引言
目前针对便携式数码产品市场,主流音频功放的应用主要集中在几颗不多的物料上。但是封装形式的差异以及产品应用外围的限制,使得终端在产品应用的时候常常因为成本的压力,缺货的压力或者是客户的要求,而需要不停的修改硬件工程师已经设计好的线路板,这就严重的阻碍了终端客户推出新产品的进度。在这种情况下,上海智浦欣微电子有限公司针对数码类市场,特别是手机市场推出了ClassAB,ClassD全系列兼容的音频产品线,统一了封装形式和管脚定义。提出了推荐的PCB画法,仅需要稍微修改外围元件,就能实现ClassAB,ClassD的超强兼容,一次设计,一劳永逸。
音频功放产品线介绍
上海智浦欣微电子有限公司针对手机市场推出的音频功放有四款产品:
1 1.2W 单端输入单声道ClassAB------CS6190T
CS6190T适用于移动电话和其他内置扬声器的便携式音频设备。在5V电源供电,保证其总谐波失真和噪声不超过1%情况下,能够为8Ω负载提供1.2W、4Ω负载提供1.6W功率的稳定输出。CS6190采用桥接负载结构在提供高品质音频功率放大的同时,大大减少了外部元件数,无需外接输出耦合电容和自举电容。CS6190内置待机电路,当SHUTDOWN管脚接低电平时,整个电路工作在待机模式,待机电流不超过100nA。CS6190内置了杂音消除电路,可以消除芯片启动和关断过程中的咔嗒声或噼噗声。还可以通过外接电阻来调节增益。
2 2.7W差分输入单声道ClassAB------CS6105T
CS6105T全差分音频功率放大器适用于移动电话、音乐播放器、DVD、笔记本电脑以及其他便携式电子产品。在5V电源供电,输出信号的THD小于1%的条件下,能够向8Ω负载提供1.35W,的连续功率, 输出信号的THD小于10%的条件下,能够向4Ω负载提供2.7W,的连续功率。CS6105T的工作电源电压范围为2.2V~5.5V,可通过外部电阻来设置增益。CS6105T具有卓越的射频噪声抑制能力;在217Hz时-90dB的PSRR;内置pop & click杂音抑制电路以及极低的关断电流。CS6105T提供纤小的DFN2*2_8L封装形式,极少的外部元件数目,有助于节省PCB面积。以上这些特性让CS6105T非常适用于手机等便携式电子产品。
3 3.1W 超低EMI,免输出滤波单声道ClassD-----CS8120T
CS8120T是一款高效率, 超低EMI 3.1W单声道D 类音频放大器。CS8120T无需滤波器的PWM调制结构减少了外部元件、PCB面积和系统成本,而且也简化了设计。高达90%的效率,快速的启动时间和纤小的封装尺寸使得CS8120T成为小型手上设备和PDA的上佳选择。CS8120T的全差分架构和极高的PSRR有效地提高了CS8120T对RF噪声的抑制能力,并且省去了传统音频功放的BYPASS电容。CS8120T采用独创的AERC(Adaptive Edge Rate Control)技术,能提供优异的全带宽EMI抑制能力,在不加任何辅助设计时,在FCC Part15 Class B标准下仍然具有超过20dB的裕量,特别适合FM、CMMB、手机模拟电视等易受EMI干扰的应用。
专有的AFS(Advanced Feedback System)技术,使得CS8120T的失真度降低到0.03%,这样CS8120T就拥有跟ClassAB一样的高保真度,可以为客户带来完美的音乐体验。
4 3.3W超低EMI,免输出滤波,带防破音功能单声道ClassD----CS8115T
CS8115T是一款高效率、无破音、超低EMI、免滤波3.3W单声道D类音频放大器。独特的无破音功能可以通过检测输出的破音失真,自动调整系统增益,不仅有效避免大功率过载输出对喇叭的损坏,同时带来舒适的听觉感受。
CS8115T的全差分架构和极高的PSRR有效地提高了CS8115对RF噪声的抑制能力。无需滤波器的PWM调制结构及增益内置方式减少了外部元件、PCB面积和系统成本,并简化了设计。高达90%的效率,快速启动时间和纤小的封装尺寸使得S8115T成为手机和其他便携式音频产品的最佳选择。
