据TechCrunch网站报道,碳纳米管属于一种超级材料——它是直径为1或2纳米的圆柱状物,它有包括从超级计算机到效能比更高的智能手机在内的许多梦幻般应用。问题是,它们不容易制造,推出商业化碳纳米管产品可能尚需10-15年。
2016-08-22 10:09:071710 得益于研究人员的持续推进,碳纳米管器件现在正在越来越接近硅的能力,最新的进展也在最近举办的IEEE电子器件会议IEDM上揭晓。会上,来自台积电,加州大学圣地亚哥分校和斯坦福大学的工程师介绍了一种新的制造工艺,该工艺可以更好地控制碳纳米管晶体管。这种控制对于确保在逻辑电路中晶体管完全关闭至关重要。
2020-12-16 10:11:293181 碳纳米管是20世纪90年代日本科学家Iijima先生(Iijima Sumio. Helical microtubules of graphitic carbon. Nature,1991,354
2023-07-19 13:35:50851 控制流过发射极-集电极电路的电流。 硅模型 像8050这样的硅晶体管通常在基极电压比发射极高0.65伏时接通。发射极基极电路通常设置为提供接近触发点的预设电压。这称为偏差。当晶体管导通时,输出遵循
2023-02-16 18:22:30
列出使用VBE的测试方法。VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压:VBE根据温度变化。图1. 热电阻测量电路由此,通过测定VBE,可以推测结温。通过图1的测定电路,对晶体管输入封装功率:PC
2019-04-09 21:27:24
晶体管之间的差异性:就三极管,mos管和可控硅之间的差别和相同点的相关概念有点模糊,请各位大侠指点!!!
2016-06-07 23:27:44
晶体管分类 按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构
2010-08-12 13:59:33
Ω(用 R×10档测)以上。硅材料晶体管的电阻值应大于100kΩ(用R×10k档测),实测值一般为500kΩ以上。若测得晶体管C、E极之间的电阻值偏小,则说明该晶体管的漏电流较大;若测得C、E极之间
2012-04-26 17:06:32
供应晶圆芯片,型号有: 可控硅, 中、大功率晶体管,13000系列晶体管,达林顿晶体管,高频小信号晶体管,开关二极管,肖特基二极管,稳压二极管等。有意都请联系:沈女士***
2020-02-17 16:24:13
,故稳定性较好。由于硅管ICEO很小,故一般已不作为主要参数。(6) 集电极反向电流ICBOICBO是指晶体管发射极开路时的集电极反向电流。晶体管的ICEO约为ICBO的β倍,故ICEO要明显大于ICBO。(7) 特征频率FT FT越高,晶体管的高频性能越好,也就是可工作的频率越高。
2018-06-13 09:12:21
晶体管的主要参数有哪些?晶体管的开关电路是怎样的?
2021-06-07 06:25:09
晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称,是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-04-10 06:20:24
现代社会带来了巨大的影响。2. 从锗到硅最初,晶体管是由锗(半导体)做成的。但是,锗具有在80°C左右时发生损坏的缺点,因此现在几乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右热度的物质。3. 晶体管的作用
2019-07-23 00:07:18
现代社会带来了巨大的影响。2. 从锗到硅最初,晶体管是由锗(半导体)做成的。但是,锗具有在80°C左右时发生损坏的缺点,因此现在几乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右热度的物质。3. 晶体管的作用
2019-05-05 00:52:40
分为硅管和锗管两类。 晶体管内部结构的特点是发射区的掺杂浓度远远高于基区掺杂浓度,并且基区很薄,集电结的面积比发射结面积大。这是晶体管具有放大能力的内部条件。 2. 电流分配与放大作用 体管具有放大能力
2021-05-13 06:43:22
列出使用VBE的测试方法。VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压:VBE根据温度变化。图1. 热电阻测量电路由此,通过测定VBE,可以推测结温。通过图1的测定电路,对晶体管输入封装功率:PC
