众所周知，氮化镓功率器件为电力电子系统提高频率运行，实现高功率密度和高效率带来可能。然而，在高频下需要对EMI性能进行评估以满足EMC法规（例如EN55022 B类标准）要求。
2023-10-16 14:32:45
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与所有Microchip 的GaN射频功率产品一样，新器件采用碳化硅基氮化镓技术制造，提供了高功率密度和产量的最佳组合，可在高压下运行，255℃结温下使用寿命超过100万小时。
2021-12-02 14:09:211490 
本文提出了一种超高效率、高功率密度的功率因数设计校正(PFC)和非对称半桥(AHB)反激变换器140w PD3.1适配器应用程序。在升压PFC设计中，采用了GaNSense功率ic，以实现更高的频率
2023-06-16 08:06:45
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力，甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
效率和功率密度。GaN功率晶体管作为一种成熟的晶体管技术在市场上确立了自己的地位，但在软开关应用中通常不被考虑使用。虽然在硬开关应用中使用GaN可以显著提高效率，但软开关转换器（如LLC）对效率和频率
2023-02-27 09:37:29
桥式拓扑结构中放大了氮化镓的频率、密度和效率优势，如主动有源钳位反激式（ACF）、图腾柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。随着硬开关拓扑结构向软开关拓扑结构的转变，初级 FET 的一般损耗方程可以被最小化。更新后的简单方程使效率在 10 倍的高频率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast™ 功率芯片，可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量节约方面，它最高能节约 40% 的能量。
更快：氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
功率晶体管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高压和高开关频率条件下提供高功率效率，从而远远超过硅MOSFET产品。 GaN可以为您做什么 根据应用的不同，高效率的高频开关可以将功率模块的尺寸缩小
2018-11-20 10:56:25
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-08-06 07:20:51
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率晶体管的引入，氮化镓器件市场发生了巨变;塑料封装氮化镓器件可以成为陶瓷封装氮化镓器件经济高效的替代品，并成为实现新一代高功率超小型功率模块的关键所在。塑料封装、大功率氮化镓器件使设计人员能够
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
（如处理器）。具有高输入至输出电压比的开关模式功率转换器的效率较低。这些电源管理模块通常涉及多个转换阶段。从中间的54/48伏总线直接转换到处理器内核电压可以降低成本并提高效率。氮化镓凭借其独特的开关
2019-03-14 06:45:11
采用集成反激式控制器的PoE应用的高功率，高效率，三输出功率器件
2019-05-20 07:37:00
描述 PMP11328 是高功率密度 30A PMBus 电源，满足基站远程射频单元 (RRU) 应用的 Xilinx Ultrascale+ ZU9EG FPGA 内核电压轨电源规格。该电源在
2022-09-27 06:47:49
传统变压器介绍高功率密度变压器的常见绕组结构
2021-03-07 08:47:04
功率密度在现代电力输送解决方案中的重要性和价值不容忽视。为了更好地理解高功率密度设计的基本技术，在本文中，我将研究高功率密度解决方案的四个重要方面：降低损耗最优拓扑和控制选择有效的散热通过机电元件
2022-11-07 06:45:10
%的紧凑型电子变压器。 这种紧凑型变压器的设计，首先遇到的问题是要在高功率密度和高效率两者间作折衷选择，其研制出的主要技术是使用铜箔交叠的平面绕组结构，以增加铜箔密度的方法减小在高频(MHz级
2016-01-18 10:27:02
，对通信电源产品提出了高效率、高功率密度的客观要求。同时新型高性能器件的不断涌现与和软开关技术的出现，客观上也为通信电源的高效率，高功率密度设计提供了可能性。本文主要介绍了一台1.8KW的高效率通信
2011-03-10 11:00:12
