隔离式栅极驱动器提供电平转换、隔离和栅极驱动强度，以便操作功率器件。这些栅极驱动器的隔离特性允许高侧和低侧器件驱动，并且能够在使用合适的器件时提供安全栅。示例应用程序如图 1 所示。VDD1和 V
2022-12-19 11:46:18
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日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器，其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:331700 近日，德州仪器 （TI） 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。
2015-10-16 16:32:111184 本文通过分析低侧栅极驱动器的等效电路来计算如何合理的选取RGATE电阻的阻值，既要保持MOS管的良好开关性能，还要有效抑制振铃的产生。
2024-02-26 18:14:341732 
Diodes 公司推出 DGD0579U 高侧和低侧栅极驱动器。这款高频装置内建自举式二极管，能够在半桥配置中驱动两个通常用于控制马达及 DC-DC 电力传输的 N 通道 MOSFET。
2022-02-24 17:56:531254 
：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动
2024-05-23 11:23:22709 
MIC4414YFT EV，MIC4414评估板是一款低侧MOSFET驱动器，设计用于在低侧开关应用中切换N沟道增强型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驱动器。该驱动器具有短延迟和高峰值电流
2020-04-16 10:14:10
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET栅极驱动器LTC4441资料下载内容主要介绍了：LTC4441功能和特点LTC4441引脚功能LTC4441内部方框图LTC4441典型应用电路LTC4441电气参数
2021-03-29 06:26:56
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-07-09 07:00:00
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
180度。 高端驱动器 高端驱动器设计用于驱动浮动低RDS（ON）N沟道MOSFET驱动电源和下沉栅极电流的最大输出电阻为5Ω。低输出电阻允许驱动器在3nF负载下有20ns的上升和下降时间。高压侧
2020-07-21 15:49:18
CRT彩电存储器IX0715CE的代换资料下载内容包括：IX0715CE引脚电压值
2021-03-24 07:34:26
到低压侧的栅极MOSFET（LGATE）。转换器的输出电压为然后受到低边MOSFET阈值的限制为微处理器提供一些保护，如果在初始启动期间，MOSFET短路。这些驱动器还具有一个三态PWM输入
2020-09-30 16:47:03
特征用于同步整流的双MOSFET驱动器转换器快速外部MOSFET的高驱动电流切换集成自举二极管高频操作启用引脚自适应死区管理柔性门驱动器：5 V至12 V兼容输出的高阻抗（HiZ）管理阶段停堆初步
2020-09-22 16:32:27
电压引脚具有欠压锁定（UVLO）保护。特性：通用：双低压侧、双高压侧或半桥驱动器工作温度范围–40至+125°C开关参数：19纳秒典型传播延迟最小脉冲宽度为10ns5-ns最大延迟匹配5-ns最大脉宽
2021-12-08 09:47:42
温度为-40°C至105°C应用开关电源DC/DC转换器电机控制器线路驱动器D类开关放大器说明UCC27423/4/5系列高速双MOSFET驱动器可以将大峰值电流传输到电容负载。提供三种标准逻辑选项-双
2020-10-14 16:57:53
LTC1163的典型应用 - 三路1.8V至6V高侧MOSFET驱动器。 LTC1163 / LTC1165三路低压MOSFET驱动器可通过低至1.8V电源的廉价低RDS（ON）N通道开关切换电源或接地参考负载
2020-04-17 10:09:17
，使用双极结型晶体管(BJT)图腾柱驱动低侧配置中的电源开关。但是，由于栅极驱动器IC的诸多优势及其附加特性，它日益取代了这些分立式解决方案。图2显示了典型BJT图腾柱配置与典型栅极驱动器IC。 图 2
2022-11-04 06:40:48
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
到低压侧的栅极MOSFET（LGATE）。转换器的输出电压为然后受到低边MOSFET阈值的限制为微处理器提供一些保护，如果在初始启动期间，MOSFET短路。这些驱动器还具有一个三态PWM输入
2020-09-29 17:38:58
概述：IX0948是一款CRT彩电场输出电路，它采用7脚单列直插式封装并带散热片，IX0948可与AN5515、AN5521直接互换。IX0948是一款适用于25英寸以上大屏幕彩电的场输出电路中。
2021-04-09 07:02:51
EV6R11评估板采用ISOSMARTTM半桥驱动器CHIPSET-IX6R11和IXDP630死区时间发生器，在双面PCB上实现单电源相臂电路。该评估板包括一个带有两个功率器件的组装和测试PCB。只需按照本文档中的说明操作，即可将电路板连接到负载和电源
2020-04-23 08:42:24
IGBT 或 SiC MOSFET。具有可调消隐时间的过流保护。先进的主动箝位保护欠压和过压锁定保护。两个 1 安培脉冲变压器驱动器，用于故障信号通信。IX6611设计用于为高功率开关器件提供栅极驱动
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器，但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先，是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
