电子发烧友网报道（文/程文智）这几年GaN和SiC等第三代半导体器件的商用化进展还不错，GaN器件在快充上开始大规模应用，SiC器件也在汽车上崭露头角。现在大家对第三代半导体器件的前景非常看好，很多
2021-12-27 09:01:00
4168 可编程逻辑器件伴随着半导体集成电路的发展而不断发展，其发展可以划分为以下4个阶段。
2021-08-17 09:16:009401 
的一年，射频半导体行业有望继续取得多项新进展，可能会面临一些波折，但总体来讲势必将实现大量前沿技术创新。在MACOM、射频能量联盟及有关半导体服务商的共同努力下，新的一年有望在半导体相关更多领域，为客户
2018-02-08 11:01:42
工程学会重庆市造船工程学会重庆两江半导体研究院重庆集成电路技术创新战略联盟重庆市机器人与智能装备产业联合会协办单位: 陕西省半导体行业协会 浙江省半导体行业协会成都市集成电路行业协会深圳市半导体行业协会天津市集成
2019-12-10 18:20:16
我国科学家成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片。我国氧化镓领域研究连续取得突破日前，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片
2023-03-15 11:09:59
半导体器件与工艺
2012-08-20 08:39:08
《电子电路分析与设计：半导体器件及其基本应用》主要内容：电子学是研究电荷在空气、真空和半导体内运动的一门科学（注意此处不包括电荷在金属中的运动）。这一概念最早起源于20世纪早期，以便和电气工程
2018-11-13 15:34:39
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 编辑
今年刚考上研究生 本科是学通信的 无奈被调剂到专硕 导师是研究半导体器件的 对这方面不是很了解 想问下它的就业前景怎么样 以后想往集成电路设计方面发展容易吗？
2012-07-01 23:15:00
进口日本半导体硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圆片，打磨减薄后可以成为硅晶圆芯片的生产材料。联系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
` 谁来阐述一下半导体集成电路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
，无论是电容式或是电感式，其原理类似，在一块集成有成千上万半导体器件的“平板”上，手指贴在其上与其构成了电容（电感）的另一面，由于手指平面凸凹不平，凸点处和凹点处接触平板的实际距离大小就不一样，形成的电容
2014-10-19 17:48:27
监测测试设备：总结随着器件设计难度加大，高精度高可靠性测试设备越来越被前沿研究所依赖。半导体器件测试设备在半导体产业发展中起到非常关键的角色，科学的设计需要实际的测量来验证，没有测量就没有科学，这对半导体日益缩小的尺寸和规模的不断增大所用到的测试设备提出更高的要求。
2020-05-09 15:22:12
的积体电路所组成，我们的晶圆要通过氧化层成长、微影技术、蚀刻、清洗、杂质扩散、离子植入及薄膜沉积等技术，所须制程多达二百至三百个步骤。半导体制程的繁杂性是为了确保每一个元器件的电性参数和性能，那么他的原理又是
2018-11-08 11:10:34
在制造半导体器件时，为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体，使之导电性极差，然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N型半导体或P型半导体改善其导电性？
2012-07-11 20:23:15
近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类（吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体
2021-07-12 07:49:57
本人小白，最近公司想上半导体器件的塑封生产线，主要是小型贴片器件封装，例如sot系列。设备也不需要面面俱到，能进行小规模正常生产就行。哪位大神能告知所需设备的信息，以及这些设备的国内外生产厂家，在此先行感谢！
2022-01-22 12:26:47
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期
2019-08-20 08:01:20
半导体材料半导体的功能分类集成电路的四大类
2021-02-24 07:52:52
还有待完善。 半导体指纹传感器由于所使用的半导体本身就是损耗件，相对于光学传感器都存在使用寿命短。光学指纹传感器图像采集技术 光学指纹采集技术是最古老也是目前应用最广泛的指纹采集技术，光学指纹采集设备
2012-06-04 16:43:40
