等欧洲主要市场的需求。”
Soitec 首席执行官 Paul Boudre 表示:“对于我们专注的充满活力的市场，FD-SOI 是一项重要技术，对于我们行业和客户，它是一个重要的增长动力
2022-04-21 17:18:48
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台湾半导体制造公司的董事长兼首席执行官张忠谋在上周五表示，预计该公司将在2013年得到几乎全部的28nm制程的市场份额
2013-01-18 16:25:28999 意法半导体宣布，其28纳米FD-SOI技术平台在测试中取得又一项重大阶段性成功:其应用处理器引擎芯片工作频率达到3GHz，在指定的工作频率下新产品能效高于其它现有技术。
2013-03-13 09:40:241436 
Analog Devices， Inc. （NASDAQ：ADI），沉痛地宣布ADI公司首席执行官Jerald G. Fishman先生因心脏病突发于美国当地时间3月28日晚辞世，享年67岁。
2013-04-01 13:56:27912 意法半导体独有的FD-SOI技术配备嵌入式存储器，有望突破更高性能，以实现更低工作功耗和更低待机功耗。
2013-11-09 08:54:091358 美元。##目前，IBM与ST在32nm与28nm上提供FD SOI工艺，IBM的产能最大，ST的产能小。##对于FinFet，完成一个14/16nm的设计，成本高达2.127亿美元。
2014-10-20 11:03:1018267 在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体厂商应该不是选择FinFET就是FD-SOI工艺技术。
2015-07-07 09:52:223877 半导体晶圆代工公司格罗方德（Globalfoundries）日前开发出支援4种技术制程的22nm FD-SOI平台，以满足新一代物联网（IoT）装置的超低功耗要求——这主要来自于该公司与意法半导体
2015-10-08 08:29:221033 耗尽型绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术正从原本的“迟到”（too-late）位置摇身一变，成为可望在物联网（IoT）与汽车市场取代鳍式场效电晶体（FinFET）的理想替代方案了。对于许多人来说，业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动，象征着为这项技术背书。
2016-04-18 10:16:033258 
芯片制造的重点永远是成本。从28nm HKMG工艺转换到14nm FinFET工艺，将会增加50%的成本，这个代价值得吗？虽然FinFET能实现令人印象深刻的性能数据。
2016-05-11 09:33:191432 
Globalfoundries技术长Gary Patton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
2016-05-27 11:17:321232 Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示，该公司的技术蓝图显示，28纳米FD-SOI嵌入式非挥发性记忆体将分两阶段发展，首先是在
2016-07-28 08:50:141138 获得英 特尔（Intel）、三星、台积电（TSMC）等大厂采用的FinFET制程，号称能提供最高性能与最低功耗；但Jones指出，在约当14纳米节 点，FD-SOI每逻辑闸成本能比FinFET低16.8%，此外其设计成本也低25%左右，并降低了需要重新设计的风险。
2016-09-14 11:39:022000 
晶体管（FinFET）制程技术外，也投入全耗尽型绝缘层上覆硅（FD-SOI）市场，并推出22纳米及12纳米FDX制程平台，抢攻物联网商机。
2016-11-17 14:23:22970 5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时，FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显，人们对SOI技术的关注也与日俱增。
2017-09-29 11:22:5712561 全球领先的半导体知识产权（IP）供应商Imagination科技有限公司（以下简称Imagination）今日宣布：李力游博士（Dr. Leo Li）正式接任该公司的首席执行官（CEO）。
2018-04-03 15:22:1612671 格芯Fab1厂总经理兼高级副总裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗尽平面晶体管）工艺将是格芯当前战略中心与创新的源泉。
2018-09-20 09:30:199783 Lattice基于三星28nm FD-SOI平台推出了一系列FPGA产品，包括在嵌入式视频方面应用比较多的CrossLink-NX，重新定义的Certus-NX，去年Q4问世的基于安全的FPGA
2021-07-07 11:22:416234 在工艺进程方面，i.MX RT500使用了28nm FD-SOI耗尽型绝缘硅工艺，该工艺的优势在于能够在提升处理器主频性能的同时，尽可能控制功耗。
2021-12-23 11:10:331849 
