创新封装将功率MOSFET散热效率提升80％

创新封装将功率MOSFET散热效率提升80%

　　德州仪器 (TI) 公司采用创新的封装技术，面向高电流DC/DC应用，推出5款目前业界首个采用封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET （金属氧化物半导体场效应体晶管）产品系列。

　　TI中国区电源产品业务拓展工程师吴涛表示，此次推出的5款DualCool NexFET 功率 MOSFET产品的突出特点是，在标准封装尺寸下，能够显著降低上表面和下表面热阻，实现双面冷却的效果。将散热效率提升 80%、并可将MOSFET允许电流提高 50%。

　　吴涛介绍说，DualCool NexFET功率 MOSFET 的主要特性和优势表现为：一、作为单相35A 同步降压转换器的 MOSFET，采用一个 MOSFET 即可满足高电流 DC/DC 应用中的高、低侧两种开关需求；二、增强型封装技术可将封装顶部热阻从10°C/每瓦 ~ 15°C/每瓦降至1.2°C/每瓦，从而将该封装所能承受的功耗提升80%；三、高效的双面散热技术可将允许通过 FET 的电流提高 50%，设计人员无需增加终端设备尺寸，即可高度灵活地使用需要更高电流驱动的处理器；四、业界标准 5 mm×6mm SON 封装可简化设计、降低成本，与使用两个标准5mm×6mm封装相比，可节省30mm2的空间。

　　另据了解，TI不久前收购了总部位于宾夕法尼亚州伯利恒的高频率高效率电源管理半导体领先设计商 CICLON 半导体器件公司。吴涛告诉记者，CICLON公司面向重要的节能市场具有一流的MOSFET IP,在节能、高效和电源系统设计方面有独特的创新技术，采用 CICLON 业界先进电源管理技术的设计人员可将电源系统的工作频率进行倍频，实现高达 90% 以上的效率，而封装外形则比当前电源缩减了20%。该公司名为NexFET 的MOSFET 技术，比传统的平面构造和沟道构造的MOSFET来讲，可通过大幅减少栅极电荷，降低导通电阻，在同样单位面积情况下，可增加MOSFET密度，从而达到节能的效果。

　　TI的高性能模拟产品和电源管理产品居业界领先地位，此次收购CICLON公司，将为TI敲开高电流功率 MOSFET 领域的大门。吴涛说，TI以前的TAM仅为1.50美元价值，收购了CICLON后，特别是进入低压FET领域，TI就可以提供一个整体的解决方案，其TAM会增加到4.50美元。业界分析人员认为该市场前景有望达到数 10 亿美元。