能量轉換元件如變壓器、儲能元件如電感及電容，達到高效率、高功率密度的要求。為求簡便，本文以下稱之電源轉換技術。電源轉換技術的發展著重在達到高功率密度及高轉換效率，即為所謂的「輕、薄、短、小」。電源轉換
2018-12-05 09:48:34
射频功率放大器被广泛应用于各种无线通信设备中。在通讯基站中，线性功放占其成本比例约占1／3。高效率，低成本的解决功放的线性化问题显得非常重要。因此高效率高线性的功放一直是功放研究的热门课题。
2019-09-17 08:08:11
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 该GaN内部匹配（IM）FET与其他技术相比，具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
集成在一颗芯片中。合封的设计消除了寄生参数导致的干扰，并充分简化了氮化镓器件的应用门槛，像传统集成MOS的控制器一样应用，得到了很高的市场占有率。钰泰半导体瞄准小功率氮化镓合封应用的市场空白，推出
2021-11-28 11:16:55
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势，并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容，在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
克服了上述问题，可实现高功率密度、高效率 (达 99%) 的解决方案。这款固定比例、高电压、高功率开关电容器控制器内置 4 个 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器，用于驱动外部功率 MOSFET，以
2018-10-31 11:26:48
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
不同，MACOM氮化镓工艺的衬底采用硅基。硅基氮化镓器件既具备了氮化镓工艺能量密度高、可靠性高等优点，又比碳化硅基氮化镓器件在成本上更具有优势，采用硅来做氮化镓衬底，与碳化硅基氮化镓相比，硅基氮化镓晶元尺寸
2017-09-04 15:02:41
的设计和集成度，已经被证明可以成为充当下一代功率半导体，其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计，如果全球采用硅芯片器件的数据中心，都升级为使用氮化镓功率芯片器件，那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
，在半桥拓扑结构中结合了频率、密度和效率优势。如有源钳位反激式、图腾柱PFC和LLC。随着从硬开关拓扑结构到软开关拓扑结构的改变，初级FET的一般损耗方程可以最小化，从而提升至10倍的高频率。
氮化镓功率芯片前所未有的性能表现，将成为第二次电力电子学革命的催化剂。
2023-06-15 15:53:16
什么是功率密度？功率密度的发展史如何实现高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
包含关键的驱动、逻辑、保护和电源功能，消除了传统半桥解决方案中相关的能量损失、成本过高和设计复杂的问题。
纳微推出的世界上首款氮化镓功率芯片同时能提供高频率和高效率，实现了电力电子领域的高速革命
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证，特推出“氮化镓系列”，告诉大家什么是氮化镓（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
，这种架构需要相应的射频收发单元阵列配套，因此射频器件的数量将大为增加，器件的尺寸大小很关键，利用GaN的尺寸小、效率高和功率密度大的特点可实现高集化的解决方案，如模块化射频前端器件。[color
2019-07-08 04:20:32
组件连手改变电力电子产业原本由硅组件主导的格局。氮化镓材料具有低Qg、Qoss与零Qrr的特性，能为高频电源设计带来效率提升、体积缩小与提升功率密度的优势，因此在服务器、通讯电源及便携设备充电器等领域
2021-09-23 15:02:11
描述 PMP20978 参考设计是一种高效率、高功率密度和轻量化的谐振转换器参考设计。此设计将 390V 输入转换为 48V/1kW 输出。PMP20637 功率级具有超过 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
功率密度本设计实现35W/in3功率密度，满载94.5%效率@ 90Vac，并通过CE和RE标准足够的保证金。
2023-06-16 09:04:37
实现功率密度非常高的紧凑型电源设计的方法
2020-11-24 07:13:23
合理开关损耗的同时，提升功率密度和瞬态性能。传统上，GaN器件被封装为分立式器件，并由单独的驱动器驱动，这是因为GaN器件和驱动器基于不同的处理技术…
