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新IP将闪存与EEPROM元件相结合，增强数据保持能力，具备同类最佳的运行可靠性
中国北京，2024年12月5日——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布一项非易失性存储领域的重大创新。该创新利用X-FAB同类最佳的SONOS技术：基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台，X-FAB可为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量嵌入式闪存IP，并配备额外的4Kbit EEPROM。此外，从2025年起，X-FAB还计划推出更大容量的64KByte、128KByte闪存以及更大存储空间的EEPROM。
通过采用独特的方法，将闪存和EEPROM元件都置于单个宏单元内，并共享必要的控制电路。这意味着使用更简单的布局从而减少组合元件的总体占用面积，并为支持Grade-0，175°C的32KBytes存储解决方案设定了新的行业基准。
该嵌入式闪存为客户带来市场上最先进的数据访问能力，能够在整个-40°C至175°C温度范围内读取数据，而EEPROM也能在高达175°C的温度下写入数据。EEPROM适用于需要频繁写入数据的应用，可提高闪存的耐用性与灵活性；它还可以有效地充当缓存，在工作条件不适合写入闪存时将数据编程至EEPROM，然后当温度降至125°C以下时再写入闪存。得益于出色的稳健性、持续的数据存储完整性和显著的空间节省，该IP旨在满足汽车、医疗和工业应用的需求。
这款新型NVM组合IP采用64位总线，闪存元件采用8位ECC，EEPROM元件采用14位ECC，这使得集成该IP所部署的器件实现零PPM误差性能。用于轻松访问存储器和DFT的专用电路可大幅缩短测试时间，并将相关成本降至最低。如有需要，X-FAB还可提供BIST模块和测试服务。
“通过这款采用我们专有SONOS技术的新型NVM IP，X-FAB实现了最高水准的可靠性。这一IP将为我们客户的嵌入式系统提供一流的数据保持能力和温度稳定性。”X-FAB NVM开发总监Thomas Ramsch介绍说，“通过将闪存和EEPROM两种不同的NVM元件集成到单个宏单元上，我们现在可以构建一种能够应对最严苛的工作情况的嵌入式数据存储解决方案。”
“凭借更小的占用空间和更快的访问速度，我们的NVM组合IP将在高逻辑密度应用的开发中发挥关键作用。”X-FAB NVM解决方案技术营销经理Nando Basile补充道，“这将使下一代智能传感器和执行器CPU系统设计无论是在ARM或RISC-V等成熟CPU架构上，还是在客户的专有设计中具备更广泛的功能范围。”
缩略语：
BCD Bipolar-CMOS-DMOS ：双极型晶体管-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体
NVM Non-Volatile-Memory：非易失性存储
BIST Build-In Self-Test：内建自测试
DFT Design for Testability：可测性设计
ECC Error Checking and Correcting：错误检查和纠正
EEPROM 带电可擦可编程只读存储器
PPM 百万分率
SOI 绝缘体上硅
SONOS Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅
X-FAB推出基于其110nm车规BCD-on-SOI技术的嵌入式数据存储解决方案
- 存储(85723)
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x-fab推出了最新版本的产品，扩大了spad产品的选择范围，提高了解决近红外线功能重要的新应用领域的能力。这些新应用包括飞行时间感知、车辆lidar影像、生物光学和flim研究工作以及医疗领域的各种相关活动。
2023-11-21 10:47:26989
989X-FAB推出新的XIPD工艺,实现全集成紧凑射频系统设计
模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries公司宣布，新增集成无源器件（IPD）制造能力，最新推出XIPD工艺，进一步增强其在射频领域的广泛实力。
2023-11-21 17:03:00818
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佰维存储发布了工规级宽温LPDDR4X嵌入式存储芯片
近日，佰维存储发布了工规级宽温LPDDR4X嵌入式存储芯片，该产品传输速率高达4266Mbps，容量覆盖2GB~8GB，可适应-40℃~95℃宽温工作环境；
2024-05-06 10:06:19519
519佰维存储推出工规级宽温LPDDR4X嵌入式存储芯片
近日，佰维存储重磅推出了工规级宽温LPDDR4X嵌入式存储芯片。这款芯片凭借其出色的性能，传输速率飙升至4266Mbps，同时容量灵活多变，从2GB到8GB均可选择。令人瞩目的是，它能在极端温度条件下稳定运行，适应-40℃至95℃的宽广温度范围。
2024-05-06 15:47:25504
504佰维存储发布工规级宽温LPDDR4X嵌入式存储芯片
在工业领域对高性能存储需求日益增长的背景下，佰维存储近日重磅推出了其全新的工规级宽温LPDDR4X嵌入式存储芯片。这款芯片以其卓越的性能和广泛的适用性，再次刷新了工业存储领域的标准。
2024-05-11 14:34:24858
858X-FAB更新XP018高压CMOS半导体制造平台
全球知名的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries宣布了一项重要更新。公司对其XP018高压CMOS半导体制造平台进行了全面升级，推出了全新的40V和60V高压基础器件。
2024-05-23 10:38:09488
488X-FAB为其CMOS传感器工艺平台引入背照技术
来源：《半导体芯科技》杂志 模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries宣布，其光学传感器产品平台再添新成员——为满足新一代图像传感器性能的要求，X-FAB现已在其备受
2024-05-29 16:27:11369
369X-Fab与Soitec携手推进碳化硅功率器件生产
近日，纯晶圆代工厂X-Fab与Soitec宣布将开展深度合作，共同推动碳化硅（SiC）功率器件的生产。此次合作将依托X-Fab位于德克萨斯州拉伯克的工厂，利用Soitec的SmartSiC技术生产碳化硅功率器件。
2024-05-30 11:39:20550
550EVASH Ultra EEPROM：助力ChatGPT等AI应用的嵌入式存储解决方案
EVASH Ultra EEPROM：助力ChatGPT等AI应用的嵌入式存储解决方案
2024-06-26 18:13:54864
864X-FAB推出四款新型高性能光电二极管
全球领先的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（简称“X-FAB”）宣布，在其专为光学传感器优化的180nm CMOS半导体工艺平台XS018上，成功推出了四款新型
2024-10-11 17:27:02678
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