绝缘体上硅(FD-SOI)技术开发10纳米低功耗工艺技术模块，该技术未来将进一步向7纳米拓展，这也是浸没式DUV光刻技术的极限。该机构透露，FD-SOI新一代工艺将与18、22和28nm的现有设计兼容，并且还将包括嵌入式非易失性存储器(eNVM)工艺。该项目由法国政府独立于《欧盟芯片法案》提供资金。
2023-07-20 10:54:19480 即便不考虑RF设备和工艺类型的变革，当今RF市场的挑战也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司总裁兼首席执行官Paul Dal Santo表示：“几年前，RF还是一项相当简单
2017-07-13 08:50:15
FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）技术是一种新的工艺技术，有望成为其30纳米以下的技术节点中成本效益最高的制造工艺。如果采用28纳米技术制作一颗晶片，在相同的选件和金属层条件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
工艺节点中设计，但是 FD-SOI 技术提供最低的功率，同时可以承受辐射效应。与体 CMOS 工艺相比，28 纳米 FD-SOI 芯片的功耗将降低 70%。射频数据转换器需要同时具有高带宽和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
即便不考虑RF设备和工艺类型的变革，当今RF市场的挑战也足以令人望而生畏。Cavendish Kinetics公司总裁兼首席执行官Paul Dal Santo表示：“几年前，RF还是一项相当简单
2017-07-13 09:14:06
1月22日，Altera 在北京展示了号称业界最全面的28nm 最新技术及强大解决方案。Altera公司的多位工程师为在京的媒体人士进行了讲解。
2019-08-21 07:37:32
半导体为代表的欧洲半导体科研机构和公司相继迎来技术突破，快速发展，为MRAM的商业化应用埋下了伏笔。 2014年，三星与意法半导体签订28nm FD-SOI技术多资源制造全方位合作协议，授权三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技术优势？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要应用？
2021-06-26 07:14:03
如何开始着手学习或者说有哪些相关的书籍
2017-08-01 16:30:30
急求，有没有大佬可以分享一下GF的45nm SOI RF库？
2021-06-22 06:49:40
尊敬的先生/女士，您能否提供步骤和可能的图表，以便在ADS仿真中获得N-MOS FD-SOI晶体管的C-V曲线？提前谢谢Gadora 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
之前只用过tsmc 65nm的，在设置电感时候是有indcutor finder的工具的，28nm下没有了吗？只能自己扫描参数一个一个试？28nm下是没有MIM电容了吗？相关的模拟射频器件（比如
2021-06-24 06:18:43
请问工程师，C2000系列产品的制程是45nm还是28nm？同一款新片可能采用不同的制程生产吗？
2020-06-17 14:41:57
CSA集团新任总裁兼首席执行官访华
CSA集团新任总裁兼首席执行官Ash Sahi先生近日开始了他在中国为期一周的访问，这是Ash Sahi先生就任新职后首次访问中国。CSA集
2009-12-12 09:24:55929 Altium任命沈宇豪为大中国区首席执行官
Altium日前宣布任命沈宇豪为大中国区的地区首席执行官（Regional CEO）。同时，大中国区从销售区域提升为地区性业务部门。
2010-01-06 10:52:451146 Altium任命沈宇豪为大中国区首席执行官
Altium日前宣布任命沈宇豪为大中国区的地区首席执行官（Regional CEO）。同时，大中国区从销售区域提升为地区性业务部门。&nb
2010-01-04 17:10:01657 22nm以后的晶体管技术领域，靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通
2010-06-23 08:01:42661 22nm以后的晶体管技术领域，靠现行BulkMOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421600 IBM、ARM同一批半导体生产商正在进行一项关于小功率SOI芯片组的研究计划，打算将采用体硅制成的CMOS设计转换成全耗尽型FD-SOI装配。
2011-11-15 08:56:56488 NVIDIA首席执行官黄仁勋在与分析师的电话会议当中表示，该公司将在最近的几个月里有不断增加资本支出，伴随着低于预计的季度毛利率。NVIDIA同时指责台积电28nm工艺代工的开普勒芯片
2012-02-20 08:39:14842 意法半导体（ST）、Soitec与CMP（Circuits Multi Projets）携手宣佈，大专院校、研究实验室和设计公司将可透过CMP的硅中介服务採用意法半导体的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501288 Intersil公司今天宣布总裁兼首席执行官Dave Bell辞职,Intersil董事会已任命董事会成员James Diller先生为临时总裁兼首席执行官，立即生效。
