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电子发烧友网>制造/封装>今日看点丨华为 Mate 70 系列被曝整机已量;SK海力士全球率先量产12层堆叠HBM3E

今日看点丨华为 Mate 70 系列被曝整机已量;SK海力士全球率先量产12层堆叠HBM3E

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SK海力士将向英伟达系统供应HBM3

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疯抢!HBM成为AI新瓶颈!

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SK海力士开发出全球最高规格HBM3E

sk海力士表示:“以唯一批生产hbm3的经验为基础,成功开发出了世界最高性能的扩展版hbm3e。“将以业界最大规模的hbm供应经验和量产成熟度为基础,从明年上半年开始批量生产hbm3e,巩固在针对ai的存储器市场上的独一无二的地位。”
2023-08-21 09:21:49877

SK海力士开发出全球最高规格HBM3E,向英伟达提供样品

该公司表示,HBM3EHBM3的扩展版本)的成功开发得益于其作为业界唯一的HBM3大规模供应商的经验。凭借作为业界最大HBM产品供应商的经验和量产准备水平,SK海力士计划在明年上半年量产HBM3E,巩固其在AI内存市场无与伦比的领导地位。
2023-08-22 16:24:41906

SK海力士全球最高性能HBM3E内存

HBM3E内存(也可以说是显存)主要面向AI应用,是HBM3规范的扩展,它有着当前最好的性能,而且在容量、散热及用户友好性上全面针对AI优化。
2023-08-22 16:28:07865

SK海力士成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E

与此同时,SK海力士技术团队在该产品上采用了Advanced MR-MUF*最新技术,其散热性能与上一代相比提高10%。HBM3E还具备了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客户在基于HBM3组成的系统中,无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。
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香农芯创:与华为没有业务往来,与SK海力士合作关系正常

sk海力士最近就华为mate 60 pro可能使用sk海力士存储芯片的半导体解体疑惑表示,美国政府对华为采取限制措施后,没有与华为进行交易,目前正在展开调查。
2023-09-14 09:28:011263

SK海力士官宣终止与华为的合作

近期,有关韩国SK海力士华为提供关键芯片的消息引起了广泛关注。据某拆解视频显示,华为最新款手机Mate60 Pro的存储芯片上显示着“SK海力士”标识,但未能获取到有关存储芯片核心信息的详细资料。至于麒麟9000s芯片是否采用7nm或5nm工艺目前还没有定论。
2023-09-18 16:58:032146

1.1TB HBM3e内存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜无缘中国

NVIDIA H200的一大特点就是首发新一代HBM3e高带宽内存(疑似来自SK海力士),单颗容量就多达141GB(原始容量144GB但为提高良率屏蔽了一点点),同时带宽多达4.8TB/s。
2023-11-15 16:28:13790

SK海力士资本支出大增,HBM是重点

SK海力士明年计划的设施投资为10万亿韩元(76.2亿美元),超出了市场预期。证券界最初预测“SK海力士明年的投资额将与今年类似,约为6万亿至7万亿韩元”。鉴于经济挑战,观察人士预计严格的管理措施将延续到明年。由于存储半导体价格大幅下跌,SK海力士预计今年赤字将超过8万亿韩元。
2023-11-22 17:28:05780

英伟达大量订购HBM3E内存,抢占市场先机

英伟达(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司订购大量HBM3E内存,为其AI领域的下一代产品做准备。也预示着内存市场将新一轮竞争。
2023-12-29 16:32:50917

SK海力士在CES 2024展示未来AI基础设施关键技术

尤其值得关注的是,HBM3E系目前最具顶级性能的存储器,由SK海力士于去年8月成功研发。公司预计自今明两年起实现此类产品的大量生产,并向广泛的AI科技企业供应。
2024-01-03 09:36:31483

传三星/SK海力士开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购;此外,三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移,进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:22804

传英伟达与SK海力士协调2025年HBM供应

据可靠消息来源透露,英伟达与SK海力士开始就2025年第一季度的高带宽存储器(HBM)供应进行协调。这一合作的背后,是双方对未来技术趋势的共同预见和市场需求的高度敏感性。
2024-02-01 16:41:43730

SK海力士HBM3E内存提前两个月大规模生产,专用于英伟达AI芯片

值得一提的是,半导体产品的研发周期通常共九个阶段,而 SK 海力士已经成功走过了各个环节,正在进行最后的产量提升阶段。这代表着现有的HBM3E产能均可满足从此刻起NVIDIA的需求。
2024-02-20 15:53:45481

