Si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后，日本各大企业相继发布了采用SiC和GaN的功率元件新产品，还有不少企业宣布涉足功率元件业务。
2013-04-19 09:08:31
1795 （Sapphire）与碳化矽（SiC）基板为主，且重大基本专利掌握在日本、美国和德国厂商手中。有鉴于专利与材料种种问题，开发矽基氮化镓（GaN-on-Si）磊晶技术遂能摆脱关键原料、技术受制于美日的困境。
2013-06-06 13:39:192417 今年硅基氮化镓（GaN-on-Si）基板市场发展急冻。去年5月底，普瑞光电（Bridgelux）与东芝（Toshiba）风光宣布，共同成功开发出基于8吋GaN-on-Si基板技术的发光二极体（LED
2013-06-21 09:18:321888 业界对GaN功率元件的期待已达到最高峰。实际上这的确是一种非常有前景的材料。但其中还有很多未知的部分，采用还为时尚早。英飞凌科技负责汽车用高压功率半导体和驱动IC等业务的电动动力传动系统部高级总监Mark Muenzer介绍了对GaN功率元件的看法
2014-01-22 09:31:051598 市场调查公司Yole Developpement（以下简称Yole）认为，市场规模方面，2020年GaN器件市场整体规模有可能达到约6亿美元。从（2020年将支配市场的）电源和PFC（功率因数校正）领域，到UPS（不间断电源）和马达驱动，很多应用领域都将从GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:181254 
就在20多年前，Nichia推出了第一款氮化镓（GaN）发光二极管（LED）。此举开始广泛使用具有成本效益的蓝色LED。从那时起，GaN LED的输出功率和光频率都有所增加，这使得可以将这些器件与荧光粉结合使用作为照明源。
2019-03-13 08:56:004364 
在过去几年中，氮化镓 (GaN) 在用于各种高功率应用的半导体技术中显示出巨大的潜力。与硅基半导体器件相比，氮化镓是一种物理上坚硬且稳定的宽带隙 (WBG) 半导体，具有更快的开关速度、更高的击穿强度和高导热性。
2022-07-29 10:52:00991 
近年来，电动汽车、高铁和航空航天领域不断发展，对功率器件/模块在高频、高温和高压下工作的需求不断增加。传统的 Si 基功率器件/模块达到其自身的材料性能极限，氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体
2022-08-22 09:44:013651 氮化镓（GaN）功率器件在几个关键性能指标上比硅（Si）具有优势。具有低固有载流子浓度的宽带隙具有更高的临界电场，能实现更薄的漂移层，同时在较高的击穿电压下可以降低导通电阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:293615 
高性能模拟射频、微波、毫米波和光波半导体产品的领先供应商MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)推出了MAMG-100227-010宽带功率放大器模块，扩展了硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率放大器产品组合。
2019-01-30 13:50:576526 基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。
2021-04-23 11:27:113112 
GaN功率集成电路技术:过去，现在和未来
2023-06-21 07:19:58
GaN技术的出现让业界放弃TWT放大器，转而使用GaN放大器作为许多系统的输出级。这些系统中的驱动放大器仍然主要使用GaAs，这是因为这种技术已经大量部署并且始终在改进。下一步，我们将寻求如何使用电路设计，从这些宽带功率放大器中提取较大功率、带宽和效率。
2019-09-04 08:07:56
栅极电荷，它可以使用高开关频率，从而允许使用较小的电感器和电容器。 相较于SiC的发展，GaN功率元件是个后进者，它是一种拥有类似于SiC性能优势的宽能隙材料，但拥有更大的成本控制潜力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
的开关损耗能够得到有效的降低。如图5所示是在维持100W的输出功率下30min测得的器件热成像图（环境温度25℃），在GaN器件无外加散热措施的情况下，可以看到上管温度仅为73.4℃，下管仅为62.2
2023-06-25 15:59:21
为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说，相比LDMOS硅技术而言，GaN这一材料技术，大大提升了效率和功率密度。约翰逊优值，表征高频器件的材料适合性优值， 硅技术的约翰逊优值仅为1， GaN最高，为324。而GaAs，约翰逊优值为1.44。肯定地说，GaN是高频器件材料技术上的突破。