半导体材料从发现到发展，从使用到创新，拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初，就曾出现过点接触矿石检波器。1930年，氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用，是半导体材料开始受到重视。1947年锗点接触三极管制成，成为半导体的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半导体三极管的简易测试小结思考题附录一国产半导体器件型号的命名方法附录二半导体二极管参数举例附录三半导体三极管参数举例第二章 低频小信号放大电路第一节 关于低频放大器的基本常识第二节 单级低频小信号放大
2008-07-11 13:05:29
，导电能力明显改变。2. 本征半导体制作半导体器件时用得最多的半导体材料是硅和锗，它们原子核的最外层都 有4个价电子。将硅或锗材料提纯（去掉杂质）并形成单晶体后，所有原子在空间 便基本上整齐排列。半导体
2017-07-28 10:17:42
，导电能力明显改变。2. 本征半导体制作半导体器件时用得最多的半导体材料是硅和锗，它们原子核的最外层都 有4个价电子。将硅或锗材料提纯（去掉杂质）并形成单晶体后，所有原子在空间 便基本上整齐排列。半导体
2018-02-11 09:49:21
（ microchip ）、集成电路（in te grated circuit, IC）。是指内含集成电路的硅片，体积很小。一般而言，芯片（IC）泛指所有的半导体元器件，是在硅板上集合多种电子元器件实现某种特定功能
2020-11-17 09:42:00
硅基光电子集成芯片，摩尔定律：摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月
2021-07-27 08:18:42
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
光子集成电路(PIC)是一项新兴技术，它基于晶态半导体晶圆集成有源和无源光子电路与单个微芯片上的电子元件。硅光子是实现可扩展性、低成本优势和功能集成性的首选平台。采用该技术，辅以必要的专业知识，可
2017-11-02 10:25:07
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。无论从科技或是经济发展的角度
2020-12-28 11:21:38
集成电路是一种微型电子器件或部件，它是采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有
2021-09-15 06:45:56
CCD(Charge Coupled Devices)电荷耦合器件是20世纪70年代初发展起来的新型半导体集成光电器件。近30年来，CCD器件及其应用技术的研究取得飞速进展，特别是在图像传感和非接触
2019-10-22 07:28:34
）的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。集成电路是20世纪50年代后期一60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸
2023-02-23 15:24:55
材料。与目前绝大多数的半导体材料相比，GaN 具有独特的优势：禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高，使其成为最令人瞩目的新型半导体材料之一。目前，GaN 基发光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
赶上甚至超过了成本昂贵的硅上氮化镓产品的替代技术。我们期待这项合作让这些GaN创新在硅供应链内结出硕果，最终服务于要求最高的客户和应用。”意法半导体汽车与分立器件产品部总裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品，这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多：半导体器件可靠性更高，氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
的射频器件越来越多，即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同，我们可以将成本做到很低，在全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代，需要的器件越来越多，价格越来越高。半导体材料硅基氮化镓
2017-07-18 16:38:20
和 102 之间变化Q cm（硅的电阻率在 0.1 到 60 Qcm 之间）。半导体介于绝缘体和导体之间，因为它们的带隙（价带最高能级与电导带最低能级之间的能量差）相对较小。分子轨道理论指出，当原子
