1. 台积电2nm小规模试产
台积电将于2025年量产其2nm工艺,日本SMC社长高田芳树近日表示,台积电已经在其2nm芯片试产线上采用SMC的水冷式冷却器进行小规模生产。
SMC宣布,该公司已向台积电出货用于2nm芯片试产的冷水机组。SMC正推出专门针对先进半导体工艺的冷水机组产品,旨在使冷水机业务营收翻倍。高田芳树透露,三星电子对SMC的冷水机组也非常感兴趣。据了解,SMC作为冷水机组的领先制造商,在芯片制造市场占据主导地位,市场份额高达40%左右。
2. 全球首条搭载无FMM技术的第8.6代AMOLED生产线开工
9月25日,合肥国显科技有限公司举行第8.6代AMOLED生产线开工活动。合肥国显将打造全球首条搭载无FMM技术(ViP)的第8.6代AMOLED生产线,这是全球最先进的高世代AMOLED产线,其建设将进一步挖掘AMOLED的增长潜力,加速驶入中尺寸新蓝海,重塑全球AMOLED面板供应格局。
该产线落地合肥新站高新区,总投资550亿元,设计产能每月3.2万片玻璃基板(尺寸为2290mm×2620mm)。合肥国显负责该产线的投资、建设和运营,该公司将由维信诺、合肥市投资平台出资。维信诺和合肥国显在创新技术转化方面将大力协同,为创新高地再添彩,为新型显示产业发展再助力。
3. 英特尔正式推出Gaudi3 AI芯片:比英伟达H100慢,成本更低
英特尔近日正式推出用于AI工作负载的Gaudi3加速器。新芯片的速度比英伟达广受欢迎的H100和H200 GPU(用于AI和HPC)要慢,因此英特尔将其Gaudi3的成功押注于其较低的价格和较低的总拥有成本(TCO)。
英特尔的Gaudi3处理器使用两个芯片,包含64个张量处理器核心(TPC,带有FP32累加器的256x256 MAC结构)、8个矩阵乘法引擎(MME,256位宽矢量处理器)和96MB片上SRAM缓存,带宽为19.2TB/s。此外,Gaudi3集成24个200GbE网络接口和14个媒体引擎,后者能够处理H.265、H.264、JPEG和VP9,以支持视觉处理。该处理器配备128GB HBM2E内存,分为八个内存堆栈,可提供3.67TB/s的巨量带宽。
4. 英伟达RTX 4090 GPU在欧洲涨价,库存基本售罄
英伟达Ada Lovelace系列在全球大部分地区供应充足,尤其是中端和中高端产品。另一方面,旗舰GPU RTX 4090似乎并不像其他GPU那样供应充足,至少在世界某些地区是这样。根据最新报告,大多数供应商似乎都想脱手这款GPU,欧洲区库存基本售罄。
据报道,德国许多零售店以高于制造商建议零售价的价格出售这款GPU。RTX 4090的供应量看起来与往常一样平均。近一年对GPU价格的监测数据显示,RTX 4090的当前价格已上涨25%。
5. SK海力士全球率先量产12层堆叠HBM3E
SK海力士26日宣布,公司全球率先开始量产12层HBM3E新品,实现了现有HBM*产品中最大**的36GB(千兆字节)容量。公司将在年内向客户提供产品,继今年3月全球率先向客户供应8层HBM3E后,仅时隔6个月再次展现出其压倒性的技术实力。
SK海力士强调:“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E), 公司是唯一一家开发并向市场供应全系列HBM产品的企业。公司业界率先成功量产12层堆叠产品,不仅满足了人工智能企业日益发展的需求,同时也进一步巩固了SK海力士在面向AI的存储器市场的领导者地位。”
6.华为 Mate 70 系列被曝整机已量产,定于 11 月上市
报道称,华为 Mate 70 系列整机已经量产,此前定于 11 月上市。供应链人士称,“零部件已经在供货,快的话 10 月底也有可能,目前手机整机已经生产很多了。”
博主 @刹那数码、@数码闲聊站 等人都认为华为 Mate 70 系列会在第四季度晚些时候,也就是 11 月左右发布,搭载全新麒麟 5G SoC,首发鸿蒙 HarmonyOS NEXT 正式版。现有爆料显示,华为 Mate 70 系列采用了 1.5K LTPO 屏幕、 5000 万像素的 OV50K 主摄 + 超大可变光圈,配备 5000~6000mAh 的新型硅负极电池(荣耀第三代青海湖电池硅含量已突破 10%,拥有行业最高 24.7% 的电池整机体积比)。此外,华为 Mate 70 非凡大师版手机采用全陶瓷后盖,已抛弃双拼结构。
今日看点丨华为 Mate 70 系列被曝整机已量;SK海力士全球率先量产12层堆叠HBM3E
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SK海力士将向英伟达系统供应HBM3
SK海力士在业界率先开发出最新高带宽存储器(HBM, High Bandwidth Memory)产品HBM31,公司不仅又一次创造历史,更进一步巩固了SK海力士在DRAM市场上的领先地位。
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疯抢!HBM成为AI新瓶颈!