2019-05-09 23:12:18
,特别是近年来碳纳米管的发展令人注目,在速度、集成度、特别是功耗方面都将有重大突破,但离开实际应用可能比硅基量子器件要更远一些。原文见王阳元院士在“纳米CMOS器件”书中写的序(2004年1月科学出版社出版)。 :
2018-08-24 16:30:27
碳纳米管/ TiO2 电极光电催化测定耐兰方法探讨摘要:自合成二氧化钛2碳纳米管( TiO22CN T) 复合催化剂,用Nafion 溶液把CN T2TiO2 固定到玻碳电极上制成CN T2TiO2
2009-08-08 09:44:34
碳纳米管针尖
2019-10-18 09:36:45
并采用CST进行仿真,结果表明纳米管束比单根纳米管的天线效率提高了30-40dB,文中把纳米管束作为电导率与纳米管根数成正比的单根天线来研究,在理论上不够准确,而且鉴于纳米管束的尺寸,采用中点馈电
2019-05-28 07:58:57
脉冲功率。 在没有外部调谐的情况下,所有设备都在宽带RF测试夹具中100%屏蔽了大信号RF参数。硅双极匹配50欧姆210W输出功率经过100%大功率射频测试C级操作IB0607S10功率晶体管
2021-04-01 10:07:29
设计分析纳米材料和实验器件碳纳米管的电测量标准测量碳纳米管电气特性提高纳米电子和分子电子器件的低电流测量在低功率和低压应用中实现准确、可靠的电阻测量纳米级器件和材料的电气测量提高超高电阻和电阻率测量的可
2021-11-16 15:59:56
MAPRST0912-50硅双极晶体管产品介绍MAPRST0912-50报价MAPRST0912-50代理MAPRST0912-50咨询热线MAPRST0912-50现货,王先生
2018-08-09 09:57:23
流。IG 鳍式场效应晶体管比 SG 鳍式场效应晶体管需要更大的面积。 绝缘体上硅 (SOI) 与大晶硅鳍式场效应晶体管 鳍式场效应晶体管已在绝缘体上硅(SOI)晶圆和传统的散装晶圆上制造。 SOI
2023-02-24 15:20:59
MRF422硅双极晶体管产品介绍MRF422报价MRF422代理MRF422MRF422现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司MRF422主要用于高功率线性放大器的设计,从2到30 MHz优势产品
2018-10-09 12:10:05
两个N型半导体和一个P型半导体组成。通常,NPN晶体管将一块P型硅(基极)夹在两块N型(集电极和发射极)之间。排列如图1所示。NPN晶体管如何工作?以下是说明NPN晶体管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
电流。为了使基极电流在 PNP 晶体管中流动,基极必须比发射极(电流必须离开基极)更负,对于硅器件大约 0.7 伏,对于锗器件,基极电流和集电极电流的负值约为0.3 伏,用于计算基极电阻、基极电流或
2023-02-03 09:44:48
众所周知,像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此,将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
输出;还可以把基极电流lb放大β倍,然后在集电极以Ic形式输出。(2)场效应晶体管含义:原件要比晶体管小得多晶体管就是一个小硅片 但是场效应晶体管的结构要比晶体管的要复杂场效应管的沟道一般是几个纳米
2019-04-09 11:37:36
碳纳米管对于传感器器件的重要性。”Applied Nanotech首席执行官表示:“酶涂层碳纳米管使灵敏度和选择性提高,并有消除错误的潜力。”:
2018-11-19 15:20:44
。
在器件层面,根据实际情况而言,归一化导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG)乘积得出的优值系数,氮化镓比硅好 5 倍到 20 倍。通过采用更小的晶体管和更短的电流路径,氮化镓充电器将能实现了
2023-06-15 15:53:16
的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。那么,为何说7nm就是硅材料芯片的物理极限,碳纳米管复合材料又是怎么一回事呢?面对美国的技术突破,中国应该怎么做呢?XX nm制造工艺是什么概念?芯片的制造...
