纳米材料的表征包括成分分析,颗粒分析,结构分析,性能分析,分析方法以电镜分析为主,特别是扫描隧道电镜(SMT),在导体和半导体纳米材料分析上具有优势。
2021-02-25 09:54:462148 采用高内阻的静电计6517+数据采集仪DMM6500+纳米发电采集软件来进行微小纳米发电电流数据采集。
2021-03-05 10:48:481767 为应对电输运测试面临的挑战,在PPMS的基础上,必须添加高精度适合极低电平测试的仪器作为必要的补充,该仪器必须具备去除噪声的能力。
2021-03-15 11:32:546730 宽禁带半导体的介绍
2016-04-18 16:06:50
,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比
2018-10-30 08:57:22
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势,有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美半导体作为顶尖的功率器件半导体供应商,除了提供适合全功率
2019-07-31 08:33:30
宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势,有助于高频应用实现高能效、高功率密度。安森美半导体作为顶尖的功率器件半导体供应商,除了提供适合全功率
2020-10-30 08:37:36
,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础。与硅相比
2020-10-27 09:33:16
计算中的瓶颈。此外当PBG结构为圆环形时,一般的阶梯近似不足以满足计算精度。针对以上两个问题,本文采用本课题组带有共形网格建模的MPI并行FDTD程序对圆环形PBG结构进行了分析。讨论了单元数目,单元间距,圆孔内径和导带宽度对S参数的影响,最后设计了一种宽禁带圆环形PBG结构。
2019-06-27 07:01:22
,从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。那么具体什么是宽禁带技术呢?
2019-07-31 07:42:54
电阻率是决定半导体材料电学特性的重要参数,为了表征工艺质量以及材料的掺杂情况,需要测试材料的电阻率。半导体材料电阻率测试方法有很多种,其中四探针法具有设备简单、操作方便、测量精度高以及对样品形状
2021-01-13 07:20:44
不含有可溶于上述 溶剂的物质。 5压敏胶粘带初粘性测试方法测试条件 5.1 试验室温度为23±2℃,相对湿度为65±5%。 5.2制备试样前,胶粘带应除去包装材料,互不重叠地在5.l
2013-04-27 16:37:20
。今天安泰测试就给大家分享一下吉时利源表在宽禁带材料测试的应用方案。一·宽禁带材料介绍宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最为常见。随着电子电力的发展,功率器件
2022-01-23 14:15:50
`软磁材料交流磁特性测试与实现的LawVIEW程序注释`
2018-05-06 23:23:59
本文基于Agilent ADS仿真软件设计实现一款高效GaN宽禁带功率放大器,详细说明设计步骤并对放大器进行了测试,结果表明放大器可以在2.3~2.4 GHz内实现功率15W以上,附加效率超过67%的输出。
2021-04-06 06:56:41
的机遇和挑战等方面,为从事宽禁带半导体材料、电力电子器件、封装和电力电子应用的专业人士和研究生提供了难得的学习和交流机会。诚挚欢迎大家的参与。1、活动主题宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用2
2017-07-11 14:06:55
请问怎么优化宽禁带材料器件的半桥和门驱动器设计?
