在本文中，我们详细研究了AlGaN的湿法刻蚀特性。特别地，我们研究了m面刻面形成和AlN摩尔分数对蚀刻速率的依赖关系。我们还研究了氮化铝摩尔分数差异较大的紫外发光二极管结构的湿法刻蚀特性。
2021-12-13 14:58:12
1270 
摘要 我们华林科纳研究了正磷酸、聚磷酸、和铁(III)氯化物蚀刻剂对工艺条件变化的敏感性，以确定该蚀刻剂系统在纯铝电路光刻制造中的潜在生产应用。温度变化、正磷酸浓度、多磷酸浓度的影响。检测了酸浓度
2022-01-07 15:40:121194 
摘要 我们华林科纳对h2so4-h202-h20体系中（100）砷化镓的蚀刻情况进行了详细的研究。研究了特定蚀刻剂成分的浓度对蚀刻速率和晶体表面形状的影响。从这些结果中，蚀刻浴组成的吉布斯三角形
2022-01-25 10:32:242215 
硅的各向异性蚀刻是指定向依赖的蚀刻，通常通过碱性蚀刻剂如水溶液氢氧化钾，TMAH和其他羟化物如氢氧化钠。由于蚀刻速率对晶体取向、蚀刻剂浓度和温度的强烈依赖性，可以以高度可控和可重复的方式制备多种
2022-03-08 14:07:251769 
硅片在大口径化的同时，要求规格的严格化迅速发展。特别是由于平坦度要求变得极其严格，因此超精密磨削技术得以开发，实现了无蚀刻化，无抛光化。虽然在单晶SiC晶片上晶片磨削技术的开发也在进行，但在包括成本
2022-04-15 14:54:491392 
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法，应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜，通过无损摩擦化学去除部分天然氧化物，暴露底下新鲜硅。因此，可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻，通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度，从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅蚀刻速率。
2022-04-22 14:06:011266 
的电子和光电子器件的制造中对高选择性湿法化学蚀刻剂的额外需求，还进行了广泛的研究以检验多种蚀刻溶液。列出了这些蚀刻剂的蚀刻速率、选择性和表面粗糙度，以验证它们对预期应用的适用性。尽管频繁使用GaSb
2022-05-11 14:00:421025 
引言 正在开发化学下游蚀刻(CDE)工具，作为用于半导体晶片处理的含水酸浴蚀刻的替代物。对CDE的要求包括在接近电中性的环境中获得高蚀刻速率的能力。高蚀刻率是由含NF”和0的混合物的等离子体放电分解
2022-06-29 17:21:423346 
本文描述了我们华林科纳用于III族氮化物半导体的选择性侧壁外延的具有平面侧壁刻面的硅微米和纳米鳍的形成。通过湿法蚀刻取向的硅晶片生产鳍片。使用等离子体增强化学气相沉积来沉积二氧化硅，以产生硬掩模
2022-07-08 15:46:161095 
本文主要阐述我们华林科纳在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素
2022-07-12 14:01:131365 
包括GaN和SiC在内的宽带隙半导体已被证明适用于高功率微波电子器件。AlGaN/GaN基本的研究结果令人印象深刻。双极性器件由于其固有的更高功率密度和潜在的更高速度，对高功率电子器件也很有吸引力
2022-07-12 17:04:381103 
引言 氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速度比在其
2022-07-14 16:06:062775 
湿法蚀刻工艺的原理是利用化学溶液将固体材料转化为liquid化合物。由于采用了高选择性化学物质可以非常精确地适用于每一部电影。对于大多数解决方案选择性大于100:1。
2022-07-27 15:50:252109 
湿法蚀刻工艺的原理是使用化学溶液将固体材料转化为液体化合物。选择性非常高，因为所用化学药品可以非常精确地适应各个薄膜。对于大多数解决方案，选择性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