2021-07-28 07:55:25
互补晶体管的匹配
2019-10-30 09:02:03
集电极(也称为公共集放大器/ CC配置/发射极耦合器)。晶体管的分类3.1 晶体管如何分类》 晶体管中使用的材料根据晶体管中使用的半导体材料,可分为硅晶体管和锗晶体管。根据晶体管的极性,可分为锗NPN
2023-02-03 09:36:05
,GaN完胜。块体GaN电子迁移率是硅的两倍多,而二维电子气形态的GaN电子迁移率则是硅的四倍。正如GaN具有高临界击穿电场和高热导率,GaN也具有远高于硅的载流子饱和速度。 透明晶体管的障碍
2020-11-27 16:30:52
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
的输入阻抗。 晶体管通常遵循与单个晶体管相同的设计规则,但有一些限制。它需要更高的基极发射极电压才能导通,通常是单个晶体管的两倍。它的关断时间要长得多,因为输出晶体管基极电流不能主动关断。通过在输出晶体管
2023-02-16 18:19:11
开关。其应用包括家用电脑、笔记本电脑、平板电脑、智能手机、可穿戴设备、高端网络、汽车等。 鳍式场效应晶体管代表鳍状场效应晶体管。鳍片,因为它有一个鳍状体——形成晶体管主体的硅鳍片区分了它。场效应,因为
2023-02-24 15:25:29
测量高阻低电流测量体电阻率和表面电阻率惰性气体或高度真空中的小晶体进行高电阻测量用6线电阻测量技术获得更准确的电阻测量碳纳米管半导体纳米线碳纳米管 FET纳米传感器和阵列单电子晶体管分子电子有机
2021-11-11 10:35:10
测量高阻低电流测量体电阻率和表面电阻率惰性气体或高度真空中的小晶体进行高电阻测量用6线电阻测量技术获得更准确的电阻测量碳纳米管半导体纳米线碳纳米管 FET纳米传感器和阵列单电子晶体管分子电子有机
2021-12-08 15:35:04
设计 金属氧化物半导体场效应晶体管设计 太阳能电池和 LED 设计 高电子迁移率晶体管设计 复合半导体器件设计 分析纳米材料和实验器件 碳纳米管的电测量标准 测量碳纳米管电气特性 提高纳米电子和分子
2020-08-12 15:08:14
晶体管设计结型场效应晶体管设计金属氧化物半导体场效应晶体管设计太阳能电池和 LED 设计高电子迁移率晶体管设计复合半导体器件设计分析纳米材料和实验器件碳纳米管的电测量标准测量碳纳米管电气特性提高纳米电子
2018-11-09 11:28:25
载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。(4)场效应管能在很小
2021-05-13 07:09:34
。(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管
2017-05-06 15:56:51
)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管
2009-04-25 15:43:51
描述EarthQuaker Devices 污垢发射器基于硅晶体管模糊电路。除了标准的 Tone、Level 和 Dirt 旋钮外,Dirt Transmitter 还具有一个 Bias 旋钮,用于模拟快要耗尽的电池的电压不足,以获得类似 Velcro 的绒毛音调。PCB+原理图
2022-08-10 06:40:23
)需要几毫安才能上电,并且可以由逻辑门输出驱动。然而,螺线管、灯和电机等大功率电子设备比逻辑门电源需要更多的电力。输入晶体管开关。 晶体管开关操作和操作区域 图 1 中图表上的蓝色阴影区域表示饱和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶体管?如何提高微波功率晶体管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
来至网友的提问:如何选择分立晶体管?
2023-11-24 08:16:54
。 如何提高晶体管的开关速度?——可以从器件设计和使用技术两个方面来加以考虑。(1)晶体管的开关时间:晶体管的开关波形如图1所示。其中开启过程又分为延迟和上升两个过程,关断过程又分为存储和下降两个过程
2019-09-22 08:00:00
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
有谁可以解答一下如何通过晶体管去提高倍压器的精度吗?
2021-04-20 07:27:55
。 如何提高晶体管的开关速度?——可以从器件设计和使用技术两个方面来加以考虑。(1)晶体管的开关时间:晶体管的开关波形如图1所示。其中开启过程又分为延迟和上升两个过程,关断过程又分为存储和下降两个过程
2019-08-19 04:00:00
% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2,使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流Iomax大。∴ Iomax