2012-12-11 16:22:55731 日前，意法半导体（ST）宣布位于法国Crolles的12寸（300mm）晶圆厂即将拥有28奈米 FD-SOI技术，这证明了意法半导体以28奈米技术节点提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技术的能力。
2012-12-14 08:45:27886 16/10nm之间捣鼓了一个12nm，其实就是16nm的深度改良版，号称可带来更高的晶体管集成度、更好的性能、更低的功耗，可以更好地竞争三星14nm、GlobalFoundries 12nm FD-SOI。
2017-05-13 01:07:141307 AMD剥离出来的代工厂GlobalFoundries(经常被戏称为AMD女友)近日迎来好消息，上海复旦微电子已经下单采纳其22nm FD-SOI工艺(22FDX)。
2017-07-11 08:56:221008 据报道,意法半导体公司决定选择格芯22FDX®用来提升其FD-SOI平台和技术领导力，格芯FDX技术将赋能ST为新一代消费者和工业应用提供高性能、低功耗的产品。
2018-01-10 16:04:426147 集微网消息，格罗方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半导体供应商意法半导体（ST）选择采用格罗方德 22 纳米 FD-SOI（22FDX）制程技术平台，以支持用于工业及消费性
2018-01-10 20:44:02840 GlobalFoundries的FD-SOI技术已经略有成效，近日传来消息，又迎来意法半导体（ST）的大单进补，在第二代FD-SOI技术解决方案领域吧彻底取代三星。
2018-01-15 14:16:031517 集中在28nm，但是下一代的18nm将不会太远。FD SOI工艺将以28FDS和18FDS为基础，提供基础的工艺服务，未来将开发RF和eMRAM技术。
2018-04-10 17:30:001842 ST表示，与传统的块状硅技术相较，FD-SOI能提供更好的晶体管静电特性，而埋入氧化层能降低源极(source)与汲极(drain)之间的寄生电容；此外该技术能有效限制源极与汲极之间的电子流
2018-03-10 01:25:00803 物联网FD-SOI制程 若要说2018以及未来五年最受瞩目的半导体制程技术，除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程，以及预计将全面导入极紫外光(EUV)微影技术的5奈米制程节点，各家晶圆代工
2018-03-15 10:54:002508 晶圆代工厂格芯日前宣布其22纳米全耗尽型绝缘上覆硅(FD-SOI)制程技术取得了36项设计订单，其中有超过十几项设计将会在今年出样(tape-out)。另一方面，其竞争对手三星则预计今年将采用其28nm FD-SOI制程出样20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134718 格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图，从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
2018-05-14 15:54:002574 
加利福尼亚州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX®)技术平台已通过AEC-Q100(2级)认证，准备投入量产。作为业内符合汽车标准的先进FD-SOI
2018-05-25 11:20:001590 微软首席执行官Satya Nadella在最近的一次投资者会议上表示：“人工智能将成为未来技术发展的重要趋势之一。”
2018-06-08 14:27:553154 生产FD-SOI工艺的公司有ST Micro（其正在将此工艺用作28纳米IDM的生产），三星代工厂（28纳米工艺投产中，18纳米工艺计划投产），以及格芯代工厂（22纳米工艺投产中，12纳米计划投产）。
2018-08-02 11:35:244601 晶圆代工大厂格芯在28日宣布，无限期停止7纳米制程的投资与研发，转而专注现有14/12纳米FinFET制程，及22/12纳米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002271 今天，Globalfoundries（简称GF）宣布无限期停止7nm工艺的投资研发，转而专注现有14/12nm FinFET工艺及22/12nm FD-SOI工艺。
2018-08-31 15:03:012998 日前，格罗方德宣布停止7nm工艺的投资研发，转而专注现有14/12nm FinFET工艺和22/12nm FD-SOI工艺。
2018-09-03 16:41:425341 昨天Globalfoundries公司宣布退出7nm及未来的先进工艺之争，专注14/12nm FinFET及22nm FD-SOI工艺，虽然他们还提到了未来某天有可能杀回来，但是这对市场已经没什么影响了。
2018-09-04 11:08:362282 Soitec与三星晶圆代工厂扩大合作 保障FD-SOI晶圆供应，满足当下及未来消费品、物联网和汽车应用等领域的需求，确保FD-SOI技术大量供应。