2021-06-17 06:45:48
电学性质的手段,并对三种不同顶层硅厚度的SIMOX材料进行测试、提取参数,分析材料制备工艺对性能产生的影响。研究结果表明,标准SIMOX材料通过顶层硅膜氧化、腐蚀等减薄工艺制得的顶层硅厚度小于
2010-04-24 09:02:19
`食品接触材料做美国FDA测试流程周期费用食品接触材料做美国FDA测试食品包装、食品器皿以及用于加工和制备食品的辅助材料、设备、工具等一切与食品接触的材料和制品统称为食品接触材料。如今,各国
2021-07-06 15:23:56
高分子材料老化测试之氙灯丨老化试验氙灯老化试验是模拟材料或产品在现实使用条件中涉及到的太阳光、雨水、露水等气候因素对产品产生老化的情况进行相应条件加强实验的过程,是一种人工加速耐候试验。材料或产品
2021-07-06 09:04:41
高分子材料的电学性能是指在外加电场作用下材料所表现出来的介电性能、导电性能、电击穿性质以及与其他材料接触、摩擦时所引起的表面静电性质等。本章主要学习的内容:
2009-03-23 09:43:130 编织材料撕裂性测试仪 编织材料、薄膜、防水卷材、织物、无纺布、肠衣膜和包装薄膜等材料,在各行各业都有广泛的应用。这些材料不仅需要满足各自领域特定的功能要求,还需保证在各种环境条件下具有足够
2023-09-18 10:02:02
医用材料阻水性能测试 阻水性能测试仪是一款用于测试绷带、创可贴、医用材料等防水性能的专业检测仪器。它采用先进的压力传感器技术和计算机控制系统,能够准确地测试其防水性能,为医疗、运动等领域
2023-09-20 15:10:30
在现代工业和消费品领域中,高阻隔材料作为一种能够防止水分渗透的材料,被广泛应用于保护产品不受湿度影响。为了确保这些材料的防水性能符合要求,准确可靠的测试设备是必不可少的。高阻隔材料阻水性测试仪正是为
2023-10-20 14:12:03
评估复合材料的拉伸性能,复合材料拉伸变形测试仪成为了必不可少的工具。一、复合材料拉伸变形测试仪的工作原理复合材料拉伸变形测试仪主要通过拉伸试样来模拟复合材料在实际使
2023-10-24 16:17:42
电池材料之——镍带
2009-10-21 15:30:481722
电池材料之铝带镍带
适用范围应用范围:纯镍带用于制造镍镉、镍氢
2009-11-17 12:56:101149 电池材料之镍带和极耳
2009-11-19 10:13:432924 屏蔽效能是对屏蔽体隔离或限制电磁波的能力的度量,是反映屏蔽材料最主要的指标,因此,屏蔽效能测试技术的规范性、适用性至关重要。目前屏蔽效能测试标准已有十几种,包括国标、国军标、行标等,虽然每种方法都能
2018-02-28 14:59:091 氮化物宽禁带半导体在微波功率器件和电力电子器件方面已经展现出巨大的应用前景,而AlGaN沟道HEMT器件是一种适宜更高电压应用的新型氮化物电力电子器件。但是,材料结晶质量差和电学性能低,是限制
2018-07-26 09:09:00851 SiC作为宽禁带半导体材料,与Si相比具有击穿场强高、导热系数高、载流能力大、开关速度快、可高温工作等优点,适用于高压、高温、高频等领域的应用。
2018-05-17 09:27:124937 近日,广东省“宽禁带半导体材料、功率器件及应用技术创新中心”在松山湖成立,该创新中心由广东省科技厅、东莞市政府支持及引导,易事特、中镓半导体、天域半导体、松山湖控股集团、广东风华高科股份有限公司多家行业内知名企业共同出资发起设立。
2018-06-11 01:46:0010674 行业标准的收紧和政府法规的改变是提高产品能效的关键推动因素。碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 是宽禁带材料,提供下一代功率器件的基础,具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:515962 宽禁带功率半导体的研发与应用日益受到重视,其中碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、高温性能稳定和低能量损耗等优势,成为支撑信息、能源、交通、先进制造、国防等领域发展的重点新材料。
2018-08-06 11:55:008140 第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域,包括电力电子,新能源汽车,光伏,机车牵引,以及微波通讯器件等,由于它突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈,被业界一直看好。
2018-10-10 16:57:4037424 近日,2018中国宽禁带功率半导体及应用产业发展峰会在济南召开。会上,国家主管部门领导与技术专家、金融投资机构、知名企业负责人等共同研讨宽禁带功率半导体产业工艺和产业链建设,为技术协同以及产业、资本的对接提供了良好的交流互动平台。
2018-12-10 14:24:253412 如典型的宽禁带SiC器件,NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1结合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位,可显著降低运行成本和整体系统尺寸。典型的宽禁带半导体特性,尤其是
