金属氧化物湿敏元件应用电路
金属氧化物湿敏元件由于电阻值与相对湿度的特性为非线性，而且存在着温度系数，因此它们在使用中存在互换性差。温敏元件的这
2009-11-30 09:16:11
778 最近几年，在发表显示器尖端技术的国际会议“SID”上，争当未来主角的“OLED”、“氧化物半导体”等技术是关注的焦点。讨论这些技术的会议总是挤满了听众，有关技术也的确在稳步发展。
2013-06-20 15:03:202754 固体图像传感器(也称固体光电成像器件)有CCD与CMOS两种。CCD是“电荷耦合器件”(Charge Coupled Device)的简称，而CMOS是“互补金属氧化物半导体”(Complementary Metal Oxide Semiconductor)的简称。
2020-04-13 07:13:10
Semiconductor, 互补金属氧化物半导体）工艺。目前90%以上的集成电路IC生产技术都是属于CMOS生产工艺。用CMOS工艺生产的MOS管一般耐压都不高，功率也不大，但CMOS管导通内阻可以
2012-05-21 17:38:20
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件
2019-10-15 07:25:21
被广泛应用。CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor, 互补金属氧化物半导体）是一种同时采用两种工艺（垂直外延和横向外延）制造MOS管的大规模集成电路
2012-05-22 09:38:48
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件
2019-09-04 07:45:08
用的CMOS工艺，具有集成度高、功耗小、速度快、成本低等特点，最近几年在宽动态、低照度方面发展迅速。CMOS即互补性金属氧化物半导体，主要是利用硅和锗两种元素所做成的半导体，通过CMOS上带负电和带
2016-11-10 10:04:56
半导体材料从发现到发展，从使用到创新，拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初，就曾出现过点接触矿石检波器。1930年，氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用，是半导体材料开始受到重视。1947年锗点接触三极管制成，成为半导体的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
电阻和气体敏感膜。金电极连接气敏材料的两端，使其等效为一个阻值随外部待测气体浓度变化的电阻。由于金属氧化物有很高的热稳定性，而且这种传感器仅在半导体表面层产生可逆氧化还原反应，半导体内部化学结构不变
2012-08-29 15:40:48
` 谁来阐述一下半导体集成电路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
灵敏度有所降低[13]。 5、开发复合型金属氧化物半导体甲烷敏感元件 吴兴惠等提出了一种提高氧化物半导体气敏元件灵敏度的方法原理，此法可实现灵敏度的倍增，即互补倍增原理[14]。利用此原理构成的气敏元件
2018-10-24 14:21:10
相机、镜头、光源参考了网上很多资料，由于时间比较久忘记来源了，如果发现有你文章的内容，请联系我加上您的链接1.CCD（电荷耦合器）和CMOS（互补氧化物半导体）：1.1 CCD信息的读取需要以行为
2021-07-26 06:32:20
数字照相电子设备变得越来越便携，集成了高质量的解决方案。照相机应用的高性能与小型尺寸常常受到照相机中为互补金属氧化物半导体（CMOS）图像传感器供电的低压差（LDO）稳压器的影响。
2020-05-13 07:15:58
MOS要快，可以用在高速电路上2. 什么是CMOS？complementary MOS (CMOS) 互补型金属氧化物半导体，在COMSO制成的逻辑器件过着单片机中，N型管和P型管往往是成对出现的。同时出现的这两个MOS管，任何时候，只要一只导通，另一只则不导通，所以称为互补型MOS
2022-01-25 06:48:08
SiC MOS器件的栅极氧化物可靠性的挑战是，在某些工业应用给定的工作条件下，保证最大故障率低于1 FIT，这与今天的IGBT故障率相当。除了性能之外，可靠性和坚固性是SiC MOSFET讨论最多
2022-07-12 16:18:49
(MGS)。总减少量由以下等式控制硅在高温下暴露于氧化剂时，很容易在所有暴露表面形成氧化物薄层。硅的天然氧化物以二氧化硅 (SiO) 的形式存在。在 CMOS 制造方面，SiO2 可以作为器件结构（例如栅极
2021-07-06 09:32:40
。 半导体器件制造中的硅片清洗应用范围很广，例如 IC 预扩散清洗、IC 栅极前清洗、IC 氧化物 CMP 清洗、硅后抛光清洗等。这些应用一般包括以下基本工艺：1、去除有机杂质2、去除金属污染物3、去除
2021-07-06 09:36:27
使用这些纳米线阵列，可以实现宽带光捕获。接触电极，如氧化铟锡 (ITO)、银和铜，对具有不同带隙的半导体纳米线太阳能电池器件的影响，重点是光吸收。虽然传统的导电氧化物材料，如氧化铟锡 (ITO
2021-07-09 10:20:13
超大规模集成电路制造技术CMOS技术半导体表面经过各种处理步骤，其中添加了具有特定几何图案的杂质和其他材料制造步骤按顺序排列以形成充当晶体管和互连的三维区域MOSFET 的简化视图CMOS工艺CMOS 工艺允许在
2021-07-09 10:26:01
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
金属氧化物H+选择性电极作为玻璃电极的替代材料已引起了广泛的关注，文献报导的金属氧化物pH电化学传感器大部分是基于贵金属氧化物电极，制备成本较贵，但W及其氧化物价格相对比校低。
