德国Evonik Industries AG强势出击 - 薄膜制程技术突破瓶颈，Oxide TFT高居面板技术主流

　　在欧洲的研发团队中，以德国Evonik Industries AG最为积极，其对于薄膜制程的技术发展蓝图（图1）的目标明确，起初欲将现行的真空制程系统（如CVD或PVD）取代为涂布（Coating）制程（如Spin-coating、Slit-coating），最终採用印刷（Printing）制程（如Offset-printing、Inkjet-printing），达到节省材料与设备成本，进而达成无光罩制程，其发表叁篇相关的论文，採用In2O3为基础的半导体材料，元件採同平面（Coplanar）结构，即下闸极与底接触（Bottom-Contact）的结构，若最高烧结温度350℃，电子移动率可达到10cm2/V-s的水准，电气特性十分优良，但降低烧结温度至160℃，则电子移动率降至2cm2/V-s，电性曲线也有漂移的现象，呈现不稳定的状态，但相信假以时日，持续调整材料特性，元件特性必能大幅改善（表6）。

　　

　　图1 Evonik Industries AG的技术发展蓝图

　　

　　在2013年1月分的国际消费性电子展（CES）中，日本索尼成功展示世界最大56吋UHD主动式有机发光显示器（图2），其中OLED採用白光OLED搭配彩色滤光片，并公开表示驱动背板採用与***友达光电合作的InGaZnO TFT阵列。相较之下，友达已发表的65吋UHD显示器，显示***研发团队在Oxide TFT上的进度，已与国际大厂不分轩轾，相信在不久的将来，***会有更多突破性的产品问世。

　　

　　图2 索尼与友达共同发表全球最大UHD解析度AMOLED电视

　　突破材料与生产技术桎梏　Oxide TFT应用版图扩张

　　***显示器产业已臻成熟，其中薄膜电晶体技术日新月异。然Oxide TFT技术不但具有LTPS TFT技术之高载子移动率的电气特性，同时又完全相容于a-Si TFT的生产线，因此其优越的电气特性与低温制程，被誉为下世代的薄膜电晶体。 Oxide TFT的技术发展趋势，主动层材料由早期的ZnO到GaZnO和InZnO，而目前最热门的材料非InGaZnO莫属，由细野秀雄教授主导开发。

　　以最接近量产的技术来看，採用真空溅镀法来进行主动层的沈积，应是未来的主流，其他如溶胶/凝胶法尚未成熟，若以降低成本考量，仍是必须继续的研发方向。

　　以元件结构来看，下闸极结构与非晶硅薄膜电晶体相似，可最快导入量产，如何将目前较为成熟的CHP结构更换成BCE结构，达到光罩缩减与元件设计准则缩小化的目的，亦是目前研发团队研究的重点。

　　在软性电子的领域，Oxide TFT备受关注，与硅基薄膜电晶体、有机薄膜电晶体共同竞争。由于Oxide TFT採用真空溅镀法，已具备整合塑胶基板所需的低温制程，主动层结构为离子键非共价键，是否能增加耐挠度，亦是研究重点之一，若能有更多机械挠曲可靠度测试结果出炉，软性电子的梦想已不远矣。

　　自第一篇非晶态InGaZnO TFT学术论文发布，至今已有如此惊人的研发成果，***研发的脚步必须更快，投入的能量必须更多，才能迎头赶上，免受国际专利权的剥削，领先国际。