DRAMeXchange数据显示，第二季度全球DRAM存储器产业的产值连续下降9％，而NAND闪存业则持平。 DRAMeXchange表示，第二季度DRAM比特出货量连续增长，但芯片价格下跌拖累
2019-08-21 09:24:00
5149 报导，存储器三强三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速为10纳米DRAM时代做准备。因存储器削价竞争结束后，三大厂认为以25
2014-04-04 09:08:421340 受标准型DRAM存储器供不应求影响，4GB DDR3/DDR4原厂颗粒现货价持续飙涨，本月以来平均涨幅近15%，第三季度以来累计涨幅高达45%至50%，模组价格本月涨幅也超过20%。
2016-10-22 22:04:59591 大陆DRAM和NAND Flash存储器大战全面引爆，近期包括长江存储、合肥长鑫等阵营陆续来台锁定IC设计和DRAM厂强力挖角，目前传出包括钰创员工、并入联发科的NOR Flash设计公司常忆，以及
2016-11-22 16:06:151561 之前外资曾警告，DRAM 荣景能否持续，取决于存储器龙头三星电子，要是三星扩产，好景恐怕无法持续。如今三星眼看 DRAM 利润诱人，传出决定扩产，新产线预计两年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 DRAM（动态随机存取存储器）存储器主要通过电容来存储信息。这些电容用于存储电荷，而电荷的多寡则代表了一个二进制位是1还是0。
2024-02-19 10:56:36267 
，从今年第四季度开始，DRAM、NAND产品合约价格开始呈现下跌态势，预计持续至明年上半年。 今年Q4开始，DRAM、NAND出货下滑、价格下跌 市场调研机构纷纷表示存储价格在今年Q4已经出现下跌。根据闪存市场，因为Q3加大了对DRAM的供应，目前DRAM市场
2021-10-21 07:28:004354 （Dynamic RAM，DRAM)。SRAMSRAM（Static RAM，静态随机存储器），不需要刷新电路，数据不会丢失，而且，一般不是行列地址复用的。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单，每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处
2020-12-10 15:49:11
DRAM存储器M12L1616lA资料分享
2021-05-12 08:06:46
在本文中，我们将介绍一种新型的非易失性DRAM，以及它与当前内存技术的比较。DRAM是计算技术中必不可少的组件，但并非没有缺陷。在本文中，我们将研究一种新提出的存储器-非易失性DRAM-以及它与当前
2020-09-25 08:01:20
以分成SRAM(Static RAM：静态RAM)和DRAM(dynamic RAM：动态RAM)。ROM是Read Only Memory的缩写，翻译过来就是只读存储器。常见的ROM又可分为掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
第4章 存储器教材课后思考题与习题：4.1解释概念：主存、辅存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory主存：主存储器
2021-07-26 08:08:39
存储器映射是什么意思？其映射过程是怎样的？
2022-01-21 07:39:51
感谢Dryiceboy的投递据市场分析数据,DRAM和NAND存储器价格近期正在不断上扬.许多人认为当前存储器市场的涨价只不过是暂时的供需不稳所导致的;有些人则认为随着存储器价格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特点是只要有电源加于存储器，数据就能长期保存。 2、动态DRAM：写入的信息只能保存若干ms时间，因此，每隔一定时间必须重新写入一次，以保持原来的信息不变。 可现场改写的非易失性存储器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特点是只要有电源加于存储器，数据就能长期保存。 2、动态DRAM：写入的信息只能保存若干ms时间，因此，每隔一定时间必须重新写入一次，以保持原来的信息不变。 可现场改写的非易失性存储器
2017-12-21 17:10:53
目录【1】存储器的层次结构【2】存储器的分类【3】SRAM基本原理：结构：芯片参数与引脚解读：CPU与SRAM的连接方式【4】DRAM基本原理：结构芯片引脚解读：【5】存储器系统设计【6】存储器扩展
2021-07-29 06:21:48
存储器的理解存储器是由简单的电子器件例如PMOS管、NMOS管进行组合形成逻辑上的与非或门，之后在此基础上，形成组合逻辑用于存储信息，例如R-S锁存器和门控D锁存器，进而进一步组合复杂化，形成我们
2021-12-10 06:54:11
