、激光雷达和 LED 照明的理想器件。 宜普电源转换公司（EPC）宣布推出 EPC2050，这是一款 350 V GaN 晶体管，最大 RDS(on) 为 80 mΩ，脉冲输出电流为 26 A
2022-04-08 16:01:44
7120 
宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN®）功率场效应晶体管和集成电路，最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的EPC2071氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。 EPC2071是面向要求高功率密度的应用的理想器件，包括用于新型服务器
2022-05-17 17:51:114007 
普电源转换公司 为业界提供增强型氮化镓（eGaN®）功率场效应晶体管和集成电路，新推40 V、典型值为0.8 mΩ的EPC2066氮化镓场效应晶体管，为客户提供更多可选的低压氮化镓晶体管和可以立即发货。 EPC2066的低损耗和小尺寸使其成为用于最新服务器和人工智能的高功率密度
2022-06-01 10:22:414156 
由于对高效和紧凑的电机驱动应用的需求不断增长，EPC设计了EPC9176板，采用eGaN IC，可实现真空吸尘器逆变器的最大性能。EPC9176采用3个EPC23102 eganic。这种板是一种
2025-01-22 14:43:383317 
TDK集团旗下的TDK-EPC公司新推出爱普科斯(EPCOS)开发的三个陶瓷正温度系数(PTC)热敏电阻样品套装
2011-06-23 09:11:381612 EPC9102充分展示了EPC2001 eGaN FET及德州仪器LM5113 eGaN FET驱动器的组合所能达到的优异性能。
2012-05-29 08:57:141850 
宜普公司推出内含增强型氮化镓（eGAN）场效电晶体（FET）的 EPC9005 开发板。该开发板是一款7A最大输出电流半桥电路设计，内含两个EPC2014场效应电晶体，并采用最佳化闸极驱动器LM5113。
2013-05-08 15:59:561641 同时，高效功率转换（EPC）使用其增强型氮化镓（eGaN）FET 2 演示了48 V至1.2 V非隔离降压转换器。 EPC的初始演示采用了第一代100 V eGaN FET，如EPC
2019-03-28 08:38:005027 
的供应商，其中包括高效电源转换（EPC）。在过去的四年中，该公司一直在扩展其商用增强型（常关）GaN FET或eGaN FET系列。今天，低压eGaN FET系列中大约有11个成员，超高频线中大约有8个成员。
2019-01-24 09:07:003722 
基于增强型氮化镓（eGaN®技术）的电源转换器的优点，其现有数据中心和集中于低至1VDC负载电压的48 VDC输入电压所用的电信架构解决方案。
2021-01-20 15:34:593146 
2032的特性 EPC2032 eGaN的供货形式为带有用于焊接的突起（参见图1）。它的尺寸很小。以下是其一些值得注意的功能： Rds（on）：4毫欧（0.004欧姆）； Ids（max）：48 A; 漏源电压
2021-03-23 16:19:564543 EPC2215（8 mΩ、162 Apulsed）和EPC2207（22 mΩ、54 Apulsed）的尺寸比前代200 V eGaN器件大约缩小50%，而性能却倍增。
2020-08-22 09:11:592117 
宜普电源转换公司是增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商，致力提高产品性能且降低可发货的氮化镓晶体管的成本，最新推出EPC2059 （6.8 mΩ、170 V）氮化镓场效应晶体管
2020-11-13 08:01:002013 面向高功率密度且低成本的DC/DC转换，EPC9151功率模块利用EPC2152 ePower™功率级实现性能更高和尺寸更小的解决方案。
2020-12-22 09:16:201841 EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC的超高效eGaN®FET相结合，可实现高达2 MHz的开关频率，从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。
2022-03-16 09:42:381741 
2.5A功率增强型电机驱动模块的特性是什么？2.5A功率增强型电机驱动模块有哪些功能？
2021-10-15 09:13:09
2.5A功率增强型电机驱动模块的优点有哪些？2.5A功率增强型电机驱动模块的产品参数有哪些？2.5A功率增强型电机驱动模块的注意事项有哪些？
2021-06-29 09:05:41
BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGAN
2023-03-29 22:59:16
BOARD DEV FOR EPC2014C
2023-03-29 22:47:05
BOARD DEV FOR EPC2007 100V EGAN
2023-03-29 22:59:18
