日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:40
1440 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 `深圳市三佛科技有限公司 供应-20V -4A SOT-23 P沟道 MOS 带ESD静电保护 HN3415，原装，库存现货热销HN3415参数：-20V -4A SOT-23 P沟道 MOS管
2021-05-08 15:24:44
`深圳市三佛科技有限公司 供应 3415 20V SOT-23 P沟道MOS 带ESD保护 HN3415D，库存现货HN3415D采用先进的沟道技术，提供优良的RDS（开），低栅极电荷和低至1.8V
2021-03-11 11:14:52
。阿里店铺：阿里 “供应商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨询客服购买。【***赖,0755-85279055】【20V MOS N/P沟道】HN3415： -20V -4A SOT-23 P沟道
2021-03-30 14:22:40
子的欧姆区域（ohmic region），MOSFET“完全导通”。在对比图中，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加
2018-03-03 13:58:23
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
AO9926B双N沟道MOS管（20V 7.6A）
2020-10-31 16:51:02
`深圳市三佛科技有限公司 供应 CJ3415 长电 SOT-23 -20V -4A MOS管，原装，库存现货热销CJ3415参数： -20V -4A SOT-23 MOS管/场效应管P沟道品牌：长电
2020-10-15 15:18:23
MOSFET 切换高于5V 的电压，则需要另一个晶体管（某种晶体管）来打开和关闭它。P 沟道场效应管P沟道区域位于P沟道MOSFET的源极和漏极之间。它是一个四端子器件，具有以下端子：栅极、漏极、源极和主体
2023-02-02 16:26:45
`品牌：NCE新洁能型号：NCE3416封装：SOT23-6批号：批号FET类型：N沟道漏源电压（Vdss）：20V漏极电流(Id)：6.5A漏源导通电阻(RDS On)：16栅源电压(Vgs
2021-07-21 16:14:39
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
，深圳市三佛科技有限公司，咨询客服购买。【***赖,0755-85279055】更多中低压MOS管产品如下：【20V MOS N/P沟道】HN3415： -20V -4A SOT-23 P沟道 MOS管
2020-10-22 15:48:45
我想知道STL62P3LLH6 P沟道MOSFET的安全工作区图表是否正确http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet
2019-07-29 12:23:12
SOT23-3L100V 3ASL2N15N沟道SOT23-3 150V 2ASL3415P沟道SOT23-3 -20V 4A可替代AO3415SL3415E P沟道SOT23-3 -20V
2020-06-10 13:49:34
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
，N沟道欧姆区的VGS是7V，而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加，欧姆曲线的斜率变得更陡，表明器件导电能力更强。施加的栅极电压越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些应用中
2021-04-09 09:20:10
20V N-沟道增强型MOSFET
20V N-沟道增强型MOSFET简介
2010-04-08 17:33:33
15 20V P 沟道增强型MOSFET管
20V P 沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:36:2023 20V N沟道增强型MOSFET管
20V N沟道增强型MOSFET管简介
2010-04-08 17:39:0026 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术
日前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。这些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09635 
Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23651 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:52712 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封装和TrenchFET Gen III技术的非对称双通道TrenchFET功率MOSFET ---
2010-11-25 08:43:23923 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，
2011-03-02 10:19:301341 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13631 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET® Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:19806 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 ® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211076 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，其Si7655DN -20V P沟道Gen III功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖之电源器件和模块类最佳产品奖。
2013-12-20 09:10:031309 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 PowerPAK SC-70®封装的新款20V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA466EDJ。
2015-03-05 16:30:04855 Vishay宣布，推出业内首批通过AEC-Q101认证的采用双片不对称功率封装的12V MOSFET---SQJ202EP和20V MOSFET---SQJ200EP，可在汽车应用的高效同步降压
2016-07-11 14:33:171005 关键词：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用
2019-01-01 16:29:01380 Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:211274 
NP3416EMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-18 17:16:07774 
NP3416BEMR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-19 09:07:17774 
NP2302MR(20V N沟道增强模MOSFET)
2022-07-20 09:09:43828 
20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMPB12R5UPE
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2023-03-02 22:56:170 20 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PMN42XPEA
2023-03-02 22:56:290 20 V、单 P 沟道沟槽 MOSFET-PMN27XPEA
2023-03-02 22:56:450 20 V、1 A P 沟道沟槽 MOSFET-PMF170XP
2023-03-02 22:57:170 20 V、双 P 沟道沟槽 MOSFET-PMDPB80XP
2023-03-02 22:57:480 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV28UNEA
2023-03-03 19:34:280 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV20XNEA
2023-03-03 19:35:040 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMPB20XNEA
2023-03-03 19:36:250 20 V、单 P 沟道沟槽 MOSFET-PMN27XPE
2023-03-06 22:23:150 pt8205 20V增强型双N沟道MOSFET
2021-11-24 15:51:5812 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0294
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