概述：IX0512CE是一款开关稳压电源专用厚膜电路，它为5脚单列直插式陶瓷封装工艺，IX0512CE可用IX0465CE、IX0645CE、HKD41090、STR40090、STR41090、56A246等
2021-04-06 07:17:57
驱动器的可靠性。 同时本文也介绍了TI最新推出的 UCC27624是双路低侧栅极驱动器，，低至-10V输入端口负压承受能力以及强大的抗电流反灌能力，使得该芯片适合高噪声和辅助供电变压器驱动的应用场景;具有
2022-11-03 08:28:01
如果一个特殊的功率器件需要正负栅极驱动，电路设计人员无需特别寻找可进行双极性操作的特殊栅极驱动器。使用一个简单的技巧，就可以使单极性栅极驱动器提供双极性电压！
2019-08-06 06:08:24
概述：IX0260CE是一般作用于CRT彩电电视机上的电视频段选择器，它单列9脚封装，双极结构，工作电源电压=15V，最大功耗=0.2W，彩电遥控器用，静态电流=60mA，输出漏电流=50uA。
2021-04-12 06:37:18
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对
2018-11-01 11:35:35
驱动器UCC277144A，600V 高侧及低侧驱动器15ns，15ns支持UCC27524A5A，高速低侧双驱动器7ns，6ns支持UCC27211A4A，120V 高侧及低侧驱动器7.2ns
2019-08-07 04:45:12
，低侧FET导通并开始通过其通道导通。相同的原理适用于通常在DC / DC电源和电动机驱动设计中发现的其它同步半桥配置。负责高速接通的一个重要的栅极驱动器参数是导通传播延迟。这是在栅极驱动器的输入端
2019-03-08 06:45:10
MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计本应用笔记将详细讨论与MOSFET 栅极电荷和工作频率相关的MOSFET 驱动器功耗。还将讨论如何根据MOSFET 所需的导通和截止时间将MOSFET 驱动器的
2010-06-11 15:23:20
213 DGD05473FNQ 产品简介DIODES 的DGD05473FNQ这是一款能够驱动 N 沟道 MOSFET 的高频栅极驱动器。浮动高侧驱动器的额定电压高达 50V
2023-10-24 10:17:47
DGD0597FUQ 产品简介DIODES 的DGD0597FUQ这是一款高频高侧和低侧栅极驱动器，能够驱动半桥配置中的 N 沟道 MOSFET。浮动高侧驱动器的额定电压高达
2023-10-24 10:45:14
单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能
2009-12-08 10:21:006608 
TI推出具备板载功率MOSFET的全集成型双路功率驱动器
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具备集成型功率 MOSFET、保护模块以及监控特性的数字双路同步降压功率驱动器，
2010-02-23 09:26:57763 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。
2011-12-17 00:02:005064 
德州仪器(TI)宣布推出用于配合高密度电源转换器中 MOSFET 与氮化镓 (GaN) 功率场效应晶体管 (FET) 使用的低侧栅极驱动器。
2012-02-11 09:59:081484 
德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器
2012-04-24 09:56:411513 
10 月 1 日 – 凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5，该器件能以高达 80V
2013-10-09 15:41:271117 
iX6500系列维修手册
2015-11-30 17:26:5120 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231486 UCC2752x 系列产品是双通道、高速、低侧栅极驱动器，此器件能够高效地驱动MOSFET 和绝缘栅极型功率管(IGBT) 电源开关。
2016-07-22 15:38:230 的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比，IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用，因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:0522 LTC7001 强大的 1Ω 栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，非常方便地驱动栅极电容很大的 MOSFET，因此很适合高频开关和静态开关应用。
2017-09-06 10:48:5010267 
，简称 ADI） 旗下凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7004，该器件用高达 60V 的电源电压运行
2017-09-11 09:36:582940 
The IX2113 is a high voltage integrated circuit that can drive high speed MOSFETs and IGBTs
2017-09-11 11:31:3518 The IX4423， IX4424， and IX4425 are dual high-speed， low-side gate drivers. Each of the two outputs
