小编在这里给大家分享一下什么是氮化镓技术指标？什么是氮化镓技术指标体系？ 以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体，具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，其中氮化镓是一种宽能隙
2023-02-16 16:07:44
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65W氮化镓电源原理图
2022-10-04 22:09:30
DER-937是一款采用高度集成的升压PFC和氮化镓反激式开关IC设计的100W USB PD充电器，总共仅使用117个元件深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power
2021-11-10 17:34:53
的存在。1875年，德布瓦博德兰（Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被发现镓，并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名它。纯氮化镓的熔点只有30
2023-06-15 15:50:54
从将PC适配器的尺寸减半，到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换，德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V，提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
数据中心），或任何可以处理高达数百伏高电压的设备，均可受益于氮化镓等技术，从而提高电源管理系统的效率和规模。（白皮书下载：GaN将能效提高到一个新的水平。）
寻找理想开关
任何电源管理系统的核心
2019-03-14 06:45:11
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域，随着技术的进步以及人们的需求，氮化镓产品已经走进了我们生活中，尤其在充电器中的应用逐步布局开来，以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期，一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会，使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
技术迭代。2018 年，氮化镓技术走出实验室，正式运用到充电器领域，让大功率充电器迅速小型化，体积仅有传统硅（Si）功率器件充电器一半大小，氮化镓快充带来了充电器行业变革。但作为新技术，当时氮化镓
2022-06-14 11:11:16
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了，氮化镓充电器看起来很小，但是功率一般很大，可以给手机平板，甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么，氮化镓充电器有哪些优点，下文简单做个分析。一、氮化镓
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷（低电容）、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件，以及分立氮化镓的典型开关频率（65kHz）相比，集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
的系统级解决方案，其市场潜力刚刚开始被关注。氮化镓如今被定位成涵盖了从无线基站到射频能量等商业射频领域的主流应用，它从一项高深的技术发展为市场的中流砥柱，这一发展历程融合了多种因素，是其一致发挥作用的结果
2017-08-15 17:47:34
的关键时刻。硅基氮化镓相比于LDMOS技术的性能优势已经过验证，这推动了其在最新一代4G LTE基站中广泛应用，并使其定位为最适合未来5G无线基础设施的实际促技术，其轰动性市场影响可能会远远超出手机连接领域
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关？氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计？
2021-06-17 10:56:45
。
与硅芯片相比：
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而，虽然 GaN 似乎是一个更好的选择，但它
2023-08-21 17:06:18
，只应用在高端充电器上。一些小功率的，高性价比的充电器无法享受到氮化镓性能提升所带来的红利。目前，国内已经有多家厂商推出了用于33-100W大功率充电器的合封芯片，通过将氮化镓开关管，控制器以及驱动器
2021-11-28 11:16:55
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术，瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
，尤其是2010年以后，MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场，如今的MACOM拥有包括氮化镓（GaN）、硅锗（SiGe）、磷化铟（InP）、CMOS、砷化镓等技术，共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
场景1▲图3：测试场景2测试结果1.Vgs控制电压5.1V左右，信号光滑无任何畸变；2.上管关断瞬间负冲0.5V左右，在氮化镓器件安全范围；3.下管关断瞬间引起的负冲在2.2V左右，在氮化镓器件安全