2019-04-03 15:46:094347 5月16日上午,济南宽禁带半导体产业小镇起步区项目开工活动在济南槐荫经济开发区举行。宽禁带半导体产业小镇位于济南槐荫经济开发区的,紧邻西客站片区和济南国际医学中心,是济南实施北跨发展和新旧动能转换
2019-05-17 17:18:523812 宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿,从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作,降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。 安森美
2020-05-28 09:58:591464 燃烧特性测试等,每个测试项目送样的要求都有不同的要求: 附录6、试验确定材料的水平燃烧效率 附录7、试验确定材料的熔化特性 附录8、试验确定材料的垂直燃烧效率 附录7: 1、 采样和原则: a、 采集四个样品,每一个面(如果不相同)都要
2020-06-18 11:23:161247 ECE R118是车辆内饰材料燃烧性能测试对应的认证标准,全称为《关于某些类型机动车辆内部结构所用材料的燃烧特性及抗燃油或者润滑油性能的统一技术规定》、测试项目有:水平燃烧测试、垂直燃烧测试和熔滴
2020-06-18 11:46:261407 资料显示,英诺赛科宽禁带半导体项目总投资68.55亿元人民币,注册资本20亿元,占地368.6亩,主要建设从器件设计,驱动IC设计开发,材料制造,器件制备,后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带
2020-07-06 08:54:55950 宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。它们的大带隙导致较高的介电击穿,从而降低了导通电阻(RSP)。更高的电子饱和速度支持高频设计和工作,降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。 安森美半导体
2020-10-10 10:35:223533 电阻率是决定半导体材料电学特性的重要参数,为了表征工艺质量以及材料的掺杂情况,需要测试材料的电阻率。 四探针法是目前测试半导体材料电阻率的常用方法,因为此法设备简单、操作方便、测量精度高且对样品形状
2020-10-19 09:53:334097 基于新兴GaN和SiC宽禁带技术的新型半导体产品,有望实现更快的开关速度,更宽的温度范围,更好的功率效率,以及其他更多增强功能。
2020-10-23 11:03:26956 宽带5G设备的设计工程师和测试工程师亟需快速、准确且经济高效的测试解决方案来确保新型芯片设计的可靠性。了解宽带5G IC测试
2023-11-09 16:03:14296 Cree Wolfspeed与泰克共同应对宽禁带半导体器件的挑战,共同促进宽禁带半导体行业的发展。
2020-12-21 15:48:57915 碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟,应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温,高频,抗辐照,大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防
2021-02-01 11:28:4629 器件性能的限制被认识得越来越清晰。实现低导通电阻的方法是提高材料的临界击穿电场,也就是选择宽禁带的半导体材料。
2021-03-01 16:12:0024 纳米材料电学测试方案将在本文中阐述,包括《纳米线/碳纳米管测试方案》、《二维/石墨烯材料测试方案》。纳米材料电学测试SMU 应用场景、测试特点及选型原则的示意图,结合被测纳米材料或纳米电子器件的类型
2021-04-03 09:26:003363 材料性质的研究是当代材料科学的重要一环,源表SMU 在当代材料科学研究中,起到举足轻重的作用,吉时利源表SMU在许多学科工程师和科学家中享有盛誉,以其优异的性能为当代材料科学研究提供多种测试方案,今天安泰测试就给大家分享一下吉时利源表在宽禁带材料测试的应用方案。
2021-08-20 11:17:47413 泰克科技与忱芯科技达成了全范围的战略合作联盟,双方将深度整合资源,优势互补,围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的产品合作,为客户解决宽禁带半导体测试挑战。
2021-11-08 17:20:313877 目前国内外市场针对对导热材料的导热系数测试标准并没有统一标准,然而不同标准和不同测试方法,都会直接影响导热材料导热系数测试结果。各商家采用的测试标准大都是ASTM的 ASTM D5470,ASTM
2022-04-29 19:03:08953 对于宽禁带半导体行业目前概况,吕凌志博士直言,宽禁带半导体行业主要有衬底、外延、器件三大段,由于每部分的物态形式、设备控制都不一样,要想做好这个行业的MES软件,就必须要理解每一段的工艺特性、管控重点。
2022-07-05 12:44:533232 确定电路材料的Dk(介电常数,εr)和Df(损耗因数,Tanδ)的测试方法多种多样,比如IPC有12种确定材料Dk的测试方法,行业组织、大学或企业也有各自的测试方法。我有一本关于微波材料特性的书籍