的应用就是应用程序存储在Flash/ROM中，初始这些存储器地址是从0开始的，但这些存储器的读时间比SRAM/DRAM长，造成其内部执行频率不高，故一般在前面一段程序将代码搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存储器空间，将相应SRAM/DRAM映射到地址0，重新执行程序可达到高速运行的目的。
2018-06-10 00:47:17
从个人电脑的角度看嵌入式开发板——小白学ARM（五）各种存储器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440开发板vs个人电脑各种存储器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
商品参数存储器容量256Mb (16M x 16)存储器构架(格式)DRAM存储器类型Volatile工作电压3V ~ 3.6V存储器接口类型Parallel
2018-10-24 11:14:57
问题一：位图都存储在哪了？都在程序存储器里吗问题二：能不能将位图存储到外部内存中？问题三：F429的程序存储器和数据存储器有多大？
2020-05-20 04:37:13
各位大神好，我想用FPGA读写DRAM存储器，求大神指点哪位大佬有代码分析一份更是感激不尽，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存储器分为哪几类？Flash存储器有什么特点？Flash与DRAM有什么区别？
2021-06-18 07:03:45
KF432C16BBAK2/64金士顿内存条KF432C16BBAK4/128诉求缺货的存储器族群，今年以来涨势凌厉，存储器模块龙头金士顿(Kingston)的DRAM及NAND Flash模块更是
2022-02-11 14:02:48
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：静态随机存储器，所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样
2022-02-11 07:23:03
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样
2023-04-07 16:41:05
静态随机存取存储器SRAM是什么？有何优缺点？动态随机存取存储器DRAM是什么？有何优缺点？
2021-12-24 07:04:20
[资讯] DRAM挺过7月 有望旺到后年动态随机存取内存（DRAM）价格年初以来维持强势，但封测厂强调，7月尔必达新增产能是否可以去化是重要观察期，一旦能顺利消化，DRAM产业荣景将能持续到明、后年
2010-05-10 10:51:03
问：动态储器和静态存储器有什么区别？答：当然动态储器(DRAM)与静态存储器(SRAM)除了速度外,它们的价格也是一个天一个地,依据实际情况进行设计,以降底产品成本,下面是它们的价绍.SRAM(静态
2011-11-28 10:23:57
存储器是怎样进行分类的？分为哪几类？为什么要对DRAM进行刷新？如何进行刷新？
2021-09-28 08:50:24
什么是EEPROM存储器？
2021-11-01 07:24:44
Erasable PROM）。 （6） 混合型。 二、半导体存储器分类 1、按功能分为 （1）随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电
2020-12-25 14:50:34
工程师，2-5年工作经验，封装厂。无锡8，前道、后道设备工程师，半导体，封测厂，无锡9. 测试设备工程师，半导体，封测厂，无锡。
2010-03-03 13:51:07
在单板设计中，无论是涉及到一个简易的CPU、MCU小系统或者是复杂的单板设计，都离不开存储器设计：
1、存储器介绍
存储器的分类大致可以划分如下：
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、静态存储器 SRAM——Static RAM(动态存储器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字节寻
2022-01-26 07:30:11
如何利用Xilinx FPGA和存储器接口生成器简化存储器接口？
2021-05-06 07:23:59
哈弗结构是什么意思？加剧CPU和主存之间速度差异的原因有哪些？导致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虚拟存储器的最大容量是由什么原因决定的？
2021-08-11 08:07:31
随着集成电路制造工艺水平的提高，半导体芯片上可以集成更多的功能，为了让产品有别于竞争对手的产品特性，在ASIC上集成存储器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系统级芯片的可靠性。随着对嵌入式存储器需求的持续增长，其复杂性、密度和速度也日益增加，从而需要提出一种专用存储器设计方法。
