首颗抗辐照四核soc芯片研制成功 - 中国电子产业10大突破 看本土产业如何崛起？

　　国产首颗抗辐照四核并行soc芯片研发成功

　　从航天五院502所获悉，由该所牵头，与国防科技大学计算机学院合作研究的soc2012近日研制成功。该芯片是我国第一颗抗辐照四核并行soc芯片，性能处于世界领先水平，与此前研制成功并已在轨正常运行超过一年的soc2008芯片相比，性能更先进。

　　据介绍，航天技术的发展对以星载计算机为代表的空间电子系统的性能、功能、体积、功耗、重量、可靠性及空间环境适用性等提出了更高的要求。soc技术为此提供了良好的契机，可以将一个单板系统甚至整个系统的功能集成在一块芯片上，提高了星载电子系统的内部集成度，提升了星载电子系统的设计效率，同时降低了星载电子设备的设计成本。

　　502所新研的soc2012最大的变化是由单核跃升到了四核，性能大幅提升、功耗低、接口更加丰富，在有高性能运算需求的成像类敏感器、数据处理单元和高性能控制器产品中有广泛应用前景，能更好地适应我国航天未来多年的发展需要。

　　首颗AMOLED驱动芯片研制成功一个重要的里程碑

　　在工业和信息化部电子信息产业发展基金项目的支持下，维信诺与晶门科技有限公司（“晶门科技”）联手研发成功中国大陆首颗可实现qHD分辨率的AMOLED驱动芯片。

　　维信诺与晶门科技建立了良好的合作关系，并签订了战略性合作协议，共同研发智能手机用AMOLED显示屏的驱动芯片。经过双方联合攻关，这颗驱动芯片已经在4.6英寸高分辨率全彩AMOLED显示屏上成功验证通过。现在，维信诺与晶门科技正积极开发更高分辨率的AMOLED驱动芯片。

　　通过此次合作，进一步提升了双方在AMOLED领域的研发水平和创新能力，将会提高中国在AMOLED技术和产业领域的市场竞争力。

　　中国大陆首颗AMOLED驱动芯片的研制成功，是维信诺正在建设中的5.5代AMOLED产业化项目推进的重要里程碑，标志着维信诺AMOLED产业化项目的推进，又迈出了坚实一步。据了解，此次开发出的AMOLED驱动芯片面向智能手机用显示屏的实际需求，具有自主知识产权和广泛的市场前景。

　　据查，从1996年开始，清华大学就成立了OLED项目组，并以实现产业化为目标开展了持续的技术攻关。基于清华大学的OLED技术，2001年成立了维信诺公司，2002年维信诺公司建成国内第一条OLED中试线，2008年在国内建成第一条PMOLED大规模生产线，成功实现了OLED产品的规模化生产。目前维信诺已成为国际上最主要的OLED生产企业之一，产品远销欧美、韩、日等国家及中国台湾地区。据国际权威显示行业调研与咨询机构 DisplaySearch公司统计，2012年维信诺公司小尺寸OLED产品出货量位居全球第一。

　　2010年6月，维信诺建成了国内首条AMOLED中试生产线；2010年12月全线打通LTPS-TFT背板制造工艺技术，并先后研制成功2.8英寸和 3.5英寸AMOLED全彩显示屏；2011年11月，成功开发出国内首款7.6英寸AMOLED全彩显示屏和12英寸AMOLED全彩显示屏。

　　截至目前，维信诺和清华大学拥有OLED相关专利536项，负责制定2项OLED国际标准，主导制定OLED3项国家标准、5项OLED行业标准，并荣获国家技术发明一等奖等多项荣誉。

　　大功率IGBT有了“中国芯”终结完全高端IGBT芯片依赖进口

　　中国北车集团日前在西安对外发布：大功率IGBT芯片（绝缘栅双极型晶体管）通过专家鉴定并投入批量生产。中国自此有了完全自主产权的大功率IGBT“中国芯”。

　　据介绍，作为新一代半导体器件，IGBT是自动控制和功率变换的关键核心部件，被广泛应用在轨道交通装备行业、电力系统、工业变频、风电、太阳能、电动汽车和家电产业中。此前，国内高端IGBT芯片基本依赖进口。此次大功率IGBT芯片的研制成功，不仅可以为我国高铁、动车组等轨道交通装备及其他相关行业提供强劲的“中国芯”，还将逐步改善国内目前大功率IGBT全部依赖进口的状况，降低我国轨道交通发展成本。目前，中国已成为全球最大的IGBT芯片消费国，年需求量超75亿元，每年还以30%以上的速度增长，到2020年，中国仅轨道交通电力牵引产业每年IGBT芯片的市场规模将不低于10亿元，智能电网不低于4亿元。据介绍，加上中国北车，目前世界上掌握这项技术的企业只有四家。