SK海力士推出全球首款HBM3E高带宽存储器,领先三星

在严格的9个开发阶段后,当前流程全部完成,步入最终的产能提升阶段。此次项目完结正是达产升能的标志,这预示着自今往后产出的所有HBM3E即刻具备向英伟达交付的条件。SK海力士计划3月获取英伟达对终品质量的认可,同步启动大规模生产及交货。
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SK海力士将于3量产HBM3E存储器

全球存储半导体市场的激烈竞争中,SK海力士正式结束了第五代高带宽存储器器(HBM3E)的开发工作,并成功通过了Nvidia长达半年的性能评估。这一里程碑的达成标志着SK海力士即将在今年3月开始量产这款革命性的存储器产品,并计划在下个月内向其重要合作伙伴Nvidia供应首批产品。
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【机器视觉】欢创播报 | 华为Mate70系列筹备工作开展

1 华为Mate70系列筹备工作开展 2月19日,数码博主爆料称,华为Mate70系列的筹备工作已经开展一段时间了,相比Mate 60系列华为Mate 70系列备货提升40%~50%,预计
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SK海力士宣布HBM内存生产配额全部售罄

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近日,全球存储解决方案领导者SK海力士宣布,他们已成功完成了高性能HBM3E(High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced)的开发,并且已经通过了英伟达
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三星电子成功发布其首款12堆叠HBM3E DRAM—HBM3E 12H

2024年2月27日 - 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
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三星发布首款12堆叠HBM3E DRAM

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HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H200 Tensor Core GPU 将采用美光 8 堆叠的 24GB 容量 HBM3E 内存,并于 2024 年第二季度开始出货。美光通过这一
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2024 年 3 月 4 日全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)近日宣布开始量产HBM3E 高带宽
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美光开始量产HBM3E解决方案

近日,全球领先的半导体存储器及影像产品制造商美光公司宣布,开始大规模生产用于人工智能的新型高带宽芯片——HBM3E。这一里程碑式的进展不仅标志着美光在半导体技术领域的又一次突破,也预示着人工智能领域将迎来更为强劲的计算能力支持。
2024-03-08 10:02:07348

SK海力士扩大对芯片投资

SK海力士正积极应对AI开发中关键组件HBM(高带宽存储器)日益增长的需求,为此公司正加大在先进芯片封装方面的投入。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长明确指出,公司正在韩国投入超过10亿美元,以扩大和改进其芯片封装技术。
2024-03-08 10:53:441101

SK海力士HBM3E内存正式量产,AI性能提升30倍,成本能耗降低96%

同日,SK海力士宣布启动 HBM3E 内存的量产工作,并在本月下旬开始供货。自去年宣布研发仅过了七个月。据称,该公司成为全球首家量产出货HBM3E 的厂商,每秒钟能处理高达 1.18TB 的数据。此项数据处理能力足以支持在一小时内处理多达约 33,800 部全高清电影。
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SK海力士HBM3E正式量产,巩固AI存储领域的领先地位

SK海力士作为HBM3E的首发玩家,预计这款最新产品的大批量投产及其作为业内首家供应HBM3制造商所累积的经验,将进一步强化公司在AI存储器市场的领导者地位。
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Rambus HBM3E/3 内存控制器内核针对高带宽和低延迟进行了优化,以紧凑的外形和高能效的封装为人工智能训练提供了最大的性能和灵活性。
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NVIDIA预定购三星独家供应的大量12HBM3E内存

据悉,HBM3E 12H内存具备高达1280GB/s的宽带速率以及36GB的超大存储容量,较8堆叠HBM3 8H,分别提升了50%以上的带宽及容量。
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据最新消息透露,英伟达即将从今年9月开始大规模采购12HBM3E内存,而这次供货的重任将完全由三星电子承担。这一消息无疑为业内带来了不小的震动。
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刚刚!SK海力士出局!