2019-11-01 07:01:17
影响存储器访问性能的因素有哪些？DSP核访问内部存储器和外部DDR存储器的时延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
想问一下pcb的工艺，是属于在晶圆厂做的工艺还是封测厂呀
2021-10-14 22:32:25
程转换不易，服务器等需求依然畅旺，Mobile DRAM的装载量持续扩大，都给2018年DRAM的商机带来足够的支撑。3D NAND的多层化，既是进入障碍也是商机的来源，但非存储器的商机仍然占了半导体市场
2018-12-24 14:28:00
存储器可分为哪几类？存储器有哪些特点？存储器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
数据存储器 FLASH程序存储器 FLASH数据存储器 片内RAM数据存储器16M字节外部数据存储器各有什么区别？特点？小弟看到这段 很晕。ADuC812的用户数据存储器包含三部分，片内640字节的FLASH数据存储器、256字节的RAM以及片外可扩展到16M字节的数据存储器。求助高手。解释一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM动态随机存储器（Dynamic RAM），“动态”二字指没隔一段时间就会刷新充电一次，不然内部的数据就会消失。这是因为DRAM的基本单元
2019-09-18 09:05:09
存储器的一般用途是代码储存。系统需要一个相对较小进的存储，大约小2Gb. 这样 .代码可以从NOR闪存直接执行，这种存储器也常用于嵌入式文件系统的存储器，这些类型的系统中 DRAM 常用便签式存储器。在这
2018-05-17 09:45:35
单片机中数据存储器片内的地址是00--7FH，程序存储器的片内地址是0000H--0FFFH，请问这两部分是不是有重叠？请具体详解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
方式随机存取存储器（RAM）静态 RAM（SRAM）动态 RAM（DRAM）动态 RAM 和静态 RAM 的比较只读存储器（ROM）存储容量的扩展存储器与 CPU 的连接提高访存速度的措施存储器概述
2021-07-26 06:22:47
（DRAM）与静态随机存储器（SRAM）两大类。DRAM 以电容上存储电荷数的多少来代表所存储的数据，电路结构十分简单（采用单管单电容1T-1C的电路形式），因此集成度很高，但是因为电容上的电荷会泄漏，为了能
2022-11-17 16:58:07
而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM。SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据
2011-11-19 11:53:09
而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM和动态存储器DRAM。SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据
2011-11-21 10:49:57
。RAM中的存储的数据在掉电是会丢失，因而只能在开机运行时存储数据。其中RAM又可以分为两种，一种是Dynamic RAM(DRAM动态随机存储器),另一种是Static RAM(SRAM,静态随机存储器)。ROMROM又称只读存储器，只能从里面读出数据而不能任意写入数据。ROM与RAM相比
2022-01-26 06:05:59
基于当代DRAM结构的存储器控制器设计
1、引言
当代计算机系统越来越受存储性能的限制。处理器性能每年以60％的速率增长，存储器芯片每年仅仅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
为什么存储器是产业的风向标
存储器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半导体业中经常分成两类，DRAM及闪存类。由于其两大特征，能大量生产以及应用市场面宽，使其半
2010-01-18 16:07:21499 日本半导体巨头尔必达及其子公司秋田尔必达22日宣布，已开发出全球最薄的动态随机存储器(DRAM)，4块叠加厚度仅为0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 总结2012年DRAM市场动态并展望2013年，TrendForce提出新的一年DRAM市场值得持续关注的五大重点趋势
