恩智浦半导体（NXP）今天宣布推出全新的单级驱动器数字IC系列，用于紧凑型、高效率、高性能和极具成本效益的普通LED照明解决方案。
2014-06-13 17:26:53
817 。设计人员可以使用ADI公司，飞兆半导体公司，凌力尔特公司，德州仪器公司等公司的栅极驱动器实现高效的全桥和半桥功率级。
2019-01-23 08:23:004168 
/3.5A半桥驱动器是最新发展成果。结合新功能与改进的工作范围，UCC27282具有全新水平的性能表现，以提高电源模块的稳健性，并在优化功率级设计方面提供更大的灵活性。本应用指南将概述UCC27282相对于上一代驱动器的优势，优化设计并增强稳健性。
2019-08-01 07:20:54
和发射极。为了操作MOSFET/IGBT，通常须将一个电压施加于栅极（相对于器件的源极/发射极而言）。使用专门驱动器向功率器件的栅极施加电压并提供驱动电流。本文讨论栅极驱动器是什么，为何需要栅极驱动器，以及如何定义其基本参数，如时序、驱动强度和隔离度。
2021-01-27 07:59:24
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15:08
芯片面积和尺寸的IC，为了提高系统效率并放宽驱动器内的热调节要求，RDS(ON) 值越低越好。时 序栅极驱动器时序参数对评估其性能至关重要。包括ADuM4120在内的所有栅极驱动器的一个常见时序规格
2021-07-09 07:00:00
驱动器器件的温度范围为-40°C至125°C或140°C。 这在极端温度下提供了一致的性能和稳定性。考虑数据表中的这些细节，可以更轻松地选择正确的栅极驱动器。正如您所见，在选择系统的栅极驱动器时，需要考虑许多参数。
2019-04-15 06:20:07
产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗，要求具备较短的开关时间。然而，快速开关同时隐含着高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，需要为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器，还需要执行提供
2021-11-11 07:00:00
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
摘要： 本文介绍了飞兆半导体 mWSaver 技术中的一项功能，即 AX-CAP 放电功能，它实现了无负载和轻负载条件下业内最佳的最低功耗，并符合 2013 能源之星和 ErP 规范。 这项创新
2012-11-24 15:24:47
2011年第二季录得了强劲的销售增长，达到第二季销售指引的高端。飞兆半导体功率转换、工业及汽车部门 (PCIA) 销售额继续增长7%，这是因为我们增加了生产能力，以便满足工业、汽车和电器客户对高压解决方案
2011-07-31 08:51:14
飞兆半导体推业界领先的高压栅极驱动器IC
2016-06-22 18:22:01
【来源】：《电子与电脑》2010年02期【摘要】：<正>飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)针对现今许多视频产品平台逐步淘汰S-video,以及
2010-04-23 11:26:55
，飞兆半导体公司开发了下一代TinyBuck调节器系列产品，由集成式POL调节器组成，包含恒定导通时间的PWM控制器，以及带有高端和低端MOSFET的驱动器。 FAN23xx系列可极大地提升终端用户
2018-09-27 10:49:52
为了应对这些挑战，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为大、中、小功率范围LED照明应用提供广泛的LED照明解决方案。 飞兆半导体
2011-07-13 08:52:45
效率）。这些栅极驱动光耦合器的峰值工作电压高达 1414V，能够配合高压IGBT。 飞兆半导体是光电子产品的领先供应商，提供广泛的封装平台并集成各种不同的输入和输出配置组合，飞兆半导体提供用于低频
2012-12-06 16:16:33
为了帮助解决引发温室效应及全球变暖的汽车排放问题，飞思卡尔半导体现已在32位汽车微控制器（MCU）系列中引入集成的排放控制技术。与飞思卡尔其它动力总成微控制器类似，这些MCU帮助减少二氧化碳废气，为新兴市场提供经济高效且精密的引擎控制设计。
2019-06-26 06:01:27
值得一看的高压栅极驱动器IC
2016-06-22 18:23:20
隔离电源转换器详解栅极驱动器解决方案选项最优隔离栅极驱动器解决方案
2021-03-08 07:53:35
FAN73832 是一款半桥、栅极驱动 IC，带关断和可编程死区时间控制功能，能驱动 MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 +600 V。飞兆的高压工艺和共模噪声消除技术可使高侧驱动器在高 dv