在基础晶圆上通过硅通孔(TSV)连接多层DRAM,首批HBM3E产品均采用8堆叠,容量为24GB。SK海力士和三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称,英伟达已经向SK海力士支付了约合5.4亿至7.7亿美元的预付款,供应下一代HBM3ESK海力士和三星都在推进12
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三星电子HBM存储技术进展:12HBM3E芯片,2TB/s带宽HBM4即将上市

据业内透露,三星在HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司,有能力在2024年9月实现对英伟达的替代,这意味着它将成为英伟达12HBM3E的垄断供应商。然而,三星方面不愿透露具体客户信息。
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三星重磅发布全新1236GB HBM3e DRAM

12HBM3e将每个堆栈可用的总带宽提高到惊人的1,280GB/s,这比单个堆栈上RTX 4090可用的全部带宽还要高。
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HBM3E(第五代 HBM 产品)起,SK海力士HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产;然而,从 HMB4(第六代 HBM 产品)开始,该公司将转用台积电的先进逻辑工艺。
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SK海力士将采用台积电7nm制程生产HBM4内存基片

HBM内存基础裸片即DRAM堆叠基座,兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订HBM内存合作协议,首要任务便是提升HBM基础逻辑芯片性能。
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SK海力士12Hi HBM3E于Q3完成,下半年内存或供应不足

韩国 SK海力士于 4 月 25 日透露在季度财报电话会议上,他们承诺第三季度能够成功研发出 12 堆叠HBM3E 系列芯片,然而由于供应压力,可能在下半年出现短缺现象。
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SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025年

SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12DRAM堆叠HBM4产品,而16堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HBM基础裸片合作协议,原本预计HBM4内存要等到2026年才会问世。
2024-05-06 15:10:21336

SK海力士明年HBM产能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高带宽内存(HBM)芯片在2025年的产能已经基本售罄。这一成绩主要归功于人工智能(AI)技术的蓬勃发展,极大地推动了市场对HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39381

SK海力士加速HBM4E内存研发,预计2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市场需求,SK海力士将提速研发进程,预计最快在 2026 年推出 HBM4E 内存在内存带宽上比 HBM4 提升 1.4 倍。
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SK海力士提前一年量产HBM4E第七代高带宽存储器

据业内人士预计,HBM4E堆叠层数将增加到16~20,而SK海力士原本计划在2026年量产16HBM4产品。此外,该公司还暗示,有可能从HBM4开始采用“混合键合”技术以实现更高的堆叠层数。
2024-05-15 09:45:35328

SK海力士HBM4E存储器提前一年量产

SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从2026年开始,提前一年量产其第七代高带宽存储器HBM4E。这一消息表明,SK海力士HBM技术领域的研发速度正在加快。
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三星HBM3E芯片验证仍在进行,英伟达订单分配备受关注

业内评论指出,三星HBM之所以出现问题,主要原因在于负责英伟达GPU制造的台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准。由于SK海力士8HBM3E的生产方式与三星有所差异,导致三星产品未能顺利通过验证。
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三星电子HBM3E芯片验证仍在进行,与英伟达展开联合测试并取得阶段性成果

据行业观察者透露,三星HBM3E面临的问题源于台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准,而这与三星自身的生产方式有所出入,从而影响了产品的认证进程。
2024-05-17 09:30:53287

SK海力士与台积电携手量产下一代HBM

近日,SK海力士与台积电宣布达成合作,计划量产下一代HBM(高带宽内存)。在这项合作中,台积电将主导基础芯片的前端工艺(FEOL)和后续布线工艺(BEOL),确保基础芯片的质量与性能。而SK海力士则负责晶圆测试和HBM堆叠工作,确保产品的最终品质与可靠性。
2024-05-20 09:18:46412

SK海力士HBM3E内存良率已达80%

早在今年3月份,韩国媒体DealSite报道中指出,全球HBM存储器的平均良率约为65%。据此来看,SK海力士在近期对HBM3E存储器的生产工艺进行了显著提升。
2024-05-23 10:22:30342

SK海力士HBM3E量产时间缩短50%,达到大约80%范围的目标良率

据报道,SK海力士宣布第五代高带宽存储(HBM)—HBM3E的良率已接近80%。
2024-05-27 14:38:17679

中国AI芯片和HBM市场的未来

 然而,全球HBM产能几乎SK海力士、三星和美光垄断,其中SK海力士占据AI GPU市场80%份额,是Nvidia HBM3内存独家供应商,且已于今年3月启动HBM3E量产
2024-05-28 09:40:31630

美光HBM3E解决方案,高带宽内存助力AI未来发展

美光近期发布的内存和存储产品组合创新备受瞩目,这些成就加速了 AI 的发展。美光 8 堆叠12 堆叠 HBM3E 解决方案提供业界前沿性能,功耗比竞品1低 30%。
2024-05-28 14:08:13474