2019-06-26 06:14:34
LED背光照明的工作原理是什么？LED背照系统的架构怎样去选择？LED驱动技术是怎样降低电视机的能耗的？
2021-05-10 06:41:05
LED的特点是工作电压低，即使是白光LED的工作电压也不会高于4V，相对于有效值220V的交流市电来说，就需要降压或限流。降压是通过工频变压器或高频逆变器将市电降低到与LED工作电压相匹配的电压等级
2019-09-17 07:26:41
MACOM六十多年的技术传承，运用bipolar、MOSFET和GaN技术，提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。射频功率晶体管 - 硅基氮化镓 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
频率：3 GHzTheta J-C：5.3 C / W最高频率：4,000 MHz最低频率：0 MHzNPTB00025B 产品详情MACOM是全球唯一的RF上的GaN-on-Si技术提供商。我们提供
2019-11-01 10:46:19
描述该参考设计为客户提供有关电源设计中 GaN 与 SI 使用情况的对比研究。该特定的设计使用 TPS40400 控制器来驱动 CSD87381（对于硅电源）和采用 EPC2111
2019-01-02 16:17:21
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步，从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率，将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48:08
GaN技术融入到电源解决方案中，从而进一步突破了对常规功率密度预期的限值。基于数十年电源测试方面的专业知识，TI已经对GaN进行了超百万小时的加速测试，并且建立了一个能够实现基于GaN电源
2018-09-10 15:02:53
，随后进一步将电压降低到数字电路所需要的电压电平。现在，客户可以使用更少的转换器，从而减少功率损耗。 在未来的几年内，GaN可以在提供更大输出功率的同时减小适配器尺寸。随之而来的将是易于携带，同时又支持
2018-09-11 14:04:25
，GaN-on-Si 将实现成本结构和使用现有大直径晶圆厂的能力，这将是一个很大的优势。由于硅是一种导电基板，因此在处理基板电位以及它与功率器件相互作用的方式方面带来了额外的挑战。第一个具有 GaN FET、GaN
2021-07-06 09:38:20
碳化硅（SiC）和硅上氮化镓（GaN-on-Si）。这两种突破性技术都在电动汽车市场中占有一席之地。与Si IGBT相比，SiC提供更高的阻断电压、更高的工作温度（SiC-on-SiC）和更高的开关
2018-07-19 16:30:38
功率密度射频应用合并选择的原因所在。如今，GaN-on-SiC 基板的直径可达6 英寸。GaN-on-Si 合并的热学性能则低得多，并且具有较高的射频损耗，但成本也低很多。这就是GaN-on-Si
2019-08-01 07:24:28
移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，发布两款全新的氮化镓（GaN）功率放大器（PA）系列产品
2019-09-11 11:51:15
对市场驱动因素的分析表明，加速WBG设备实现的更有效方法的商业采用需要降低组件的成本。这导致了围绕用于控制高效系统的廉价WBG晶体管策略的大量研究。提高转换器工作频率可以减小储能元件的尺寸，这
2023-02-21 16:01:16
驱动许多技术进步。图1: 迈向5G 之路谈及新兴的mmW 标准时，GaN 较之现在的技术具有明显的优势。GaN 能够提供更高的功率密度，具有多种优点：· 尺寸减小· 功耗降低· 系统效率提高我们已经
2017-07-28 19:38:38
市场上已有的解决方案，以降低开发成本。在当今对成本和功耗都非常敏感的“绿色”环境下，对于高技术企业，两种挑战都有什么影响呢？第一种挑战意味着开发全新的产品，其功能是独一无二的，具有较低的价格以及较低
2019-08-09 07:41:27
基于GaN器件的产品设计可以提高开关频率，减小体积无源器件，进一步优化产品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速开关特性，给散热带来了一系列新的挑战耗散设计、驱动设计和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23:23
电子组件。由于功率变换和电机驱动组件的尺寸过大，而且能效不高，它们通常安装在单独的机柜中，并通过长距离的布线连接到机器人手臂。这便降低了工业机器人单位立方米的生产效率。利用GaN技术，可以更简单地将驱动
2019-03-01 09:52:45
问题：如何通过驱动高功率LED降低EMI？
2019-03-05 14:33:29