2019-01-22 09:07:00610 随着FD-SOI技术在系统芯片(SoC)设备的设计中越发受到关注，Soitec的业务也迎来了蒸蒸日上的发展，从其最新的财务报表即可见一斑。
2018-12-23 16:45:122934 公司首席财务官及7个月的英特尔临时首席执行官，是英特尔50年历史上第七位首席执行官。Swan先生还被选为英特尔董事会成员。 Robert（Bob）Swan上任首日发表了致英特尔员工、客户和合作伙伴的公开信。在信中他提到自己很荣幸被任命为英特尔的首席执行官： “我热爱此前首席财务官的角色
2019-02-01 16:13:01212 昨（28）日，Lumileds 宣布任命 Jonathan Rich 为首席执行官。
2019-03-01 15:15:001451 三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品，该产品基于28nm FD-SOI工艺技术，并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:581078 当MOS器件的特征尺寸不断缩小至22nm及以下时，提高沟道的掺杂浓度和降低源漏结深已仍不能很好的改善短沟道效应。在SOI绝缘层上的平面硅技术基础上提出FD-SOI晶体管。研究发现要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
12 值得注意的是，去年6月，格芯开始全球裁员，在建的成都12寸晶圆厂项目招聘暂停。去年8月，格芯宣布无限期停止7nm工艺的投资研发，转而专注现有14/12nm FinFET工艺及22/12nm FD-SOI工艺。
2019-04-24 16:23:213807 为求低功耗、高能效及高性价比之元件，市场逐渐开发出FD-SOI（完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管）结构；而FD-SOI构造主要以SOI晶圆为核心，透过传统Si芯片制程方式，进而以水平式晶体管架构，取代线宽较大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204501 
日前，格芯与Soitec宣布双方已签署多个长期的300 mm SOI芯片长期供应协议以满足格芯的客户对于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技术平台日益增长的需求。建立在两家公司现有的密切关系上，此份协议即刻生效，以确保未来数年的高水平大批量生产。
2019-06-11 16:47:333582 事实胜于雄辩，与以往FD-SOI论坛上只以PPT展示FD-SOI优势相比，本次论坛多家公司以已经采用FD-SOI工艺的产品说明其优势，其震撼效果难以言传！
2019-08-06 16:22:453578 长期跟踪研究半导体工艺和技术趋势的IBS CEO Handel Jones发表演讲，并对FD-SOI未来走势做出预测。
2019-08-06 16:25:003745 在FD-SOI工艺迁移中也发现一些问题，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444488 三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品，该产品基于28nm FD-SOI工艺技术，并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591184 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22纳米 FD－SOI （22FDX）平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDXeMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16802 今年3月份，三星宣布全球第一家商业化规模量产eMRAM（嵌入式磁阻内存），基于28nm FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）成熟工艺，内存容量8Mb，可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。
2019-12-27 08:57:08559 AI芯片设计大厂莱迪思半导体（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技术平台，发布全球首颗以FD-SOI组件制作的FPGA（现场可程序化逻辑门数组）产品。
2020-02-12 22:57:17962 AI芯片设计大厂莱迪思半导体（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技术平台，发布全球首颗以FD-SOI组件制作的FPGA（现场可程序化逻辑门数组）产品。
2020-02-27 14:54:38801 据外媒报道称，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已经完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282542 Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技术，该公司正在与几个客户合作，计划在2020年实现多个流片。