2022-03-08 08:36:21
FAN73912MX是一款单片半桥栅极驱动 IC，设计用于高压、高速驱动 MOSFET 和 IGBT，工作电压高达 +1200 V。 HIN 的先进输入滤波器针对噪声产生的短脉冲输入信号提供保护功能
2021-12-20 09:19:25
和MOSFET。该器件采用飞兆专有的共面封装技术，Optoplanar®，优化了IC设计，通过高共模抑制和电源抑制规格特点实现了高抗噪能力。它由铝砷化镓(AlGaAs)发光二极管组成，该二极管以光学方式
2022-03-05 09:58:18
/小型及通用变频器等电机驱动应用的单相高压IC (HVIC) 系列 IRS260xD。 IRS260xD系列高速功率MOSFET和IGBT驱动器可以10V 至20V的栅极驱动电源电压提供可选的依赖或
2008-11-13 20:40:15
NCP5106BA36WGEVB，NCP5106,36 W镇流器评估板。 NCP5106是一款高压栅极驱动器IC，提供两路输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT，采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自举技术，以确保正确驱动高端电源开关。该驱动程序使用2个独立输入
2019-10-12 10:31:24
确保高压侧电源开关的正确驱动。驱动器使用2个独立输入。特性：高压范围：高达600 VdV/dt抗扰度±50 V/nsec栅极驱动电源范围为10 V至20 V高和低驱动输出输出源/汇电流能力250 mA
2021-11-23 13:57:47
RD-400，参考设计支持将FAN3111C器件纳入用于工业照明应用的离线100W CCCV LED电源的设计中。 RD-400参考设计利用多种先进的飞兆半导体技术，提供完整的LED驱动器解决方案
2019-09-27 08:47:28
RD-400，参考设计支持将FAN7346器件纳入用于工业照明应用的离线100W CCCV LED电源的设计中。 RD-400参考设计利用多种先进的飞兆半导体技术，提供完整的LED驱动器解决方案
2019-09-29 10:05:34
RD-400，参考设计支持将FAN7382器件纳入用于工业照明应用的离线100W CCCV LED电源的设计中。 RD-400参考设计利用多种先进的飞兆半导体技术，提供完整的LED驱动器解决方案
2019-09-29 06:34:48
RD-400，参考设计支持将FSL138MRT器件纳入用于工业照明应用的离线100W CCCV LED电源的设计中。 RD-400参考设计利用多种先进的飞兆半导体技术，提供完整的LED驱动器解决方案
2019-09-27 08:41:49
采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔离的基本半桥驱动器（如图1所示）以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET（或IGBT）的栅极，由此来控制输出功率
2018-07-03 16:33:25
变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器，还执行提供短路保护并影响开关速度的功能。然而，在选择栅极驱动器时，某些特性至关重要。
2020-10-29 08:23:33
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着
2021-01-22 06:45:02
描述TIDA-00195 参考设计包括一个 22kW 功率级以及 TI 全新的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器 ISO5852S（适用于各种应用中的电机控制）。此设计可对三相逆变器（其中整合了额定
2018-12-27 11:41:40
：BJT图腾柱（左）与栅极驱动器芯片UCC27517A-Q1（右）分立式电路的一个显著缺点是它不提供保护，而栅极驱动器IC集成了对于确保可预测和稳定的栅极驱动非常重要的功能…
2022-11-04 06:40:48
，栅极驱动器可以连接到能够告知栅极驱动器在指定时间打开或关闭的控制器。使用基于电流的输入级的光耦合器栅极驱动器通常在电机驱动应用中驱动 IGBTs。基于电流的输入级往往具有较好的抗噪能力，因此需要
2019-10-17 08:53:40
变速驱动的需求是什么兼顾性能、成本的高压功率半导体驱动IC应用
2021-04-21 07:06:40
具有较好的抗噪能力，因此需要在控制器和光耦合器之间设置一个缓冲级。使用缓冲级的基于电流的输入级驱动器的功耗通常也会更高。 传统光耦合器栅极驱动器确实存在着一些挑战： 输入级中的 LED 的性能会随着时间
