绝缘体上硅)技术发展规划。半导体器件和 FD-SOI技术创新对法国和欧盟以及全球客户具有战略价值。FD-SOI 能够为设计人员和客户系统带来巨大的好处，包括更低的功耗以及更容易集成更多功能，例如，通信
2022-04-21 17:18:48
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本文论述并比较目前移动平台所采用的主要的多核处理技术，重点介绍多核处理技术与意法·爱立信未来产品所采用的具有突破性的FD-SOI 硅技术之间的协同效应
2013-02-03 14:19:002055 
意法半导体宣布，其28纳米FD-SOI技术平台在测试中取得又一项重大阶段性成功:其应用处理器引擎芯片工作频率达到3GHz，在指定的工作频率下新产品能效高于其它现有技术。
2013-03-13 09:40:241436 
意法半导体独有的FD-SOI技术配备嵌入式存储器，有望突破更高性能，以实现更低工作功耗和更低待机功耗。
2013-11-09 08:54:091359 在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体厂商应该不是选择FinFET就是FD-SOI工艺技术。
2015-07-07 09:52:223878 半导体晶圆代工公司格罗方德（Globalfoundries）日前开发出支援4种技术制程的22nm FD-SOI平台，以满足新一代物联网（IoT）装置的超低功耗要求——这主要来自于该公司与意法半导体
2015-10-08 08:29:221033 耗尽型绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术正从原本的“迟到”（too-late）位置摇身一变，成为可望在物联网（IoT）与汽车市场取代鳍式场效电晶体（FinFET）的理想替代方案了。对于许多人来说，业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动，象征着为这项技术背书。
2016-04-18 10:16:033258 
Globalfoundries技术长Gary Patton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
2016-05-27 11:17:321235 Samsung Foundry行销暨业务开发负责人Kelvin Low在接受EE Times欧洲版访问时表示，该公司的技术蓝图显示，28纳米FD-SOI嵌入式非挥发性记忆体将分两阶段发展，首先是在
2016-07-28 08:50:141142 获得英 特尔（Intel）、三星、台积电（TSMC）等大厂采用的FinFET制程，号称能提供最高性能与最低功耗；但Jones指出，在约当14纳米节 点，FD-SOI每逻辑闸成本能比FinFET低16.8%，此外其设计成本也低25%左右，并降低了需要重新设计的风险。
2016-09-14 11:39:022000 
晶体管（FinFET）制程技术外，也投入全耗尽型绝缘层上覆硅（FD-SOI）市场，并推出22纳米及12纳米FDX制程平台，抢攻物联网商机。
2016-11-17 14:23:22972 22纳米 FD-SOI (22FDX)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDX eMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美国所展示的，格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储
2017-09-25 17:21:098275 5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时，FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显，人们对SOI技术的关注也与日俱增。
2017-09-29 11:22:5712565 今日，格芯 与 eVaderis共同宣布，将共同开发超低功耗MCU参考设计方案，该方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX®）平台的嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。双方合作所提供的技术
2018-03-01 14:52:0611347 格芯Fab1厂总经理兼高级副总裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗尽平面晶体管）工艺将是格芯当前战略中心与创新的源泉。
2018-09-20 09:30:199789 和FD-SOI，其中RF-SOI作为一种重要的射频芯片材料技术，虽然很少被提及，但在很多设备上都有重要的应用。 射频前端底层技术 射频前端的重要性不言而喻，是任何通信系统核心中的核心，RF-SOI正是用于各种射频器件，目前已经是各类射频应用里主流的衬底，如射频开关、LNA、调谐器
2024-02-19 00:59:003377 的肯定。吴冰•移远通信LTE-A&5G Module产品经理上海移远通信技术股份有限公司 产品经理，负责高速LTE及5G蜂窝接入产品线。 西安电子科技大学 电子工程及国际企业管理
2020-01-14 09:23:54
，随着RF开关变得越来越复杂，这两种工艺变得太贵了。RF SOI不同于完全耗尽的SOI（FD-SOI），适用于数字应用。与FD-SOI类似，RF SOI在衬底中具有很薄的绝缘层，能够实现高击穿电压和低
2017-07-13 08:50:15
FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）技术是一种新的工艺技术，有望成为其30纳米以下的技术节点中成本效益最高的制造工艺。如果采用28纳米技术制作一颗晶片，在相同的选件和金属层条件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
RF-SOI技术在5G中的应用前景简析
2021-01-04 07:02:15
，随着RF开关变得越来越复杂，这两种工艺变得太贵了。RF SOI不同于完全耗尽的SOI（FD-SOI），适用于数字应用。与FD-SOI类似，RF SOI在衬底中具有很薄的绝缘层，能够实现高击穿电压和低
2017-07-13 09:14:06
工艺节点中设计，但是 FD-SOI 技术提供最低的功率，同时可以承受辐射效应。与体 CMOS 工艺相比，28 纳米 FD-SOI 芯片的功耗将降低 70%。射频数据转换器需要同时具有高带宽和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
，已成为包括台积电在内的代工厂攻克MRAM的主要方向。 在此之后，成本和工艺的限制，让三星的MRAM研发逐渐走向低调，在这期间，与FinFET技术齐名的FD-SOI，在以Leti、Soitec、意法
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技术优势？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要应用？
2021-06-26 07:14:03
引言随着半导体技术的发展,深亚微米工艺加工技术允许开发上百万门级的单芯片，已能够将系统级设计集成到单个芯片中即实现片上系统SoC。IP核的复用是SoC设计的关键，但困难在于缺乏IP核与系统的接口标准
2019-06-11 05:00:07
的S OC设计是以超深亚微米IC设计技术为基础的，具有集成电路ASIC设计的复杂程度。随着SOC平台和EDA 技术发展以及IP新经济模式的推动，在SOC应用设计上越来越多的从传统的硅片设计转到利用
2008-08-26 09:38:34
如何开始着手学习或者说有哪些相关的书籍
2017-08-01 16:30:30
尊敬的先生/女士，您能否提供步骤和可能的图表，以便在ADS仿真中获得N-MOS FD-SOI晶体管的C-V曲线？提前谢谢Gadora 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
此前，我们报道了英集芯发布旗下首款全集成无线充SoC芯片IP6808，正式进入无线充电行业。近日我们获悉，这款芯片通过了Qi v1.2.4认证，WPC无线充电联盟官网注册时间为7月10日，登记ID为
2018-07-23 19:48:43
IP680支持QI1.2.4协议IP6808无线充方案近日，英集芯发布了旗下首款全集成无线充SoC芯片IP6808，正式进入无线充电行业。科发鑫电子是英集芯INJOINIC正式代理商。P6808它是
2018-09-06 20:29:49
SOI 和体硅集成电路工艺平台互补问题的探讨上海镭芯电子有限公司鲍荣生摘要本文讨论的SOI（Silicon On Insulator）是BESOI(Bonding and Etch back SOI)，由于在SOI 材料上制造的集成电
2009-12-14 11:35:16
10 22nm以后的晶体管技术领域，靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通
2010-06-23 08:01:42661 22nm以后的晶体管技术领域，靠现行BulkMOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421600 IBM、ARM同一批半导体生产商正在进行一项关于小功率SOI芯片组的研究计划，打算将采用体硅制成的CMOS设计转换成全耗尽型FD-SOI装配。
2011-11-15 08:56:56488 意法半导体（ST）、Soitec与CMP（Circuits Multi Projets）携手宣佈，大专院校、研究实验室和设计公司将可透过CMP的硅中介服务採用意法半导体的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501289 日前，意法半导体（ST）宣布位于法国Crolles的12寸（300mm）晶圆厂即将拥有28奈米 FD-SOI技术，这证明了意法半导体以28奈米技术节点提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技术的能力。
2012-12-14 08:45:27887 意法爱立信发布了首个单射频方案实现载波聚合的极速LTEAdvanced Modem平台Thor M7450，以及采用了FD-SOI技术的3GHz NovaThor L8580处理器。
2013-02-26 16:26:51986 意法半导体（ST）宣布意法半导体完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件（FD-SOI）技术荣获2013年度电子成就奖（ACE）能源技术奖。根据客户的节能与性能权衡策略，FD-SOI芯片本身可节约20%至50%的能耗，使终端设备可更快散热，并实现更长的使用寿命。
2013-05-10 09:06:431003 无线设备提供持续强劲且清晰的网络连接。 移动市场对RF SOI的追捧持续升温，因为它以高性价比实现了低插入损耗，在广泛的频段内实现低谐波和高线性度。RF SOI是一个双赢的技术选择，能够提高智能手机和平板电脑的性能和数据传输速度，同时有望
