65W氮化镓电源原理图
2022-10-04 22:09:30
芯片业务注入上市公司。三安光电子公司湖南三安致力于第三代化合物半导体碳化硅及氧化镓材料、外延、芯片及封装的开发。南大光电在互动平台表示,公司三甲基镓产品可以作为生产氧化镓的原材料。
2023-03-15 11:09:59
甲基三苯基硅烷 IOTA 5803中文名称:甲基三苯基硅烷英文名称:Methyltriphenylsilane英文别名:Silane, methyltriphenyl-; methyl
2017-08-03 14:07:16
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓(GaN)高电子迁移率基于晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术,瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
`作为一家具有60多年历史的公司,MACOM在射频微波领域经验丰富,该公司的首款产品就是用于微波雷达的磁控管,后来从真空管、晶体管发展到特殊工艺的射频及功率器件(例如砷化镓GaAs)。进入2000年
2017-09-04 15:02:41
测试背景地点:国外某知名品牌半导体企业,深圳氮化镓实验室测试对象:氮化镓半桥快充测试原因:因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管,需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头:麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
由于换了三星手机,之前的充电器都不支持快充了,一直想找一款手机电脑都能用的快充充电器,「倍思GaN2 Pro氮化镓充电器」就是这样一款能满足我的充电器,这篇文章就来说下这款充电器的选购过程
2021-09-14 08:28:31
、TMGa(三甲基镓)和TMin(三甲基铟)分别用作As、P、Ga 和In 的来源。氢气用作载气,反应器中的总压力为5kPa。外延层在 560°C 下制备,生长速率为 0.6 µm/hr。层的厚度范围从
2021-07-09 10:23:37
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以说氮化镓拥有宽禁带特性(WBG)。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
处于领先地位。氮化镓功率半导体虽然适用性极高,但依然面临三项社会问题仅从物理特性来看,氮化镓比碳化硅更适合做功率半导体的材料。研究人员还将碳化硅与氮化镓的“Baliga特性指标(与硅相比,硅是1)相比
2023-02-23 15:46:22
氮化镓(GaN)功率芯片,将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上,能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化镓功率芯片,能令先进的电源转换拓扑结构,从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出“氮化镓系列”,告诉大家什么是氮化镓(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
氮化镓,由镓(原子序数 31)和氮(原子序数 7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
的应用[color=rgb(51, 51, 51) !important]激光雷达(LiDAR)使用镭射脉冲快速形成三维图像或为周围环境制作电子地图。氮化镓场效应相较MOSFET器件而言,开关速度快十倍,使得
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案,或者将遇到技术挫折归咎为芯片本身设计问题,尽管不排除芯片可能存在不适用的领域,但是大部分时候是应用层面的问题,和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓
2023-02-01 14:52:03
和分析,详细列举氮化镓与传统的MOSFET设计上的区别,PCB LAYOUT相关注意事项等。第三步:电路测试和优化技巧通过从低压到高压、从低频到高频、从控制信号到主电路工作、从开环到闭环等多方面的调试
2020-11-18 06:30:50
如何带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源,包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但这个口不可以充电,它是用来转VGA,HDMI,DP之类了,可以外接显示器,拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55
)、射频切换器(RF Switch)、手机及无线区域网路用功率放大器( PA )与雷达系统上。
砷化镓电晶体制程技术分为三类:
A.异质接面双极性电晶体(HBT)
B.应变式异质接面高迁移率电晶体
2019-05-27 09:17:13
OPPO公司分享了这一应用的优势,一颗氮化镓可以代替两颗硅MOS,体积更小、更节省空间,且阻抗比单颗硅MOS更低,可降低在此路径上的热量消耗,降低充电温升,提升充电的恒流持续时间。不仅如此,氮化镓有
2023-02-21 16:13:41
氮化镓完整方案有深圳市展嵘电子有限公司提供,包括45W、69W单口、多口全协议输出适配器,更有87W适配器+移动电源超级快充二合一方案。总有一款适合您。目前包括小米、OPPO、realme、三
2021-04-16 09:33:21
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
氮化镓(GaN)是一种全新的使能技术,可实现更高的效率、显着减小系统尺寸、更轻和于应用中取得硅器件无法实现的性能。那么,为什么关于氮化镓半导体仍然有如此多的误解?事实又是怎样的呢?