2019-12-25 16:48:37
本文探讨了功率半导体在具有通用架构的低压驱动器中的使用。前端也称为线路侧转换器，将交流电压转换为直流电压并将其提供给直流母线。根据工作方案，二极管、晶闸管甚至IGBT可用于此应用。通常可以使用日立
2023-02-22 16:58:24
驱动应用中驱动 IGBTs。基于电流的输入级往往具有较好的抗噪能力，因此需要在控制器和光耦合器之间设置一个缓冲级。使用缓冲级的基于电流的输入级驱动器的功耗通常也会更高。传统光耦合器栅极驱动器确实
2019-11-05 07:00:00
导读：本文详细介绍飞兆半导体公司推出的一款绿色高效的降压开关FSL336LR 以及FSL336LR 7W设计方案，为电源工程师们提供参考。 FSL336LR 介绍： FSL336LR是绿色模式飞
2018-11-29 11:38:52
，能够在 MOSFET 关断状态下为栅极提供负电压、高充电/放电脉冲电流，并且足够快以在纳秒范围内操作栅极。IC IX6611是一款智能高速栅极驱动器，可轻松用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET以及标准
2023-02-27 09:52:17
氮化镓技术是功率级的真正推动者，如今可提供过去十年无法想象的性能。只有当栅极驱动器与晶体管具有相同程度的性能和创新时，才能获得GaN的最大性能和优势。经过多年的研发，MinDCet通过推出
2023-02-24 15:09:34
，然后是驱动输出的上拉和下拉晶体管。最终封装中厚层透明硅树脂将输入和输出级分开，并提供了安全隔离。电流驱动输入级的简易性、良好的抗噪性和安全隔离是电机驱动器制造商几乎在所有设计中都采用光电隔离栅极驱动器的主要原因…
2022-11-10 06:40:24
安森美半导体（ON SemiconductorN）推出高整合度的电容至数位转换器积体电路（IC）—LC717A00AR，能加速应用进程，并减少静电电容式触控感测器应用的元件数量。全新的高性能元件
2012-12-30 18:47:12
快速增长的电动汽车市场，安森美半导体推出了许多IGBT、低中高压MOSFET、高压整流器、汽车模块和数字隔离栅极驱动器以及一个用于48V系统的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽车电源
2018-10-25 08:53:48
阐述这些设计理念，以展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。采用光耦合器隔离的基本半桥驱动器(如图1所示)以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET(或IGBT
2018-10-23 11:49:22
驱动器解决方案在提供高性能和小尺寸方面的卓越能力。隔离式半桥驱动器的功能是驱动上桥臂和下桥臂N沟道MOSFET(或IGBT)的栅极，通过低输出阻抗降低导通损耗，同时通过快速开关时间降低开关损耗。上桥臂
2018-10-16 16:00:23
展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。 采用光耦合器隔离的基本半桥驱动器（如图1所示）以极性相反的信号来驱动高端和低端N沟道MOSFET（或IGBT）的栅极，由此来控制
2018-09-26 09:57:10
应用：直流或交流输入LED驱动器 RGB背光LED驱动 电动自行车照明 大功率LED照明 汽车大灯、汽车工作灯低压照明、长条灯惠海半导体 LED汽车灯降压恒流驱动IC 远近光 8-60V输入 高性能低成本 H5616L`
2020-08-28 17:07:40
有源米勒钳位选配，提升高速开关抗干扰能力中国，2018年8月3日——意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳
2018-08-06 14:37:25
极限。 图2. 典型栅极驱动器的传播延迟和CMTI性能更高的开关频率还会产生共模瞬变抗扰性问题，这对系统设计人员来说是一个非常严重的问题。在隔离式栅极驱动器中的隔离栅上耦合的高压摆率信号可能破坏
2018-10-16 06:20:46
极限。图2. 典型栅极驱动器的传播延迟和CMTI性能更高的开关频率还会产生共模瞬变抗扰性问题，这对系统设计人员来说是一个非常严重的问题。在隔离式栅极驱动器中的隔离栅上耦合的高压摆率信号可能破坏数据传输
2018-10-16 21:19:44
。 图2. 典型栅极驱动器的传播延迟和CMTI性能更高的开关频率还会产生共模瞬变抗扰性问题，这对系统设计人员来说是一个非常严重的问题。在隔离式栅极驱动器中的隔离栅上耦合的高压摆率信号可能破坏数据传输
2018-10-24 09:47:32