可靠性的综合性方法很重要。如需了解与TI计划相关的进一步细节，请参考Sandeep Bahl的白皮书，一个限定GaN产品的综合方法。为了降低成本，功率GaN目前采用的是6英寸硅基板。由于硅和GaN晶格
2019-07-12 12:56:17
尽可能多天线以达到目标容量，而将GaN－on－Si器件技术与模块驱动设计相结合，便能够设计并部署更小、更轻的产品。”显然，GaN的使用的确会带来许多优势，如集成度更高、高功率密度、低功耗及具有
2019-12-20 16:51:12
上的毫米波频率。另外，GaN功率放大器支持更高的带宽，即使在较高的频率也是如此。 如今存在的两种主要GaN技术为碳化硅GaN(SiC)和硅GaN(Si)。GaN on Si的优势在于基板成本低，可以在
2018-12-05 15:18:26
在德州仪器不断推出的“技术前沿”系列博客中，一些TI最优秀的人才讨论当今最大的技术趋势以及如何应对未来挑战等问题。相较于先前使用的硅晶体管，氮化镓（GaN）可以让全新的电源应用在同等电压条件下以更高
2018-08-30 15:05:40
）③ SiC、GaN宽禁带电力电子技术的机遇和挑战 ④ 针对宽禁带电力电子技术特性的封装技术 ⑤ SiC、GaN器件与Si器件的对比（优势、驱动上的区别、结构和成本的影响）五、活动报名电话：***微信：CampusXiaomeng`
2017-07-11 14:06:55
数据中心应用服务器电源管理的直接转换。 此外，自动驾驶车辆激光雷达驱动器、无线充电和5G基站中的高效功率放大器包络线跟踪等应用可从GaN技术的效率和快速切换中受益。 GaN功率器件的传导损耗降低，并
2018-11-20 10:56:25
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
效率和功率密度。GaN功率晶体管作为一种成熟的晶体管技术在市场上确立了自己的地位，但在软开关应用中通常不被考虑使用。虽然在硬开关应用中使用GaN可以显著提高效率，但软开关转换器（如LLC）对效率和频率
2023-02-27 09:37:29
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
的产值目前仍小于SiC基板。但GaN能在高频操作的优势，仍是各大科技厂瞩目的焦点。除了高规格产品使用GaN-on-SiC的技术外，GaN-on-Si透过其成本优势，成为目前GaN功率组件的市场
2019-05-09 06:21:14
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体，如果不妥，请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
方向为更高的功率密度，更小的体积，更低的成本及损耗。特别是材料迭代方面，从硅Si材料逐渐向氮化镓（GaN）等宽禁带材料升级，使得功率器件体积和性能均有显著提升。那么什么是第三代半导体GaN呢？它是由氮
2021-12-01 13:33:21
Stefano GallinaroADI公司各种应用的功率转换器正从纯硅IGBT转向SiC/GaN MOSFET。一些市场（比如电机驱动逆变器市场）采用新技术的速度较慢，而另一些市场（比如太阳能
2018-10-22 17:01:41
MAMG-100227-010C0L 是一款 GaN-on-Si 混合功率放大器 (PA)，工作频率为 225 至 2600 MHz。它提供 10 W CW 的输出功率、22 dB 的功率增益
2022-08-22 16:27:29
MACOM 的 MAGX-101214-500 是一款 GaN-on-Si 功率晶体管，适用于脉冲 L 波段雷达系统，适用于 1.2 至 1.4 GHz 的机场监视雷达 (ASR) 应用。它在 50
2022-08-30 15:20:26
透过先进的MOCVD技术降低LED制造成本
随着LED的主流应用从平板电视背光源进入到一般照明的市场，高亮度LED的成长可说是一片看好
2010-03-27 09:31:46682 目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学
2010-06-07 11:27:281388 
利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移
2011-04-14 13:29:34
29 美国Transphorm公司发布了耐压为600V的GaN类功率元件。该公司是以美国加州大学圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人员为核心创建的风险企业，因美国谷歌向其出资而备受功率半导体
2012-05-18 11:43:441931 SOITEC与重庆四联光电就共同使用HVPE制造氮化镓（GaN）达成了协议。GaN晶体模板在LED的生产中能大大降低成本。
2012-07-10 15:36:06918 安森美半导体（ON Semiconductor）加入了领先纳米电子研究中心imec的多合作伙伴业界研究及开发项目，共同开发下一代硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率器件。