2023-01-12 09:54:23
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作电压和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件
2021-03-30 11:14:59
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-600H-R为S波段雷达应用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作电压和高达120µsec脉冲宽度的脉冲条件
2021-03-30 11:24:16
模拟和 GaN 逻辑的全功能 650V GaN 功率 IC 于 2016 年和 2017 年以单开关 v 和半桥 vi 格式推出，如图 2 所示。文章全部详情，请加V获取：hlknch
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化镓（GaN-on-Si）。这两种突破性技术都在电动汽车市场中占有一席之地。与Si IGBT相比，SiC提供更高的阻断电压、更高的工作温度（SiC-on-SiC）和更高的开关
2018-07-19 16:30:38
极限。而上限更高的氮化镓，可以将充电效率、开关速度、产品尺寸和耐热性的优势有机统一，自然更受青睐。
随着全球能量需求的不断增加，采用氮化镓技术除了能满足能量需求，还可以有效降低碳排放。事实上，氮化镓
2023-06-15 15:47:44
度为1.1 eV，而氮化镓的禁带宽度为3.4 eV。由于宽禁带材料具备高电场强度，耗尽区窄短，从而可以开发出载流子浓度非常高的器件结构。例如，一个典型的650V横向氮化镓晶体管，可以支持超过800V
2023-06-15 15:53:16
目前，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等“WBG（Wide Band Gap，宽禁带，以下简称为：WBG）”以及基于新型材料的电力半导体，其研究开发技术备受瞩目。根据日本环保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
行业标准，成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键，是创造出接近“理想开关”的电路构件，即一个能将最小能量的数字信号，转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。[color
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案，或者将遇到技术挫折归咎为芯片本身设计问题，尽管不排除芯片可能存在不适用的领域，但是大部分时候是应用层面的问题，和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓
2023-02-01 14:52:03
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但这个口不可以充电，它是用来转VGA,HDMI,DP之类了，可以外接显示器，拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品？
2021-06-15 06:30:55
半导体的优势，使用氮化镓开关管的保护板，具有更高的耐压，可为保护板提供更高的过电压保护能力。期待配套的保护芯片早日成熟，助推氮化镓锂电池保护应用，推出更轻、更高效的电池产品。原作者：充电头网编辑部充电头网
2023-02-21 16:13:41
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
镓器件大约在2015年推出市场，与具有相同导通电阻和额定电压的硅功率MOSFET相比，其价格更低 。从那时起，产量继续提升、氮化镓器件的价格持续下降、氮化镓技术不断改进和芯片进一步更小化。下图显示了
2023-06-25 14:17:47
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
氮化镓GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
，是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中，长期担任副总裁及更高级别的管理职位，并领导研发工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
RFMD公司推出氮化镓有线电视表面贴装功率倍增模块。RFCM2680 是业界首款专门针对有线电视网络的表面贴装氮化镓功率倍增模块。该器件同时采用了氮化镓 HEMT 和砷化镓 pHEMT 技术，可在
2011-11-16 10:06:461428 APEC 2022 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今天宣布推出内部集成750V PowiGaN™氮化镓开关
2022-03-22 12:44:091211 Power Integrations正式推出使用有源钳位的数字可编程反激式氮化镓开关IC，是适用广泛、高效，而且尺寸极小的产品系列。 11月15日，作为领先的USB PD设计及应用的革新者
2022-11-21 11:57:19546 
未来已来，氮化镓的社会经济价值加速到来。 本文介绍了镓未来和纳芯微在氮化镓方面的技术合作方案。 镓未来提供的紧凑级联型氮化镓器件与纳芯微隔离驱动器配合，隔离驱动器保证了异常工作情况下对氮化镓器件
2022-11-30 14:52:25859 
什么是氮化镓技术 氮化镓（GaN：Gallium Nitride）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子