问题:是否需要专门的栅极驱动器来提供正负电压？
2019-02-28 15:00:15
如果一个特殊的功率器件需要正负栅极驱动，电路设计人员无需特别寻找可进行双极性操作的特殊栅极驱动器。使用一个简单的技巧，就可以使单极性栅极驱动器提供双极性电压！
2019-08-06 06:08:24
同时运行特定组合。您可以选择最适合电机特性的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，并调整DRV8714-Q1的寄存器以优化性能。图1：由DRV8714-Q1汽车栅极驱动器驱动的三电机座椅驱动
2022-11-03 07:05:16
，全新驱动IC拥有150V/ns（纳秒）或更高的CMTI（共模瞬态抗扰度）性能，在满足逆变器系统所需的高电压和快速开关速度的同时，带来可靠的通信与更强的抗噪能力。新产品在小型SOIC16封装中实现栅极
2023-02-15 11:19:05
L6390，用于工业应用的高压半桥栅极驱动器。三相功率级三L6390半桥栅极驱动器之一的应用电路
2019-07-08 12:28:25
美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)宣布推出一款业界最小的白光LED驱动器，可以灵活控制显示屏背光亮度。这款型号为LM3530的升压转换器属于
2019-09-03 06:18:33
行业领军的高压线性恒流驱动IC，真正长寿的半导体线性IC 线性驱动能不能成为未来的主流，行业领军聚泉鑫科技彭总觉得有着很大机会。 有人问线性驱动能不能做智能、能不能做大功率，我认为都可以。聚泉鑫
2015-05-20 15:23:06
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩（电动汽车充电站）应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
3: MP18331的电源应用示例MP18851MP18851 提供了一种独立双通道栅极驱动器解决方案，它可以同时为任一通道提供高输出。MP18851 具有宽原边 VDDI电源范围，允许驱动器
2022-09-30 14:05:41
采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力
2021-03-03 06:35:03
扰度栅极驱动器用在有大量噪声源的工业环境中。噪声会破坏数据，使系统不可靠，导致性能下降。因此，栅极驱动器必须具有良好的抗噪声能力，以确保数据的完整性。抗扰度与驱动器抑制电磁干扰(EMI)或RF噪声及共
2018-10-25 10:22:56
ADuM4223）来实现。抗扰度：栅极驱动器用在有大量噪声源的工业环境中。噪声会破坏数据，使系统不可靠，导致性能下降。因此，栅极驱动器必须具有良好的抗噪声能力，以确保数据的完整性。抗扰度与驱动器抑制电磁
2018-11-01 11:35:35
LM3424 美国国家半导体推出具有温度管理控制功能的全新高亮度LED驱动器
NSM宣布推出一款具有
2009-09-28 09:09:451201 利用低端栅极驱动器IC进行系统开发
低端栅极驱动器IC是专用放大器，普遍用于电源设计中，根据来自PWM控制器的输入信号开关接地参考MOSFET和 IGBT。对于低于100~200W
2009-12-12 09:46:16751 
美国国家半导体公司今天宣布，推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器
2011-06-23 09:34:581651 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。
2011-12-17 00:02:004947 
本文将详细阐述实现隔离式半桥栅极驱动器设计理念，以展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。
2012-12-17 15:12:462588 
许多应用都采用隔离式半桥栅极驱动器来控制大量功率，从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块，到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等，不一而足。本文将详细阐述这些设计理念，以展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。
2017-02-10 07:57:417404 
高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。高压MOSFET驱动器电路：
2017-10-19 16:02:37
