TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT)和Richardson RFPD今天宣布,Richardson RFPD新建立的氮化镓技术中心 (Tech Hub) 展示了TriQuint业内领先的广泛氮化镓 (GaN) 产品系列——包括放大器、晶体管和
2012-10-23 16:48:57962 TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓(GaN)HEMT射频功率晶体管产品。
2012-12-18 09:13:261196 TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同
2012-12-19 10:19:091139 65W氮化镓电源原理图
2022-10-04 22:09:30
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 编辑
北京飞特驰科技有限公司对外提供6英寸半导体工艺代工服务和工艺加工服务,包括:产品代工、短流程加工、单项工艺加工等
2015-01-07 16:15:47
明佳达电子优势供应氮化镓功率芯片NV6127+晶体管AON6268丝印6268,只做原装,价格优势,实单欢迎洽谈。产品信息型号1:NV6127丝印:NV6127属性:氮化镓功率芯片封装:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
,以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。
因此,氮化镓是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面,氮化镓还被用于蓝光激光技术(最明显
2023-06-15 15:50:54
、ZENDURE 45W氮化镓充电器+移动电源66、ZENDURE氮化镓拓展坞+充电器从以上已有30多家厂商推出了超达66款氮化镓快充产品来看,其中,60W及以上占比达到了五分之三之多;而30W规格的只占了五分之一
2020-03-18 22:34:23
能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能,被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力,甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了,氮化镓充电器看起来很小,但是功率一般很大,可以给手机平板,甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么,氮化镓充电器有哪些优点,下文简单做个分析。一、氮化镓
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷(低电容)、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件,以及分立氮化镓的典型开关频率(65kHz)相比,集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。
更快:氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
持续下去。氮化镓技术路线图和氮化镓供应链的并行优势实现了氮化镓加速向商业领域渗透所需的制造规模和成本结构。针对客户基于性能和成本的指标来评价氮化镓适用性的情况,第四代氮化镓在模式上做出了较大的改变
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
从将PC适配器的尺寸减半,到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换,德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
的数十亿次的查询,便可以获得数十亿千瓦时的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年
2019-03-14 06:45:11
。我们预计这项协议在扩大MACOM供应来源的同时,还将促进扩大规模、提高产能和成本结构优化,从而加速硅基氮化镓技术在大众市场的普及。 对于无线网络基础设施,这次合作有望使硅基氮化镓技术经济高效地部署
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关?氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计?
2021-06-17 10:56:45
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时,GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓(GaN)高电子迁移率基于晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
深圳市尊信电子技术有限公司专业开发设计电子产品方案钰泰,智融,赛芯微一级代理吉娜:*** 微信:mphanfan欢迎行业客户联系,获取datasheet、报价、样片等更多产品信息氮化镓技术的普及,使
2021-11-28 11:16:55
,传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限,使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告,该技术能够实现智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
赶上甚至超过了成本昂贵的硅上氮化镓产品的替代技术。我们期待这项合作让这些GaN创新在硅供应链内结出硕果,最终服务于要求最高的客户和应用。”意法半导体汽车与分立器件产品部总裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
在射频领域采用硅基氮化镓(GaN on Si)技术的供应商。我们采用硅基氮化镓(GaN Si)技术以分立器件、模块和单元的形式提供广泛的连续波(CW)射频功率晶体管产品,支持频率从DC到6GHz