CS8115T也采用独创的AERC(Adaptive Edge RateControl)技术,能提供优异的全带宽EMI抑制能力,在不加任何辅助设计时,在FCC Part15 Class B标准下仍然具有超过20dB的裕量,特别适合FM、CMMB、手机模拟电视等易受EMI干扰的应用。
CS8115T也使用了专有的AFS(Advanced Feedback System)技术,失真度可以降低到0.03%,CS8115T和CS8120T一样,可以为客户带来完美的音乐体验。
智浦欣微电子音频功放IC全系列产品都采用DFN2*2_8L的封装形式,并统一了管脚定义。跟传统的WCSP封装类型相比,该系列产品线有产品具备如下优点:
1 散热好:针对功率器件,在产品使用过程中会产生大量的热量,如果IC本身的热量无法通过比较好的封装载体而散发出去,则就会导致芯片的内部温度过高而引起芯片性能的下降。而DFN封装天然的良好散热性能能够使得IC发挥出本身最佳的性能。
2 抗损伤:DFN封装是普通常规的封装形式,相对于芯片级封装的IC来说,塑封胶体的抗损伤能力大大高过芯片级封装的IC.
3 易焊接:芯片级封装的IC是通过芯片表面的植球和PCB上的焊点相连,通常焊接只能一次,而不能重复焊接。而DFN封装引脚是常规引脚可以重复焊接。
4 较少的封装质量问题:DFN封装完全可以避免芯片级封装所遇到的诸如掉球,粘带,抛料等质量问题。
上海智浦欣微电子有限公司针对ClassD的专有技术介绍
1: AERC(Adaptive Edge Rate Control)技术--超低EMI
传统的Class D一直倍受EMI的困扰,Chipstar采用AERC技术的新一代Class D最大程度的降低了EMI干扰,使得在AM,FM,手机系统中应用基本不受影响。
传统ClassD EMI的来源主要有下面几个方面:
(1)输出方波在高低切换过程中释放的高频能量
(2)由于“死区”时间的存在,死区释放后,功率管体二极管反向恢复引起尖峰能量
(3)PCB上杂散的电容和电感引起的输出方波上叠加的振铃能量
传统的Class D一般都是用开关管直接驱动功率管输出功率,可以说对输出方波的上升和下降时间以及波形完全是失控的。如图1,2所示,实际应用中传统Class D的输出方波有很大的过冲和很长时间的振铃,并且上升时间和下降时间完全是失控的。这就是传统ClassD EMI问题突出的主要原因。
图1 传统ClassD PWM信号上升沿 图2 传统ClassD PWM信号下降沿
Chipstar采用AERC技术的新一代Class D的输出波形如图3,4所示,可以明显的看出,方波上叠加的振铃明显减小,甚至消失。同时,高级的自适应技术,可以精妙的控制输出方波的边沿上升和下降时间和形状,最大程度的减小了Class D输出波形中携带的高频EMI能量。
图3 智浦欣ClassD PWM信号上升沿 图4 智浦欣ClassD PWM信号下降沿
2: AFS( Advanced Feedback System)技术—体现完美的音质
为了带来更为逼真的声音还原和体验,Chipstar新一代的Class D创新的使用了AFS高阶反馈技术,在系统的复杂度和稳定度之间做到完美的折中和平衡。更高阶的反馈系统,使得Chipstar新一代的Class D的失真度减小到0.03%。图5是智浦欣微电子的ClassD和ClassAB音频功放失真度的对比。
图5 智浦欣ClassD和ClassAB失真度对比
上海智浦欣微电子有限公司还针对数码类市场,例如MID,GPS,小音箱市场等等,特别推出了上述产品MSOP8的封装类型,同样具备产品的全系列兼容的特性。
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