2017-12-07 10:29:321 据报道,意法半导体公司决定选择格芯22FDX®用来提升其FD-SOI平台和技术领导力，格芯FDX技术将赋能ST为新一代消费者和工业应用提供高性能、低功耗的产品。
2018-01-10 16:04:426147 集微网消息，格罗方德（GlobalFoundries）于 10 日宣布，全球半导体供应商意法半导体（ST）选择采用格罗方德 22 纳米 FD-SOI（22FDX）制程技术平台，以支持用于工业及消费性
2018-01-10 20:44:02842 GlobalFoundries的FD-SOI技术已经略有成效，近日传来消息，又迎来意法半导体（ST）的大单进补，在第二代FD-SOI技术解决方案领域吧彻底取代三星。
2018-01-15 14:16:031518 在工艺节点进展方面，三星电子晶圆代工业务执行副总裁兼总经理 ES Jung表示，三星晶圆代工业务发展路线将包括FinFET和FD-SOI两个方向，FD-SOI平台路线如下图。目前FD-SOI工艺主要
2018-04-10 17:30:001844 ST表示，与传统的块状硅技术相较，FD-SOI能提供更好的晶体管静电特性，而埋入氧化层能降低源极(source)与汲极(drain)之间的寄生电容；此外该技术能有效限制源极与汲极之间的电子流
2018-03-10 01:25:00803 物联网FD-SOI制程 若要说2018以及未来五年最受瞩目的半导体制程技术，除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程，以及预计将全面导入极紫外光(EUV)微影技术的5奈米制程节点，各家晶圆代工
2018-03-15 10:54:002512 双方共同开发的技术解决方案将大幅降低物联网及穿戴式产品的耗电及芯片尺寸 今日，格芯与eVaderis共同宣布，将共同开发超低功耗MCU参考设计方案，该方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX
2018-03-02 15:29:01170 格芯（GLOBALFOUNDRIES）宣布推出业内首个基于300毫米晶圆的RF SOI代工解决方案。8SW SOI技术是格芯最先进的RF SOI技术，可以为4G LTE以及6GHz以下5G移动和无线通信应用的前端模块（FEM）带来显著的性能、集成和面积优势。
2018-05-03 11:48:001444 晶圆代工厂格芯日前宣布其22纳米全耗尽型绝缘上覆硅(FD-SOI)制程技术取得了36项设计订单，其中有超过十几项设计将会在今年出样(tape-out)。另一方面，其竞争对手三星则预计今年将采用其28nm FD-SOI制程出样20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134720 格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图，从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
2018-05-14 15:54:002575 
加利福尼亚州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX®)技术平台已通过AEC-Q100(2级)认证，准备投入量产。作为业内符合汽车标准的先进FD-SOI
2018-05-25 11:20:001593 许多代工厂都在扩大其200mm RF SOI晶圆厂产能，以满足急剧增长的需求。GlobalFoundries，TowerJazz，台积电和联电正在扩大300mm RF SOI晶圆产能，以迎接5G，争抢第一波RF业务。
2018-05-29 06:08:006850 
生产FD-SOI工艺的公司有ST Micro（其正在将此工艺用作28纳米IDM的生产），三星代工厂（28纳米工艺投产中，18纳米工艺计划投产），以及格芯代工厂（22纳米工艺投产中，12纳米计划投产）。
2018-08-02 11:35:244606 晶圆代工大厂格芯在28日宣布，无限期停止7纳米制程的投资与研发，转而专注现有14/12纳米FinFET制程，及22/12纳米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002271 双方携手采用Imagination的Ensigma连接方案半导体知识产权（connectivity IP），在GF的22nm FD-SOI（22FDX®）工艺平台上，为业界提供用于低功耗蓝牙
2018-09-26 11:14:504528 关键词：SOI , 8SW , FEM , 格芯 基于成熟制造工艺的RF SOI技术达到新的里程碑，芯片出货量超过400亿 格芯今日在其年度全球技术大会(GTC)上宣布，针对移动应用优化的8SW
2018-10-04 00:12:01348 能在全球范围内收获了超过20亿美元的收益，并在超过50项客户设计中得到采用。本次两位中国客户的成功流片再次印证了22FDX技术在实际应用中的可靠性和灵活性。 格芯全球副总裁兼大中华区总经理白农先生表示：“22FDX 是业内首个 22nm FD-SOI 平台，作为业界领先的低功耗芯片平台，它在全
2018-11-05 16:31:02297 Soitec与三星晶圆代工厂扩大合作 保障FD-SOI晶圆供应，满足当下及未来消费品、物联网和汽车应用等领域的需求，确保FD-SOI技术大量供应。
2019-01-22 09:07:00611 随着FD-SOI技术在系统芯片(SoC)设备的设计中越发受到关注，Soitec的业务也迎来了蒸蒸日上的发展，从其最新的财务报表即可见一斑。
2018-12-23 16:45:122940 关键词：自适应体偏置 , FD-SOI , 22FDX IP加快节能型SoC设计，推动单芯片集成界限 格芯(GF)和领先的半导体IP提供商Dolphin Integration今日宣布，双方正在合作