我司是做湿法蚀刻药水的，所以在湿法这块有很多年的研究。所以有遇到湿法蚀刻问题欢迎提问，很愿意为大家解答。谢谢！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
`华林科纳湿法设备分类全自动设备：全自动RCA清洗机全自动硅片刻蚀机全自动片盒清洗机全自动石英管清洗机半自动设备：半自动RCA清洗机半自动硅片刻蚀机半自动石英管清洗机半自动有机清洗机`
2021-02-07 10:14:51
为了在基板上形成功能性的MEMS结构，必须蚀刻先前沉积的薄膜和/或基板本身。通常，蚀刻过程分为两类：浸入化学溶液后材料溶解的湿法蚀刻干蚀刻，其中使用反应性离子或气相蚀刻剂溅射或溶解材料在下文中，我们将简要讨论最流行的湿法和干法蚀刻技术。
2021-01-09 10:17:20
、CMP、ICP 干蚀刻、亚表面损伤、等离子体诱导损伤 直接比较了 GaN 衬底的表面处理方法，即使用胶体二氧化硅浆料的化学机械抛光 (CMP) 和使用 SiCl4 气体的电感耦合等离子体 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
方面存在局限性，因此需要探索自上而下、依赖蚀刻的 GaN NW 制造工艺。这项工作的重点是改进自上而下的 GaN 纳米线的制造方法，并为 SPE 的制造奠定了潜在的工艺。使用干法和湿法蚀刻的组合，现有
2021-07-08 13:11:24
和碳化硅，在室温下电化学刻蚀在某些情况下是成功的。此外，光辅助湿法蚀刻产生类似的速率，与晶体极性无关。 介绍 宽带隙半导体氮化镓、碳化硅和氧化锌对许多新兴应用具有吸引力。例如，AlGaN/GaN高电子
2021-10-14 11:48:31
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN晶体蚀刻的几何方面和光子应用编号：JFSJ-21-044作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：湿法
2021-07-08 13:09:52
已经报道了具有低至 4±6 nm 的 rms 粗糙度的表面。湿法蚀刻也已被证明用于蚀刻氮化镓，蚀刻具有设备成本相对较低、表面损伤小等优点，但目前还没有找到生产光滑垂直侧壁的方法。还报道了 GaN 的解理
2021-07-07 10:24:07
黄金。以上只是基于实验的基础，实验设备也比较简陋，如果再结合湿法清洗设备进行蚀刻工艺，效果会有明显的提高，南通华林科纳半导体设备有限公司生产的湿法清洗设备能在各方面满足要求，使清洗达到事半功倍的效果。 如有侵权，请联系作者删除
2021-07-09 10:23:37
的阴极极化下，酸性介质中的Fe31、Ce41、HIO3和碱性介质中的Fe(CN)632以扩散有限的速率电化学还原。在1M氢氧化钾中，观察到o2/h2o还原的高反应性，这解释了为什么n-GaN可以在该溶液
2021-10-13 14:43:35
测试，并且在错误的情况下可能导致工艺失败，因此，基于研究的重要性，不管从药液还是设备都需选择稳定可靠的，而华林科纳半导体设备有限公司在湿法刻蚀领域已有十几年的经验，其生产的设备功能完善，并能针对客户的需求给出一系列的解决办法跟方案。 如有侵权，请联系作者删除
2021-07-06 09:39:22
：MacEtch 是一种湿法蚀刻工艺，可提供对取向、长度、形态等结构参数的可控性，此外，它是一种制造极高纵横比半导体纳米结构的简单且低成本的方法。 3 该工艺利用了在氧化剂（例如过氧化氢 (H2O2)）和酸（例如
2021-07-06 09:33:58
我是南通华林科纳半导体的，主要做半导体，太阳能，液晶LED，电子器件湿法工艺，各种清洗，湿制程设备。我们3月14日—16日去上海新国际博览中心参加2017慕尼黑上海半导体展，有其他去的公司吗，应该
2017-03-04 11:50:42
典型GaN晶体管的核心是一个导电通道，它由AlGaN阻挡层和GaN缓冲层间界面上产生的二维电子气形成（见图1）。这种器件倾向在一个异质基板上生产，典型的是硅或碳化硅，并具备三个电极：源极、漏极、栅极。为
2020-11-27 16:30:52
苏州华林科纳半导体设备技术有限公司成立于2008年3月，投资4500万元。主要从事半导体、太阳能、FPD领域湿制程设备的设计、研发、生产及销售；同时代理半导体、太阳能、FPD领域其它国外设备，负责