SK海力士HBM技术再创新高,将集成更多功能

SK海力士正全力开发HBM4E存储设备,意欲打造集计算、缓存和网络存储于一身的新型HBM产品,进而提升性能与数据传输速率。
2024-05-29 16:41:27470

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞银集团最新报告指出,SK海力士HBM4芯片预计从2026年起,每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM)市场的领军企业,SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能全部售罄,显示其产品的强劲需求。
2024-05-30 10:27:22580

SK海力士扩大1b nm DRAM产能以应对HBM3E需求

据韩国媒体报道,为了应对市场对高性能HBM3E(高带宽内存第三代增强版)内存的激增需求,全球知名半导体制造商SK海力士已决定大幅增加其1b nm制程DRAM内存产能。这一战略决策旨在确保公司能够稳定供应高质量内存产品,同时进一步巩固其在全球半导体市场的领先地位。
2024-06-18 16:25:57375

英伟达巨资预订HBM3E,力拼上半年算力市场

全球AI芯片领域的激烈竞争中,英伟达以其卓越的技术实力和市场影响力,始终保持着领先地位。最近,这家AI芯片大厂再次展现出了其独特的战略眼光和强大的资金实力,以确保其新品GH200和H200能够顺利出货,不惜以高达13亿美元的预算,向美光和SK海力士预订了部分高带宽存储HBM3e的产能。
2024-06-22 16:46:58893

SK海力士堆叠3D DRAM生产良率达到56.1%

)提交了一份关于3D DRAM(三维动态随机存取存储器)的详细研究论文。该论文不仅揭示了SK海力士3D DRAM领域取得的显著进展,更向世界展示了其在这一未来存储技术上的坚定决心与卓越实力。
2024-06-24 15:35:29612

SK海力士5堆叠3D DRAM制造良率已达56.1%

全球半导体技术的激烈竞争中,SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日,在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上,SK海力士宣布了其在3D DRAM技术领域的最新研究成果,其中5堆叠3D DRAM良品率高达56.1%,这一突破性的进展引起了业界的广泛关注。
2024-06-27 10:50:22478

SK海力士加速布局HBM市场,产能扩增应对爆发式增长

的一次公开场合中明确指出,随着ChatGPT等AI应用的兴起,HBM市场需求呈现出爆炸性增长态势,预计其复合年增长率(CAGR)将高达70%。这一预测不仅彰显了SK海力士HBM市场前景的坚定信心,也预示着半导体行业即将迎来一场深刻的变革。
2024-07-08 11:54:49417

SK海力士将在HBM生产中采用混合键合技术

在半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次站在了行业创新的前沿。据最新消息,该公司计划于2026年在其高性能内存(High Bandwidth Memory, HBM)的生产过程中引入混合键合技术,这一举措不仅标志着SK海力士在封装技术上的重大突破,也预示着全球半导体行业将迎来新一轮的技术革新。
2024-07-17 09:58:19664

SK海力士与Amkor携手推进硅中介合作,强化HBM市场竞争力

在半导体行业日益激烈的竞争中,SK海力士再次展现其前瞻布局与技术创新的决心。近日,有消息称SK海力士正与全球知名的封装测试外包服务(OSAT)大厂Amkor就硅中介(Si Interposer
2024-07-18 09:42:51494

今日看点苹果 iPhone 16 Pro / Max 支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先进芯片今年量产

1. 三星:HBM3e 先进芯片今年量产,营收贡献将增长至60%   三星电子公司计划今年开始量产其第五代高带宽存储器(HBM)芯片HBM3e,并迅速提高其对营收的贡献。三星电子表示,该公司预计其
2024-08-01 11:08:11554

SK海力士将在2025年底量产400+堆叠NAND

近日,韩国权威媒体ETNews爆出猛料,SK海力士正在积极筹备加速下一代NAND闪存的研发进程,并且已经设定了明确的发展时间表——计划在2025年底之前,全面完成高达400多层堆叠NAND的半成品制备工作,紧随其后,将于2026年第二季度正式启动并大规模投入生产。
2024-08-01 15:26:42325

三星HBM3e芯片量产在即,营收贡献将飙升

三星电子公司近日宣布了一项重要计划,即今年将全面启动其第五代高带宽存储器(HBM)芯片HBM3e量产工作,并预期这一先进产品将显著提升公司的营收贡献。据三星电子透露,随着HBM3e芯片的逐步放量
2024-08-02 16:32:37377