2013-01-10 11:30:041127 日前，存储器芯片主要供应商之一美光公司（Micron）在香港举行了 2014 夏季分析师大会，会上美光的高层管理人员就 DRAM、NAND 和新型存储器的市场趋势、技术发展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 FPGA中的存储块DRAM 某些FPGA终端，包含板载的、可以动态随机访问的存储块（DRAM），这些存储块可以在FPGA VI中直接访问，速率非常高。 DRAM可以用来缓存大批量的数据，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
紫光国芯26日在互动平台表示，公司西安子公司从事DRAM存储器晶元的设计，目前产品委托专业代工厂生产。 未来紫光集团下属长江存储如果具备DRAM存储器晶元的制造能力，公司会考虑与其合作。
2017-11-27 11:05:411848 目前存储器市况呈现两样情，DRAM持续稳健发展，价格平稳或小涨；NAND Flash则因供过于求，价格缓跌。外界预期DRAM市场第3季将可喜迎旺季，而NAND Flash市场价格也可稍有反弹。
2018-06-22 15:48:00733 中国存储器产业如何发展？本文从纯市场的角度，就DRAM、NAND Flash、封测技术和发展思路等方面提出几点思考。
2018-03-07 17:46:005860 
存储器芯片领域，主要分为两类：易失性和非易失性。易失性：断电以后，存储器内的信息就流失了，例如 DRAM，主要用来做PC机内存(如DDR)和手机内存(如LPDDR)，两者各占三成。非易失性：断电以后
2018-04-09 15:45:33109972 存储器市场爆发，DRAM市场前景看好。2017年全球存储器市场增长率达到60%，首次超越逻辑电路，成为半导体第一大产品。DRAM继续保持半导体存储器领域市占率第一。DRAM厂商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 据日媒指出，三星2019年针对存储器的投资总体会减少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星将大减20%资本支出；而在NAND Flash部分，三星的投资仍将持续增加。
2018-10-10 16:13:443278 很长一段时间里，由于供货吃紧、技术受限、需求增加等，DRAM在过去九个季度中价格持续上涨。但随着技术渐入瓶颈，加之2018年智能手机增长势头放缓、PC出货量不断下滑、云服务盛行下服务器需求大减等影响，市场中DRAM渐趋供过于求，进而使得DRAM价格持续下跌。这种情况，对于国产厂商而言究竟意味着什么呢？
2018-10-17 16:32:58974 在经历了两年的疯狂上涨之后，存储器市场要进行深度的调整了。美国花旗银行预计明年存储器价格会大幅下降，NAND价格会跌45%，DRAM价格会下跌30%，而且明年Q2季度之前不会见底。
2019-01-02 14:23:40895 随机存取存储器（RAM）特点：包括DRAM（动态随机存取存储器）和SRAM（静态随机存取存储器），当关机或断电时，其中的 信息都会随之丢失。 DRAM主要用于主存（内存的主体部分），SRAM主要用于高速缓存存储器。
2019-01-07 16:46:4915156 19日出具调查报告指出，今年上半年DRAM市场仍供过于求，价格持续下跌，不仅本季价格跌幅将超过二成，下季仍持续看跌15%，相当于上半年累计跌价幅度超过三成，比市场原预期更悲观，华邦、南亚科等芯片厂，以及模组厂威刚、宇瞻等，营运将面临下修压力。
2019-02-22 09:20:122234 根据报导，DRAM的价格接连下跌，零售的计算机用DRAM价格最终也下跌到5万韩元以下，这样的走势比预期要快许多，预计今年出口的前景也不乐观。
2019-03-10 09:54:57601 存储器市况不明，针对存储器价格波动趋势，存储器控制芯片厂慧荣总经理苟嘉章表示，预估快闪存储器（NAND Flash）价格已近谷底，下半年若再跌，幅度大约在低个位数百分比；而动态随机存取存储器（DRAM）则预估持续跌至年底。
2019-05-06 16:23:48538 过去存储器与晶圆代工可以说是“楚河汉界，井水不犯河水”。但在即将来临的时代，存储器业者觊觎占了全球65%的非存储器市场，而存储器技术从过去的DRAM、3D NAND，正逐渐走向磁阻式存储器(MRAM)等完全不同模式的新技术。
2019-09-10 15:24:41742 随着5G时代的逐渐逼近，物联网的快速发展促进着存储器需求的持续增长。数据表明，中国消耗全球20%的DRAM及25%的NAND，2017年中国进口存储器889.21亿美元，同比2016年的637.14亿美元增长了39.56%。
2019-09-17 10:47:24790 业内研究人员表示，中国目前有三家厂商正在建设的闪存与存储器工厂，旨在确保自身能够在NAND与DRAM方面实现自给自足。
2019-09-20 16:53:011653 据台媒报道，由于第一季度表现良好，加上存储器产业下半年需求有望升温，台湾存储器模组厂宇瞻股价一路高涨15.9%。