2015-04-02 17:21:04
射流的理论获得了底部的各个部位的蚀刻液离子的扩散速率，并搞清楚了侧壁上出现的主要原因。针对酸性氯化铜溶液，扩散速度与蚀刻反应速度是成比例关系的。所以，凹槽内底部各个部位蚀刻的速度相对中央最大速率区也是
2018-09-10 15:56:56
招聘苏州华林科纳半导体设备技术有限公司职位月薪：面议工作地点：苏州工作性质：全职工作经验：1年以上最低学历：大专招聘人数：5人 职位类别：销售经理职位描述要求：工作经验：1年以上岗位职责：1、负责
2015-07-28 11:38:16
晶片全面曝光的方法，使单一晶片上可以获得更多的芯片(chip)。如此一来，虽然产率得以提高，但同时也制造一些工艺处理问题。特别在对硅晶片蚀刻深凹槽(deeptrench)工艺方面。 由于采用全面曝光
2018-03-16 11:53:10
湿蚀刻是光刻之后的微细加工过程，该过程中使用化学物质去除晶圆层。晶圆，也称为基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料层，以用作电子和微流体设备的基础；最常见的晶圆是由硅或玻璃制成的。湿法刻蚀
2021-01-08 10:15:01
苏州华林科纳半导体设备技术有限公司成立于2008年3月，投资4500万元。主要从事半导体、太阳能、FPD领域湿制程设备的设计、研发、生产及销售；同时代理半导体、太阳能、FPD领域其它国外设备，负责
2015-04-02 17:23:36
苏州华林科纳半导体设备技术有限公司成立于2008年3月，投资4500万元。主要从事半导体、太阳能、FPD领域湿制程设备的设计、研发、生产及销售；同时代理半导体、太阳能、FPD领域其它国外设备，负责
2015-04-02 17:26:21
公司名称：苏州华林科纳半导体设备技术有限公司公司地址：苏州工业园区启月街288号公司电话：0512-62872541苏州华林科纳半导体设备技术有限公司主要从事半导体、太阳能、FPD领域湿制程设备
2016-10-26 17:05:04
苏州华林科纳半导体设备技术有限公司成立于2008年3月，投资4500万元。主要从事半导体、太阳能、FPD领域湿制程设备的设计、研发、生产及销售；同时代理半导体、太阳能、FPD领域其它国外设备，负责
2015-04-02 17:22:46
功率AlGaN_GaN肖特基二极管结构优化设计_徐儒
2017-01-08 10:30:29
1 本文报道了algan/gan高电子迁移率晶体管（hemt）在反向栅偏压作用下阈值电压的负漂移。该器件在强pinch-off和低漏源电压条件下偏置一定时间（反向栅极偏置应力），然后测量传输特性。施加
2019-10-09 08:00:0010 在喷淋蚀刻过程中，蚀刻液是通过蚀刻机上的喷头，在一定压力下均匀地喷淋到印制电路板上的。蚀刻液到达印制板之后进入干镆之间的凹槽内并与凹槽内露出的铜发生化学反应。
2020-04-08 14:53:253295 
基于温度步进应力实验，研究了 AlGaN /GaN HEMT 器件在不同温度应力下的退化规律及退化机理。实验发现： 在结温为 139 ～ 200 ℃ 时，AlGaN /GaN HEMT 器件
2020-06-23 08:00:002 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：单晶的湿法蚀刻和红外吸收 编号：JFKJ-21-206 作者：炬丰科技 摘要 采用湿法腐蚀、x射线衍射和红外吸收等方法研究了物理气相色谱法生长AlN单晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 低损耗硅波导和有效的光栅耦合器来将光耦合到其中。通过使用各向异性湿法蚀刻技术，我们将侧壁粗糙度降低到1.2纳米。波导沿[112]方向在绝缘体上硅衬底上形成图案。
2021-12-22 10:17:21712 电感耦合等离子体反应离子蚀刻获得的高蚀刻速率和高度各向异性的轮廓。光增强湿法蚀刻提供了一种获得高蚀刻速率而没有离子诱导损伤的替代途径。该方法适用于器件制造以及n-氮化镓中位错密度的估算。这有可能发展成为一种快
2021-12-30 10:36:17989 
我们华林科纳开发了一种可控、平滑的氢氧化钾基湿法刻蚀技术，AlN和AlxGa1xN之间的高选择性被发现对于基于AlGaN的深紫外发光二极管实现有效的衬底减薄或去除至关重要，从而提高光提取效率