SK海力士加速NAND研发,400+闪存量产在即

韩国半导体巨头SK海力士正加速推进NAND闪存技术的革新,据韩媒最新报道,该公司计划于2025年末全面完成400+堆叠NAND闪存的量产准备工作,并预计于次年第二季度正式开启大规模生产。这一举措标志着SK海力士在NAND闪存领域再次迈出坚实步伐,引领行业技术前沿。
2024-08-02 16:56:11933

标普上调SK海力士评级至BBB,看好其HBM领域主导地位

近日,国际知名评级机构标准普尔全球评级(S&P Global Ratings)宣布了一项重要决策,将SK海力士的长期发行人信用及发行评级从BBB-提升至BBB,并维持稳定的评级展望。此次上调评级,主要基于SK海力士在高性能内存(HBM)领域的显著“主导地位”以及全球内存市场的积极复苏趋势。
2024-08-08 09:48:32251

三星否认HBM3E芯片通过英伟达测试

近日,有关三星的8HBM3E芯片通过英伟达测试的报道引起了广泛关注。然而,三星电子迅速对此传闻进行了回应,明确表示该报道并不属实。
2024-08-08 10:06:02493

SK海力士率先展示UFS 4.1通用闪存

在最近的FMS 2024峰会上,SK 海力士凭借其创新实力,率先向业界展示了尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存新品,再次引领存储技术的前沿。此次展示不仅彰显了SK 海力士在存储技术领域的领先地位,也为未来的移动设备性能提升奠定了坚实基础。
2024-08-10 16:52:081268

三星HBM3E内存挑战英伟达订单,SK海力士霸主地位受撼动

进入八月,市场传言四起,韩国存储芯片巨头三星电子(简称“三星”)的8HBM3E内存(新一代高带宽内存产品)顺利通过英伟达严格测试。然而,三星迅速澄清,表示这一报道与事实相去甚远,强调目前质量测试
2024-08-23 15:02:56536

SK海力士9月底将量产12HBM3E高性能内存

自豪地宣布,SK 海力士当前市场上的旗舰产品——8HBM3E稳坐行业领导地位,而更进一步的是,公司即将在本月底迈入一个新的里程碑,正式启动12HBM3E量产。这一举措不仅巩固了SK 海力士
2024-09-05 16:31:36499

美光12堆叠HBM3E 36GB内存启动交付

美光科技近期宣布,其“生产可用”的12堆叠HBM3E 36GB内存已成功启动交付,标志着AI计算领域的一大飞跃。这款先进内存正陆续送达主要行业合作伙伴手中,以全面融入并验证其在整个AI生态系统中的效能。
2024-09-09 17:42:37586

SK海力士开始先进人工智能芯片生产

SK海力士宣布,公司正式踏入人工智能芯片生产的新阶段,批量生产业界领先的12HBM3E芯片。这款芯片不仅代表了SK海力士在内存技术上的重大突破,更以36GB的超大容量刷新了现有HBM产品的记录,为全球人工智能领域的发展注入了强劲动力。
2024-09-26 14:24:4145

SK海力士引领未来:全球首发12HBM3E芯片,重塑AI存储技术格局

今日,半导体巨头SK海力士震撼宣布了一项业界瞩目的技术里程碑,该公司已成功在全球范围内率先实现12HBM3E芯片的规模化生产,此举不仅将HBM存储器的最大容量推升至史无前例的36GB新高度,更进一步巩固了SK海力士在AI应用存储器市场的领军地位。
2024-09-26 16:30:31117

英伟达、微软、亚马逊等排队求购SK海力士HBM芯片,这些国产设备厂迎机遇

电子发烧友网报道(文/李弯弯)据报道,继英伟达之后,全球多个科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3E。半导体行业知情人士称,各大科技巨头都已经在向SK海力士请求获取HBM3E样本,包括
2023-07-06 09:06:312593

HBM格局生变!传三星HBM3量产供货英伟达,国内厂商积极布局

电子发烧友网报道(文/吴子鹏)根据韩媒sedaily 的最新报道,三星华城17号产线开始量产并向英伟达供应HBM3内存。同时,美光已经为英伟达供应HBM3E。至此,高端HBM内存的供应由SK海力士
2024-07-23 00:04:003421

HBM3E量产后,第六代HBM4要来了!

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)眼下各家存储芯片厂商的HBM3E陆续量产HBM4正在紧锣密鼓地研发,从规格标准到工艺制程、封装技术等都有所进展,原本SK海力士计划2026年量产HBM4,不过最近
2024-07-28 00:58:134550

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