2017-08-14 14:41:32
,尤其是2010年以后,MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场,如今的MACOM拥有包括氮化镓(GaN)、硅锗(SiGe)、磷化铟(InP)、CMOS、砷化镓等技术,共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
是硅基氮化镓技术。2017 电子设计创新大会展台现场演示在2017年的电子设计创新大会上,MACOM上海无线产品中心设计经理刘鑫表示,硅衬底有一些优势,材料便宜,散热系数好。且MACOM在高性能射频领域
2017-07-18 16:38:20
测试背景地点:国外某知名品牌半导体企业,深圳氮化镓实验室测试对象:氮化镓半桥快充测试原因:因高压差分探头测试半桥上管Vgs时会炸管,需要对半桥上管控制信号的具体参数进行摸底测试测试探头:麦科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`明佳达优势供应NV6115氮化镓MOS+NCP1342主控芯片PWM控制器丝印1342AMDCD。产品信息1、NV6115氮化镓MOS丝印:NV6115芯片介绍:NV6115氮化镓MOS,是针对
2021-01-08 17:02:10
近日,超低功耗 (ULP) RF 专家 Nordic Semiconductor ASA宣布推出超低功耗 (ULP) nRF51 系列 RF 集成电路 (IC) 新产品,它采用全新多协议
2012-07-19 10:22:00
QPD1004氮化镓晶体管产品介绍QPD1004报价QPD1004代理QPD1004咨询热线QPD1004现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1004是25W(p3db),50欧姆输入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN-on-SiC
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化镓晶体管产品介绍QPD1018报价QPD1018代理QPD1018咨询热线QPD1018现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司QPD1018内部匹配离散GaN-on-SiC
2019-07-17 13:58:50
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
最新的高性能3轴MEMS加速度计LIS344AHH.新产品拥有达±18g的满量程、高带宽、低噪声、高机械稳定性和热稳定性,可提升游戏、用户界面和增强实境的用户体验,以及工业控制和碰撞监视的性能。 新产品的高
2018-11-06 16:09:01
恶劣散热条件下而推出的一款新产品。 近日,意法半导体(以下简称“ST”)新推出一款高性能MEMS加速度计“LIS2HH12”.“LIS2HH12”是针对最新智能手机等移动设备中愈发具有挑战性
2018-11-06 15:04:38
TGF2977-SM氮化镓晶体管产品介绍TGF2977-SM报价TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨询热线TGF2977-SM现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
搭载高通(Qualcomm®) Quick Charge™ 5技术的通用型氮化镓电源适配器可在5分钟内将智能手机的电量从0%充至50%高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应
2021-08-12 10:55:49
`•新型低噪3轴加速度计,为工业倾角计厂商提供经济实惠的高精度传感器解决方案•新产品属于意法半导体10年供货承诺计划之列•2018年将推出更多的高精度、高稳定性的工业级传感器 横跨多重电子应用领域
2018-05-28 10:23:37
包括更低的开关损耗、更快的开关速度、更高的功率密度、更出色的热预算,并进一步降低重量和成本。除了电动汽车市场之外,基于氮化镓的电子产品也为进一步降低数据中心和消费类设备的功耗提供了良机。电动汽车
2018-07-19 16:30:38
极限。而上限更高的氮化镓,可以将充电效率、开关速度、产品尺寸和耐热性的优势有机统一,自然更受青睐。
随着全球能量需求的不断增加,采用氮化镓技术除了能满足能量需求,还可以有效降低碳排放。事实上,氮化镓
2023-06-15 15:47:44
超低的电阻和电容,开关速度可提高一百倍。
为了充分利用氮化镓功率芯片的能力,电路的其他部分也必须在更高的频率下有效运行。近年加入控制芯片之后,氮化镓充电器的开关频率,已经从 65-100kHz,提高到
2023-06-15 15:53:16
教授),如下图所示)图1:日本大阪大学森勇介列举的氮化镓晶圆面临的问题点。第一个问题是,因为氮化镓材料(Bulk Wafer)的体积很小,所以以前只能制造低价的芯片,有些产品连测试都做不到。之前只能制造
2023-02-23 15:46:22
氮化镓(GaN)功率芯片,将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上,能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化镓功率芯片,能令先进的电源转换拓扑结构,从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年,无论是吊打碳化硅,还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势,氮化镓充电器的充电器件运行速度,比传统硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化镓相比传统的硅,可以在更小的器件空间内处理更大的电场,同时提供更快的开关速度。此外,氮化镓比硅基半导体器件,可以在更高的温度下工作。
2023-06-15 15:41:16