　　中国攻克第四代芯片技术打破韩美垄断

　　在芯片生产上缺乏关键技术，让中国处处充满安全隐患，宁波时代全芯科技有限公司实现的突破，有望从根本上扭转这一局面。

　　11月28日，记者从时代全芯公司获悉，继韩国三星、美国美光之后，该公司成为世界第三家、中国第一家掌握相变存储技术的企业，目前已经申请技术专利57项，正在申请的专利有141项。

　　从CPU到内存条再到闪存，存储技术在过去几十年已经发生了翻天覆地的变化，相变存储作为第四代芯片技术已经走过了20年的研究历程，目前三星已经将利用这种技术生产的芯片应用到一款手机上。

　　“相变存储技术的作业流程比较复杂，显著优势则是占用空间小、能耗低、存储速度快、使用寿命长。GOOGLE在美国的存储器有三个足球场那么大，需要有专门电站保障运行，使用相变技术可以缩为20平方米的房间大小，也不再需要专门电站。”时代全芯公司董事长张龙告诉和讯网。

　　长期以来，中国对进口芯片的依赖已经到了令人咋舌的地步。国务委员***今年3月曾指出，2012年进口芯片约1650亿美元，甚至超过了进口石油的1200亿美元。但据业内测算，中国2012年进口集成电路的实际规模应该接近2000亿美元。

　　“未来几年，这种严重依赖进口的情况将会彻底改写，因为相变技术的普及是一个必然趋势。目前，闪存技术做到28纳米已经是极致，而相变技术可以做到7纳米，其制造成本将是前者的十分之一，在速度、寿命等方面的优势又非常显著，未来必将替代硬盘驱动器和现有多种存储器芯片。”张龙说。

　　基于这种判断，时代全芯决定在未来五年投资20亿美元将宁波鄞州打造成“中国芯片城”，2015年投产后，仅芯片产品本身的年产值就达到200亿元左右，其带动的产业链将是千亿量级。

　　“华为、联想已经对我们的样品表示了浓厚兴趣，我们的短期发展目标也是覆盖电子消费产品，未来再向高端用户市场进军。”张龙告诉和讯网。

　　据悉，时代全芯已经与一家台湾公司建立合作关系，明年即有量产芯片投放市场。随着相变存储概念的逐步普及，宁波基地刚好在2015年扛起布局大数据、云计算、物联网等领域的大旗。

　　我国研制出温室工作新型二氧化硫传感器

　　近日，东北师范大学物理学院发布消息，在国家自然科学基金、国家重大科学研究计划和教育部资助下，东北师范大学物理学院教授刘益春团队的课题组利用有机微纳单晶，构造出了一种具有高灵敏度、低检测下限、快速响应及完全恢复特性的室温工作新型二氧化硫传感器。其相关成果已发表在国际学术期刊《先进材料》上，并被选为封面文章进行长篇幅重点报道。

　　众所周知，二氧化硫是空气中最为严重的污染物之一，严重损害环境及人类健康。因此，对于二氧化硫的监测检验成为控制其污染的先决条件。然而，此前的各种传感器检测和监控系统由于造价昂贵致使难以推广。而东北师范大学的此项二氧化硫传感器研究成果成功地实现了通过廉价的半导体传感器检测和监控低浓度的二氧化硫的目标，同时成本较低，使得其应用推广成为可能。

　　据了解，廉价半导体传感器检测和监控低浓度二氧化硫一直面临着很大挑战。而东北师范大学该课题组利用场效应晶体管电流集中在极薄导电沟道层的特点，采用悬空酞菁铜微纳单晶为半导体，制备新型空气间隙绝缘层场效应晶体管，用于二氧化硫探测，使场效应晶体管最敏感的导电沟道层直接暴露于二氧化硫中，在国际上首次实现了0.5ppm量级二氧化硫的半导体器件室温高灵敏检测，分辨率达100ppb，可满足二氧化硫测试实用化的要求，为新型实用化半导体二氧化硫传感器研究提供了全新的研究思路。

　　我国成为全球第二个能够研制、生产脑起搏器的国家

　　由多家部门支持、清华大学历经10年攻关开发的脑起搏器系列产品已达到国际上同类产品的先进技术水平，使我国成为全球第二个能够研制、生产脑起搏器的国家。

　　在4月11日世界帕金森病日将来临之际，科技部、清华大学、神经调控技术国家工程实验室联合北京天坛医院、北京协和医院等部门和单位6日在清华大学共同举办“第二届清华脑起搏器论坛——帕金森病日关爱活动”大型公益活动。