EPC2007C eGaN® Series Power Management Evaluation Board
2023-03-29 22:47:13
EPC2001C–增强型功率晶体管
2023-03-28 18:19:32
EPC2010 eGaN® Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:53:09
BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN
2023-03-29 22:59:18
BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN
2023-03-29 22:47:04
DEV BOARD EPC2016C 100V EGAN
2023-03-29 22:48:51
BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN
2023-03-29 22:46:57
EPC2015 eGaN® Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-30 11:46:05
BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN
2023-03-29 22:47:11
BOARD DEV EPC2015/23 EGAN
2023-03-29 22:50:13
BOARD DEV EPC2001/21 EGAN
2023-03-29 22:47:12
EPC8002 eGaN® Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:47:12
BOARD DEV FOR EPC8004 40V EGAN
2023-03-29 22:47:12
BOARD DEV FOR EPC8005 65V EGAN
2023-03-29 22:51:10
BOARD DEV FOR EPC8009 65V EGAN
2023-03-29 22:47:14
BOARD DEV FOR EPC8010 100V EGAN
2023-03-29 22:47:09
EPC2023 eGaN® Series Power Management Evaluation Board
2023-03-29 22:47:04
BOARD DEV FOR EPC2024 40V EGAN
2023-03-29 22:47:03
BOARD DEV FOR EPC2020 60V EGAN
2023-03-29 22:48:52
BOARD DEV FOR EPC2021 80V EGAN
2023-03-29 22:48:53
BOARD DEV FOR EPC2022 100V EGAN
2023-03-29 22:47:03
BOARD DEV FOR EPC2100 30V EGAN
2023-03-29 22:47:21
BOARD DEV FOR EPC2101 60V EGAN
2023-03-29 22:47:12
BOARD DEV FOR EPC2102 60V EGAN
2023-03-29 22:49:05
BOARD DEV FOR EPC2103 80V EGAN
2023-03-29 22:47:06
EPC2104 eGaN® Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:47:06
EPC2025 eGaN® Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-22 19:53:58
BOARD DEV FOR EPC2029 80V EGAN
2023-03-29 22:46:56
EPC2035 eGaN® Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:47:13
BOARD DEV EPC2036 100V EGAN FET
2023-03-29 22:47:05
EPC2012C eGaN® Series Power Management Evaluation Board
2023-03-29 22:47:09
BOARD DEV EPC2010C EGAN FET
2023-03-29 22:47:09
EPC2014, EPC2015 eGaN® DC/DC, Step Down 1, Non-Isolated Outputs Evaluation Board
2023-03-22 19:57:43
EVAL DEV FOR EPC2001 EGAN FET
2023-03-30 11:54:00
EPC2015 eGaN® Series Power Management, Half H-Bridge Driver (External FET) Evaluation Board
2023-03-29 22:47:10
关于 增强型PMOS管开启电压Vgs疑问 有以下三个问题，请教各位大神：1、如下图：增强型PMOS管G极接地（Vg=0V），按我的理解，只有在S极电压高于0v（至少零点几伏）的时候才能导通，可是下图