2023-02-03 14:14:452595 和GaN为代表物质制作的器件具有更大的输出功率和更好的频率特性。 2、分类状况 氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓：碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势，适用于5G基站、卫星、雷达等领域；硅
2023-02-03 14:31:18959 氮化镓工艺技术是什么意思？ 氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度
2023-02-05 10:24:521509 氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲，为目前全球氮化镓外延片主流制备方法。
2023-02-05 14:50:005315 氮化镓是一种二元III/V族直接带隙半导体晶体，也是一般照明LED和蓝光播放器最常使用的材料。另外，氮化镓还被用于射频放大器和功率电子器件。氮化镓是非常坚硬的材料;其原子的化学键是高度离子化的氮化镓化学键，该化学键产生的能隙达到3.4 电子伏特。
2023-02-05 15:38:188124 
硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:334615 
硅基氮化镓是一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术，硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 16:44:263157 
氮化镓（GaN）主要是指一种由人工合成的半导体材料，是第三代半导体材料的典型代表， 研制微电子器件、光电子器件的新型材料。氮化镓技术及产业链已经初步形成，相关器件快速发展。第三代半导体氮化镓产业范围涵盖氮化镓单晶衬底、半导体器件芯片设计、制造、封测以及芯片等主要应用场景。
2023-02-07 09:36:561480 
硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-10 10:43:341716 
氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为
2023-02-12 17:32:163775 硅基氮化镓技术原理是指利用硅和氮化镓的特性，将其结合在一起，形成一种新的复合材料，以满足电子元件、电子器件和电子零件的制造要求。硅基氮化镓具有良好的热稳定性和电磁屏蔽性，可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件，而氮化镓则可以提供良好的电子性能和绝缘性能。
2023-02-14 14:46:581405 硅基氮化镓和蓝宝石基氮化镓都是氮化镓材料，但它们之间存在一些差异。硅基氮化镓具有良好的电子性能，可以用于制造电子元件，而蓝宝石基氮化镓具有良好的热稳定性，可以用于制造热敏元件。此外，硅基氮化镓的成本更低，而蓝宝石基氮化镓的成本更高。
2023-02-14 15:57:151719 氮化镓技术是谁突破的技术 作为支撑“新基建”建设的关键核心器件，氮化镓应用范围非常广泛，氮化镓在数据中心，新能源汽车等领域都有运用。那么这么牛的氮化镓技术是谁突破的技术？ 氮化镓技术是谁突破的技术
2023-02-16 17:48:444011 来源：《半导体芯科技》杂志12/1月刊 近年来，芯片材料、设备以及制程工艺等技术不断突破，在高压、高温、高频应用场景中第三代半导体材质优势逐渐显现。其中，氮化镓凭借着在消费产品快充电源领域的如
2023-02-17 18:13:202812 氮化镓可以取代砷化镓。氮化镓具有更高的热稳定性和电绝缘性，可以更好地抵抗高温和电磁干扰，因此可以替代砷化镓。
2023-02-20 16:10:1420361 这两款适配器，看似体积以及外形都差别不大，但是从原理出发确是天壤之别。今天，我们从原理出发剖析市面上氮化镓的功能以及参数。 右侧为氮化镓脱掉外衣的样子，那么！氮化镓氮化镓！到底是哪个电子元器件添加
2023-02-21 15:04:24
6 氮化镓纳米线是一种基于氮化镓材料制备的纳米结构材料，具有许多优异的电子、光学和机械性质，因此受到了广泛关注。氮化镓材料是一种宽禁带半导体材料，具有优异的电子和光学性质，也是氮化镓纳米线的主要材料来源。
2023-02-25 17:25:15956 日前，Power Integrations（PI）举办新品媒体线上沟通会，公司资深技术培训经理Jason Yan介绍了在美国APEC展（国际电力电子应用展）上发布的一款重要新品——900V氮化镓
2023-03-24 10:28:28881 氮化镓用途有哪些 氮化镓是一种半导体材料，具有优良的电学和光学性质，因此广泛用于以下领域： 1. 发光二极管(LED)：氮化镓是LED的主要工艺材料之一，可用于制造蓝、绿、白光LED，广泛应用于照明
2023-06-02 15:34:4610757 相对于传统的硅材料，氮化镓电源在高功率工作时产生的热量较少，因为氮化镓具有较低的电阻和较高的热导率。这意味着在相同功率输出下，氮化镓电源相对于传统的硅电源会产生较少的热量。
2023-07-31 15:16:237210 纳微半导体第四代高度集成氮化镓平台在效率、密度及可靠性要求严苛的大功率行业应用内树立新标杆
2023-09-07 14:30:151166 不，氮化镓功率器（GaN Power Device）与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件，它利用氮化镓材料的特性来实现高效率和高功率密度的电力应用。