2019-09-16 10:05:21
MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型，本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话详细描述。
2021-03-11 06:11:03
投资热的背景下，预计2016年半导体行业仍将出现小幅度增长，作为行业关键设备的自动光学检测（AOI）设备的需求热度有望保持。 半导体行业一直是自动光学检测（AOI）设备的三大应用行业之一，半导体行业
2016-02-16 11:33:37
关于CMOS 和TTL器件的区别CMOS：互补金属氧化物半导体逻辑器件TTL：晶体管-晶体管逻辑系列器件TTL输出级有两个晶体管，任何时刻只有一个导通，又是被称为图腾柱，或者推拉式输出；CMOS电路
2012-04-25 11:17:16
氧化物半导体 (CMOS) 晶体管来说（取决于实际的处理参数），这个值大约为10MHz，或者更大。所以，与双极晶体管相比，CMOS ADC的1/f噪声转角要差/高很多，并且与很多工业应用中使用的极低
2022-11-17 06:44:32
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
单芯片互补式金属氧化物半导体（CMOS）传感器有哪几种？它们分别有什么应用以及特点？
2021-06-17 08:54:54
通过充分利用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术，并将嵌入式微控制器(MCU)和数字信号处理(DSP)以及智能雷达前端集成在内，TI日前推出了横跨具有完整端到端开发平台的76-81GHz传感器系列
2019-07-30 07:03:34
类型包括硅锗双极互补金属氧化物半导体（BiCMOS）和硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBTs）。DTRA关注的其他设备类型还包括45纳米绝缘硅（SOI）芯片、氮化镓异质结场效应晶体管（GaAn HFET）功率半导体和其他抗辐射微电子和光子器件，用于当前和未来军事系统，如卫星和导弹。
2012-12-04 19:52:12
。实际上，CMOS图像传感器最初应用于工业图像处理；在那些旨在提高生产率、质量和生产工艺经济性的全新自动化解决方案中，它至今仍然是至关重要的图像解决方案。 安森美半导体的标准及定制CMOS图像传感器
2018-11-05 15:22:10
关于安森美半导体的标准及定制CMOS图像传感器方案解说。
2021-04-07 06:12:04
际此万物互联时代的来临，图像传感可说是促进物联网应用的一个重要接口，是万物之“眼”。安森美半导体宽广的成像和像素技术和图像传感器阵容，配以公司在成像领域的经验和专长，实现超越人眼界限的创新
2019-07-25 06:36:49
安森美半导体应用于物联网的成像技术和方案分享
2021-05-31 07:07:32
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件
2019-10-10 07:33:06
问个菜的问题:半导体(或集成电路)工艺 来个人讲讲 半导体工艺 集成电路工艺 硅工艺 CMOS工艺的概念和区别以及联系吧。查了一下：集成电路工艺（integrated
2009-09-16 11:51:34
对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。
2021-03-09 08:34:53
一、化合物半导体应用前景广阔，市场规模持续扩大 化合物半导体是由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作为第二代和第三代半导体的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
本帖最后由 济世良驹 于 2016-10-10 22:31 编辑
第一讲 半导体的导电特性1、半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。2、常见
2016-10-07 22:07:14
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物），以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成
2016-11-27 22:34:51
我用的金属氧化物半导体型气体传感器。在进行AD转换之前，对其信号调理时，需要考虑哪些干扰？怎么设计滤波器？用的ADC芯片是AD7991 消息编辑者为：航 张
2018-11-07 09:24:33
半导体材料是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类
2019-06-27 06:18:41
金属氧化物变阻器应用于能量吸收电路的研究摘要：对金属氧化物变阻器（MOV）的物理特性进行了分析，在此基础上提出了将MOV 吸收能量的过程分为三个阶段即：换流部分、线性吸收部分、电流渐近部分的分析方法
2009-08-20 18:18:01
美国斯坦福大学研究人员最新研究发现，加热铁锈之类金属氧化物，可以提升特定太阳能电池的转换效率和能量储存效率。这一发现由《能源和环境科学》杂志刊载。与现有硅太阳能电池不同，这类太阳能电池是以金属
2016-03-07 15:18:52
及高压电工考试真题汇总，有助于高压电工模拟试题考前练习。1、【判断题】 电伤是指触电时电流的热效应、化学效应以及电刺击引起的生物效应对人体外表造成的伤害。（√）2、【判断题】 金属氧化物避雷器的特点包括动作迅速、无续流、残压低、通流量大等。（√）3、【判断题】 在变压器闭合的铁芯上...
