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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>实现20nm及更尖端工艺的3D芯片堆叠

实现20nm及更尖端工艺的3D芯片堆叠

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三星18nm工艺的DRAM芯片惹祸了

了,SK Hynix和美光这时候还挣扎在20nm工艺DRAM芯片量产中呢。不过昨天一纸传闻称三星18nm工艺的DRAM芯片惹祸了,可能会导致系统蓝屏,三星正在召回——不过三星官方日前回应称这是谣言。
2017-03-03 14:22:572482

赛灵思业界20nm技术首次投片标志着UltraScale架构时代来临

在28nm技术突破的基础上,赛灵思又宣布推出基于20nm节点的两款业界首创产品。赛灵思是首家推出20nm商用芯片产品的公司。此外,该新型器件也是赛灵思将向市场推出的首款采用UltraScale技术
2018-01-12 05:49:45706

中芯国际在先进工艺制程上可望加快追赶海外企业的速度

梁孟松是台积电前研发处长,是台积电FinFET工艺的技术负责人,而FinFET工艺芯片制造工艺从28nm20nm工艺以下演进的关键,2014年台积电研发出16nm工艺之后因制程能效甚至不
2018-09-02 09:00:133310

英特尔为你解说“Foveros”逻辑芯片3D堆叠技术

在近日举行的英特尔“架构日”活动中,英特尔不仅展示了基于10纳米的PC、数据中心和网络系统,支持人工智能和加密加速功能的下一代“Sunny Cove”架构,还推出了业界首创的3D逻辑芯片封装技术——Foveros。这一全新的3D封装技术首次引入了3D堆叠的优势,可实现在逻辑芯片堆叠逻辑芯片
2018-12-14 15:35:327850

Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上的8个电源开启顺序的确定

ADI Guneet Chadha探讨电源系统管理(PSM)如何确定Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上8个电源的时序或按照预定顺序开启各电源
2019-07-24 06:16:001618

Xilinx宣布与TSMC开展7nm工艺合作

“台积公司是我们在 28nm20nm 和 16nm 实现‘三连冠(3 Peat)’成功的坚实基础。其出色的工艺技术、3D 堆叠技术和代工厂服务,让赛灵思在出色的产品、优异的品质、强大的执行力以及领先的市场地位上享有了无与伦比的声誉。
2019-08-01 09:24:522209

国际大厂们之间的“3D堆叠大战”

困于10nm的Intel也在这方面寻找新的机会,其在去年年底的“架构日”活动中,推出其业界首创的3D逻辑芯片封装技术——Foveros,Foveros首次引入3D堆叠的优势,可实现在逻辑芯片堆叠
2020-01-28 16:10:003031

Xilinx投片首个ASIC级可编程架构的行业首款20nm器件

赛灵思UltraScale架构:行业第一个ASIC级可编程架构,可从20nm平面晶体管结构 (planar)工艺向16nm乃至FinFET晶体管技术扩展,从单芯片(monolithic)到3D IC扩展。
2019-12-18 15:30:23801

华为计划在国内建设45nm制程工艺起步的芯片工厂

 根据报道,华为将在国内建设一家45nm制程工艺起步的芯片工厂,计划在2021年底为物联网设备制造28nm芯片,并在2022年底之前为5G设备供应20nm芯片
2020-11-02 17:41:302770

28nm工艺芯片制造领域的地位

,计划在2021年年底为物联网设备制造28nm芯片,且预计在2022年底之前为5G设备供应20nm芯片。 该报道称,由于华为此前并没有制造芯片的经验,因此该工厂将由上海市政府支持的上海集成电路研发中心有限公司(ICRD)运营。 对此华为未予置评。无论华为
2020-11-05 16:50:3410357

基于20nm工艺制程的FPGA—UltraScale介绍

UltraScale是基于20nm工艺制程的FPGA,而UltraScale+则是基于16nm工艺制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544129

什么是摩尔定律,“摩尔定律2.0”从2D微型化到3D堆叠

3D实现方面,存储器比逻辑更早进入实用阶段。NAND闪存率先迈向3D 。随着目前量产的20-15nm工艺,所有公司都放弃了小型化,转而转向存储单元的三维堆叠,以提高每芯片面积的位密度。它被称为“ 3D(三维)NAND ” 。
2023-12-02 16:38:40786

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