SK海力士正忙于处理来自客户的大量HBM3E样品请求。英伟达首先要求提供样品,这次的出货量几乎是千钧一发。这些索取样品的客户公司可能会在今年年底收到样品。全球领先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供应HBM3,并已索取HBM3E样品。各大科技公司都在热切地等待 SK 海力士的样品。
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SK海力士发布全球首款321层NAND!
SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存,成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品,并介绍了开发进展情况。
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SK海力士开发出全球最高规格HBM3E
sk海力士表示:“以唯一批量生产hbm3的经验为基础,成功开发出了世界最高性能的扩展版hbm3e。“将以业界最大规模的hbm供应经验和量产成熟度为基础,从明年上半年开始批量生产hbm3e,巩固在针对ai的存储器市场上的独一无二的地位。”
2023-08-21 09:21:49877
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该公司表示,HBM3E(HBM3的扩展版本)的成功开发得益于其作为业界唯一的HBM3大规模供应商的经验。凭借作为业界最大HBM产品供应商的经验和量产准备水平,SK海力士计划在明年上半年量产HBM3E,巩固其在AI内存市场无与伦比的领导地位。
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HBM3E内存(也可以说是显存)主要面向AI应用,是HBM3规范的扩展,它有着当前最好的性能,而且在容量、散热及用户友好性上全面针对AI优化。
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SK海力士成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E
与此同时,SK海力士技术团队在该产品上采用了Advanced MR-MUF*最新技术,其散热性能与上一代相比提高10%。HBM3E还具备了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客户在基于HBM3组成的系统中,无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。
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香农芯创:与华为没有业务往来,与SK海力士合作关系正常
sk海力士最近就华为mate 60 pro可能使用sk海力士存储芯片的半导体解体疑惑表示,美国政府对华为采取限制措施后,没有与华为进行交易,目前正在展开调查。
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SK海力士官宣终止与华为的合作
近期,有关韩国SK海力士为华为提供关键芯片的消息引起了广泛关注。据某拆解视频显示,华为最新款手机Mate60 Pro的存储芯片上显示着“SK海力士”标识,但未能获取到有关存储芯片核心信息的详细资料。至于麒麟9000s芯片是否采用7nm或5nm工艺目前还没有定论。
2023-09-18 16:58:032146
1.1TB HBM3e内存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜无缘中国
NVIDIA H200的一大特点就是首发新一代HBM3e高带宽内存(疑似来自SK海力士),单颗容量就多达141GB(原始容量144GB但为提高良率屏蔽了一点点),同时带宽多达4.8TB/s。
2023-11-15 16:28:13790
SK海力士资本支出大增,HBM是重点
SK海力士明年计划的设施投资为10万亿韩元(76.2亿美元),超出了市场预期。证券界最初预测“SK海力士明年的投资额将与今年类似,约为6万亿至7万亿韩元”。鉴于经济挑战,观察人士预计严格的管理措施将延续到明年。由于存储半导体价格大幅下跌,SK海力士预计今年赤字将超过8万亿韩元。
2023-11-22 17:28:05780
英伟达大量订购HBM3E内存,抢占市场先机
英伟达(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司订购大量HBM3E内存,为其AI领域的下一代产品做准备。也预示着内存市场将新一轮竞争。
2023-12-29 16:32:50917
SK海力士在CES 2024展示未来AI基础设施关键技术
尤其值得关注的是,HBM3E系目前最具顶级性能的存储器,由SK海力士于去年8月成功研发。公司预计自今明两年起实现此类产品的大量生产,并向广泛的AI科技企业供应。
2024-01-03 09:36:31483
传三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备
数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:22804
传英伟达与SK海力士协调2025年HBM供应
据可靠消息来源透露,英伟达与SK海力士已开始就2025年第一季度的高带宽存储器(HBM)供应量进行协调。这一合作的背后,是双方对未来技术趋势的共同预见和市场需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:43730