关于氮化镓技术
2023-06-25 14:17:47
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
镓在自然界中不以元素形式存在。它通常是在铝土矿加工成铝的过程中,或闪锌矿提炼为锌的过程中产生的副产品。因此镓的提取和精炼,碳足迹非常低。
镓每年产量超过 300 吨,预计全世界的存储量超过 100
2023-06-15 15:50:54
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域,随着技术的进步以及人们的需求,氮化镓产品已经走进了我们生活中,尤其在充电器中的应用逐步布局开来,以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能,被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力,甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了,氮化镓充电器看起来很小,但是功率一般很大,可以给手机平板,甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么,氮化镓充电器有哪些优点,下文简单做个分析。一、氮化镓
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷(低电容)、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件,以及分立氮化镓的典型开关频率(65kHz)相比,集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。
更快:氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
`从研发到商业化应用,氮化镓的发展是当下的颠覆性技术创新,其影响波及了现今整个微波和射频行业。氮化镓对众多射频应用的系统性能、尺寸及重量产生了明确而深刻的影响,并实现了利用传统半导体技术无法实现
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
从将PC适配器的尺寸减半,到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换,德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
封装技术的效率。三维散热是GaN封装的一个很有前景的选择。
生活更环保
为了打破成本和大规模采用周期,一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世纪四大发明之一,半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器,具有体积小、成本低、寿命长等优势,是应用最多的激光器类别。氮化镓激光器(LD)是重要的光电子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
氮化镓电源设计从入门到精通,这个系列直播共分为八讲,本篇第六讲将为您介绍EMC优化和整改技巧,助您完成电源工程师从入门到精通的蜕变。前期回顾(点击下方内容查看上期直播):- 第一讲:元器件选型
2021-12-29 06:31:58
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关?氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计?
2021-06-17 10:56:45
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时,GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗?
2024-01-11 07:23:47
使用的抛光供应。还有其他原料:高纯度金属镓,高纯三甲基镓等金属,三乙基镓,三甲基烟,三甲基铝,高纯气体氨,有机氮和氢的来源。一般需要的原料纯度超过6N的。包装材料,包括环氧树脂,ABS,PC机,降凝剂等
2011-05-03 00:29:27
间比较了三个二极管,标题比较如图1所示。数据比较表明,从正向导通性能的角度来看,硅和砷化镓的性能都更好,尤其是在高结温下。从开关角度来看,SiC具有明显更高的电容,但反向恢复时间基本上为零。问题是
2023-02-22 17:13:39
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
日前,在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告,与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗?然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模,有可能实现吗?求教ICCAP软件呢?
2019-11-29 16:04:02
请问一下VGA应用中硅器件注定要改变砷化镓一统的局面?
2021-05-21 07:05:36
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