2019-04-22 05:39:52
的基础上计算将R1的最大值+30% R2的最小值-20% VBE的最大值0.75V这一组最差数值代入式子②计算。根据下面的式子选择数字晶体管的电阻R1、R2,使数字晶体管的IC比使用设备上的最大输出电流
2019-04-09 21:49:36
晶体管可以让工程师开发出速度更快、集成度和效率更高的集成电路,进而设计出更轻薄的笔记本电脑,散发的热量远远低于现在的水平。这些晶体管包含很多由砷化铟镓做成的纳米管,并没有采用传统的材料硅。生产工艺采用
2011-12-08 00:01:44
等效的提高开关速度的方法,较小R1值也会加快输出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶体管开关速度的另外一种方法,我们熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的数字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
晶体管的半导体的电流由空穴(正极性)和电子(负极性)产生。一般而言的晶体管是指这种由硅构成的晶体管。FETField Effect Transistor的简称,是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
和500KHz的半桥LLC谐振转换器的拓扑结构。在较高频率下,无源谐振电路(例如变压器、谐振电感器和谐振电容器)的尺寸明显减小,从而提高了功率密度。此外,还需要考虑功率晶体管(Q1和Q2)的选择,以权衡
2023-02-27 09:37:29
Ib放大β倍,然后在集电极以Ic形式输出。二、场效应晶体管:原件要比晶体管小得多.晶体管就是一个小硅片.但是场效应晶体管的结构要比晶体管的要复杂.场效应管的沟道一般是几个纳米,也就是说场效应晶体管
2019-03-27 11:36:30
` 引言 在功率变换器应用中,宽带隙(WBG)技术日益成为传统硅晶体管的替代产品。在某些细分市场的应用场景中,提升效率极限一或两个百分点依然关系重大,变换器功率密度的提高可以提供更多应用优势
2021-01-19 16:48:15
用。(2)横向PNP管: 这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的水平方向运动的,故称为横向PNP管。由于受工艺限制,基区宽度不可能很小,所以它的值相对较低,一般为十几倍到二、三十倍。横向PNP管的优点
2019-04-30 06:00:00
采取直接在硅片上真空蒸镀NiCr合金作为催化剂,用化学气相沉积法制备了碳纳米管薄膜。并采用H2等离子体球处理碳纳米管薄膜,测试其场发射特性,并与未经处理的碳纳米管薄
2008-12-03 12:55:2613 碳纳米管薄膜是一种能应用于场发射平面显示器等器件中的新型冷阴极材料。该文用Ni作为催化剂,采用催化热解法在硅片上制备了多壁碳纳米管薄膜场发射阴极,反应气体为乙炔
2009-05-14 19:44:1820 随着对碳纳米管研究的不断深入,对碳纳米管的应用研究越来越受到人们的重视。通过分析碳纳米管的物理特性,对碳纳米管的应用前景进行了广泛的探索。着重分析了碳纳米管
2009-07-13 10:28:1813 碳纳米管研究的不断发展为其与微机电系统(MEMS) 的结合提供了可能,这种结合“Top - down”与“Bottom2up”的方法是微米/ 纳米技术的一个发展趋势。碳纳米管的特性及其在MEMS 上
2009-11-16 11:31:0726 文章系统地论述了非碳纳米管的制备,较详尽地介绍了多种非碳纳米管制备最新的进展,包括硫化物、氮化物、氧化物等等,特别重点地总结了非碳纳米管前沿材料,例如WS2 ,Bi2 S3 , ZnS,
2010-11-21 12:35:4652 碳纳米管具有一些独特的电学性质, 在纳米电子学有很好的应用前景。随着纳米技术的发展, 新的工艺技术也随之产生。纳米器件的由下至上制作工艺, 是在纳米技术和纳米材料的基础之
2011-06-21 17:50:0662 来自IBM、苏黎世理工学院和美国普渡大学的工程师近日表示,他们构建出了首个10纳米以下的碳纳米管(CNT)晶体管
2012-02-04 09:45:29843 FinFET的芯片。在2月份举行的这次Common Platform 2013技术论坛上,IBM除了展示FinFET这种3D晶体管技术外,还展示了诸如硅光子晶体管,碳纳米管等前沿技术。
2013-02-20 23:04:307799 基于SEM图像的碳纳米管薄膜均匀性表征方法研究_陈彦海
2017-03-19 19:12:420 金百纳的核心技术是碳纳米管的制备技术,具有纯度高,管径小等优点。用其分散出来的新型碳纳米管导电浆料(GCN168-40H),与同类碳纳米管导电浆料产品相比具有铁杂质含量低,导电性好等优点,能够更好的满足动力电池对安全性和导电性需求。
2017-12-27 11:42:524273 目前碳纳米管的制备方法主要有三种,分别是弧光放电法,激光高温烧灼法以及化学气相沉淀法。本文采用的实验样品是使用化学气相沉淀法制备多壁碳纳米管阵列