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值得一提的是,半导体产品的研发周期通常共九个阶段,而 SK 海力士已经成功走过了各个环节,正在进行最后的产量提升阶段。这代表着现有的HBM3E产能均可满足从此刻起NVIDIA的需求。
2024-02-20 15:53:45481
SK海力士推出全球首款HBM3E高带宽存储器,领先三星
在严格的9个开发阶段后,当前流程全部完成,步入最终的产能提升阶段。此次项目完结正是达产升能的标志,这预示着自今往后产出的所有HBM3E即刻具备向英伟达交付的条件。SK海力士计划3月获取英伟达对终品质量的认可,同步启动大规模生产及交货。
2024-02-21 10:17:05692
SK海力士将于3月量产HBM3E存储器
在全球存储半导体市场的激烈竞争中,SK海力士已正式结束了第五代高带宽存储器器(HBM3E)的开发工作,并成功通过了Nvidia长达半年的性能评估。这一里程碑的达成标志着SK海力士即将在今年3月开始量产这款革命性的存储器产品,并计划在下个月内向其重要合作伙伴Nvidia供应首批产品。
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【机器视觉】欢创播报 | 曝华为Mate70系列筹备工作已开展
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2024-03-08 10:53:441101
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2024-03-29 10:47:09346
SK海力士与台积电共同研发HBM4,预计2026年投产
自 HBM3E(第五代 HBM 产品)起,SK海力士的 HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产;然而,从 HMB4(第六代 HBM 产品)开始,该公司将转用台积电的先进逻辑工艺。
2024-04-19 10:32:07493
SK海力士将采用台积电7nm制程生产HBM4内存基片
HBM内存基础裸片即DRAM堆叠基座,兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订HBM内存合作协议,首要任务便是提升HBM基础逻辑芯片性能。
2024-04-23 16:41:19668
SK海力士:12Hi HBM3E于Q3完成,下半年内存或供应不足
韩国 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度财报电话会议上,他们承诺第三季度能够成功研发出 12 层堆叠的 HBM3E 系列芯片,然而由于供应压力,可能在下半年出现短缺现象。
2024-04-25 14:45:07370
SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025年
SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基础裸片合作协议,原本预计HBM4内存要等到2026年才会问世。
2024-05-06 15:10:21336
SK海力士明年HBM产能基本售罄
SK海力士近日宣布,其高带宽内存(HBM)芯片在2025年的产能已经基本售罄。这一成绩主要归功于人工智能(AI)技术的蓬勃发展,极大地推动了市场对HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39381
SK海力士加速HBM4E内存研发,预计2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市场需求,SK海力士将提速研发进程,预计最快在 2026 年推出 HBM4E 内存在内存带宽上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09330
SK海力士提前一年量产HBM4E第七代高带宽存储器
据业内人士预计,HBM4E的堆叠层数将增加到16~20层,而SK海力士原本计划在2026年量产16层的HBM4产品。此外,该公司还暗示,有可能从HBM4开始采用“混合键合”技术以实现更高的堆叠层数。
2024-05-15 09:45:35328
SK海力士HBM4E存储器提前一年量产
SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026年开始,提前一年量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明,SK海力士在HBM技术领域的研发速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13697
三星HBM3E芯片验证仍在进行,英伟达订单分配备受关注
业内评论指出,三星HBM之所以出现问题,主要原因在于负责英伟达GPU制造的台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准。由于SK海力士8层HBM3E的生产方式与三星有所差异,导致三星产品未能顺利通过验证。
2024-05-16 17:56:201088
三星电子HBM3E芯片验证仍在进行,与英伟达展开联合测试并取得阶段性成果
据行业观察者透露,三星HBM3E面临的问题源于台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准,而这与三星自身的生产方式有所出入,从而影响了产品的认证进程。
2024-05-17 09:30:53287
SK海力士与台积电携手量产下一代HBM