2022-01-05 16:10:51564 
摘要 本文对本克斯使用的铝蚀刻剂进行调查，以长期提高蚀刻部件的质量。非常薄的铝箔图案在磷酸、氯化铁和水锈溶液中精确蚀刻的铝箔图案符合尺寸和一致性标准。蚀刻剂的主要问题是，由蒸发和耗尽引起的成分变化
2022-01-07 16:47:46840 
氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于微加工硅片的最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀基底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速率比在其他方向上的蚀刻速率
2022-01-11 11:50:332152 
(HFETs) 和AlGaN/GaN异质结双极晶体管(HBT)。 在本研究中，我们描述了对高质量氮化铝和氮化镓单晶衬底之间的蚀刻选择性以及两种块体材料的两种极性之间的选择性的研究。确定了每次蚀刻过程后的蚀刻
2022-01-14 11:16:262494 
引言 我们华林科纳研究了KOH基溶液中AIN的湿式化学蚀刻与蚀刻温度和材料质量的关系。这两种材料的蚀刻速率都随着蚀刻温度的增加而增加，从20~80°C不等。通过在1100°C下快速热退火，提高了反应
2022-01-17 16:21:48324 
蚀刻的湿法蚀刻技术的方法。本文分析了玻璃湿法刻蚀工艺的基本要素，如:玻璃成分的影响、刻蚀速率、掩膜层残余应力的影响、主要掩膜材料的表征、湿法刻蚀工艺产生的表面质量。通过分析的结果，提出了一种改进的玻璃深度湿
2022-01-19 16:13:401873 
湿法蚀刻工艺已经广泛用于生产各种应用的微元件。这些过程简单易操作。选择合适的化学溶液(即蚀刻剂)是湿法蚀刻工艺中最重要的因素。它影响蚀刻速率和表面光洁度。铜及其合金是各种工业，特别是电子工业的重要
2022-01-20 16:02:241863 
本文探讨了紫外辐照对生长在蓝宝石衬底上的非有意掺杂n型氮化镓(GaN)层的湿法化学刻蚀的影响。实验过程中，我们发现氮化镓的蚀刻发生在pH值分别为2-1和11-15的磷酸水溶液和氢氧化钾溶液中。在稀释
2022-01-24 16:30:31948 
摘要 FeCl3·6h2o用于单晶氧化锌薄膜的湿法蚀刻。该方法对抑制用酸蚀刻氧化锌薄膜时通常观察到的“W”形蚀刻轮廓有很大的影响。通过触控笔轮廓仪和扫描电子显微镜证实，在广泛的蚀刻速率下获得了
2022-01-26 14:46:48307 
索引术语:氮化镓，蚀刻 摘要 本文介绍了我们华林科纳的一种利用氢氧化钾溶液和大面积汞灯照明对氮化镓进行光增强湿法化学刻蚀的工艺。讨论了n+氮化镓、非有意掺杂氮化镓和p-氮化镓样品的结果。 介绍 光电
2022-02-07 14:35:421479 
我们华林科纳使用K2S2O8作为氧化剂来表征基于KOH的紫外(UV)光辅助湿法蚀刻技术。该解决方案提供了良好控制的蚀刻速率，并产生了光滑的高质量蚀刻表面，同时通过原子力显微镜测量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:55716 
电感耦合等离子体反应离子蚀刻获得的高蚀刻速率和高度各向异性的轮廓。光增强湿法蚀刻提供了一种获得高蚀刻速率而没有离子诱导损伤的替代途径。该方法适用于器件制造以及n-氮化镓中位错密度的估算。这有可能发展成为一种快速评估材料的方法。
2022-02-23 16:20:242208 
性，单片湿法刻蚀法是一种有用的技术。其进一步推进应得到理论计算的支持。 因此，在我们之前的研究中开发了使用单晶片湿法蚀刻机进行二氧化硅膜蚀刻的数值计算模型。首先，通过水流可视化获得旋转晶片上的整个水运动，并进行评估
2022-03-02 13:58:36751 
在 KOH 水溶液中进行湿法化学蚀刻期间，硅 (1 1 1) 的绝对蚀刻速率已通过光学干涉测量法使用掩膜样品进行了研究。蚀刻速率恒定为0.62 ± 0.07 µm/h 且与 60
2022-03-04 15:07:09845 
HF对基片进行了研究，主要分为随机蚀刻和周期性蚀刻。 我们讨论了蚀刻的问题机理、蚀刻速率、硬掩膜材料、周期性光俘获结构。
2022-03-08 11:52:411214 