2022-07-13 14:35:115369 宽禁带材料是指禁带宽度大于2.3eV的半导体材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最为常见。随着电子电力的发展,功率器件的使用越来越多,SiC、GaN等被广泛应用于射频与超高压等领域。
2022-08-02 17:22:121028 GaN 材料与 Si/SiC 相比有独特优势。GaN 与 SiC 同属于第三代宽禁带 半导体材料,相较于已经发展十多年的 SiC,GaN 功率器件是后进者, 它拥有类似 SiC 性能优势的宽禁带材料
2022-09-27 17:25:321889 随着宽禁带半导体材料成本得到明显下降,其应用情况将会发生明显变化。 编者按: 近年来,以氮化镓和碳化硅两种主要新材料为代表的宽禁带半导体,展示出高频、高压、高温等独特的性能优势,迎来新的发展机遇
2022-10-28 11:04:34881 碳化硅(SiC)是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料,世界各国对SiC的研究非常重视,纷纷投入大量的人力物力积极发展,美国、欧洲、日本等不仅从国家层面上制定了相应的研究规划,而且一些国际电子业巨头也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。
2022-11-29 09:10:391043 汽车内饰材料水平垂直燃烧试验机以及熔滴特性测试
2022-12-02 13:27:38524 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科将带来《解析宽禁带功率半导体测试中的探头选择难题》直播会议!欢迎企业、工程师积极报名! 以碳化硅与氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料,它们具有
2022-12-09 14:29:421019 宽禁带半导体泛指室温下带隙宽度E~g~大于等于2.3eV的半导体材料,是继GaAs、InP之后的第三代半导体材料。半导体材料的禁带宽度越大,对应电子跃迁导带能量越大,从而材料能够承受更高的温度和电压。
2023-02-02 15:13:587809 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一,其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例,其禁带宽度是硅材料的3倍,热导率是硅材料的3倍,电子饱和漂移速率是硅的2倍,临界击穿场强更是硅的10倍。
2023-02-03 14:40:412337 第一代半导体指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料;第二代半导体指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等具有较高迁移率的半导体材料
2023-02-23 14:57:163832 第三代宽禁带半导体材料广泛应用于各个领域,包括电力电子、新能源汽车、光伏、机车牵引、微波通信器件等。因为突破了第一代和第二代半导体材料的发展瓶颈,受到了业界的青睐。
2023-02-23 17:59:482514 氮化镓纳米线是一种基于氮化镓材料制备的纳米结构材料,具有许多优异的电子、光学和机械性质,因此受到了广泛关注。氮化镓材料是一种宽禁带半导体材料,具有优异的电子和光学性质,也是氮化镓纳米线的主要材料来源。
2023-02-25 17:25:15905 )为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。
2023-05-05 17:46:229950 随着现代材料科学领域的不断深入发展,柔性材料作为一种新型的材料种类受到广泛的关注。柔性材料在生物医学、电子智能等领域中都有着广泛的应用之处。为了研究和测试柔性材料的性能,高压放大器也在柔性材料测试
2023-06-16 17:42:32482 介电材料测试是一项重要的材料性能测试,它涉及到物理学、化学、材料科学等多个学科领域。高压放大器是介电材料测试中的一种重要设备,它可以放大微弱的电信号,提高测试的准确性和精度。下面将详细介绍高压放大器在介电材料测试中的应用。
2023-06-19 17:12:13397 (SiC)、氮化镓(GaN)为主的宽禁带半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。什么是宽禁带?物质的导电需要
2023-05-06 10:31:463417 导热系数测试仪是一种用于测量材料导热性能的仪器,通过测试材料的导热系数,可以评估其在能源、建筑、电子、航空航天等领域中的性能表现。本文将详细介绍导热系数测试仪的基本原理、种类、使用方法和注意事项
2023-06-30 14:00:55681 霍尔效应测试仪,是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。
2023-07-05 11:37:26570 标准的示波器分析 1 GHz 带宽,便于分析快速切换的信号 带有内置软件的任意函数发生器(适用于双脉冲测试波形) 可实现共模噪声抑制和精确测量的高边和低边探头 自动双脉冲测试 5 系列 B MSO 上的宽禁带双脉冲测试应用程序(可选WBG-DPT)提供精确的双脉冲测量,