近日,SK海力士与台积电宣布达成合作,计划量产下一代HBM(高带宽内存)。在这项合作中,台积电将主导基础芯片的前端工艺(FEOL)和后续布线工艺(BEOL),确保基础芯片的质量与性能。而SK海力士则负责晶圆测试和HBM的堆叠工作,确保产品的最终品质与可靠性。
2024-05-20 09:18:46412
SK海力士HBM3E内存良率已达80%
早在今年3月份,韩国媒体DealSite报道中指出,全球HBM存储器的平均良率约为65%。据此来看,SK海力士在近期对HBM3E存储器的生产工艺进行了显著提升。
2024-05-23 10:22:30342
中国AI芯片和HBM市场的未来
然而,全球HBM产能几乎被SK海力士、三星和美光垄断,其中SK海力士占据AI GPU市场80%份额,是Nvidia HBM3内存独家供应商,且已于今年3月启动HBM3E量产。
2024-05-28 09:40:31630
美光HBM3E解决方案,高带宽内存助力AI未来发展
美光近期发布的内存和存储产品组合创新备受瞩目,这些成就加速了 AI 的发展。美光 8 层堆叠和 12 层堆叠 HBM3E 解决方案提供业界前沿性能,功耗比竞品1低 30%。
2024-05-28 14:08:13474
SK海力士HBM技术再创新高,将集成更多功能
SK海力士正全力开发HBM4E存储设备,意欲打造集计算、缓存和网络存储于一身的新型HBM产品,进而提升性能与数据传输速率。
2024-05-29 16:41:27470
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞银集团最新报告指出,SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起,每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM)市场的领军企业,SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能已全部售罄,显示其产品的强劲需求。
2024-05-30 10:27:22580
SK海力士扩大1b nm DRAM产能以应对HBM3E需求
据韩国媒体报道,为了应对市场对高性能HBM3E(高带宽内存第三代增强版)内存的激增需求,全球知名半导体制造商SK海力士已决定大幅增加其1b nm制程DRAM内存产能。这一战略决策旨在确保公司能够稳定供应高质量内存产品,同时进一步巩固其在全球半导体市场的领先地位。
2024-06-18 16:25:57375
英伟达巨资预订HBM3E,力拼上半年算力市场
在全球AI芯片领域的激烈竞争中,英伟达以其卓越的技术实力和市场影响力,始终保持着领先地位。最近,这家AI芯片大厂再次展现出了其独特的战略眼光和强大的资金实力,以确保其新品GH200和H200能够顺利出货,不惜以高达13亿美元的预算,向美光和SK海力士预订了部分高带宽存储HBM3e的产能。
2024-06-22 16:46:58893
SK海力士五层堆叠的3D DRAM生产良率达到56.1%
)提交了一份关于3D DRAM(三维动态随机存取存储器)的详细研究论文。该论文不仅揭示了SK海力士在3D DRAM领域取得的显著进展,更向世界展示了其在这一未来存储技术上的坚定决心与卓越实力。
2024-06-24 15:35:29612
SK海力士5层堆叠3D DRAM制造良率已达56.1%
在全球半导体技术的激烈竞争中,SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日,在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技术领域的最新研究成果,其中5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%,这一突破性的进展引起了业界的广泛关注。
2024-06-27 10:50:22478
SK海力士加速布局HBM市场,产能扩增应对爆发式增长
的一次公开场合中明确指出,随着ChatGPT等AI应用的兴起,HBM市场需求呈现出爆炸性增长态势,预计其复合年增长率(CAGR)将高达70%。这一预测不仅彰显了SK海力士对HBM市场前景的坚定信心,也预示着半导体行业即将迎来一场深刻的变革。
2024-07-08 11:54:49417
SK海力士将在HBM生产中采用混合键合技术
在半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次站在了行业创新的前沿。据最新消息,该公司计划于2026年在其高性能内存(High Bandwidth Memory, HBM)的生产过程中引入混合键合技术,这一举措不仅标志着SK海力士在封装技术上的重大突破,也预示着全球半导体行业将迎来新一轮的技术革新。
2024-07-17 09:58:19664
SK海力士与Amkor携手推进硅中介层合作,强化HBM市场竞争力
在半导体行业日益激烈的竞争中,SK海力士再次展现其前瞻布局与技术创新的决心。近日,有消息称SK海力士正与全球知名的封装测试外包服务(OSAT)大厂Amkor就硅中介层(Si Interposer
2024-07-18 09:42:51494
今日看点丨苹果 iPhone 16 Pro / Max 被曝支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先进芯片今年量产
1. 三星:HBM3e 先进芯片今年量产,营收贡献将增长至60% 三星电子公司计划今年开始量产其第五代高带宽存储器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其对营收的贡献。三星电子表示,该公司预计其
2024-08-01 11:08:11554