2021-07-01 09:38:40
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 半导体材料与器件手册编号：JFSJ-21-059III族氮化物半导体的光学特性介绍III 族氮化物材料的光学特性显然与光电应用直接相关，但测量光学特性
2021-07-08 13:08:32
/index.html摘要III-V 族材料与绝缘体上硅 (SOI) 平台的混合集成是基于二乙烯基硅氧烷-双苯并环丁烯（简称 DVS-BCB 或 BCB）的有源光子器件制造和粘合的有前景的策略出现作为适合这种集成的工业
2021-07-08 13:14:11
的特殊横向限制，已显示出成为光学、光电和电子器件的巨大潜力。具有亚波长结构的半导体纳米线表现出强大的光学米氏共振，使其成为实现新型光学器件（如极端太阳能吸收器和宽带光捕获器件）的理想平台。这种特殊的一维
2021-07-09 10:20:13
`书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：在硅上生长的 InGaN 基激光二极管的腔镜的晶圆制造编号：JFSJ-21-034作者：炬丰科技 摘要：在硅 (Si) 上生长的直接带隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
的电子工程是一个崭新的领域，主要研究真空管中的电荷运动。如今，电子学研究的内容一般包括晶体管和晶体管电路。微电子学研究集成电路（IC）技术，它能够在一块半导体材料上制造包含数百万甚至更多个电路元件
2018-02-08 18:13:14
/控制/保护/接口/监测等外围电路集成；而分立功率半导体器件则是功率模块与功率IC的关键。图表1 功率半导体器件分类（来源：中泰证券研究所）功率半导体器件又可根据对电路信号的可控程度分为全控型、半控型
2019-02-26 17:04:37
建模工具所采用。基于其集成的并行SPICE引擎，BSIMProPlus提供强大的全集成SPICE建模平台，可以用于对各种半导体器件从低频到高频的各种器件特性的SPICE建模，包括电学特性测试、器件模型
2020-07-01 09:36:55
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:44 编辑
找了好久的资料，东芝全系列半导体器件替代RENESAS型号列表，日文原版。
2012-12-11 14:11:24
、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料
2021-05-25 08:01:53
，除了电感器和一些无源元件，大多数电子器件都可以在单个硅芯片上制造。硅是用于集成电路(IC)制造的最常见的半导体材料，尽管它不是唯一的一种。让我们来研究一下集成电路制造中使用的不同的半导体材料，以及
2022-04-04 10:48:17
50多年前硅（Si）集成电路的发明意义重大，为我们当前所享受的现代计算机和电子产品时代铺平了道路。但是正如俗话所说，天下没有不散的筵席，现在存在疑问的是，硅在半导体行业的霸主地位将何时终结？据
2019-07-30 07:27:44
）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、双极硅、绝缘硅（SoI）和蓝宝石硅（SoS）等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高，但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合
2019-07-29 07:16:49
半导体晶圆（晶片）的直径为4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圆盘，在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正（P）型半导体或负（N）型半导体的临时形式。硅晶片是非常常见的半导体晶片，因为硅
2021-07-23 08:11:27
基于霍耳效应的半导体磁电转换传感器。在磁场测量以及利用磁场作为媒介对位移、速度、加速度、压力、角度、角速度、流量、电流、电功率等许多非电量测量中，半导体磁敏元件是一种重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
（SiC）和氮化镓（GaN）是功率半导体生产中采用的主要半导体材料。与硅相比，两种材料中较低的本征载流子浓度有助于降低漏电流，从而可以提高半导体工作温度。此外，SiC 的导热性和 GaN 器件中稳定的导通电
2023-02-21 16:01:16
仿真技术在半导体和集成电路生产流程优化中的应用闵春燕(1)  
2009-08-20 18:35:32
请教，关于MIP705半导体集成电路的应用，请有识之士不惜赐教。
2012-09-22 17:33:44