2019-02-24 15:56:01375 当MOS器件的特征尺寸不断缩小至22nm及以下时，提高沟道的掺杂浓度和降低源漏结深已仍不能很好的改善短沟道效应。在SOI绝缘层上的平面硅技术基础上提出FD-SOI晶体管。研究发现要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012 值得注意的是，去年6月，格芯开始全球裁员，在建的成都12寸晶圆厂项目招聘暂停。去年8月，格芯宣布无限期停止7nm工艺的投资研发，转而专注现有14/12nm FinFET工艺及22/12nm FD-SOI工艺。
2019-04-24 16:23:213809 为求低功耗、高能效及高性价比之元件，市场逐渐开发出FD-SOI（完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管）结构；而FD-SOI构造主要以SOI晶圆为核心，透过传统Si芯片制程方式，进而以水平式晶体管架构，取代线宽较大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204508 
日前，格芯与Soitec宣布双方已签署多个长期的300 mm SOI芯片长期供应协议以满足格芯的客户对于SOI、RF-SOI、FD-SOI和硅光子技术平台日益增长的需求。建立在两家公司现有的密切关系上，此份协议即刻生效，以确保未来数年的高水平大批量生产。
2019-06-11 16:47:333584 事实胜于雄辩，与以往FD-SOI论坛上只以PPT展示FD-SOI优势相比，本次论坛多家公司以已经采用FD-SOI工艺的产品说明其优势，其震撼效果难以言传！
2019-08-06 16:22:453584 长期跟踪研究半导体工艺和技术趋势的IBS CEO Handel Jones发表演讲，并对FD-SOI未来走势做出预测。
2019-08-06 16:25:003752 在FD-SOI工艺迁移中也发现一些问题，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444495 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22纳米 FD－SOI （22FDX）平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDXeMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16806 AI芯片设计大厂莱迪思半导体（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技术平台，发布全球首颗以FD-SOI组件制作的FPGA（现场可程序化逻辑门数组）产品。
2020-02-12 22:57:17962 AI芯片设计大厂莱迪思半导体（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技术平台，发布全球首颗以FD-SOI组件制作的FPGA（现场可程序化逻辑门数组）产品。
2020-02-27 14:54:38801 据外媒报道称，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已经完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282544 Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技术，该公司正在与几个客户合作，计划在2020年实现多个流片。
2020-03-03 15:10:302370 据外媒报道称，美国半导体晶圆代工厂商GlobalFoundries（格芯）宣布已经完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27552 格芯（GLOBALFOUNDRIES）的22nm FD-SOI（22FDX）平台上的嵌入式磁随机存取存储器（eMRAM）已正式投入生产。同时格芯正与多家客户共同合作，计划于2020年实现多重下线生产
2020-03-04 17:27:352320 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工艺平台，新型存储器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存储器）已投入生产。
2020-03-11 10:54:37810 “FD-SOI使用的范围非常广，包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年，我们看到FD-SOI的使用量开始腾飞。我们预计在2020年和2021年会出现FD-SOI使用量的腾飞拐点”，Soitec
2020-07-06 17:03:362137 
“FD-SOI使用的范围非常广，包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年，我们看到FD-SOI的使用量开始腾飞。我们预计在2020年和2021年会出现FD-SOI使用量的腾飞拐点”，Soitec
2020-07-07 16:04:043602 Lattice Nexus是业界首个基于28 nm FD-SOI工艺的低功耗FPGA技术平台，得益于功耗和MIPI 速度上的优势，基于该平台的第一款产品CrossLink-NX得到了客户广泛认可