2012-10-10 13:41:31970 来自德国的AZZURRO成立于2003年，主要是提供新型态晶圆给功率半导体与LED厂商使用。AZZURRO拥有独家专利氮化镓上矽（GaN-on-Si）的技术。
2012-10-22 10:54:411198 松下在GaN基板产品和Si基板产品方面试制了2.1mm×2.0mm测试芯片做了比较。Si基板产品的导通电阻为150mΩ，GaN基板产品的导通电阻为100mΩ。Qoss方面，Si基板产品为18.3nC
2016-12-12 10:15:212348 
控制多LED的功率和成本eng
2017-04-13 09:22:180 21IC讯 恩智浦半导体扩展其丰富的GaN和硅横向扩散金属氧化物半导体（Si-LDMOS）蜂窝基础设施产品组合，推动创新，以紧凑的封装提供行业领先的性能，助力下一代5G蜂窝网络发展。
2018-06-29 10:30:001973 射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-03-26 10:27:001243 在蜂窝网络应用当中，市场需要提高数据容量，但不能忍受成本的大幅提升。与LDMOS相比，Macom的硅基GaN技术能够以更小的封装提供更高的功率和能效，实现提高容量并降低成本的效果。以目前中国的4G基站为例，如果全部替换成GaN技术，300万个基站每年总共可以节省数十亿元的费用。
2018-05-30 03:05:001196 
2016年氮化镓(GaN)功率元件产业规模约为1,200万美元，研究机构Yole Développemen研究显示预计到2022年该市场将成长到4.6亿美元，年复合成长率高达79%。
2018-05-22 17:02:218235 
浙江大学近期首次报道了没有电流折叠（即没有动态导通电阻降低）的垂直GaN功率整流器（GaN-on-GaN）。这款功率整流器即使在从高反向应力偏置切换到500V后也仅需200ns，性能也超过了目前最先进的硅（GaN-on-Si）器件上的横向氮化镓。
2018-10-26 17:28:514990 面积大幅减少，并简化周边电路设计，达成减少模块、系统周边零组件及冷却系统体积目标，GaN应用范围包括射频、半导体照明、激光器等领域。 现行GaN功率元件以GaN-on-SiC及GaN-on-Si两种晶圆进行制造，其中GaN-on-SiC强调适合应用在高温、高频的操作环境，因此在散热性能
2018-11-09 11:44:01220 今年9月，意法半导体展示了其在功率GaN方面的研发进展，并宣布将建设一条完全合格的生产线，包括GaN-on-Si异质外延。
2018-12-18 16:52:144894 GaN材料原先被用为如蓝色LED等LED类产品的主要原料，但是由于GaN具有高硬度与高能隙的特性，并且GaN功率元件可以在硅基质上成长，在面积与整体成本考量上，也具有比碳化硅元件更划算的可能性。
2019-01-08 15:30:307150 
本文将概述GaN在硅的开发方面的最新技术，以及通过利用大批量，大尺寸，晶圆尺寸的半导体加工技术，它可以降低生产成本。在英国，Plessey Semiconductors是首批在Si晶圆上使用GaN
2019-03-13 08:54:003755 自从20年前第一批商用产品问世，GaN在射频功率应用领域已成为LDMOS和GaAs的重要竞争对手，并且，正在以更低的成本不断提高性能和可靠性。首批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件几乎同时
2019-05-09 10:25:184319 
目前世界范围内围绕着GaN功率电子器件的研发工作主要分为两大技术路线，一是在自支撑Ga N衬底上制作垂直导通型器件的技术路线，另一是在Si衬底上制作平面导通型器件的技术路线。
2019-08-01 15:00:037275 
增加了四款新产品硅氮化镓（GaN-on-Si）高功率白光LED。 TL1L4-DW0，TL1L4-NT0，TL1L4-NW0和TL1L4-WH0有助于提高发光效率并降低LED照明的功耗。新型TL1L4系列
2019-08-09 15:21:401945 本文报道了一个深入研究的负阈值电压不稳定性的gan-on-si金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管部分凹陷algan。基于一组在不同温度下进行的应力/恢复实验，我们证明：1）在高温和负栅偏压（-10v
2019-10-09 08:00:002 根据分析机构 Yole 的数据显示，英特尔和 Macom 在射频的GaN-on-Si 专利领域处于领先地位。
2020-03-01 19:45:152726 科技半导体公司提出的GaN基复合衬底技术，结合企业自身的LED芯片技术，在大大提高LED出光效率的同时，还能大幅降低高端LED芯片的生产成本，改进现有LED的产业链结构，同时该技术还可扩展应用到GaN功率器件和MicroLED领域。