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
激光器的主流。尽管半导体激光器的缺点是光束发散角大，光束质量较差。但近年来微光学加工技术和光学整形技术的发展使得半导体激光器输出的光束质量大大提高。同时半导体激光物理器件技术正向纵深方向推进，其原始
2022-01-10 14:30:55
技术、现代化学等方面的进步，同时它的进展又极大地促进 了相邻学科的交叉和持续发展。众多的科研机构在与标准集成电路工艺兼容的硅基光学器件方面开展了广泛而深 入的研究工作，已经取得了显著研究成果，许多关键技术获得
2011-11-15 10:51:27
根据不同的诱因，常见的对半导体器件的静态损坏可分为人体，机器设备和半导体器件这三种。
当静电与设备导线的主体接触时，设备由于放电而发生充电，设备接地，放电电流将立即流过电路，导致静电击穿。外部物体
2023-12-12 17:18:54
科技有限公司已可以提供商业化的SOI材料。在SOI器件和电路研制方面有中国科学院微电子研究所、中国电子科技集团公司第58所、航天时代集团第七七一研究所、中国科学院半导体所等。 中国科学院微电子研究
2011-07-06 14:11:29
、天文学、环境科学等领域有重要的应用价值。THz振荡源则是THz频段应用的关键器件。研制可以产生连续波发射的固态半导体振荡源是THz技术研究中最前沿的问题之一。基于半导体的THz辐射源有体积小、易集成
2019-05-28 07:12:25
silicon photonic circuits“。基于锗离子注入的硅波导工艺和激光退火工艺，他们实现了可擦除的定向耦合器，进而实现了可编程的硅基集成光路，也就是所谓的光学FPGA。
2019-10-21 08:04:48
安森美半导体电源方案部（PSG）加速了扩展分立器件、集成电路(IC)、模块和驱动器产品阵容，针对汽车应用中的高电源能效方案。公司电源方案部的汽车认证的器件数现已超过4,000，是该行业中最大的供应商
2018-10-25 08:53:48
去年九月，安森美半导体宣布收购Fairchild半导体。上周，我们完成了前Fairchild半导体产品信息向安森美半导体网站的转移。这使访客能浏览低、中、高压电源模块、集成电路和分立器件合并的、扩展
2018-10-31 09:17:40
高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)日前在台北举行的第七届静电放电保护技术研讨会上，针对如何防止静电放电(ESD) 所带来的损失，从元件、制造和系统三个层级
2019-05-30 06:50:43
文章主要介绍了当前射频集成电路研究中的半导体技术和CAD技术，并比较和讨论了硅器件和砷化镓器件、射频集成电路CAD和传统电路CAD的各自特点。近年来，无线通信市场的蓬勃发展，特别是移动电话、无线
2019-07-05 06:53:04
；第五部分表示规格。具体规定见表 3.1 所示。2.日本常用半导体器件的型号命名标准 3.美国常用半导体器件的型号命名标准 4.常用的整流二极管型号及性能 5.硅高频小功率三极管参数 6.部分国外硅高频
2017-11-06 14:03:02
常用的功率半导体器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
近日，微电子所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）在阻变存储器研究工作中取得进展，并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道。 基于二元氧化物材料的电阻式随机存储器（ReRAM）具有低廉的价格
2010-12-29 15:13:32
新型铜互连方法—电化学机械抛光技术研究进展多孔低介电常数的介质引入硅半导体器件给传统的化学机械抛光（ＣＭＰ）技术带来了巨大的挑战，低ｋ 介质的脆弱性难以承受传统ＣＭＰ 技术所施加的机械力。一种结合了
2009-10-06 10:08:07
问个菜的问题:半导体(或集成电路)工艺 来个人讲讲 半导体工艺 集成电路工艺 硅工艺 CMOS工艺的概念和区别以及联系吧。查了一下：集成电路工艺（integrated
2009-09-16 11:51:34
`①未来发展导向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半导体”已逐渐步入大众生活，以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立（分立半导体）元器件备受瞩目。在科技发展道路上的，“小型化”和“节能化
2017-07-22 14:12:43
。我们通常提及的半导体产业除了半导体器件的设计，制造及封装之外，还包括硅材料制造业及封装材料制造业。由于集成电路是半导体技术的核心，集成电路的发展及其在各个领域的广泛应用，极大地推动了半导体行业的进步
