格罗方德推出优化新世代行动装置的FinFET电晶体架构

　　GLOBALFOUNDRIES推出专为成长快速的行动市场所设计的新技术，加速其顶尖的发展蓝图。该公司推出的14nm-XM技术，将为客户提供3D「FinFET」电晶体的效能及能源优势，不仅可降低风险，更能加快上市时间，从而帮助无晶圆厂生态体系维持行动市场的领导地位的同时，开发出新一代的智慧行动装置。

　　XM 是「eXtreme Mobility」的缩写，为业界最顶尖的非平面式架构，真正为行动系统单晶片 （SoC） 设计做了优化，提供从电晶体到系统层级的完整产品解决方案。在 20nm技术节点，相较于目前的 2D 平面式电晶体，这项技术预计可望提升40% – 60%的电池使用寿命。

　　14nm-XM採用模组化的技术架构，完美结合了14nm的FinFET 元件与 GLOBALFOUNDRIES 公司即将量产的20nm-LPM 製程技术。运用成熟的 20nm-LPM 技术，让想利用 FinFET SoC 优势的客户，能以最快的速度顺利转移。技术研发工作已展开，硅晶片也已透过 GLOBALFOUNDRIES 位于纽约萨拉托加郡的晶圆 8 厂进行测试。初期製程设计套件 （PDKs） 现已开始提供，并预计将于 2013 年可提供客户产品投片。

　　GLOBALFOUNDRIES 技术长 Gregg Bartlett 表示：「GLOBALFOUNDRIES 投入 FinFET 研发已超过 10 年，我们将以此为基础，让这项技术得以进入生产阶段。我们有信心，透过这项深厚的基础将可让我们带领业界进入 FinFET 的量产阶段，就如同我们在高介电金属闸极 （ HKMG） 技术领域的成就。」

　　FinFET 架构採用传统的 2D 电晶体设计，并将导电通路设计于两侧，形成可控制电流流动的闸极环绕的 3D「鳍状」架构。FinFET 技术的主要优点为其优异的低功耗特性。3D 电晶体设计基本上可在较低的电压下运作，将电流洩漏减到最低，因此可延长行动应用的电池使用寿命，或降低资料中心网路晶片等插入式应用的耗电量。

　　VLSI Research 执行长暨总裁 G. Dan Hutcheson 表示：「很多人不知道 FinFET 的建构基础与当下推动行动发展的 HKMG 技术相同。HKMG 技术在减少漏电方面实现了重大创新，FinFET 在此基础上又向前推进了一大步，突破了今后多年的技术发展障碍。但想要发挥 FinFET 技术的完整价值，公司就必须要能量产 HKMG。GLOBALFOUNDRIES 在这方面起步较早，已拥有两年的 HKMG 量产经验。」

　　GLOBALFOUNDRIES 制定了一套新的技术定义方法，并以此开发出具成本效益且功耗优化的 FinFET 技术，成为行动 SoC 市场的理想之选。14nm-XM 架构完美平衡了效能及耗电量，将晶片的尺寸和成本降到最低。技术的建构方式可实现最佳的製造便利性和设计方便性，亦可让设计师重复使用前一代产品中部分的 IP。除了电晶体架构外，这项技术也将 SoC 层级的需求纳入考量，如支援全系统性能及特殊的行动应用需求等。

　　打造全面 SoC 优化解决方案的另一个关键因素，便是能够运用整个生态系统的专业知识，包括 EDA 和设计解决方案合作伙伴以及 IP供应商。尤其对设计社群而言，FinFET 技术也伴随着新的考量。GLOBALFOUNDRIES 的製程研发和技术架构团队一直与内部的设计团队及设计生态系统合作伙伴紧密合作，携手推出最佳的技术和设计环境。

　　GLOBALFOUNDRIES近日宣佈与 ARM 签订一份多年期合约，共同针对採用 FinFET 製程技术的 ARM 处理器设计推出最佳化的 SoC 解决方案。这两家公司在 ARM Cortex-A 系列处理器已有多年合作经验，此份合约将延续先前的努力，推动生产 IP 平台，以加速转移至 3D FinFET 电晶体技术。

　　ARM实体IP部副总经理 Dipesh Patel 表示：「在不断发展中的超级行动时代，FinFET 技术将是下一代智慧行动设备发展的关键推手。透过我们与 GLOBALFOUNDRIES 多年的接触与合作优化，将可为共同的客户提供先进的系统性能并协助其加速转移，以儘早利用FinFET技术带来的优势 。这成果也将成为应用至以下一代ARM处理器与GPU行动市场为基础之 SoC的平台。」