-17 16:50:02622

SK海力士5层堆叠3D DRAM制造良率已达56.1%

全球半导体技术的激烈竞争中,SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日,在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技术领域的最新研究成果,其中5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%,这一突破性的进展引起了业界的广泛关注。
2024-06-27 10:50:22425

SK海力士DDR5芯片价格或将大幅上涨

近日,据外媒报道,SK海力士已宣布将其DDR5 DRAM芯片价格上调15%至20%,这一举动在业界引起了广泛关注。供应链内部人士透露,此次涨价的主要原因在于HBM3/3E产能的大幅扩张,对DDR5的生产资源造成了明显挤占。
2024-08-14 15:40:46330

SK海力士转向4F2 DRAM以降低成本

SK海力士近日宣布了一项重要计划,即开发采用4F2结构(垂直栅)的DRAM。这一决策紧跟其竞争对手三星的步伐,标志着SK海力士DRAM制造领域的新探索。SK海力士研究员表示,随着极紫外(EUV
2024-08-14 17:06:43495

DDR5内存面临涨价潮,存储巨头转向HBM生产

近日,存储芯片市场传来重大消息,SK海力士正式通知市场,其DDR5内存产品将涨价15%至20%,这一举动无疑给市场投下了一枚震撼弹。此次涨价的根源在于,SK海力士、美光、三星等存储芯片巨头纷纷调整
2024-08-15 10:19:21375

DRAM大厂第三季DDR5价格大幅上调

近日,DRAM(动态随机存取存储器)市场传来重磅消息,由于服务器需求持续强劲及产能排挤效应显著,多家大厂决定在第三季度对DDR5内存价格进行新一轮调整。据供应链最新消息,三星电子与SK海力士这两大DRAM巨头已正式发出通知,宣布DDR5内存的单季价格将实现15%以上的显著上涨。
2024-08-21 15:40:01321

SK海力士开发出第六代10纳米级DDR5 DRAM

SK海力士宣布了一项重大技术突破,成功开发出全球采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb DDR5 DRAM。这一里程碑式的成就标志着SK海力士在半导体存储技术领域的领先地位。
2024-08-29 16:39:1588

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