电子发烧友App
重视技术落地，应用领域不断拓宽
中芯国际精通技术移植的应用、多领域解决方案陆续推出。该公司同行专注于在先进的数字逻辑部分的竞争，而中芯国际的战略是有选择的研发突破并领导相应细分领域技术，同时坚持投资先进的数字逻辑技术。公司将其制程工艺广泛应用于CMOS图像传感器 （CIS）、多元化eNVM技术平台、IoT Solutions、混合信号/射频工艺技术、面板驱动芯片（DDIC）、CMOS 微电子机械系统以及非易失性存储器等领域。公司通过陆续推出新技术，巩固已有市场份额，同时获得新的市场份额。
1）CMOS图像传感器 （CIS）
CMOS图像传感器产业保持高速增长。在移动设备和汽车应用的驱动下，2015年~2021年，CMOS图像传感器（CIS）产业的复合年增长率为10.4%，预计市场规模将从2015年的103亿美元增长到2021年的188亿美元。运动相机似乎已经达到市场上限，但是新的应用，如无人机、机器人、虚拟现实（VR）和增强现实（AR）等，正促使CMOS图像传感器市场焕发新的生机。
与此同时，汽车摄像头市场已经成为CMOS图像传感器的一个重要增长领域。先进驾驶辅助系统（ADAS）的发展趋势进一步提高对传感器供应商的压力，以提升其传感技术能力。图像分析是新兴需求，并且人工智能的早期应用正吸引众人的目光。预计2015年-2021年，汽车CMOS图像传感器市场的复合年增长率将高达23%。因此，我们认为2021年之前，全球CMOS图像传感器的市场增长不会出现放缓的趋势。公司作为CMOS头像传感器晶圆制造企业，是产业的关键节点，未来将受益于行业增长，分享行业红利。
公司拥有十年以上在CMOS图像传感器（CMOS Image Sensor， CIS）的制造经验。目前，中芯国际为客户提供1.75微米/1.4微米像素尺寸的背面照射和1.75微米像素尺寸的正面照射技术。同时我们也可以为客户提供从晶片、 彩色滤光片、微透镜到封装测试的一站式服务。
公司已于2016年成功开发0.11微米CMOS 图像传感器（CIS）工艺技术，在此工艺下生产的 CIS 器件，其分辨率、暗光噪声和相对照度都将得到增强。
公司在中国提供完整的 CIS 代工服务，基于其丰富的领域经验，该0.11微米 CIS 技术能力可以为客户提供除0.15，0.18微米以外领先的解决方案及有竞争力的成本优势。该高度集成、高密度 CIS 解决方案，同时适用于铝和铜后端金属化工艺，可广泛应用于摄像手机、个人电脑、工业和安全市场等领域。公司在该技术领域已经开始进入试生产阶段，未来几个月后也将在其200和300毫米芯片生产线上实现商业化生产。
2）推出多元化eNVM技术平台
公司早在2013年推出多元化嵌入式非挥发性记忆体（eNVM）平台。目前公司拥有公认的制造能力，可以提供具有成本竞争力的嵌入式非挥发性记忆体平台。公司提供了完整的嵌入式非挥发性存储技术与广泛IP支持，可应用于智能卡、MCU和物联网应用。这些嵌入式非挥发性存储技术提供高性能，低功耗与卓越的耐久性和资料保存性能。
这些工艺可提供客户制造出具有成本效益，低功耗，高可靠性的产品，和更具经济效益的解决方案。包括OTP、MTP、0.18微米和0.13微米（µm）eEEPROM（嵌入式EEPROM）技术和0.13微米低功耗（LL）的嵌入式闪存（eFlash）技术，以及正在进行的新型非挥发性存储技术，如相变化存储技术、阻变式存储技术和磁阻式存储技术。
公司eNVM平台适用于消费者、工业产品、汽车电子等广泛的产品应用，诸如MCU （微控制器）、触控屏；以及一系列的智能卡应用领域（涵盖SIM卡、社会保障、交通运输和银行卡等）。通常这些应用对性能、可靠性、尺寸、功耗具有较高的要求。公司现已与诸多业界知名企业在eNVM平台上合作，目前该平台处于量产阶段。
3）IoT Solutions
公司提供完整的一站式IoT技术平台打造智能、安全的物联世界通过不断优化成熟工艺平台，公司提供完整的一站式物联网（Internet of Things， IoT）工艺、制造和芯片设计服务。并携手集成电路生态链合作伙伴，为设计公司生产物联网智能硬件相关芯片产品，用于智能家居、能源、安防、工业机器人、可穿戴式设备、汽车、交通、物流、环境、智能农业、健康监护及医疗等多个领域。
作为中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业，公司能够提供专业、安全、完整的本土化服务，帮助设计公司缩短入市时间，降低成本，在蓬勃发展的物联网市场中占据有利地位。