我们开发了一种改进的各向异性湿法蚀刻工艺，通过在晶片上使用单个蚀刻掩模来制造各种硅微结构，这些微结构具有圆形凹角和尖锐凸角、用于芯片隔离的凹槽、蜿蜒的微流体通道、具有弯曲V形凹槽的台面结构以及具有
2022-03-14 10:51:42581 
材料，其用于许多蚀刻步骤中以抵抗蚀刻。该掩模材料可以是光致抗蚀剂，并且使用光刻法将其图案化。蚀刻也可以称为制作空腔，这些空腔应该根据用途具有特定的深度。产生的这种空腔的深度可以通过蚀刻时间和蚀刻速率
2022-03-16 16:31:581136 
本文我们华林科纳半导体有限公司研究了类似的现象是否发生在氢氧化钾溶液中添加的其他醇，详细研究了丁基醇浓度对（100）和（110）Si平面表面形貌和蚀刻速率的影响，并给出了异丙醇对氢氧化钾溶液的蚀刻结果，为了研究醇分子在蚀刻溶液中的行为机理，我们还对溶液的表面张力进行了测量。
2022-03-18 13:53:01288 
本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法，应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜，通过无损摩擦化学去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鲜硅。因此，可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻，通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度，从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅的蚀刻速率。
2022-03-18 15:39:18401 
本文介绍了我们华林科纳采用氮化硅膜作为掩膜，采用湿蚀刻技术制备黑硅，样品在250~1000nm波长下的吸收率接近90%。实验结果表明，氮化硅膜作为掩模湿蚀刻技术制备黑硅是可行的，比飞秒激光、RIE
2022-03-29 16:02:59819 
本文研究了通过光敏抗蚀剂的湿蚀刻剂渗透。后者能够非常快速地响应选择湿蚀刻剂/聚合物的兼容性，以保护下面的膜不被降解。如今，大多数材料图案化是用等离子蚀刻而不是湿法蚀刻来进行的。事实上，与通常
2022-04-06 13:29:19666 
，并添加化学物质来调整粘度和单晶圆旋转加工的表面润湿性。 当硅被蚀刻并并入蚀刻溶液时，蚀刻速率将随时间而降低。 这种变化已经建模。 这些模型可以延长时间，补充化学物质，或者两者兼而有之。
2022-04-07 14:46:33751 
本研究的目的是开发和应用一个数值模型来帮助设计和操作CDE工具，为此，我们编制了第一个已知的NF3/02气体的等离子体动力学模型，通过与实验蚀刻速率数据的比较，实现了模型验证。此外，该模型通过改变
2022-04-08 16:44:54894 
本文研究了通过光敏抗蚀剂的湿蚀刻剂渗透。后者能够非常快速地响应选择湿蚀刻剂/聚合物的兼容性，以保护下面的膜不被降解。如今，大多数材料图案化是用等离子蚀刻而不是湿法蚀刻来进行的。事实上，与通常
2022-04-22 14:04:19591 
本文提出了一种将垂直氮化镓鳍式场效应晶体管中的鳍式沟道设计成直而光滑的沟道侧壁的新技术。因此，详细描述了在TMAH溶液中的氮化镓湿法蚀刻；我们发现m-GaN平面比包括a-GaN平面在内的其他取向
2022-05-05 16:38:031394 
在使用低温卡盘的低压高密度等离子体反应器中研究了硅结构的深且窄的各向异性蚀刻。我们华林科纳以前已经证明了这种技术在这种结构上的可行性。已经研究了蚀刻速率和轮廓的改进，并且新的结果显示
2022-05-11 15:46:19730 
我们华林科纳研究探索了一种新的湿法腐蚀方法和减薄厚度在100 µm以下玻璃的解决方案，为了用低氢氟酸制备蚀刻溶液，使用NH4F或nh4hf 2作为主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的，研究了混合酸溶液
2022-05-20 16:20:243162 本文讲述了我们华林科纳研究了M111N蚀刻速率最小值的高度，以及决定它的蚀刻机制，在涉及掩模的情况下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模结处的成核的影响，以这种方式影响蚀刻或生长速率的结可以