2020-07-15 19:28:42880 Nexus 平台的独特之处在于采用了 FD-SOI 工艺。这与之前的 CMOS 工艺相比有很大区别，能够极大降低功耗。如图一所示，Certus™-NX 比英特尔和赛灵思的同类产品功耗低 3-4 倍。Certus™-NX 的配置时间极短，能够让系统快速启动。该器件还拥有验证和加密硬件模块提升安全性。
2020-08-13 16:35:17853 
重点 ● 双方在技术赋能方面的紧密合作使GLOBALFOUNDRIES 12LP、12LP+ （12nm FinFET） 以及22FDX （22nm FD-SOI） 平台释放最佳PPA潜能
2020-10-23 16:17:092215 格芯的8SW RF-SOI的客户为6 GHz以下5G智能手机的主流FEM供应商。
2020-11-11 10:04:21821 Lattice基于三星28nm FD-SOI平台推出了一系列FPGA产品，包括在嵌入式视频方面应用比较多的CrossLink-NX，重新定义的Certus-NX，去年Q4问世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年还会推出基于FD-SOI平台的两款新品。
2021-08-14 10:07:445923 射频 SOI (RF-SOI）是采用 SOI 工艺技术制作的射频器件和集成电路。SOI是指在体硅材料中插人一层 SiO2绝缘层的耐底结构。在SOI衬底上制作低电压、低功耗集成电路是深亚微米技术节点的主流选择之一。RF-SOI 具有如下优点。
2022-09-27 09:09:084057 Arm 推出全新 Arm IP Explorer 平台，该平台是一套由 Arm 提供的云平台服务，旨在为基于 Arm 架构设计系统的硬件工程师与 SoC 架构师，加速其 IP 选择和 SoC
2023-07-26 16:25:01462 原在本次活动中带来了一场技术分享，并在展区展示了公司丰富的IP组合。 会上，芯原股份机器学习软件高级总监毛夏飞以《面向智能显示设备的超分辨率技术》为题发表演讲。他表示，超分辨率 (Super Resolution) 技术不仅是学术界的研究重点，也是产业界着力推动应用创新的技术领域之一，在过去的
2023-09-08 10:23:07490 
（电子发烧友网原创报道）2023年10月23日 第八届上海FD-SOI论坛隆重举行，论坛由芯原股份和新傲科技主办，SEMI中国和SOI产业联盟支持。该活动自2013年开始每年举行一次，上次第七届论坛
2023-11-01 16:39:041753 
在日前举行的2023年第八届上海FD-SOI论坛上，GlobalFoundries Chief Commercial Officer Juan Cordovez向产业介绍了公司在FD-SOI
2023-11-15 14:53:381328 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46395 
本文简单介绍了两种常用的SOI晶圆——FD-SOI与PD-SOI。
2024-03-17 10:10:361393 
据悉，FD-SOI 是一种先进的平面半导体技术，能够通过简化制作流程进行精准的漏电流控制，相较于现有的 40nm EPM 技术，新工艺大幅度提高了性能指标：能效提升 50%，数字密度增加三倍有余，并能够承载更大的片上存储和更低的噪音系数。
2024-03-21 14:00:23520 芯原股份宣布，赛昉科技成功将芯原的先进显示处理器IP DC8200应用于其基于RISC-V架构的量产SoC昉·惊鸿-7110中。JH-7110 SoC以其卓越的性能、低功耗和安全性，为众多领域如云计算、工业控制、网络附加存储等提供了全面的智能视觉处理方案。
2024-03-27 10:02:09559 炬芯科技宣布（股票代码：688049.SH）在其高集成度的双模蓝牙智能手表SoC ATS3085S和ATS3089系列中采用了芯原股份（芯原，股票代码：688521.SH）低功耗且功能丰富的2.5D图形处理器（GPU）IP，为智能腕部穿戴设备提供高性能、高质量的矢量图形处理能力。
2024-05-15 11:14:13657 
芯原股份（芯原，股票代码：688521.SH）今日宣布低功耗 AIoT 芯片设计厂商炬芯科技股份有限公司（炬芯科技， 股票代码：688049.SH）在其高集成度的双模蓝牙智能手表SoC
2024-05-15 11:39:26451 近日，芯原股份与低功耗AIoT芯片设计厂商炬芯科技股份有限公司（炬芯科技）达成合作。炬芯科技在其高集成度的双模蓝牙智能手表SoC ATS3085S和ATS3089系列中，成功采用了芯原提供的低功耗且功能丰富的2.5D图形处理器（GPU）IP。
2024-05-16 14:58:42841 近日，英国剑桥的半导体知识产权（IP）领军企业Agile Analog宣布了一项重要里程碑，成功在格罗方德（GlobalFoundries，简称格芯）的FinFET及FDX FD-SOI先进工艺平台
2024-07-27 14:41:32910 电子发烧友网报道（文/吴子鹏）2024年10月23日，第九届上海FD-SOI论坛在浦东香格里拉酒店召开，芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民博士做开幕致辞，并分享了过往和当前FD-SOI发展的一些情况
2024-10-23 10:02:42161 
FD-SOI技术的市场发展现状与趋势，尤其是该技术在AIGC时代的应用前景。通过具体分析和比较FD-SOI、Bulk CMOS和F
2024-10-23 10:22:16151 
。意法半导体表示，相较于其现在使用的40nm eNVM技术，采用ePCM的18nm FD-SOI工艺大幅提升了性能参数：其在
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