2020-03-08 18:32:312079 年12月开始止跌反弹，市场预期，本季合约价也开始止跌回升，南亚科可望受惠。 展望2021年的供需状况，由于2020年因疫情且报价下跌，DRAM厂资本
2021-01-06 17:43:452247 DRAM是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单，每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处
2020-12-11 15:11:293686 
最近Techinsights举办了一场关于存储技术的网络研讨会，Jeongdong Choe博士介绍了他对最新的DRAM，NAND，新兴和嵌入式存储器技术的观察与分析。以下概述了讨论的相关主题。DRA
2020-12-24 13:13:46752 IC设计业者透露，目前以控制器（MCU）封装产能最为吃紧，“最小下单量从年初到近期，足足翻了五倍”，使得本季MCU封装涨幅达15%。存储器封装需求也旺，不仅取消对客户的折让，也动态调整价格，带旺日月
2021-07-14 15:20:00384 、NAND产品合约价格开始呈现下跌态势，预计持续至明年上半年。 今年Q4开始，DRAM、NAND出货下滑、价格下跌 市场调研机构纷纷表示存储价格在今年Q4已经出现下跌。根据闪存市场，因为Q3加大了对DRAM的供应，目前DRAM市场已经恢复平稳，而NAND市场近期的供应
2021-10-27 09:44:071770 Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、静态存储器 SRAM——Static RAM(动态存储器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字节寻
2021-12-02 10:06:053 在当前计算密集的高性能系统中，动态随机存储器（DRAM）和嵌入式动态随机存取存储器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器。先进的 DRAM 存储单元有两种，即深沟
2023-02-08 10:14:575003 在当前计算密集的高性能系统中，动态随机存储器（DRAM）和嵌入式动态随机存取存储器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的动态快速读/写存储器。
2023-02-08 10:14:39547 
在汽车存储器市场中，汽车座舱是存储器的主要应用领域，随着智能座舱的持续演进，更多的屏幕、触控、传感器、高性能SoC等。
2023-03-03 16:53:40576 SRAM也是易失性存储器，但是，与DRAM相比，只要设备连接到电源，信息就被存储，一旦设备断开电源，就会失去信息。
这个设备比DRAM要复杂得多，它一般由6个晶体管组成，因此被称为6T存储器(如图1)。
2023-03-21 14:27:014723 
据丽水经开区官微消息，5月16日，第二十四届中国浙江投资贸易洽谈会“投资浙里”高峰论坛组织重大外资项目签约仪式。会上，丽水经开区成功签约顶米科技Memory存储器产品封测及研究院项目。
2023-05-18 16:03:04837 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存储器是一种易失性存储器，意味着当断电时，存储在其中的信息会丢失。这是因为DRAM使用电容来存储数据，电容需要持续地充电来保持数据的有效性。一旦断电，电容会迅速失去电荷，导致存储的数据丢失。
2023-07-28 15:02:032207 引言：DRAM价格已连续两个月未出现大幅下跌。
2023-08-02 10:33:42682 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存储器的存储元是电容器和晶体管的组合。每个存储单元由一个电容器和一个晶体管组成。电容器存储位是用于存储数据的。晶体管用于控制电容器
2023-08-21 14:30:021028 近日，惠州佰维总经理刘昆奇受邀在SiP China 2023大会上发表了主题为《浅析SiP里的存储封装》的演讲，分享佰维存储在先进封测领域的技术布局以及典型应用案例，与行业大咖共话先进封测发展趋势
2023-08-30 17:43:09228 
近日， 惠州佰维总经理刘昆奇受邀在 SiP China 2023大会上 发表了主题为《浅析SiP里的存储封装》的演讲，分享佰维存储在先进封测领域的技术布局以及典型应用案例，与行业大咖共话先进封测
2023-08-31 12:15:01328 
近日，三星宣布正在研发一种新型的LLW DRAM存储器，这一创新技术具有高带宽和低功耗的特性，有望引领未来内存技术的发展。
2024-01-12 14:42:03282
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