2023-07-07 18:08:36595 在当代科技迅猛发展的时代,材料科学作为科技领域的基石,不断涌现出新的材料,以满足人类对高性能、轻质和可持续发展的不断追求。在众多材料中,复合材料因其卓越的性能和多样的应用领域而备受关注。其中,连续
2023-08-04 10:28:20420 目前,碳化硅(SiC)这种半导体材料因其在电力电子应用中的出色表现引起了广泛的关注。对晶圆和器件的研究在近年来已经取得很大进展。碳化硅是一种宽禁带(WBG)半导体材料。禁带通常是指价带和导带之间
2023-08-30 08:11:472111 关于硅材料杂质浓度测试,经研究,参考肖特基二极管杂质浓度测试方案,两者几乎一致,因此,针对硅材料杂质浓度测试亦采用CV法测量。
2023-09-11 15:59:34643 SiC,作为发展最成熟的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度宽、临界击穿电场高、热导率高、电子饱和漂移速度高及抗辐射能力强等特点。
2023-09-28 16:54:263018 碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料,碳化硅衬底主要用于微波电子、电力电子等领域,处于宽禁带半导体产业链的前端,是前沿、基础的核心关键材料。
2023-10-09 16:38:06775 电学测试是芯片测试的一个重要环节,用来描述和评估芯片的电性能、稳定性和可靠性。芯片电学测试包括直流参数测试、交流参数测试和高速数字信号性能测试等。
2023-10-26 15:34:141372 电池和电池材料测试
2022-10-15 11:19:018 点击上方 “泰克科技” 关注我们! 宽禁带材料是指禁带宽度大于 2.3eV 的半导体材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料等最为常见,典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN),这些半导体材料也称为第三代
2023-11-03 12:10:02669 芯片电学测试如何进行?包含哪些测试内容? 芯片电学测试是对芯片的电学性能进行测试和评估的过程。它是保证芯片质量和可靠性的重要环节,通过测试可以验证芯片的功能、性能和稳定性,从而确保芯片可以在实际
2023-11-09 09:36:481244 点击上方 “ 意法半导体中国” , 关注我们 在半导体行业,新的材料技术有“四两拨千斤”的魔力,轻轻松松带来颠覆性变革。具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出。 在整个
2023-12-07 10:45:02334 在半导体行业,新的材料技术有“四两拨千斤”的魔力,轻轻松松带来颠覆性变革。具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出。在整个能源转换链中,宽禁带半导体的节能潜力可为实现长期的全球节能目标作出贡献。宽
2023-12-16 08:30:34617 正常工作的电压加在被测设备的绝缘体上,持续一段规定的时间,加在上面的电压就只会产生很小的漏电流,则绝缘性较好。程控电源模块、信号采集调理模块和计算机控制系统三个模块组成测试系统,带报警和时间控制功能。 KDZD5550系列智能绝缘材料热态击穿电压测
2024-02-28 11:53:25251 导热系数测试仪是现代材料科学领域中不可或缺的工具,它为研究材料的导热性能提供了高效、精确的测试方法。随着科技的不断进步,导热系数测试仪在材料研发、质量控制和性能评估等方面发挥着越来越重要的作用。上海
2024-04-30 14:59:04217 功率电子学在现代科技领域扮演着举足轻重的角色,尤其是在可再生能源和电动交通领域。为了满足日益增长的高效率、小巧紧凑组件的需求,我们需充分认识并保证宽禁带(WBG)半导体(如碳化硅(SiC)和氮化镓
2024-06-07 14:30:31549 半导体已成为绿色能源产业发展的重要推动力,帮助实现更高的功效、更小的尺寸、更轻的重量、以及更低的总成本。英飞凌提供广泛的宽禁带产品系列和组合,包括硅材料、碳化硅和
2024-06-18 08:14:18258 7月9日,英飞凌将于2024慕尼黑上海电子展期间在上海举办“2024英飞凌宽禁带论坛”。论坛主题将聚焦于新材料、新应用的最新发展成果,与行业伙伴一道深入探讨宽禁带领域的应用与发展,携手推动低碳化和数
2024-06-28 08:14:35411 功率半导体和宽禁半导体是两种不同类型的半导体材料,它们在电子器件中的应用有着很大的不同。以下是它们之间的一些主要区别: 材料类型:功率半导体通常由硅(Si)或硅碳化物(SiC)等材料制成,而宽禁
2024-07-31 09:07:12194 宽禁带半导体材料是指具有较宽的禁带宽度(Eg>2.3eV)的半导体材料。这类材料具有许多独特的物理和化学性质,使其在许多高科技领域具有广泛的应用。 在现代电子学和光电子学中,半导体材料扮演着至关重要
2024-07-31 09:09:06457 高压放大器 在材料测试中的应用是一个重要而广泛的领域,涵盖了多种实验和研究方向。以下是关于高压放大器在材料测试中应用的一些重要方面。 1.材料电学性质研究 高压放大器在材料测试中的主要应用之一是研究
2024-08-19 15:22:20116
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