8寸和12寸技术平台均已完备 – 55纳米低漏电嵌入式闪存平台已进入稳定量产
物联网产品通常具有功能多样性以及快速的上市响应等特点，产品结构以传感、微处理、存储、互联为主，注重微小体积和超低功耗。基于公司的0.18微米到28纳米的低功耗逻辑及射频工艺，结合外置高容量存储器，设计公司可选择用于智能家居、可穿戴式设备、智慧城市等各类物联网产品；0.13微米和55纳米低漏电嵌入式闪存（embedded Flash）工艺进一步整合内置存储器。采用公司55纳米低功耗嵌入式闪存技术的智能卡芯片已成功进入稳定量产。
卓越的SPOCULLTM 95ULP超低功耗和55纳米超低功耗技术平台
公司推出了SPOCULL 95ULP超低功耗技术平台。此8’’工艺平台提供业界最高密度最小面积的SRAM，极低的漏电流、功耗和寄生电容。在12’’工艺平台上， 公司同时也推出55纳米ULP超低功耗技术平台。以95ULP和55纳米ULP为主要超低功耗技术节点，通过进一步降低产品操作电压、工艺器件优化和IP设计优化，极大减低产品的动态功耗和静态功耗，延长系统待机时间和使用效率，并通过整合射频和嵌入式存储器技术，优化成本结构和安全性能。
公司还提供微机电系统（MEMS）传感器技术平台，能够打造集射频、基带、微处理器、嵌入式闪存、微机电系统传感器于一体的单芯片系统（SoC）、系统级封装（SiP）、晶圆级封装（WLP）、2.5D封装等一站式服务，有助于缩短产品入市周期，优化产品成本和结构形态。
全面的物联网（IoT）IP生态系统
除了自身的工艺技术平台以外，公司还积极创建全面的物联网IP生态系统。通过与国内外众多IP合作伙伴建立的良好合作关系，公司可在射频、基带、嵌入式闪存、CPU 和DSP IP核、基础单元库IP、电源管理类IP、信息安全类IP和模拟接口类IP等方面提供完备的、高质量的IP和设计服务。
4）混合信号/射频工艺技术
公司提供与逻辑工艺兼容的混合信号/射频工艺技术。通过与国际领先EDA工具供应商的合作， SMIC提供精确的RF SPICE 模型和完整的PDK 工具包，涵盖从0.18微米工艺到28纳米PolySiON 工艺。 这一系列工艺技术用于射频和无线互联芯片制造并被广泛应用于消费电子，通信，计算机以及物联网等市场领域。
5）面板驱动芯片（DDIC）
公司高压工艺为计算机和消费类电子产品以及无线通讯LCD驱动等广泛应用领域提供一个经济有效的平台。公司同时提供95纳米 SPOCULL 高压平台，该平台的技术性能优越，具备超低功耗的特性来支持可穿戴式设备的应用，具备eNVM来支持in-cell面板的技术，可广泛应用于面板驱动，in-cell面板及AMOLED面板等。
6）CMOS 微电子机械系统
公司的MEMS方案主要集中在两大主流应用领域：第一种为MEMS麦克风，是开放式结构，目前已经进入量产；第二种惯性传感器，是封闭式结构，于2016年2Q进入小量量产。
7）非易失性存储器
公司拥有公认的制造能力，可以提供具有成本竞争力的嵌入式闪存技术。公司提供了完整的嵌入式闪存技术与广泛IP支持，可应用于智能卡，MCU和单芯片。这些嵌入式闪存技术IP提供快速的程序设计和擦除时间，低功耗与卓越的可靠性和资料保存性能。公司还提供了ETOX NOR闪存技术解决方案，涵盖从0.18微米到65纳米。这些工艺可提供客户制造出具有低成本效益，低功耗，高可靠性和耐久性的产品。
集成电路产业转移的“雁行模式”给中芯带来的机遇
集成电路的最初形态为垂直整合的运营模式，系统企业内设集成电路的制造部门，仅用于满足企业自身产品的需求。美国的AT&T是最先采用垂直整合模式的企业，随后IBM的集成电路制造部门为IBM自行生产的大型计算机提供处理器。随着集成电路技术的扩散，日本日立、NEC、富士通、东芝等企业，欧洲的西门子、飞利浦等电子公司都采用了这种模式。
IDM是继垂直整合模式之后的新模式，由集成电路制造商自主设计与销售由自己的生产线加工、封装、测试后的成品芯片。与垂直整合模式不同的是，IDM企业的产品是满足其他系统厂商的要求，最典型的例子就是美国的Intel公司。IDM模式的优点在于IDM厂商可以根据市场特点制造综合发展战略，可以更加精细地对设计、制造、封测每个环节进行质量控制。IDM模式不需要外包且利润较高，但其劣势在于投资额加大、风险较高，要有不断推出优势产品作保证，而且IDM模式的技术跨度较大，横跨了三个环节，企业不仅需要考虑每个环节的技术问题，而且还要综合协调三大环节，加大了企业的运营难度。