　　清华大学脑起搏器攻关项目负责人、航天航空学院教授李路明在论坛上说，脑起搏器将电极植入大脑的特定部位，通过慢性电刺激达到治疗效果，是一种安全、可逆、疗效显著的神经调节治疗方法，是目前外科治疗帕金森病的首选疗法，全世界已有超过10万名患者植入脑起搏器。

　　据了解，作为一种有源植入类高端医疗器械，脑起搏器具有很高的技术和工程开发难度。在科技部、北京市等多方支持下，清华大学将载人航天高科技应用于脑起搏器研发，历经10年攻关终于研制成功，并在临床上与北京天坛医院、北京协和医院等建立密切合作关系。目前，清华大学研制的单通道脑起搏器和双通道可充电脑起搏器共进行了近百例帕金森病患者的临床治疗，术后随访最长达到40个月，疗效可靠、性能稳定、大大降低了患者的治疗成本。2010年，该项成果作为“十一五”国家科技支撑计划社会发展领域十大科技成果参加“十一五”国家重大科技成就展，2012年入选中国高校十大科技进展。

　　数据显示，我国帕金森病患者已超过200万，帕金森病已成为影响我国老年人身体健康和生活质量的重大疾病。

　　中国半导体产业技术水准跃升竞争力激增

　　中国大陆半导体产业实力已显著提升。在税率减免政策与庞大内需优势的助力下，中国大陆晶圆代工厂、封装测试业者与IC设计商，不仅营运体质日益茁壮，技术能力也已较过去大幅精进，成为全球半导体市场不容忽视的新势力。

　　中国大陆半导体产业正快速崛起。受惠税率减免政策与庞大内需优势，中国大陆半导体产业不仅近年来总体产值与日俱增，且在晶圆制造设备和材料的投资金额也不断升高，并已开始迈入28奈米，甚至22/20奈米制程世代，成为全球半导体市场的新兴势力。

　　政府扶植成效显现中国半导体势力抬头

　　上海市集成电路行业协会高级顾问王龙兴指出，在资金与技术持续提升下，中国大陆半导体产业发展已快速壮大。

　　上海市集成电路行业协会高级顾问王龙兴表示，中国大陆政府为全力扶持本土半导体产业，已祭出半导体设备、IC设计、晶片制造等企业获利前2年免税，以及第3年税金减半的优惠措施，藉此减轻高科技产业在初期研发投资亏损的压力，因而让中国半导体产业得以向上发展。

　　除政策加持外，中国大陆对行动装置的需求愈来愈高，也成为推升中国大陆半导体产业发展蓬勃的关键动能。王龙兴进一步指出，现今中国大陆消费市场商机已跃居全球第一，无论是智慧型手机、平板电脑或笔记型电脑每年需求量都不断增长，带动中国大陆半导体整体产值在2006？2012年之间，从人民币 1，006.3亿元，提升至人民币2，185.5亿元。

　　根据上海市集成电路行业协会最新报告分析，中国大陆半导体产业于2006？2012年的年复合成长率（CAGR）达18.8%；其中，IC设计产业年复合成长率为25.7%，晶片制造部分为15.4%，封装测试方面则为17.6%，预估2013年与2014年皆可望持续成长，显见该地区半导体产业成长相当快速。

　　据了解，目前中国大陆半导体产业共有长江三角洲、京津环渤海湾、珠江三角洲与中西部地区等四大聚落；其中，长江三角洲内的上海半导体产业园区由于产业链体系较为完整，因此为中国大陆最重要的半导体发展核心地带，且此一园区的半导体产值约占整体中国大陆半导体产值31%。

　　王龙兴补充，上海半导体产业园区在2011年经历密集的建设后，2012年已经开始进入高技术性、高生产能力的阶段，未来此一产业园区还会新增张江高新区、漕河泾开发区、紫竹科学园区，并列为积极落实发展重点，可望再次扩大上海半导体产业园区在半导体产业的影响力。

　　然而，尽管中国大陆半导体产业正快速发展，但整体技术层次与国际水准相比仍有一段距离。王龙兴坦言，目前中国半导体产业在制程技术确实较国际半导体水准落后，正努力迎头赶上，预估2015年时，中国大陆IC设计技术水准可望达到22/20奈米，而封装技术也可望进入国际主流领域，并扩展FlipChip、 BGA、CSP、WLP以及MCP等先进封装形式的产能比例。

　　除了税金优惠政策加持之外，中国大陆行动装置品牌厂在全球市场崛起，亦助长该地区本土零组件业者发展愈来愈快速，并已逐渐打入国际手机品牌厂供应链，突显中国大陆零组件业者技术水准正与日俱增，且开始威胁到欧美与台系零组件业者全球市场地位。