SK海力士将在2025年底量产400+层堆叠NAND
近日,韩国权威媒体ETNews爆出猛料,SK海力士正在积极筹备加速下一代NAND闪存的研发进程,并且已经设定了明确的发展时间表——计划在2025年底之前,全面完成高达400多层堆叠NAND的半成品制备工作,紧随其后,将于2026年第二季度正式启动并大规模投入生产。
2024-08-01 15:26:42325
三星HBM3e芯片量产在即,营收贡献将飙升
三星电子公司近日宣布了一项重要计划,即今年将全面启动其第五代高带宽存储器(HBM)芯片HBM3e的量产工作,并预期这一先进产品将显著提升公司的营收贡献。据三星电子透露,随着HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:37377
SK海力士加速NAND研发,400+层闪存量产在即
韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新,据韩媒最新报道,该公司计划于2025年末全面完成400+层堆叠NAND闪存的量产准备工作,并预计于次年第二季度正式开启大规模生产。这一举措标志着SK海力士在NAND闪存领域再次迈出坚实步伐,引领行业技术前沿。
2024-08-02 16:56:11933
标普上调SK海力士评级至BBB,看好其HBM领域主导地位
近日,国际知名评级机构标准普尔全球评级(S&P Global Ratings)宣布了一项重要决策,将SK海力士的长期发行人信用及发行评级从BBB-提升至BBB,并维持稳定的评级展望。此次上调评级,主要基于SK海力士在高性能内存(HBM)领域的显著“主导地位”以及全球内存市场的积极复苏趋势。
2024-08-08 09:48:32251
三星否认HBM3E芯片通过英伟达测试
近日,有关三星的8层HBM3E芯片已通过英伟达测试的报道引起了广泛关注。然而,三星电子迅速对此传闻进行了回应,明确表示该报道并不属实。
2024-08-08 10:06:02493
SK海力士率先展示UFS 4.1通用闪存
在最近的FMS 2024峰会上,SK 海力士凭借其创新实力,率先向业界展示了尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存新品,再次引领存储技术的前沿。此次展示不仅彰显了SK 海力士在存储技术领域的领先地位,也为未来的移动设备性能提升奠定了坚实基础。
2024-08-10 16:52:081268
三星HBM3E内存挑战英伟达订单,SK海力士霸主地位受撼动
进入八月,市场传言四起,韩国存储芯片巨头三星电子(简称“三星”)的8层HBM3E内存(新一代高带宽内存产品)已顺利通过英伟达严格测试。然而,三星迅速澄清,表示这一报道与事实相去甚远,强调目前质量测试
2024-08-23 15:02:56536
SK海力士9月底将量产12层HBM3E高性能内存
自豪地宣布,SK 海力士当前市场上的旗舰产品——8层HBM3E,已稳坐行业领导地位,而更进一步的是,公司即将在本月底迈入一个新的里程碑,正式启动12层HBM3E的量产。这一举措不仅巩固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:36499
美光12层堆叠HBM3E 36GB内存启动交付
美光科技近期宣布,其“生产可用”的12层堆叠HBM3E 36GB内存已成功启动交付,标志着AI计算领域的一大飞跃。这款先进内存正陆续送达主要行业合作伙伴手中,以全面融入并验证其在整个AI生态系统中的效能。
2024-09-09 17:42:37586
SK海力士开始先进人工智能芯片生产
SK海力士宣布,公司已正式踏入人工智能芯片生产的新阶段,批量生产业界领先的12层HBM3E芯片。这款芯片不仅代表了SK海力士在内存技术上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了现有HBM产品的记录,为全球人工智能领域的发展注入了强劲动力。
2024-09-26 14:24:4145
SK海力士引领未来:全球首发12层HBM3E芯片,重塑AI存储技术格局
今日,半导体巨头SK海力士震撼宣布了一项业界瞩目的技术里程碑,该公司已成功在全球范围内率先实现12层HBM3E芯片的规模化生产,此举不仅将HBM存储器的最大容量推升至史无前例的36GB新高度,更进一步巩固了SK海力士在AI应用存储器市场的领军地位。
2024-09-26 16:30:31117
英伟达、微软、亚马逊等排队求购SK海力士HBM芯片,这些国产设备厂迎机遇
电子发烧友网报道(文/李弯弯)据报道,继英伟达之后,全球多个科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3E。半导体行业知情人士称,各大科技巨头都已经在向SK海力士请求获取HBM3E样本,包括
2023-07-06 09:06:312593
HBM格局生变!传三星HBM3量产供货英伟达,国内厂商积极布局
电子发烧友网报道(文/吴子鹏)根据韩媒sedaily 的最新报道,三星华城17号产线已开始量产并向英伟达供应HBM3内存。同时,美光已经为英伟达供应HBM3E。至此,高端HBM内存的供应由SK海力士
2024-07-23 00:04:003421
HBM3E量产后,第六代HBM4要来了!
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)眼下各家存储芯片厂商的HBM3E陆续量产,HBM4正在紧锣密鼓地研发,从规格标准到工艺制程、封装技术等都有所进展,原本SK海力士计划2026年量产HBM4,不过最近
2024-07-28 00:58:134550
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