2017-09-11 12:19:4415 The IX4423， IX4424， and IX4425 are dual high-speed， low-side gate drivers. Each of the two outputs
2017-09-11 12:23:441 The IX4423， IX4424， and IX4425 are dual high-speed， low-side gate drivers. Each of the two outputs
2017-09-11 12:28:0110 LTC7004 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟，容易地驱动栅极电容很大的 MOSFET，非常适合高频开关和静态开关应用。
2017-09-18 10:49:385043 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。高压MOSFET驱动器电路：
2017-10-19 16:02:3723 ADP3110A是一个单相12V MOSFET栅极驱动器，它被优化成在同步降压转换器中同时驱动高_侧和低_侧功率MOSFET的栅极。高_侧和低_侧驱动器能够以25ns的传播延迟和30ns的过渡时间驱动3000pF负载。
2018-08-27 10:44:0078 近日，Hirose扩充了其坚固耐用的IX Industrial系列产品，新产品包括用于更快安装的 绝缘位移连接器 (IDC)插头组件和用于非以太网应用的B键版本。 IX工业系列将小巧坚固的设计与高速
2018-10-06 22:40:02347 通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2019-04-16 17:07:395407 
广濑电机株式会社正式公布，SIEMENS AG开发的伺服驱动系统的编码器连接部分采用了符合IEC规格标准的小型连接器ix Industrial。
2019-06-04 14:44:401188 安森美半导体NCP51530 MOSFET栅极驱动器是高频、700V、2A高侧和低侧驱动器，适用于交流/直流电源和逆变器。NCP51530可在较高工作频率下提供同类最佳的传播延迟、低静态电流和低开关电流。这些NCP51530驱动器适用于在高频下工作的高效电源。
2019-10-03 09:32:003480 
DRV832x 系列器件是适用于三相 应用的集成式栅极驱动器。这些器件具有三个半桥栅极驱动器，每个驱动器都能够驱动高侧和低侧 N 沟道功率 MOSFET。 DRV832x 使用集成电荷泵为高侧
2020-03-05 08:00:000 BS2103F是一种单片高低压侧栅极驱动芯片，可驱动高速功率MOSFET和IGBT驱动器，并具有自举功能。浮动通道可用于驱动高达600V的N通道功率MOSFET或IGBT。逻辑输入可用于3.3V和5.0V。当VCC和VBS低于规定的阈值电压时，欠压锁定（UVLO）电路可防止故障。
2020-04-10 08:00:005 来源：罗姆半导体社区 栅极驱动器的作用 栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET,JFET等，因为MOSFET有个栅极电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压(VGS-TH
2022-11-16 17:50:181259 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、导通和关断、功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路
2021-06-14 03:51:003628 
M2205是一个高频，同步整流，单相双MOSFET驱动器。每个驱动器能够驱动3000pF负载，具有快速上升/下降时间和快速传播延迟。该器件只需一个外部电容就可以在上栅极上实现自举二极管。这降低了实现
2020-12-02 08:00:007 摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-01-28 08:13:3821 快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 LTC4441：N沟道MOSFET栅极驱动器数据表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔离栅极驱动器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 ROHM不仅提供电机驱动器IC，还提供适用于电机驱动的非隔离型栅极驱动器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我们将先介绍罗姆非隔离型栅极驱动器，再介绍ROHM超级结MOSFET
2021-08-09 14:30:512587 。图1显示了由低侧MOSFET/IGBT电源开关驱动的典型PTC加热器方框图。
图1：汽车内部加热器模块的方框图
过去，使用双极结型晶体管(BJT)图腾柱驱动低侧配置中的电源开关。但是，由于栅极
2022-01-12 14:47:171774 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1769 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）为其TCK42xG系列MOSFET 栅极驱动器IC 的产品阵容增加面向可穿戴设备等移动设备的五款新品。该系列的新产品配备了过压锁定功能，并根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。
2022-06-09 10:00:301865 
STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 单通道栅极驱动器旨在调节碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄体 SO-8 封装，可节省空间并具有精确的PWM 控制