带宽更高,这一点很重要,载波聚合技术的使用以及准备使用更高频率的载波都是为了得到更大的带宽。[color=rgb(51, 51, 51) !important]与硅或者其他器件相比,氮化镓速度更快
2019-07-08 04:20:32
组件来实现产品设计。也因为消费性市场存在可观的潜在需求,相较于碳化硅组件基本上是整合组件制造商(IDM)的天下,氮化镓制程已经吸引台积电等晶圆代工业者投入。不过,氮化镓阵营的业者也有问鼎大功率
2021-09-23 15:02:11
(GaN)原厂来说尤为常见,其根本原因是氮化镓芯片的优异开关性能所引起的测试难题,下游的氮化镓应用工程师往往束手无策。某知名氮化镓品牌的下游客户,用氮化镓半桥方案作为3C消费类产品的电源,因电源稳定性
2023-02-01 14:52:03
的测试,让功率半导体设备更快上市并尽量减少设备现场出现的故障。为帮助设计工程师厘清设计过程中的诸多细节问题,泰克与电源行业专家携手推出“氮化镓电源设计从入门到精通“8节系列直播课,氮化镓电源设计从入门到
2020-11-18 06:30:50
如何带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源,包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23
如何实现小米氮化镓充电器是一个c to c 的一个充电器拯救者Y7000提供了Type-c的端口,但这个口不可以充电,它是用来转VGA,HDMI,DP之类了,可以外接显示器,拓展坞之类的。要用氮化镓
2021-09-14 06:06:21
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55
砷化镓晶圆代工厂。
公司主要从事砷化镓微波集成电路(GaAs MMIC)晶圆之代工业务,提供HBT、pHEMT微波集成电路/离散组件与后端制程的晶圆代工服务,应用于高功率基站、低噪声放大器(LNA
2019-05-27 09:17:13
半导体的优势,使用氮化镓开关管的保护板,具有更高的耐压,可为保护板提供更高的过电压保护能力。期待配套的保护芯片早日成熟,助推氮化镓锂电池保护应用,推出更轻、更高效的电池产品。原作者:充电头网编辑部充电头网
2023-02-21 16:13:41
已经非常明朗。而除了熟知的手机厂商之外,各大电商品牌推出的氮化镓快充产品更是琳琅满目,极大丰富了产品的品类,为消费者带来更多选择,同时也对推动氮化镓快充的发展,起到了重要的作用。今天这篇文章就为大家盘点
2021-04-16 09:33:21
氮化镓(GaN)和射频(RF)能量应用为工业市场带来重大变革。以前分享过氮化镓如何改变烹饪、等离子体照明和医疗过程,接下来在日常生活中的射频能量系列中分享下氮化镓如何用于工业加热和干燥。从工业角度
2018-01-18 10:56:28
第 1 步 – 栅极驱动选择 驱动GaN增强模式高电子迁移率晶体管(E-HEMT)的栅极与驱动硅(Si)MOSFET的栅极有相似之处,但有一些有益的差异。 驱动氮化镓E-HEMT不会消除任何
2023-02-21 16:30:09
。与硅或者其他器件相比,氮化镓速度更快。GaN可以实现更高的功率密度。对于既定功率水平,GaN具有体积小的优势。有了更小的器件,就可以减小器件电容,从而使得较高带宽系统的设计变得更加轻松。射频电路中的一
2019-07-05 04:20:06
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
%、采用的元件少50%、缩短设计时间和更高效的解决方案。氮化镓集成电路使产品更小、更快、更高效和更易于设计。
误解4:氮化镓器件的供应链不可靠
EPC的GaN FET和集成电路的制造工艺非常简单和成熟。通过
2023-06-25 14:17:47
请问半桥上管氮化镓这样的开尔文连接正确吗?
2024-01-11 07:23:47
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
日前,在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告,与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
业务服务,改变过去仅由Cree、Infineon、Qorvo等整合组件大厂供应的状况。GaN的部分,有台积电及世界先进提供GaN-on-Si的代工业务,稳懋则专攻GaN-on-SiC领域瞄准5G基站
2019-05-09 06:21:14
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
candence中的Spice模型可以修改器件最基本的物理方程吗?然后提取参数想基于candence model editor进行氮化镓器件的建模,有可能实现吗?求教ICCAP软件呢?
2019-11-29 16:04:02
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
3.3兆伏)。 客观来说,一个额定电压为600伏的类似氮化镓功率晶体管的栅极-漏极间隙通常为15到20微米,而我们的是600纳米。取得这个结果之后,功率开关晶体管的研究开始以惊人的速度发展。2017年
2023-02-27 15:46:36
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
射频产品生产商和晶圆代工服务供应商TriQuint 半导体公司,日前发布其为GPS全球定位卫星导航系统设计的全新、高集成射频模块 --- TQM640002。这一全新的前端模块,以小型封装形式将
2008-10-31 07:44:131044 业内领先的广泛氮化镓 (GaN) 产品系列——包括放大器、晶体管和开关。TriQuint GaN解决方案可提高射频效率、降低总成本和增强系统坚固性。
2019-03-20 10:56:09568 TriQuint公司的TriAccessTM CATV/FTTH产品提供的集成方 案能够以更低的成本实现更高效、更有竞争力的网络 全球射频产品的领导厂商和晶圆代工服务的重要供应商 TriQuint
2017-12-12 04:18:35894
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