2018-03-23 17:10:0010885 在Nano Letters杂志描述的研究中,Barron和他的团队在尝试了各种方法从各种污染物中清洁碳纳米管之后,对多壁碳纳米管和单壁碳纳米管进行了艰苦的阻力测量。 结果是他们可以去除的杂质越多,阻力测量值越准确和一致。
2018-03-09 15:41:344140 经多年研发,赵社涛最近成功突破了碳纳米管导电剂的新世代生产技术,进一步大大提高了现有小管径碳纳米管导电剂的性能。新工艺所制造的碳纳米管集三大优点于一身:1、是陈列式的碳纳米管,蓬松易分散
2018-08-21 17:15:328684 文章介绍了碳纳米管的结构和性能,综述了碳纳米管/聚合物复合材料的制备方法及其聚合物结构复合材料和聚合物功能复合材料中的应用研究情况,在此基础上,分析了碳纳米管在复合材料制备过程中的纯化、分散、损伤和界面等问题,并展望了今后碳纳米管/聚合物复合材料的发展趋势。
2018-12-13 08:00:008 英国《自然》杂志28日发表了一项计算科学最新进展:美国麻省理工学院团队利用14000多个碳纳米管晶体管,制造出16位微处理器,并生成这样一条信息。其设计和制造方法克服了之前与碳纳米管相关的挑战,将为先进微电子装置中的硅带来一种高效能替代品。
2019-08-29 16:12:133298 MIT和ADI公司的研究人员们创造了第一个完全可编程的16位碳纳米管微处理器。它是迄今基于碳纳米管的CMOS逻辑最复杂的集成,拥有14000多个晶体管,基于RISC-V架构,可执行与商用微处理器相同的任务。
2019-09-02 14:37:291054 以半导体碳纳米管为基础的晶体管作为先进微电子器件中硅晶体管的替代品,显然很有前景。但碳纳米管固有的纳米级缺陷和可变性,以及处理它们面临的挑战,阻碍了它们在微电子领域的实际应用。
2019-09-07 07:08:007191 自1991年日本Iijima教授发现碳纳米管以来,纳米技术吸引了大量科学家的兴趣和研究,是目前科学界的研究热点。基于碳纳米管独特的电学特性,提出了利用碳纳米管阵列构筑新型天线和传输线的设想。自此
2020-11-06 10:40:002 但是,这并不代表着对碳纳米管半导体技术的研发会一帆风顺。1998年首个碳纳米管晶体管研发至今,碳纳米管半导体技术一直遭遇材料上的瓶颈。长期以来,最小碳纳米管CMOS器件的栅长停滞在20nm(2014年 IBM)。
2020-08-31 15:00:503526 新的制造工艺,该工艺可以更好地控制碳纳米管晶体管。这种控制对于确保在逻辑电路中充当晶体管的晶体管完全关闭时至关重要。
2020-12-15 15:22:131610 论文题目中有个看起来有点儿高深的词「碳纳米管纱线」(Carbon nanotube yarns),那么在谈具体的研究细节之前,我们先来解决一个问题:碳纳米管纱线为何物?
2021-02-20 09:19:302915 本文提出了一种碳纳米管“桥接策略”来合成这种富含用于 ORR 催化的高活性单原子 Fe 位点和用于 OER催化的高性能NiCo 纳米颗粒的双功能氧电催化剂(FePc||CNTs||NiCo/CP)。
2022-11-11 11:04:52869 碳纳米管具有高稳定性和卓越的电子特性,已成为替代晶体管中硅的主要候选材料。在11 月 17 日发表于《科学》杂志的一篇评论文章中,西北大学的Mark Hersam及其合作者概述了碳纳米管在高性能 IC 以及适用于物联网的低成本/低性能电子产品中的机遇和剩余挑战
2022-11-25 10:03:361104 OCSiAl通过技术革新,提升了单壁碳纳米管粉料的产能,同时推出了新一代的高固含导电产品,相较现有产品,固含提升在2倍以上,进一步降低单壁碳纳米管的使用成本,提升性价比。
2023-04-20 09:34:461283 on Carbon Nanotube Film and Application in Optoelectronic Integration”的综述文章,该综述全面介绍了高纯度半导体碳纳米管的提纯和薄膜制备
2023-06-12 17:02:40338 近日,北京大学彭练矛院士/张志勇教授团队 造出一款基于阵列碳纳米管的 90nm 碳纳米管晶体管 ,具备可以高度集成的能力。 基于该90nm 碳纳米管晶体管技术,目前该团队研发的高灵敏碳纳米管
2023-09-05 15:10:18538 等,成为提高锂电池能量密度、实现快充快放和提升循环寿命的关键辅材。在过去的几年里,碳纳米管导电浆料的需求急剧增长,尤其是在下游动力电池企业中,为碳纳米管导电剂的市场带来了蓬勃发展。
2023-10-27 17:41:231433 研究中,他们提出了一种顶栅互补碳纳米管金属-氧化物-半导体场效应晶体管结构(Top Gate complementary CNT MOSFETs)。在该结构中,通过将掺杂仅仅局限在延伸部分,而在通道保持未掺杂的状态,凭借这一架构课题组消除了金属电极的重叠
2024-01-05 16:08:32338
评论
查看更多