2022-08-03 09:47:011695 
MOSFET驱动器是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达100V的电源电压来驱动两个N沟道MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容MOSFET中的开关损耗。针对
2022-10-25 09:19:341691 
低侧栅极驱动器的应用回顾和比较评估
2022-11-14 21:08:330 IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件，用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和漏极，对于IGBT，它们被称为集电极
2023-01-30 17:17:121514 
如果特定功率器件需要正极和负栅极驱动，电路设计人员无需寻找专门处理双极性操作的特殊栅极驱动器。使用这个简单的技巧使单极性栅极驱动器提供双极性电压！
2023-02-16 11:04:58759 
栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中，驱动主开关
2023-02-23 15:59:0024 高侧非隔离栅极驱动 1.适用于P沟道的高侧驱动器2.适用于N沟道的高侧直接驱动器 1.适用于P沟道的高侧驱动器 高侧非隔离栅极驱动可按照所驱动的器件类型或涉及的驱动电路类型来分类。相应地，无论是
2023-02-23 15:35:241 LTC7001 是一款快速、高压侧 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，选用高达 135V 的输入电压作业。该器材包括一个担任全面增强外部 N 沟道 MOSFET 开关的内部充电泵，因此使其可以无限期地坚持导通。
2023-03-23 09:46:45931 SCT52A40是一种宽电源，高频栅极驱动器，包括高压侧和低压侧驱动器，用于半桥、全桥和降压电路和驱动离散N型MOSFET的转换器。4A峰值电流和汇电流能力可提高功率转换器的功率效率
2023-07-03 17:31:24599 
介绍
在设计电源开关系统（例如电机驱动器或电源）时，设计人员必须做出重要决定。什么电机或变压器符合系统要求？什么是最好的MOSFET或IGBT来匹配该电机或变压器？以及哪种栅极驱动器 IC 最适合
2023-07-24 15:51:430 在电机驱动系统中，栅极驱动器或“预驱动器” IC常与N沟道功率MOSFET一起使用，以提供驱动电机所需的大电流。在选择驱动器IC、MOSFET以及某些情况下用到的相关无源元件时，有很多需要考量的设计因素。如果对这个过程了解不透彻，将导致实现方式的差强人意。
2023-08-02 18:18:341183 
本应用笔记介绍了采用表面贴装封装的 n 通道双 MOSFET 的低压电机驱动设计。它描述了使用不同电压应用的设计，以及自适应 MOSFET 栅极驱动器，这是驱动双 n 沟道半桥的第三种方法。
2023-10-05 15:20:001084 
圣邦微电子推出 SGM42403，一款四路低压侧驱动器。器件可应用于低压侧开关、单极步进电机驱动器、继电器驱动器和电磁阀驱动器。
2023-09-28 10:06:151046 
圣邦微电子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列，一款耐受 -10V 输入电压的单通道高速低侧栅极驱动器。 该系列器件被广泛应用于 DC/DC 转换器、太阳能和电机驱动器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01646 Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:30666 近日，Littelfuse公司发布了IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器，这款新型驱动器在业界引起了广泛关注。
2024-05-23 11:34:21603 栅极驱动器芯片的原理是什么 栅极驱动器芯片是一种用于控制功率电子器件（如IGBT、MOSFET等）栅极电压的集成电路。它在电力电子领域中具有重要应用，如电机驱动、开关电源、太阳能逆变器等。本文将详细
2024-06-10 17:23:00947 栅极驱动器的选型标准是什么 栅极驱动器（Gate Driver）是用于驱动IGBT（绝缘栅双极晶体管）或MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）等功率器件的电子设备。在电力电子领域，栅极驱动器
2024-06-10 17:24:00474 栅极驱动器（Gate Driver）是一种电路，主要用于增强场效应晶体管（MOSFET）或绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的栅极信号，以便控制器能够更好地控制这些半导体开关的操作。它通过将控制器输出
2024-07-19 17:15:276774 栅极驱动器（Gate Driver）是一种电路，其主要功能在于增强场效应晶体管（MOSFET）或绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的栅极信号，以便控制器能够更好地控制这些半导体开关的操作。栅极驱动器通过
2024-07-24 16:15:27387 IX0689电源电路图
2024-08-27 11:46:320 电子发烧友网站提供《使用单输出栅极驱动器实现高侧或低侧驱动.pdf》资料免费下载
2024-09-03 11:50:110
电子发烧友App
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