2017-11-22 10:01:58
能否介绍增强型Howland电流源、EHCS 实现过程、复合放大器技术应用？
2019-01-25 18:13:07
ESD增强型器件的特点是什么？如何对ESD增强型器件进行仿真分析？
2021-05-12 06:45:03
修改嵌入式linux驱动支持不同的LCD本文中使用的是周立功EPC-287开发板，其中处理器是Freescale ARM9 i.MX287。厂家提供的linux内核源码包含了几种支持的lcd，在内
2021-11-05 07:51:20
EPC标签芯片的面积不足1平方毫米，可实现二进制96（128）字节信息存储，它的标识容量上限是：全球2.68亿家公司，每个公司出产1600万种产品，每种产品生产680亿个。这样大的容量可以将全球每年
2019-06-21 06:06:31
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-13 15:41 编辑
请用一句话通俗易懂的话解释下增强型捕获 eCAP的功能，谢谢
2018-06-13 02:08:55
关键词 EPC-266x摘 要 EPC-266x 产品上各接口说明及使用方法
2009-11-02 14:45:38
19 关键词 EPC-296x摘 要 EPC-296x 产品上各接口说明及使用方法
2009-11-02 14:51:4728
增强型FET源极跟随器的偏移电压电路图
2009-08-13 16:06:531426 
SMD CU压敏电阻的新样品套装（TDK-EPC）
TDK集团分公司TDK-EPC推出了爱普科斯SMD CU压敏电阻的新样品套装。这些CTVS(陶瓷瞬时电压抑制)元件的电气参数对应于成熟的爱普科
2009-11-20 09:37:28961 TDK-EPC集团推出ESD和RFI防护组合样品套装
TDK集团的TDK-EPC分公司推出了一款采用爱普科斯（EPCOS）超高电容压敏电阻（SHCV）系列的样品套装，可用于防
2009-12-18 09:23:251550 RFID/EPC,RFID/EPC是什么意思
RFID是一项易于操控，简单实用且特别适合用于自动化控制的灵活性应用技术，其所具备的独特优越性是其它
2010-04-01 17:42:4914017 TDK-EPC公司推出EPCOS(爱普科斯) MotorCap™ DM系列高度紧凑型电动机运行电容器。该系列产品可节省大量空间，应用了新型封装技术
2011-02-11 11:07:351728 宜普电源转换公司宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN) FET
2011-03-18 09:22:052675 宜普电源转换公司宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。
2011-08-18 09:53:103868 宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9004开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普200V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管设计产品
2011-08-19 08:51:182974 EPC9101是一款全功能的降压电源转换器演示电路，实现8V-19V输入、1.2V电压、18A最大电流输出及1MHz降压转换器，使用的器件包括EPC2014和EPC2015 eGaN FET
2011-10-27 09:36:491763 宜普电源转换公司（EPC）宣佈推出採用增强型氮化镓场效应电晶体的EPC9003及EPC9006开发板， 展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应电晶体而优化的积体电路闸极驱动器可帮助工程师简单
2012-10-12 09:12:491721 普中单片机开发板
2017-07-04 14:36:1354 EPC公司推出全新开发板EPC9083 - 面向无线充电及激光雷达应用、采用200 V eGaN®FET、60 W E 类放大器拓扑，可以在高达15 MHz 频率下高效地工作。
2017-08-28 11:42:051880 低压氮化镓（GaN）器件市场越来越重要，EPC是低压硅上氮化镓（GaN-on-silicon）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件的主要供应商。
2017-10-18 17:22:0712442 据麦姆斯咨询报道，Efficient Power Conversion（EPC，美国宜普电源转换公司）发布了新款350V GaN功率晶体管EPC2050，具有65微欧最高导通电阻（RDS
2018-05-25 18:21:005908 宜普电源转换公司(EPC)的EPC9130开发板是一款48 V转换至12 V的非隔离稳压式开发板、具用五个相位、每相具12 A、最大输出电流为60安培，开发板的输出功率可以超过700 W。该板具超高功率密度（每立方英寸大于1250 W），其效率高于96%。