了当时功率半导体界的一项大胆技术:氮化镓(GaN)。对于强大耐用的射频放大器在当时新兴的宽带无线网络、雷达以及电网功率切换应用中的使用前景,他们表达了乐观的看法。他们称氮化镓器件为“迄今为止最坚固耐用
2023-02-27 15:46:36
各位大神,目前国内卖铟镓砷红外探测器的有不少,知道铟镓砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生产的吗,坐等答案
2013-06-04 17:22:07
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
火腿中三甲胺含量快检仪深圳市芬析仪器制造有限公司生产的CSY-SSJ火腿中三甲胺含量快检仪可以快速检测火腿中三甲胺含量,根据GGB/T 18357-2008规定宣威火腿三甲胺含量<13mg/Kg
2022-05-24 21:04:09
以十六烷基三甲基溴化铵、十二胺为模板剂, 采用双模板法及均相沉淀法, 分别制备了介孔结构的SnO2.BET测试结果表明, 双模板法制备的介孔SnO2平均孔径、孔容和比表面积分别为4.9 n
2009-03-06 14:01:4424 以甲基丙烯酸丁脂(Bu) 和甲基丙烯酰羟乙基三甲基氯化铵(Q b) 聚合而成的高分子材料为敏感膜制成了石英谐振式湿敏元件。研究了不同材料配比、制备方法对器件的湿敏性能的影响
2009-07-13 11:48:0911 以自制的锐钛矿TiO:纳米晶为光催化剂,高压汞灯为光源,考察了亚甲基蓝溶液初始浓度、催化剂用量、pH值、0:和Fe¨等因素对其光催化降解的影响.结果表明,适宜的pH值为5.6
2010-03-03 22:13:2418 酷派杀入中国3G手机三甲
在竞争激烈的手机市场中,国产品牌宇龙酷派异军突起:在CDMA市场上,去年率先在全球推出了划时代的产品
2010-01-28 10:52:12424 雷士、飞利浦、欧普位列灯具品牌榜三甲
近日,中国房地产测评中心在北京富力万丽酒店正式发布“2009年度中国房地产
2010-04-12 17:18:451691 摘要:将meso-四(4-N,N,N-三甲基氨基苯基)卟啉(TTMAPP)组装到介孔分子筛MCM-41的孔道中,制备了金属离子传感材料TTMAPP/MCM-41.X射线粉末衍射证明,组装后MCM-41的有序孔道结构未发生变化.紫外可见吸收光谱结果表明,组装体具有典型的卟啉吸收特性.锌离子的引入
2011-02-17 00:22:4729 这周在AVR32单片机烷基苄基二甲基铵氯化物是相当适合生成音频播放。本文将解释如何执行此操作,并包括一个生成正弦波输出的示例驱动程序的链接。
2017-07-21 09:38:465 具体到车型(不分纯电动和插电式混合动力),前三甲依然没有变化,还是铁打的北汽新能源EC系列、知豆D2和比亚迪宋。不过比亚迪宋在7月还是销量冠军,8月就落到了第三名。
2017-09-26 09:12:441045 羧甲基纤维素钠,(又称:羧甲基纤维素钠盐,羧甲基纤维素,CMC,Carboxymethyl ,Cellulose Sodium,Sodium salt of Caboxy Methyl Cellulose)是当今世界上使用范围最广、用量最大的纤维素种类。
2018-03-05 15:47:328821 近日,江苏南大光电材料股份有限公司(以下简称“南大光电”)发布公告称,为扩展业务规模,公司于12月13日与安徽省全椒县人民政府签订了投资协议,拟在安徽省滁州市全椒县十谭电子新材料产业园建设江苏南大光电集成电路材料生产基地,包括年产170吨MO源和高K三甲基铝生产项目,计划投资约5亿元。
2018-12-14 15:45:093782 现在人们对PCB表面的离子清洁度越来越关注,除了常见的阴阳离子,还有弱有机酸。文章描述一种用离子色谱仪测试检测甲酸、乙酸和甲基磺酸三种弱有机酸的方法。
2021-04-09 14:43:159610 的晶面具有更低的表面粗糙度。还研究了沟道底部的沟槽和斜面(长方体),搅动长方体的去除或晶面刻蚀速率的提高。最后,研究了有无紫外光照射下,紫外光对三甲基氯化铵中m和a-GaN晶面刻蚀速率的影响。因此,发现用紫外光将m-GaN平面蚀刻速率从0.69纳米
2022-05-05 16:38:031394 二甲基甲酰胺合成反应器为立式结构,它通过4个支耳悬挂在装置框架上,在反应器的侧面有上下2个DN80的法兰口,法兰面和设备的内壁间距为200mm,这两个法兰口用来安装液位测量仪表。反应器采用
2022-11-08 12:07:04696 的研发及扩产,力争实现高端前驱体材料国产化打破海外垄断的现状。 威顿晶磷是国内领先的光伏、集成电路电子化学品供应商,产品以前驱体材料为主,包括正硅酸四乙酯(TEOS)、三甲基铝(TMA)、硼酸三甲脂(TMB)、硼酸三乙酯(TEB) 及High-K等产品;广泛
2023-07-06 17:50:56229 威顿晶磷产品以前驱体材料为主,包括正硅酸四乙酯(TEOS)、三甲基铝(TMA)、硼酸三甲脂(TMB)、硼酸三乙酯(TEB) 及High-K等产品,广泛应用于逻辑电路、存储芯片、模拟芯片等领域。
2023-09-05 14:58:501154 这篇研究文章的背景是关于固态锂电池(ASSBs)中硫化物基固态电解质的界面稳定性问题。
2023-11-01 10:41:23407
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