2023-10-16 14:52:441128 随着科学技术的不断进步，充电技术也在发生着前所未有的变革，而随着其中，氮化镓充电头已成为人们关注的新热点。那么，氮化镓充电头的原理是什么呢？KeepTops将为您详细阐述氮化镓充电头的制作、工作原理及应用。
2023-10-20 16:04:062565 
氮化镓芯片的选用要从实际应用出发，结合实际使用场景，选择最合适的氮化镓芯片，以达到最佳的性能和效果。明确应用场景。首先要明确使用的具体场景，如音频、视频、计算还是其他应用场景。不同的场景对氮化镓芯片的性能和特点要求不同，因此在选择氮化镓芯片时，要充分考虑应用的场景。
2023-10-26 17:02:18695 采用了1250V的PowiGaN™开关技术。InnoSwitch™3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品
2023-10-31 11:12:52524 Power Integrations 近日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC采用了1250V的PowiGaN开关技术。InnoSwitch3-EP 1250V IC
2023-10-31 16:54:484228 新型PowiGaN开关为工业应用提供了巨大的裕量，在具有挑战性的电网环境中尤为重要。 Power Integrations发布了全球电压最高的单开关氮化镓(GaN)电源IC，采用1,250 V
2023-11-02 17:21:001042 氮化镓充电器伤电池吗？氮化镓充电器怎么选？ 氮化镓（GaN）充电器被广泛认为是下一代充电器技术的关键。与传统充电器相比，氮化镓充电器具有很多优势，比如高效率、高功率密度和小尺寸等。然而，有些人担心
2023-11-21 16:15:274245 氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点 氮化镓芯片和硅芯片区别 氮化镓芯片是一种用氮化镓物质制造的芯片，它被广泛应用于高功率和高频率应用领域，如通信、雷达、卫星通信、微波射频等领域。与传统的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:305676 的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下，产生紫光(405nm)激光。 GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为17
2023-11-24 11:05:112706 氮化镓是什么材料提取的 氮化镓是一种新型的半导体材料，需要选用高纯度的金属镓和氨气作为原料提取，具有优异的物理和化学性能，广泛应用于电子、通讯、能源等领域。下面我们将详细介绍氮化镓的提取过程和所
2023-11-24 11:15:202675 氮化镓功率器和氮化镓合封芯片在快充市场和移动设备市场得到广泛应用。氮化镓具有高电子迁移率和稳定性，适用于高温、高压和高功率条件。氮化镓合封芯片是一种高度集成的电力电子器件，将主控MUC、反激控制器、氮化镓驱动器和氮化镓开关管整合到一个...
2023-11-24 16:49:22791 氮化镓开关管是一种新型的半导体器件，适用于高频高压控制信号的开关应用。它由四个电极组成，包括栅极（G，Gate）、源极（S，Source）、漏极（D，Drain）和衬底（B，Body）。 首先，我们
2023-12-27 14:39:181009 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:412783 氮化镓技术（GaN技术）是一种基于氮化镓材料的半导体技术，被广泛应用于电子设备、光电子器件、能源、通信和国防等领域。本文将详细介绍氮化镓技术的用途和应用，并从不同领域深入探讨其重要性和优势。 一
2024-01-09 18:06:361628 应用领域具有很大的潜力。 以下是一些常见的氮化镓MOS管型号： EPC2001：EPC2001是一种高性能非晶硅氮化镓MOS管，具有低导通电阻、高开关速度和优秀的热特性。它适用于电源转换器、锂电池充电器和无线充电应用等领域。 EPC601：EPC601是一种低电阻非晶硅氮化镓
2024-01-10 09:32:151969 氮化镓是一种重要的半导体材料，属于六方晶系晶体。在过去的几十年里，氮化镓作为一种有着广泛应用前景的材料，受到了广泛关注和研究。本文将会详尽地介绍氮化镓的晶体结构、性质以及应用领域。 首先，我们来介绍
2024-01-10 10:03:213380 氮化镓（GaN）是一种重要的宽禁带半导体材料，其结构具有许多独特的性质和应用。本文将详细介绍氮化镓的结构、制备方法、物理性质和应用领域。 结构： 氮化镓是由镓（Ga）和氮（N）元素组成的化合物。它
2024-01-10 10:18:332943 氮化镓不是充电器类型，而是一种化合物。 氮化镓（GaN）是一种重要的半导体材料，具有优异的电学和光学特性。近年来，氮化镓材料在充电器领域得到了广泛的应用和研究。本文将从氮化镓的基本特性、充电器的需求
2024-01-10 10:20:29872 本文要点氮化镓是一种晶体半导体，能够承受更高的电压。氮化镓器件的开关速度更快、热导率更高、导通电阻更低且击穿强度更高。氮化镓技术可实现高功率密度和更小的磁性。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是两种
2024-07-06 08:13:18728 
景和技术需求。 氮化镓（GaN）的优势 高频与高效率 ：氮化镓具有高电子迁移率和低电阻率，使得它在高频和高功率应用中表现出色。例如，在5G通信、雷达系统、卫星通信等需要高频工作的领域，氮化镓器件能够提供更高的工作频率和更大的
2024-09-02 11:37:161369
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