2021-09-16 07:45:10
最新大纲及高压电工考试真题汇总，有助于高压电工证考试考前练习。1、【判断题】 金属氧化物避雷器的特点包括动作迅速、无续流、残压低、通流量大等。（√）2、【判断题】 绝缘子是用来固定导线,并使导线与杆塔之间保持绝缘状态。（√）3、【判断题】 电气设备冷备用状态指设备的开关和刀闸均在打...
2021-09-16 06:24:36
静电放电（ESD，Electrostatic Discharge）给电子器件环境会带来破坏性的后果。它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，互补金属氧化物半导体（CMOS，
2008-07-22 14:35:00
0 大多数实用气敏传感器是金属氧化物半导体或金属氧化物固体电解质材料制作的．所以，把它们分为氧化物半导体气敏传感器和氧化物固体电解质气敏传感器两类．前者利用待测
2009-04-06 09:09:2730 以二氧化锡可燃性气体传感器为代表的金属氧化物半导体气敏传感器和以二氧化锆浓差电池氧气传感器为代表的金属氧化物固体电解质气敏传感器实用化以来的短短几十年，
2009-04-06 09:14:4824 DU28120T射频功率 MOSFET 晶体管 120W，2-175MHz，28V数字金属氧化物半导体 射频功率 MOSFET 晶体管 120W，2-175MHz，28V 数字
2022-11-29 10:41:01
论述了金属氧化物SnO 2 的气敏机理, 并对通过掺杂金属、金属离子、金属氧化物以及形成复合型、多组分氧化物等方法制备SnO 2 薄膜气敏传感器的最新研究成果进行了简要介绍。
2009-06-27 08:35:4928 讨论了金属氧化物半导体表面的气2气、气2固反应及其相应的电子过程, 建立了分析气敏作用机理的理论模型, 并提出了改进传感器性能的指导性意见。关键词: 气敏传感器; 金
2009-07-02 09:52:2920 半导体气敏传感器有多种分类方法，主要一种是将其分为两类—电导控制型气敏传感器和电压控制气敏传感器。其中电导控制型一般以金属氧化物半导体材料如SnO、ZnO、FeO系为基体
2009-11-23 14:03:5236 浓度数据，选用了高精度的进口电化学传感器、运用奕帆科技核心技术+独立算法，实现氮氧化物24小时连续在线监测和超标报警、数据存储、传输功能。 产品特点•外
2023-03-13 14:53:41
金属氧化物气敏传感器(VI）
以二氧化锡可燃性气体传感器为代表的金属氧化物半导体气敏传感器和以二氧化锆浓差电池氧气传感器为代表的金属氧化物固体电解
2010-02-26 17:14:5814 该HI-8585 and HI-8586 是互补式金属氧化物半导体集成电路，设计用于在8引脚封装中直接驱动ARINC 429总线，两个逻辑输入控制输出引脚之间的差分电压，产生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N总线接口产品是根据ARINC 429总线规范设计的硅栅互补式金属氧化物半导体器件。除了
2024-02-19 10:30:40
模拟电路网络课件 第十九节:金属-氧化物-半导体场效应管
4.3 金属-氧化物-半导体场效应管
结型场
2009-09-17 10:49:371050 
什么是CMOS/PnP
CMOS指互补金属氧化物半导体——一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。有时人们会把CMOS和BIOS混称，其实
2010-02-05 10:05:12773 什么是多层氧化物MOS集成电路
所有 MOS 集成电路 （包括 P 沟道 MOS， N 沟道 MOS， 互补 MOS — CMOS 集成电路） 都有一层绝缘栅，以防止
2010-03-04 16:11:26963 CMOS逻辑电路,CMOS逻辑电路是什么意思
CMOS是单词的首字母缩写，代表互补的金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)，它指的是一种特殊类
2010-03-08 11:31:473574 CMOS,CMOS是什么意思
CMOSCMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成
2010-03-08 11:35:4224922 CMOS模拟开关,CMOS模拟开关是什么意思
CMOS（本意是指互补金属氧化物半导体——一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料）是微机主板上的一块可
2010-03-22 17:10:591915 CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。
2011-10-19 19:02:40
本文将着重介绍氧化物无机 半导体材料 的光电化学研究领域的一些新进展. 本文简述了二氧化钛薄膜、氧化锌薄膜、ZnO/TiO 复合涂层、SnO2: F 薄膜的发展概况及应用
2011-11-01 17:49:4847 安森美半导体推出新的互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，提供切合指纹识别及种种医疗设备设计等日益增多的高端生物测定应用需求所要求的速度、分辨率及信噪比(SNR)性能
2011-11-11 09:09:35643 本文介绍了场效应管的分类及金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管相关知识的详解。
2017-11-22 19:54:1333 CMOS互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。
2018-01-09 10:04:0892207 台湾显示器制造商中华映管（CPT）在Touch Taiwan台湾触控、面板暨光学膜展览会上展出了采用Gen 4狭缝挤出涂布设备处理的涂覆iXsenic金属氧化物半导体涂层的5.8 英寸LCD 显示屏
2018-02-12 12:14:001228 半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物