2020-04-17 16:37:573363 
MACOM是世界上唯一的RF上GaN-on-Si技术供给商。 MACOM供给普遍的陆续波（CW）硅上GaN射频功率放大器产品，这些产品是设计用于DC至6 GHz的别离器件和模块。 MACOM的高功率
2020-07-17 09:26:49446 Aledia于2011年从Cea-Leti剥离出来，开发了一种基于标准200mm Si平台的颠覆性3D LED技术，与传统的2D LED技术相比，这将降低每片芯片的成本。今年初，这家初创公司宣布
2021-03-30 16:37:202990 1月5日消息，知名供应链媒体 Digitimes 昨日报道称，Unikorn 开始生产 100W 的 GaN-on-Si 芯片，且有望在今年为苹果生产相应的产品。当然，苹果的 GaN 充电器大概率是用于 Mac 系列电脑而非手机，
2021-01-05 10:40:331564 介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术，分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术，提供了
2021-04-21 09:55:203870 
与硅 MOSFET 相比，电气端子可以更接近 10 倍。这导致 GaN 和硅之间有一个明显的区别因素：中压 GaN 器件可以建立在平面技术上，而这对于硅器件来说成本过高。为了具有竞争力，硅器件采用垂直技术制造，因此在同一芯片中不可能有两个功率器件。EPC 的 GaN-on-Si 平面技术没有这个必须垂直构建的限制，
2022-07-29 11:12:341625 
四十年来，随着功率 MOSFET 结构、技术和电路拓扑的创新与不断增长的电力需求保持同步，电源管理效率和成本稳步提高。然而，在新千年中，随着硅功率 MOSFET 接近其理论界限，改进速度已显着放缓
2022-08-04 11:17:55587 
的限制，并且高温性能和低电流特性较差。高压 Si FET 在频率和高温性能方面也受到限制。因此，设计人员越来越多地寻求采用高效铜夹封装的宽带隙 (WBG) 半导体。 功率氮化镓技术 GaN 技术，特别是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高电子迁移率晶体
2022-08-04 09:52:161078 
微反射器和预聚焦 LED 制造工艺显着节省空间
2022-08-24 18:04:59969 
可以在各种衬底上生长，包括蓝宝石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生长氮化镓（GaN）外延层可以使用现有的硅制造基础设施，从而
无需使用高成本的特定生产设施，而且以低成本采用大直径的硅晶片。
GaN power semiconductor 2023 predictions一文有
2023-02-15 16:19:060 功率 GaN 技术：高效功率转换的需求-AN90021
2023-02-17 19:43:381 GaN-on-Si LED技术是行业梦寐以求的技术。首先，硅是地壳含量第二的元素，物理和化学性能良好，在大尺寸硅衬底上制作氮化镓LED的综合成本可以降低25%；
2023-03-10 09:04:16886 传统GaN-on-Si功率器件欧姆接触主要采用Ti/Al/X/Au多层金属体系，其中X金属可为Ni，Mo，PT，Ti等。这种传统有Au欧姆接触通常采用高温退火工艺（＞800℃），第1层Ti在常温下
2023-04-29 16:46:00735 
付出更大的成本？本文会以适配器（Adaptor）的应用来做说明。图1目标产品应用种类氮化镓（GaN）是横向结构的功率元件，其具有小于硅（Si）的十分之一以下的闸极电荷（
2022-12-09 14:41:082746 
宽禁带半导体GaN能够在更高电压、更高频率以及更高的温度下工作，在高效功率转换，射频功放，以及极端环境电子应用方面具有优异的材料优势。
2023-08-09 16:10:10555 
宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEMT来降低功率并简化电路和系统架构，这是GaN HEMT技术的主要挑战之一。凹进的AlGaN/GaN结构是实现常关操作的有用选择之一。
2023-10-10 16:21:11292 
保证了HEMT器件产品在0-850V的电压区间上的安全稳定工作，在国内市场中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片，可开发出650V、900V、以及1200V HEMT产品，推动氮化镓向更高压、更高功率应用领域迈进。
2023-11-16 11:56:22596 
随着半导体技术的发展，垂直GaN功率器件逐渐凭借其优势逐渐应用在更多的领域中。高质量的GaN单晶材料是制备高性能器件的基础。
2023-12-27 09:32:54374 
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