意法半导体的突破性半导体技术荣获电子成就奖

　　横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体宣布，意法半导体完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件（FD-SOI）技术荣获全球两大知名电子技术专业媒体电子工程专辑（EEtimes）和电子技术设计（EDN）的2013年度电子成就奖（ACE）能源技术奖。电子成就奖旨在于表彰那些改变电子世界和影响人们工作、生活和娱乐方式的技术产品背后的人们和企业。

　　FD-SOI制程是28纳米及以下技术节点的传统半导体制程的升级换代技术，此项技术的优点是速度更快，制造更简单，功耗更低，现正准备投产。FD- SOI荣获能源技术类奖是因为这项技术能够在两个不同方面降低能耗和碳排放。首先，FD-SOI晶片制程较传统CMOS制程节省15%的步骤，可直接评估单位晶片制造能耗节省效果。更重要的是，根据客户的节能与性能权衡策略，FD-SOI晶片本身可节约20%至50%的能耗，使终端设备更快散热，电池寿命更长。

　　意法半导体主管数字产品部前工序制程研发的执行副总裁Joel Hartmann在领奖时表示：“荣获能源技术奖证明FD-SOI是一个能够同时满足低功耗和高性能需求的突破性技术，使芯片厂商能够提供满足‘每瓦性能’和‘每美元每瓦性能’双重标准的产品。”

　　入围电子成就奖最后一轮评选的意法半导体多名高管中，意法半导体执行副总裁兼模拟产品、MEMS和传感器产品部总经理Benedetto Vigna是年度行政奖的后选人，虽然半导体市场缩减2%，但在他的卓越领导下，意法半导体在MEMS移动和手机市场的占有率接近50%。

　　意法半导体还有四款产品作为“终极产品”入围了电子成就奖：处理器类STM32F3系列ARM Cortex M 微控制器；开发工具类M24LR Discovery Kit能源收集开发工具；传感器类市场首款双核陀螺仪；接口类“Mystique”高速主动协议双向转换器。