2022-11-16 06:23:29
两年多前，德州仪器宣布推出首款600V氮化镓（GaN）功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率，且易于设计，带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起，我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
功率密度计算解决方案实现高功率密度和高效率。
误解2：氮化镓技术不可靠
氮化镓器件自2010年初开始量产，而且在实验室测试和大批量客户应用中,氮化镓器件展现出具备极高的稳健性。EPC器件已经通过数千亿个
2023-06-25 14:17:47
整个寿命周期成本时，逐步减少能量转换过程中的小部分损失并不一定会带来总体成本或环境效益的大幅提升。另一方面，将更多能量转换设备集成到更小的封装中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工厂或数据中心
2020-10-27 10:46:12
怎样去设计一种高效率音频功率放大器？如何对高效率音频功率放大器进行测试验证？
2021-06-02 06:11:23
、设计和评估高性能氮化镓功率芯片方面，起到了极大的贡献。
应用与技术营销副总裁张炬（Jason Zhang）在氮化镓领域工作了 20 多年，专门从事高频、高密度的电源设计。他创造了世界上最小的参考设计，被多家头部厂商采用并投入批量生产。
2023-06-15 15:28:08
解决方案，累计近100家客户选用了茂睿芯的氮化镓解决方案。致力于为客户提供最优解，进一步提高PD快充的功率密度，提高GaN系统可靠性，茂睿芯重磅推出33W集成氮化镓PD方案MK2787/MK2788，集成
2021-11-12 11:53:21
IR推出高效率氮化镓功率器件
目前，硅功率器件主要通过封装和改善结构来优化性能提升效率，不过随着工艺技术的发展这个改善的空间已经不大了
2010-05-10 17:50:571131 RFMD公司推出氮化镓有线电视表面贴装功率倍增模块。RFCM2680 是业界首款专门针对有线电视网络的表面贴装氮化镓功率倍增模块。该器件同时采用了氮化镓 HEMT 和砷化镓 pHEMT 技术，可在
2011-11-16 10:06:461430 在电路板尺寸不断缩小的新一代服务器和电信系统供电应用中，提高效率和功率密度是设计人员面临的重大挑战。为了应对挑战，飞兆半导体研发了智能功率级（SPS）模块系列——下一代超紧凑的集成了MOSFET
2013-11-14 16:57:012117 包括：高功率密度、宽频性能、高功率处理阅读下面的氮化镓的十个重要事实，真正了解这个在我 们的工作和生活中发挥重要作用的关键技术。 关于氮化镓的十个重要事实： 一、氮化镓器件提供的功率密度比砷化镓器件高十倍。由于氮化镓器件的功率密度
2017-11-08 15:24:21
7 功率行波管的发展走过了70年的历程，具有宽频带、高功率、高效率等特点，是现代雷达通信电子战等系统的核心元器件，并不断地推动系统向高频率、高功率、集成化、一体化发展。
2018-05-25 09:52:004071 
东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET，新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求高效率的年代，还有什么是高效率不能解决的呢？
2018-09-13 15:54:155321 金脉新一代高功率密度电机控制器，采用英飞凌Aurix TC275作为主控芯片，功能安全监控芯片采用英飞凌TLF35584QVVS1，驱动适配英飞凌HP Drive模块，预驱芯片采用英飞凌1ED2002AS，采用松下的三合一电流传感器和DC Link电容器。
2019-09-23 16:02:586623 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力在电子商务网站上供应这款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:383111 近日，氮化镓射频及功率器件项目桩基开工。这个项目总投资25亿元，占地111.35亩，分两期实施，全部达产后预计实现年销售30亿元以上，可进一步推动嘉兴集成电路新一代半导体产业。
2020-07-06 08:46:052025 功率密度在现代电力输送解决方案中的重要性和价值不容忽视。 为了更好地理解高功率密度设计的基本技术，在本文中，我将研究高功率密度解决方案的四个重要方面： 降低损耗 最优拓扑和控制选择 有效的散热 通过
2020-10-20 15:01:15843 高效率高功率密度电力电子技术及案例分析