2022-05-20 17:12:59853 
通常在蚀刻过程之后通过将总厚度变化除以蚀刻时间或者通过对不同的蚀刻时间进行几次厚度测量并使用斜率的“最佳拟合”来测量，当怀疑蚀刻速率可能不随时间呈线性或蚀刻开始可能有延迟时，这样做有时可以实时测量蚀刻速率。
2022-05-27 15:12:133473 本文介绍了我们华林科纳采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作为湿法腐蚀介质，盐酸作为阳极腐蚀介质，用扫描电镜和透射电镜分别观察了蚀坑和T-Ds。
2022-05-27 16:56:03537 
本文提出了基于溅射Ti/Pt/Cr和Cr/Pt/Cr金属多层膜在热王水中湿法腐蚀Pt薄膜的简单制备方案，铬(Cr)或钛(Ti)用作铂的粘附层，Cr在Pt蚀刻过程中被用作硬掩模层，因为它可以容易
2022-05-30 15:29:152171 
引用 本文介绍了我们华林科纳半导体研究了取向硅在氢氧化钾水溶液中的各向异性腐蚀特性和凸角底切机理。首先，确定控制底切的蚀刻前沿的晶面，并测量它们的蚀刻速率。然后，基于测量数据，检验了凸角补偿技术
2022-06-10 17:03:481114 
引言 我们华林科纳讨论了一种高速率各向异性蚀刻工艺，适用于等离子体一次蚀刻一个晶片。结果表明，蚀刻速率主要取决于Cl浓度，而与用于驱动放电的rf功率无关。几种添加剂用于控制蚀刻过程。加入BCl以开始
2022-06-13 14:33:14904 
引言 我们华林科纳描述了一种与去离子水中铜的蚀刻相关的新的成品率损失机制。在预金属化湿法清洗过程中，含有高浓度溶解氧的水会蚀刻通孔底部的铜。蚀刻在金属化后残留的Cu中产生空隙，导致受影响的阵列电路
2022-06-16 16:51:101809 
的逐层秘密。随着制造工艺的变化和半导体结构的变化，这些技术需要在时间和程序上不断调整。虽然有许多工具有助于这些分析，如RIE(反应离子蚀刻-一种干法蚀刻技术)、离子铣削和微切割，但钨的湿法化学蚀刻有时比RIE技术更具重现性。
2022-06-20 16:38:205220 
本文报道了InGaP/GaAsNPNHBTs在喷雾湿化学蚀刻过程中修复光刻胶粘附失败的实验结果。我们确定了几个可能影响粘附性的因素，并采用实验设计(DOE)方法研究了所选因素的影响和相互作用。最显著
2022-06-29 11:34:590 本文描述了我们华林科纳一种新的和简单的方法，通过监测腐蚀过程中薄膜的电阻来研究湿法腐蚀ITO薄膜的动力学，该方法能够研究0.1至150纳米/分钟之间的蚀刻速率。通常可以区分三种不同的状态：(1)缓慢
2022-07-01 14:39:132242 
在本研究中，我们华林科纳研究了在液晶显示(LCD)技术中常用的蚀刻剂中相同的ITO薄膜的蚀刻速率，保持浴液温度恒定，并比较了含有相同浓度的酸的溶液，对ITO在最有趣的解决方案中的行为进行了更详细的研究，试图阐明这些浴液中的溶解机制。
2022-07-04 15:59:581436 
中以及在非酸性乙酰丙酮中容易被蚀刻，但是III族氮化物和SiC非常难以湿法蚀刻，并且通常使用干法蚀刻。已经研究了用于GaN和SiC的各种蚀刻剂，包括含水无机酸和碱溶液，以及熔融盐。湿法蚀刻对宽带隙半导体技术具有多种应用，包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘来识
2022-07-06 16:00:211643 
本文介绍了我们华林科纳在半导体制造过程中进行的湿法蚀刻过程和使用的药液，在晶圆表面，为了形成LSI布线，现在几乎所有的半导体器件都使用干蚀刻方式，这是因为干法蚀刻与湿法蚀刻相比，各向异性较好，对于形成细微的布线是有利的。
2022-07-06 16:50:321539 
50纳米，4，5，尽管最近有报道称rms粗糙度低至4–6纳米的表面。6光增强电化学(PEC)湿法蚀刻也已被证明适用于氮化镓(GaN)的蚀刻。7–10 PEC蚀刻具有设备成本相对较低和表面损伤较低的优势
2022-07-12 17:19:243454 
薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。更薄的模具需要装进更薄的包装中。与标准的机械背磨相比，在背面使用最终的湿法蚀刻工艺而变薄的晶片的应力更小。