2008-09-23 15:43:09
`继续奉送毕业研究生的学习资料包括 微电子学概论、半导体集成电路、微电子学处理技术等多年的珍藏，对IC设计学习非常的用帮助毕业研究生继续送资料—微电子学概论、半导体集成电路等[hide][/hide]`
2011-12-15 14:04:37
、日本等国家和组织启动了至少12项研发计划，总计投入研究经费达到6亿美元。借助各国***的大力支持，自从1965年第一支GaAs晶体管诞生以来，化合物半导体器件的制造技术取得了快速的进步，为化合物半导体
2019-06-13 04:20:24
电力半导体器件的分类
2019-09-19 09:01:01
电源管理半导体的新进展1979年电力电子学会在我国成立，此后，人们开始把用于大功率方向的器件称为电力半导体。由于微电子学把相关的器件称为微电子器件，从而也有了电力电子器件之称。电力半导体和电力
2009-12-11 15:47:08
·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。集成电路是20世纪50年代后期一60年代发展起来的一种新型半导体器件
2020-04-22 11:55:14
电路）和罗伯特·诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。集成电路是20世纪50年代后期一60年代发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等
2020-02-18 13:23:44
`泰科天润招聘贴~研发工程师岗位职责：1.半导体器件设计；2.半导体工艺开发；3.研究SiC功率器件方面的最新进展，包括研究文献、新设计、新技术、新产品等；4.协助小组项目开发。任职要求：1.本科
2018-03-12 16:24:28
的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类
2016-11-27 22:34:51
半导体材料是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。按种类可以分为元素半导体和化合物半导体两大类
2019-06-27 06:18:41
本文对半导体泵浦固体激光陀螺近年来研究进展做了分析和评述，表明半导体泵浦固体激光陀螺是一种全新可行的激光陀螺方案。
2009-07-18 11:16:11
20 半导体器件,半导体器件的种类
半导体器件从肯有2个管脚的二极管到最新的系统LSI、超大功率器件均有广泛的研究，且被广泛地运用于手机、数码家电产品
2010-03-01 17:25:025984 文章主要介绍了当前射频集成电路研究中的半导体技术和CAD技术，并比较和讨论了硅器件和砷化镓器件、射频集成电路CAD和传统电路CAD的各自特点。
2011-06-29 09:34:371846 日前，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室(三室)在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展。
2012-04-13 09:31:301004 近几年来，现代光学仪器国家重点实验室在光纤传感关键技术、微纳光纤及其器件、负折射率介质和光子晶体、高清晰度液晶投影显示技术及系统、多功能高集成度光电子集成器件等研究方向取得了突出进展。在激光与非线性
2017-11-02 15:44:1210 在科技部和中国科学院的大力支持下，半导体研究所集成技术工程研究中心相关课题组多年来致力于射频谐振器件以及相关的测试表征系统的研制工作，在谐振器构型、微纳加工工艺、器件测试方法研究和测试系统组建等方面
2017-12-10 11:09:01728 研究人员在近红外光学活性材料的设计构建及生物应用研究中取得进展，设计构建了具有双光子激发、近红外发射特性的仿生荧光探针并成功将其应用于活体肿瘤的高清晰度荧光成像。
2018-03-22 17:28:284001 
记者近日从内蒙古大学获悉，该校王蕾研究员带领的科研团队在半导体抗光腐蚀研究方面取得新进展，得到国家自然科学基金等多个项目的认可支持。钝化层助力BiVO4抗光腐蚀研究的相关成果已于近日在国际化
2020-10-14 14:29:111709 书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：III-V集成光子的制备 编号：JFKJ-21-212 作者：炬丰科技 摘要 本文主要研究集成光子的制备工艺。基于III-V半导体的器件， 这项工作涵盖
2023-04-19 10:04:00130 
近期，中国科学院半导体研究所游经碧研究员带领的团队在p-i-n反型结构钙钛矿太阳能电池的p型空穴传输层设计和可控生长等方面取得重要进展。
2023-11-25 17:28:41333 
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