2021-07-22 09:59:285 氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技术的智能GaNFast功率芯片已升级以提高效率和功率密度，将加速进入更多类型的快充市场。
2022-05-05 10:32:561803 功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。
2022-05-31 09:47:062322 
提高功率密度的路线图从降低传导动态损耗开始。与碳化硅相比，氮化镓可以显着降低动态损耗，因此可以降低整体损耗。因此，这是未来实现高功率密度的一种方法。
2022-07-26 10:18:46653 (MOSFET)，因为它能够驱动更高的功率密度和高达 99% 的图腾柱功率因数校正 (PFC) 效率。但由于其电气特性和它所支持的性能，使用 GaN 进行设计面临着与硅甚至其他宽带隙技术（如碳化硅）不同的一系列挑战。
2022-07-29 14:06:521087 
提高功率密度的路线图从降低传导动态损耗开始。氮化镓甚至比碳化硅更能显着降低动态损耗，从而降低整体损耗。因此，这是未来实现高功率密度的一种方法。 第二个参数是整个逆变器堆栈的厚度；具有扁平薄型逆变器
2022-08-03 10:16:55880 、高可靠性和稳健性以及改进的热管理。由于这些特性，在电源电路中使用这些组件可以显着提高效率和功率密度，从而降低解决方案的成本和尺寸。 WolfPACK 是 Wolfspeed 最近向市场推出的功率模块系列，是希望提高电路效率和功率密度同时保持非常小的
2022-08-04 10:39:391392 
基于氮化镓技术 (GaN) 的功率开关器件现已量产，并在实际功率应用中提供高效率和功率密度。本文将探讨如何使用 GaN 技术实施高功率解决方案，并提供应用示例，展示 GaN 器件如何在超过 600 伏的电压下也能有效工作。
2022-08-09 08:02:132067 
电子发烧友网站提供《240W高功率密度高效LLC电源.zip》资料免费下载
2022-08-09 14:21:5453 电子发烧友网站提供《具有高电压GaN FET的高效率和高功率密度1kW谐振转换器设计.zip》资料免费下载
2022-09-07 11:30:0510 用氮化镓重新考虑功率密度
2022-11-01 08:27:301 氮化镓（GaN）功率半导体技术为提高射频/微波功率放大的性能水平做出了巨大贡献。通过减少器件的寄生元件、使用更短的栅极长度和使用更高的工作电压，GaN晶体管达到了更高的输出功率密度、更宽的带宽和更高的DC-RF效率。
2023-01-23 10:13:00990 
功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。
2023-02-06 14:24:201663 
氮化镓功率器件是一种用于控制电子设备功率的器件，它可以提供高效率、低噪声和高稳定性的功率控制。它们可以用于控制电源、电池充电器、电源管理系统、电源调节器、电源滤波器等应用。
2023-02-19 17:20:488502 
领导者纳微半导体（Navitas Semiconductor）（纳斯达克股票代码：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路，
进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性，同时增加了
2023-02-22 13:48:053 在电源领域掀起了翻天覆地的变革。 为简化电路设计，加强器件可靠性，降低系统成本，纳微半导体基于成功的GaNFast™氮化镓功率芯片及先进的GaNSense™技术，推出新一代GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片，进一步加速氮化镓市场普及
2023-03-28 13:58:021382 
交通应用中电气化的趋势导致了高功率密度电力电子转换器的快速发展。高开关频率和高温操作是实现这一目标的两个关键因素。
2023-03-30 17:37:531162 合封氮化镓芯片是一种新型的半导体器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等优点。与传统的半导体器件相比，合封氮化镓芯片采用了全新的封装技术，将多个半导体器件集成在一个芯片上，使得器件的体积更小、功率
2023-04-11 17:46:231753 在功率器件领域，除了围绕传统硅器件本身做文章外，材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如，在谈论功率密度时，GaN（氮化镓）凭借零反向复原、低输出电荷和高电压转换率等突出优势，能够帮助厂商大幅提升系统密度，而另一种主流的宽带隙半导体材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳选择。