23 用于驱动微型扬声器的内部电压——从3.3V到5V，而最近更是高达8V。在上周举行的2013全球移动通信大会上，恩智浦半导体（NXP）推出了其全新的TFA9890扬声器驱动器IC，它让集成式DC/DC转换器实现了无可比拟的9.5V升压电压。增加音频驱动器IC的电压裕量可防止放大器剪峰
2018-11-09 16:48:01459 STGAP2DM栅极驱动器是意法半导体的 STGAP2系列电隔离驱动器的第二款产品，集成了低压控制和接口电路以及两个电隔离输出通道，可以驱动单极或双极型晶体管的栅极。
2018-11-16 15:46:313905 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布，为Wolfspeed提供强劲可靠的栅极驱动器，以支持其XM3碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。该新型栅极驱动器板旨在为高功率密度转换器
2020-01-14 15:00:102120 来源：罗姆半导体社区 栅极驱动器的作用 栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET,JFET等，因为MOSFET有个栅极电容，在导通之前要先对该电容充电，当电容电压超过阈值电压(VGS-TH
2022-11-16 17:50:18987 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、导通和关断、功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路
2021-06-14 03:51:003144 
关于高压栅极驱动器自举电路设计方法介绍。
2021-06-19 10:14:0476 驱动器IC的诸多优势及其附加特性，它日益取代了这些分立式解决方案。图2显示了典型BJT图腾柱配置与典型栅极驱动器IC。
图 2：BJT图腾柱（左）与栅极驱动器芯片UCC27517A-Q1（右）
分立式电路的一个显著缺点是它不提供保护，而栅极驱动器IC集成了
2022-01-12 14:47:171542 意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
2022-02-15 14:23:261103 
意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
2022-02-17 10:06:141783 高压栅极驱动器的功耗和散热考虑分析
2022-11-15 20:16:281 隔离式半桥栅极驱动器用于许多应用，从需要高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块，到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器。本文将详细讨论这些设计概念，探讨隔离式半桥栅极驱动器解决方案提供高性能和小尺寸解决方案的能力。
2023-01-17 11:08:462406 
新推出的160V MOTIX™三相栅极驱动器IC
2023-02-10 16:58:26187 栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器IC的低功耗输入，并为功率器件产生适当的高电流栅极驱动。随着对电力电子器件的要求不断提高，栅极驱动器电路的设计和性能变得越来越重要。
功率
2023-04-04 10:23:45547 -第80期-GATEDRIVER混动汽车以及电动汽车持续推动新型功率半导体支持技术的发展，低压/高压应用中功率器件的抗干扰能力和高效率的标准不断提高。随着功率器件在负载管理、功率逆变器、发动机
2022-10-13 11:28:341864 
电子发烧友网站提供《DGD2101高压栅极驱动器IC.pdf》资料免费下载
2023-07-24 15:55:430 在电力电子领域，为了最大限度地降低开关损耗，通常希望开关时间短。然而快速开关同时隐藏了高压瞬变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，必须设计更高性能的开关驱动系统 。 目前，宽带隙半导体
2023-11-17 18:45:01326 
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
荣湃半导体近日宣布推出其最新研发的Pai8265xx系列栅极驱动器，该系列驱动器基于电容隔离技术，集成了多种保护功能，专为驱动SiC、IGBT和MOSFET等功率管而设计。这款产品的推出，标志着荣湃半导体在功率半导体领域的技术创新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52248
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