2018-07-16 16:03:014131 2018年10月30日，工研院在台北举办无线电能传输研讨会，邀请了来自AirFuel 无线充电联盟、宜普电源转换公司（EPC）、jjPLUS和IHS Markit的业界领袖进行专家演讲。
2018-10-30 18:01:561659 例如，在本文中，我们将研究一个广泛的输入， 20采用EPC的eGaN FET（如EPC2001和EPC2021）在宽负载变化范围内设计的非隔离降压DC/DC转换器。此设计中使用的降压控制器是凌力尔特
2019-03-20 09:26:002896 
EPC码是射频识别的编码标准，是全球统一标识系统的重要组成部分，也是EPC系统的核心之一。
2019-01-18 10:07:387013 宜普电源转换公司（EPC）是硅基增强型氮化镓场效应晶体管及集成电路的领先供应商，基于eGaN®FET与集成电路的低成本解决方案是在发射端采用单个功率放大器，而在接收端无论是采用什么标准，也可以实现无线充电。
2019-04-09 16:07:311299 EPC为汽车激光雷达（LiDAR）系统设计的新款80 V EPC2214获得了美国汽车电子协会AEC Q101认证。
2019-04-23 14:02:513702 本文档的主要内容详细介绍的是STM32F407增强型开发板的电路原理图免费下载。
2019-12-12 15:45:30111 EPC9144演示板内的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）可支持大電流納秒脈衝的應用，提供高速的大电流脉冲 – 电流可高达28 A、脉宽则可低至1.2纳秒，从而使得飞行时间及flash激光雷达系统更准确、更精确及更快速。
2020-01-16 09:48:003619 EPC2152是一个单晶驱动器并配以基于氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）、采用EPC专有的氮化镓集成电路技术的半桥功率级。在单芯片上集成输入逻辑界面、电平转换电路、自举充电电路、栅极驱动器
2020-03-20 09:14:393180 宜普电源转换公司（EPC）宣布推出80 V、12.5 A的功率级集成电路，专为48 V DC/DC转换而设计，用于具有高功率密度的运算应用及针对电动车的电机驱动器。
2020-03-20 16:57:445320 本文档的主要内容详细介绍的是STC15增强型单片机开发板的电路原理图免费下载。
2020-04-20 08:00:004 EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的导通电阻降低了接近20%及提高了额定直流功率。
2020-09-24 14:19:471462 EPC9154开发板采用EPC21601 eToF™激光驱动器IC，主要用于驱动具有窄且大电流脉冲的激光二极管。
2021-02-24 17:22:002067 器件成为研发的重点，相关的应用开发活动也十分活跃。 EPC新近推出的EPC2218增强模式氮化镓功率晶体管（eGaN FET）就是在这个大趋势下应运而生的一款性能优异的器件。 EPC2218是100V、60A和231A脉冲增强型GaN FET，该晶片的尺寸为3.5mm x 1.95
2021-08-17 18:03:153597 普中-2=普中-3普中-4开发板原理图.
2022-02-11 15:58:1016 电子发烧友网站提供《Commodore 1581增强型驱动板.zip》资料免费下载
2022-08-04 10:00:360 EPC2106是增强型单片 GaN 晶体管半桥，将两个 eGaN 功率 FET 集成到单个器件中，从而消除了 PCB 上所需的互连电感和间隙空间。
2022-08-29 09:15:421289 普中开发板原理图分享
2023-05-15 09:20:5722 电子发烧友网站提供《智嵌STM32F407开发板(增强型)V1.1原理图.pdf》资料免费下载
2023-09-15 15:24:4719 ) 个EPC2302 100V eGaN FET，采用 3 mm x 5 mm QFN 封装。该板的尺寸仅为 130 mm x 100 mm(包括连接器)。EPC2302 eGaN FET 的
2023-11-02 16:43:461916 自行车、电动滑板车、无人机、机器人和直流伺服电机。 EPC9194演示板具有六 (6) 个EPC2302 100V eGaN FET，采用 3 x 5mm QFN 封装。该板的尺寸
2023-11-14 16:53:022021 。EMC的主要目标是防止不同设备或系统之间的电磁干扰（EMI）和互操作性问题。 与EMC密切相关的是EPC，EPC即是开放式产品技术规范（Electronic Product Code），是一种应用于全球
2024-02-04 15:40:2012736 近日，宜普电源转换公司EPC宣布推出EPC9192参考设计。该参考设计可实现性能优越、紧凑型、高效率的D类音频放大器，广泛应用于家庭音响、专业音响、汽车音响等数字功放设备中。
2024-05-23 17:27:291586 
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