2020-03-03 15:10:302366 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工艺平台，新型存储器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存储器）已投入生产。
2020-03-11 10:54:37810 新的优步首席执行官与通用电气（General Electric）前首席执行官杰弗里·里·伊梅尔特（Jeffrey RImmelt）和惠普（Hewlett Packard Enterprise）前
2020-04-03 15:17:282415 “FD-SOI使用的范围非常广，包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年，我们看到FD-SOI的使用量开始腾飞。我们预计在2020年和2021年会出现FD-SOI使用量的腾飞拐点”，Soitec
2020-07-06 17:03:362136 
“FD-SOI使用的范围非常广，包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年，我们看到FD-SOI的使用量开始腾飞。我们预计在2020年和2021年会出现FD-SOI使用量的腾飞拐点”，Soitec
2020-07-07 16:04:043594 重点 ● 双方在技术赋能方面的紧密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ （12nm FinFET） 以及22FDX （22nm FD-SOI） 平台释放最佳PPA潜能
2020-10-23 16:17:092210 Lattice基于三星28nm FD-SOI平台推出了一系列FPGA产品，包括在嵌入式视频方面应用比较多的CrossLink-NX，重新定义的Certus-NX，去年Q4问世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年还会推出基于FD-SOI平台的两款新品。
2021-08-14 10:07:445922 Holtzman由Cipia董事会任命，是一位资深企业家兼首席执行官，在私营和上市科技公司有着丰富经验，将接替即将退任的首席执行官David Tolub。David Tolub曾带领Cipia成功转向汽车市场
2022-05-11 09:47:52965 
12nm这个词，要是关注手机的人一定会很熟悉，因为很多手机的处理器都采用过12nm芯片，那么12nm芯片究竟是什么意思呢？难道是指芯片大小为12nm？ 原来12nm芯片并不是指芯片大小为12nm
2022-07-01 09:46:569219 GF也为数字IC制造提供了28nm Planar CMOS FET的替代品，如12nm和14nm FinFET和22nm FD-SOI工艺，该公司也将大量精力和研发资金集中在为其旧的Planar CMOS工艺节点寻找新的、有趣的能力。该公司称这些额外的处理能力为“模块”。
2022-08-30 10:07:382927 有了极富远见的继任方案之后，在TracoPower工作超过35年的现任首席执行官MarkusDallaMonta于2021年7月退休。StefanSchaffhauser于2021年4月1日新
2022-01-12 17:59:11618 
于2019年举行。因特殊原因暂停了三年，2023年主办方重启再次主办，第八届FD-SOI论坛，邀请到国内外几乎所有FD-SOI生态内的重要企业专家参与。三年内国内外的科技环境发生了巨大的变化，FD-SOI的产业格局和技术又有哪些变化？ 半导体工艺在2001年的新工艺技术的两条路
2023-11-01 16:39:041745 
，在AI时代下边缘端设备会出现高速发展，而FD SOI制造工艺对于AI边缘芯片市场增长来说非常重要。 图：IBS CEO Handel Jones在论坛上致词发表对全球半导体产业的预测和看法 到
2023-11-21 17:39:111384 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46393 
来源：半导体芯科技编译 新任首席执行官加入Nordic（北欧半导体）接替前任首席执行官Svenn-Tre Larsen后，将在CES 2024上，与重要客户和合作伙伴会面。 继最近被北欧半导体董事会
2024-01-15 17:34:56423 
本文简单介绍了两种常用的SOI晶圆——FD-SOI与PD-SOI。
2024-03-17 10:10:361376 
据悉，FD-SOI 是一种先进的平面半导体技术，能够通过简化制作流程进行精准的漏电流控制，相较于现有的 40nm EPM 技术，新工艺大幅度提高了性能指标：能效提升 50%，数字密度增加三倍有余，并能够承载更大的片上存储和更低的噪音系数。
2024-03-21 14:00:23515 电子发烧友网报道（文/吴子鹏）2024年10月23日，第九届上海FD-SOI论坛在浦东香格里拉酒店召开，芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民博士做开幕致辞，并分享了过往和当前FD-SOI发展的一些情况
2024-10-23 10:02:4222 
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