- Qorvo：5G时代GaN更有优势 RF芯片良性增长

　　5G时代GaN更有优势

　　在 研发技术方面，Qorvo一直保持着不断创新的精神，RFMD推出的MicroShield专利技术，通过在射频模块表层加一层合金的涂层，就能实现与金 属罩同等的抗干扰功能，并能在保证射频产品一致性的前提下，将智能手机做的很薄，大约降低了0.5mm。这项技术已经广泛应用在目前的高端智能手机上。

　　从 2G、3G到4G时代，智能手机支持的制式越来越多，射频前端走向集成化已成为必然。Bob表示，SIP成为射频器件实现集成化的一个重要趋势。因为对于 PA来说最好的技术是GaAs，而开关最好的技术是SOI，滤波器则是声波。材料的不同使得这些器件很难通过一种材料实现集成化，而SIP恰好能满足这么 多要求。目前，Qorvo 已经实现了 PA＋开关，PA＋滤波器和 PAD 的模块化。

　　兼任 Qorvo 和中国移动通信集团独立董事的何庆源先生指出，因为智能手机对 2G、3G 和 4G 模式的支持，需要的射频器件越来越多，即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同，我们可以将成本做到很低，在全球市场都能够保证低价。 但如果到了5G时代，需要的器件越来越多，价格越来越高，很难在印度、东南亚这样的国家保证低价，目前来说这一数字鸿沟是很难解决的。到底5G时该怎么 办，仍是个难题。

　　Bob解释道，5G将更多的集中在高频阶段，其跳跃式的反射特性使其传输距离较 短。他认为，目前5G还没有做到实现从智能手机到基站通信传输的距离，短期内很难应用在智能终端上，未来更多的应用可能在家里，从原本的WiFi上网，改 为用5G网络，下载速度将大大提升。但对于5G来说，GaN将成为最适合PA的材料，因为毫米波的功率要求非常高，GaN拥有小体积、大功率的特性，通常 应用在雷达上面，未来将有可能应用在PA芯片上。Qorvo在军用GaN的工艺生产经验，将为其带来更大的积累，这也是Qorvo优于竞争对手的原因。

　　何庆源补充道，未来5G的发展更需要的是一个新的推动力，目前来看，业界把希望寄托在AR/VR、人工智能和机器人等新兴领域，相信随着5G标准的制定，仍需要一定的时间将其应用在智能手机上。