2018-03-08 09:36:33119660 本书系统地介绍了金属-氧化物-半导体器件和金属-氧化物-半导体集成电路的设计诸问题。全书共分六章。第一章为引言。第二章和第三章阐述了金属-氧化物-半导体器件的工作原理，推导出器件的基本方程并介绍
2021-03-21 11:04:3219 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：金属氧化物半导体的制造 编号：JFKJ-21-207 作者：炬丰科技 概述 CMOS制造工艺概述 CMOS制造工艺流程 设计规则 互补金属氧化物
2023-04-20 11:16:00248 
本文介绍了用μ-PCD方法对氧化物半导体薄膜晶体管的迁移率和Vth漂移的评价结果。
2021-12-20 15:22:23855 
制造具有铝栅极的电容器，以通过在HP4145参数分析仪上的破坏性电场击穿测试来确定器件的介电强度，使用同时高频/低频系统从C-V测试中获得总氧化物电荷和界面陷阱密度。 介绍 水清洗工艺是去除污染物最常用的技术。这种去除对半导体工业至关重要，因为人们普遍认
2022-06-20 16:11:27688 
半导体器件制造中涉及的一个步骤是在进一步的处理步骤，例如，在形成栅极氧化物之前。进行这种清洗是为了去除颗粒污染物、有机物和/或金属以及任何天然氧化物，这两者都会干扰后续处理。特别是清洁不充分是对栅极
2022-06-21 17:07:391229 
随着氧化物技术迭代升级，不断完善，各个企业亦各显神通，那么京东方作为半导体显示龙头企业，在氧化物半导体技术领域上也是率先发力，已有多年的技术积累并取得了重大突破。跟小酷一起了解一下吧！
2022-07-15 11:42:412002 MOS管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型。本文就结构构方面给大家进行简单的描述介绍。
2022-10-19 17:39:463790 
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)是互补金属氧化物半导体。CMOS相机原理框图如下。
2023-06-27 06:52:131332 
什么是CMOS集成电路？CMOS的主要功能是什么？ CMOS是一种常见的集成电路技术，其全称为互补金属氧化物半导体。CMOS技术和传统的TTL集成电路技术相比，具有功耗低，内部电路抗干扰能力强等优点
2023-09-07 14:46:362193 【科普小贴士】金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41262 
CMOS集成电路的性能及特点 CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）是一种广泛应用的集成电路（IC）制造技术，它采用互补性金属氧化物半导体材料
2023-12-07 11:37:35668 金属氧化物半导体）技术利用了两种类型的晶体管：NMOS（负极性金属氧化物半导体）晶体管和PMOS（正极性金属氧化物半导体）晶体管。NMOS晶体管只有有源端施加高电平时才能导通，而PMOS晶体管只有有源端施加低电平时才能导通。这种互补配置使得CMOS电路能够实
2024-01-09 11:25:51669 CMOS图像传感器是一种常见的图像捕捉设备，它们使用互补金属氧化物半导体（CMOS）技术来实现对光的感应和图像采集。
2024-01-25 15:52:21164 CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）电路是一种常见的电子逻辑门电路技术，由一个PMOS（P型金属氧化物半导体）和一个NMOS（N型金属氧化物
2024-02-22 11:12:34518 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术是将双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工艺。
2024-03-18 09:47:41186 
电子发烧友网站提供《互补金属氧化物半导体 (CMOS) 多路复用器TMUX4827数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 10:57:050 电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7236数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 10:56:000 电子发烧友网站提供《现代互补金属氧化物半导体 (CMOS) 模拟多路复用器TMUX7308F和TMUX7309F数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 11:14:040 电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 开关TMUX7219M数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 11:12:390 电子发烧友网站提供《现代互补金属氧化物半导体 (CMOS) 模拟多路复用TMUX734xF数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 11:27:500 电子发烧友网站提供《具有闩锁效应抑制特性的互补金属氧化物半导体(CMOS)开关TMUX722x数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 13:49:530 电子发烧友网站提供《通用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 多路复用器TMUX1208和TMUX1209数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-20 17:27:100
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