随着集成电路产业的不断演变，国际IDM大厂外包代工的趋势也日益明显，逐渐催化了Fabless+Foundry+OSAT模式。
半导体制造在半导体产业链里具有卡口地位。制造是产业链里的核心环节，地位的重要性不言而喻。在半导体价值链里，占据最为重要的一环。统计行业里各个环节的价值量，制造环节的价值量是最大的，因为Fabless+Foundry+OSAT的模式成为趋势，Foundry在整个产业链中的重要程度也逐步提升，可以这么认为，Foundry是一个卡口，产能的输出都由制造企业所掌控。
“made in china”品牌下 整机制造领域渗透率已经提升到边际增长曲线斜率趋缓阶段。中国制造经过这些年的发展，在下游整机制造半导体产业的下游应用市场，中国占42%，是非常主要的市场。其中智能手机占全球28%，LCD TV占全球24%。 PC/Notebook占全球 21%. 平板》21%。这几个数据说明，全球各类电子类产品的下游应用需求，中国是重中之重。
“中国制造”要从下游往上游延伸，在技术转移路线上，半导体制造是“中国制造”尚未攻克的技术堡垒。中国是个“制造大国”，但“中国制造”主要都是整机产品，在最上游的“芯片制造”领域，中国还和国际领先水平有很大差距。在从下游的制造向“芯片制造”转移过程中，一定会涌现出一批领先的代工企业。
日本经济学家赤松要在1956年提出了产业发展的“雁行模式”，认为日本的产业发展经历了进口、进口替代、出口、重新进口四个阶段。从这个角度来看，中国的集成电路正在经历当年日本所经历过的路线。
世界的集成电路经过了两次产业转移，第一次在20世纪70年代末，从美国转移到了日本，造就了富士通、日立、东芝、NEC等世界顶级的集成电路制造商；第二次在20世纪80年代末，韩国与***成为这一次转移过程中的受益者，崛起了三星和台积电这样的制造业巨头。
集成电路产业的产业转移也包含着一定的技术特征，转移路径按照劳动密集型产业—〉资本技术密集产业—〉技术密集与高附加值产业。第一阶段的产业转移为封装测试环节，美国很多半导体企业或将自身的封测部门卖出剥离，或是将测试工厂转移到东南亚，在产业转移过程中，***的很多封测企业开始崛起，比如日月光和矽品等。第二阶段的产业转移为制造环节，这和集成电路产业分工逐渐细分有关系。集成电路的生产模式由原先的IDM为主转换为Fabless+Foundry+OSAT，产业链里的每个环节都分工明确。在制造转移的过程中，***的TSMC崛起成为现在最大的代工厂。
目前，凭借巨大的市场需求，较低的人工成本，中国的OSAT和Foundry正有接力***，成为未来5年产业转移的重点区域。
本土半导体市场需求和供给仍然错配，有潜力去进行国产替代。中国大陆地区的半导体销售额占全球半导体市场的销售额比重逐年上升，从2008年的18%上升到1H2016的31%，同时中国半导体制造产能仅为全球的12%，需求和供给之间存在错配。
中国整机商品牌提升，“本土化”提供完整产业链机会。以智能手机为例，除了三星苹果之外，越来越多的中国本土品牌开始在市场上渗透，并逐渐有了话语权。国产手机包括华为、OPPOVIVO等，年出货量都已经超过了1亿部，并且还保持了可观的增速。在智能手机领域，越来越多的国产品牌正在浮出水面。从这个维度来看，我们看好国内从整机到上游的价值传导。
国内从上游的芯片设计制造到下游的整机已经形成完整产业链，带来可期待的产业链协同效应。我们看到中国正在形成从整机到上游芯片完整产业链的布局，这一点同***美国韩国不同，***的电子集中在上游的芯片，从Fabless+Foundry+OSAT，但是欠缺下游的整机品牌，同时芯片环节没有形成规模的集群效应，芯片每个环节只有一两家龙头企业；美国在芯片设计领域是全球最强，但是下游的整机品牌数量正在被中国逐渐超过；韩国和***的格局有些类似，有一些大而全的企业，但是缺乏完整的集群效应。只有中国，凭借广阔的下游市场和完整的集成电路产业链，正在逐渐崛起。
中国的设计公司崛起给本土制造商带来驱动效应，本土虚拟IDM构建会成为产业转移趋势下的主旋律。从2011年开始，受益于下游整机市场的兴起，中国本土的设计企业开始迅速崛起，增速远大于全球设计公司的CAGR。我们看到全球设计业的CAGR为3%，而中国的这一数据为22%，远高于全球设计业的水准。在中国设计公司快速增长的过程中，中国的制造企业龙头中芯国际自然享受成长红利，我们看到从2011-2015年里，伴随着设计企业的崛起，中芯国际在中国大陆地区的CAGR达到了25%。这和中国大陆地区的设计公司快速增长息息相关。
工商网监
评论