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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>28nm制程遭遇良率和需求前景双重挑战

28nm制程遭遇良率和需求前景双重挑战

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2022-11-30 07:15:081455

基于28nm工艺制程的7系列FPGA

7系列FPGA是基于28nm工艺制程。在7系列FPGA中,每个输入/输出区域(I/O Bank)包含50个输入/输出管脚,其中有4对(8个)全局时钟管脚,称之为CCIO(Clock-capable IO)。
2023-03-03 09:46:493187

IP_数据表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm

IP_数据表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm
2023-03-14 19:20:110

IP_数据表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm

IP_数据表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-03-14 19:20:431

IP 数据表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+

IP 数据表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-03-14 19:21:550

IP_数据表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_数据表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:25:461

IP_数据表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM

IP_数据表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:26:220

IP_数据表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_数据表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:31:220

IP_数据表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_数据表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:31:530

IP_数据表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm

IP_数据表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm
2023-07-05 19:45:461

IP_数据表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm

IP_数据表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-07-05 19:46:141

IP 数据表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+

IP 数据表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-05 19:47:133

IP_数据表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_数据表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570

IP_数据表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM

IP_数据表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:12:261

IP_数据表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM

IP_数据表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:411

IP_数据表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+

IP_数据表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:070

传三星电子12nm级DRAM内存不足五成

近日,据韩国媒体报道,三星在其1b nm(即12nm级)DRAM内存生产过程中遇到了不足的挑战。目前,该制程仍低于业界一般目标的80%~90%,仅达到五成左右。为了应对这一局面,三星已在上月成立了专门的工作组,致力于迅速提升
2024-06-12 10:53:411408

三星第五代DDR产品不达标

据报道,三星电子在最新的半导体技术探索中遭遇挑战。其第五代10nm级(1b)制程DRAM的尚未达到业界通常期望的80%~90%的水平,这一状况引发了业界的广泛关注。
2024-06-13 09:41:181485

三星3nm芯片低迷,量产前景不明

近期,三星电子在半导体制造领域遭遇挑战,其最新的Exynos 2500芯片在3nm工艺上的生产持续低迷,目前仍低于20%,远低于行业通常要求的60%量产标准。这一情况引发了业界对三星半导体制造能力的质疑,同时也使得该芯片未来能否顺利应用于Galaxy S25系列旗舰智能手机充满了不确定性。
2024-06-24 18:22:362240

三星重启1b nm DRAM设计,应对与性能挑战

近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上,全面重新设计新版1b
2025-01-22 14:04:071411

三星电子1c nm内存开发里程碑推迟

据韩媒报道,三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的里程碑时间推迟了半年。原本,三星计划在2024年底将1c nm制程DRAM的提升至70%,以达到结束开发工作、顺利进入量产阶段的要求。然而,实际情况并未如愿。
2025-01-22 15:54:191002

台积电2nm制程已超60%

据外媒wccftech的报道,台积电2nm制程取得了突破性进展;苹果的A20芯片或成首发客户;据Wccftech的最新消息显示,台积电公司已启动2nm测试晶圆快速交付计划,当前试产突破60%大关
2025-03-24 18:25:091240

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