2023-05-18 10:56:271145 
-第79期-SILERGYGaNSolution氮化镓技术的出现，通过降低开关损耗和导通阻抗，提高效率，降低发热，减小了快充充电器的体积。为了实现更高的功率密度并降低外围器件数量，矽力杰自主研发
2022-09-29 10:54:141938 
氮化镓功率器件具有较低的导通阻抗和较高的开关速度，使其适用于高功率和高频率应用，如电源转换、无线通信、雷达和太阳能逆变器等领域。由于其优异的性能，氮化镓功率器件在提高功率密度、提高系统效率和减小尺寸方面具有很大的潜力。
2023-08-24 16:09:153139 氮化镓功率器以氮化镓作为主要材料，具有优异的电特性，例如高电子迁移率、高饱和漂移速度和高击穿电场强度。这使得氮化镓功率器具有低导通电阻、高工作频率和高开关速度等优势，能够在较小体积下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56554 氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构
2023-09-19 14:50:347499 
提高效率既是行业的关键性挑战，也是创新驱动力。社会需求的压力和相关法规都在要求提高电源转换和控制的效率。对于一些应用来说，电源转换效率和功率密度是赢得市场的关键。主要例子包括汽车电气化趋势、高压
2023-09-25 08:17:54787 
效率及功率密度，解锁降低整体系统成本的密码，相较硅、碳化硅 (SiC)、甚至其他氮化镓产品，提供更高的成
2023-09-28 09:28:32442 在当今的高科技社会中，氮化镓（GaN）功率器件已成为电力电子技术领域的明星产品，其具有的高效、高频、高可靠性以及高温工作能力等优势在众多领域得到广泛应用。然而，为了确保氮化镓功率器件的性能和可靠性，制定一套科学、规范的测试方案至关重要。
2023-10-08 15:13:231076 
不，氮化镓功率器（GaN Power Device）与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件，它利用氮化镓材料的特性来实现高效率和高功率密度的电力应用。
2023-10-16 14:52:441173 功率半导体冷知识：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45722 
氮化镓（GaN）功率器件具有高击穿场强、高热导率、低导通和开关损耗、射频功率放大器、直流至直流（DC-DC）变换器、薄膜和二维GaN器件、高电子迁移率等特点，用于制造高频、高功率密度和高效率的功率电子器件
2023-12-06 10:04:03816 
氮化镓具有优异的材料特性，例如宽带隙、高击穿场强和高功率密度等。氮化镓器件在高频率、高效率、高功率等应用中具有广阔的应用前景。
2023-12-09 14:45:35955 
、射频和光电子等领域，能够提供高效、高性能的功率转换和信号放大功能。 GaN MOS管驱动芯片具有以下特点： 高功率密度：与传统硅基材料相比，氮化镓材料具有更高的击穿电场强度和电导率。这使得GaN MOS管驱动芯片能够承受更高的功率密度，并提供更
2023-12-27 14:43:231857 氮化镓功率器件是一种新型的高频高功率微波器件，具有广阔的应用前景。本文将详细介绍氮化镓功率器件的结构和原理。 一、氮化镓功率器件结构 氮化镓功率器件的主要结构是GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率
2024-01-09 18:06:412944 珠海镓未来科技有限公司是行业领先的高压氮化镓功率器件高新技术企业，致力于第三代半导体硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 研发与产业化。
2024-04-10 18:08:091235 
成为市场上的新势力。通常，氮化镓充电器具有高效率、高功率密度、节能环保、热量控制优秀、便携性强、体积小、重量轻、充满电时间短等优点，很多高端电子产品配置了氮化镓快充。本期，合科泰从氮化镓快充产品内部结构和工作原理，给大家讲解分立器件在45W氮化镓快充产品中的应用。
2024-09-12 11:21:26390 
先进的无线功率解决方案，为各行各业开辟解决功率难题的新途径。 英飞凌CoolGaN™ GS61008P 此次合作将英飞凌的先进氮化镓（GaN）技术与AWL-E创新的兆赫级电容耦合谐振式功率传输系统相结合，实现了行业领先的无线功率效率。 英飞凌的GaN晶体管技术具有极高的效率和功率密度，而且可在
2024-10-29 17:50:25173 
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