2022-08-26 09:21:362363 
在半导体湿法蚀刻中， 热磷酸广泛地用于对氮化硅的去除工艺， 实践中发现温下磷酸对氮化硅蚀刻率很难控制。 从热磷酸在氮化硅湿法蚀刻中的蚀刻原理出发， 我们华林科纳分析了影响蚀刻率的各个因素， 并通过
2022-08-30 16:41:592998 
蚀刻不是像沉积或键合那样的“加”过程，而是“减”过程。另外，根据刮削方式的不同，分为两大类，分别称为“湿法蚀刻”和“干法蚀刻”。简单来说，前者是熔法，后者是挖法。
2023-01-29 09:39:003850 最近，AlGaN/GaN肖特基二极管（SBD）受到了越来越多的关注。该器件具有关断速度快、击穿电压高导通电阻小等特点，因而被业界广泛地认为是下一代功率器件的候选者。但是，目前对AlGaN/GaN
2023-02-13 09:33:19560 
干法蚀刻与湿法蚀刻之间的争论是微电子制造商在项目开始时必须解决的首要问题之一。必须考虑许多因素来决定应在晶圆上使用哪种类型的蚀刻剂来制作电子芯片，是液体（湿法蚀刻）还是气体（干法蚀刻）
2023-04-12 14:54:331005 蚀刻是微结构制造中采用的主要工艺之一。它分为两类：湿法蚀刻和干法蚀刻，湿法蚀刻进一步细分为两部分，即各向异性和各向同性蚀刻。硅湿法各向异性蚀刻广泛用于制造微机电系统(MEMS)的硅体微加工和太阳能电池应用的表面纹理化。
2023-05-18 09:13:12701 
等离子体蚀刻是氮化镓器件制造的一个必要步骤，然而，载体材料的选择可能会实质上改变蚀刻特性。在小型单个芯片上制造氮化镓（GaN）设备，通常会导致晶圆的成本上升。在本研究中，英思特通过铝基和硅基载流子来研究蚀刻过程中蚀刻速率、选择性、形貌和表面钝化的影响。
2023-05-30 15:19:54452 
国内半导体产业的行业盛会将在上海如期举行，华林科纳将为您带来超全面且领先的湿法解决方案，并携泛半导体湿法装备服务平台亮相SEMICON China，与上下游企业进行一对一交流，为企业发展瓶颈找到
2023-07-04 17:01:30251 
GaN及相关合金可用于制造蓝色/绿色/紫外线发射器以及高温、高功率电子器件。由于 III 族氮化物的湿法化学蚀刻结果有限，因此人们投入了大量精力来开发干法蚀刻工艺。干法蚀刻开发一开始集中于台面结构，其中需要高蚀刻速率、各向异性轮廓、光滑侧壁和不同材料的同等蚀刻。
2023-10-07 15:43:56319 
宽带隙GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)和场效应晶体管(fet)能够提供比传统Si基高功率器件更高的击穿电压和电子迁移率。常关GaN非常需要HEMT来降低功率并简化电路和系统架构，这是GaN HEMT技术的主要挑战之一。凹进的AlGaN/GaN结构是实现常关操作的有用选择之一。
2023-10-10 16:21:11292 
氮化镓(GaN)具有六方纤锌矿结构，直接带隙约为3.4eV，目前已成为实现蓝光发光二极管(led)的主导材料。由于GaN的高化学稳定性，在室温下用湿法化学蚀刻来蚀刻或图案化GaN是非常困难的。与湿法
2023-10-12 14:11:32244 
GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）由于其高频和低导通电阻的特性，近来在功率开关应用中引起了广泛关注。二维电子气（2DEG）是由AlGaN/GaN异质结中强烈的自发和压电极化效应引起的，这导致传统器件通常处于导通状态，即耗尽模式。
2023-11-27 10:37:47293 
由于其独特的材料特性，III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤，并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:58166 
基于GaN的高电子迁移率，晶体管，凭借其高击穿电压、大带隙和高电子载流子速度，应用于高频放大器和高压功率开关中。就器件制造而言，GaN的相关材料，如AlGaN，凭借其物理和化学稳定性，为等离子体蚀刻
2023-12-13 09:51:24294 
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