在本系列的前几篇文章中[1-7],我们介绍了基于安森美丰富的SiC功率模块和其他功率器件开发的25 kW EV快充系统。
2022-06-29 11:30:505045 在很宽的范围内实现对器件制造所需的p型和n型的控制。因此,SiC被认为是有望超越硅极限的功率器件材料。SiC具有多种多型(晶体多晶型),并且每种多型显示不同的物理特性。对于功率器件,4H-SiC被认为是理想的,其单晶4英寸到6英寸之间的晶圆目前已量产。
2022-11-22 09:59:261373 SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求,对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新,包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联
2023-01-07 10:24:371062 为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求,进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全桥 SiC 功率模块设计与开发,提出了一种基于多叠层直接键合铜单元的功率模块封装方法来并联更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03377 半导体器件具有导通电阻小、阻断电压高、耐高温耐高压等优点。随着SiC基半导体工艺的成熟,SiC成为工作于较高环境温度和较大功率场合下的--宽禁带半导体材料。近年来随着电力电子技术在电动汽车、风力发电
2019-10-24 14:25:15
802.11n的技术核心是什么?802.11n技术关键点是什么?
2021-05-21 07:07:52
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化(如充电器
2019-07-31 06:16:52
晶体生长和器件加工技术的额外动力。在20世纪80年代后期,世界各地正在进行大量努力,以提高SiC衬底和六方SiC外延的质量 - 垂直SiC功率器件所需 - 从日本的京都大学和AIST等机构到俄罗斯
2023-02-27 13:48:12
家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外,几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅(SiC)MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展,性能有望进一步提升。从下一篇开始,将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点,但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。< 相关产品信息 >MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
的交流/直流双向转换器,其中ADSP-CM419F的软件在正确控制 SiC/GaN功率开关方面起着关键作用。
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
的不是全SiC功率模块特有的评估事项,而是单个SiC-MOSFET的构成中也同样需要探讨的现象。在分立结构的设计中,该信息也非常有用。“栅极误导通”是指在高边SiC-MOSFET+低边
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
。例如,SiC功率模块的尺寸可达到仅为Si的1/10左右。关于“高速工作”,通过提高开关频率,变压器、线圈、电容器等周边元件的体积可以更小。实际上有能做到原有1/10左右的例子。“高温工作”是指容许在
2018-11-29 14:35:23
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍,所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此,在相同的耐压值
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
载流子器件(肖特基势垒二极管和MOSFET)去实现高耐压,从而同时实现 "高耐压"、"低导通电阻"、"高频" 这三个特性。另外,带隙较宽,是Si的3倍,因此SiC功率器件即使在高温下也可以稳定工作。
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料,与Si相比,它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙,SiC器件的工作温度可高达600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04
WInSiC4AP的主要目标是什么?SiC技术在WInSiC4AP中有什么应用?
2021-07-15 07:18:06
在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU 的WInSiC4AP项目所要达到的目标之一。ECSEL JU和ESI协同为该项目提供资金支持,实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。
2019-07-30 06:18:11
SBD串联技术,实现6支器件串联,研制了39 kV/100 A SiC SBD组件,并在24 kV换流阀功率模块中得到应用。 图1 ZPOC封装示意图 应用ZPOC封装技术的模块使用了焊接与压接
2023-02-27 14:22:06
随着现代技术的发展, 功率放大器已成为无线通信系统中一个不可或缺的部分, 特别是宽带大功率产生技术已成为现代通信对抗的关键技术。作为第三代半导体材料碳化硅( SiC) , 具有宽禁带、高热导率、高
2019-08-12 06:59:10
与Si的比较开发背景SiC的优点SiC-SBD(肖特基势垒二极管)与Si二极管比较采用示例SiC-MOSFET与各种功率MOSFET比较运用事例全SiC模块模块的构成开关损耗运用要点SiC是在热、化学
2018-11-29 14:39:47
SiC-SBD的特征,下面将介绍一些其典型应用。主要是在电源系统应用中,将成为代替以往的Si二极管,解决当今的重要课题——系统效率提高与小型化的关键元器件之一。<应用例>PFC(功率因数改善)电路电机驱动器电路
2018-12-04 10:26:52
半导体的关键特性是能带隙,能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙(WBG)可以实现更高功率,更高开关速度的晶体管,WBG器件包括氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
基于SiC HEMT技术的GaN输出功率> 250W预匹配的输入阻抗极高的效率-高达80%在100ms,10%占空比脉冲条件下进行了100%RF测试IGN0450M250功率晶体管
2021-04-01 10:35:32
) MOSFET功率模块的极低电感封装 这款全新封装专为用于公司SP6LI 产品系列 而开发,经设计提供适用于SiC MOSFET技术的2.9 nH杂散电感,同时实现高电流、高开关频率以及高效率。美高森美将在德国
2018-10-23 16:22:24
,很高兴能与APEX Microtechnology开展合作。ROHM作为SiC功率元器件的先进企业,能够提供与栅极驱动器IC相结合的功率系统解决方案,并且已经在该领域取得了巨大的技术领先优势。我们将与
2023-03-29 15:06:13
是PCB绘制中有些问题没有注意。请问一下,TL6748f核心板+TL2515模块的PCB绘制上有哪些需要注意的关键点?
2019-07-29 15:01:24
项目名称:特种电源开发试用计划:在I项目开发中,有一个关键电源,需要在有限空间,实现高压、大电流脉冲输出。对开关器件的开关特性和导通电阻都有严格要求。随着SIC产品的技术成熟度越来越高,计划把IGBT开关器件换成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
SiC模块,对比相同充放电功率情况下SiC与MOSFET或者IGBT的温升。预计成果:在性能满足要求,价格可接受范围内,后续适用到产品中
2020-04-24 18:09:35
项目名称:全SiC MMC实验平台设计——功率子模块驱动选型试用计划:申请理由本人在电力电子领域有三年多的学习和开发经验,曾设计过基于半桥级联型拓扑的储能系统,通过电力电子装置实现电池单元的间接
2020-04-21 16:02:34
700VDC以上。另一方面,由于系统回路内杂散电感的存在,在功率器件开关时会在模块主端子上产生尖峰电压,因此在传统的APS系统中不得已采用1.7kV的混合SiC模块,该模块由普通IGBT和SiC SBD组成
2017-05-10 11:32:57
前言
碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显著提高电能利用率。SiC器件的典型应用领域包括:新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等现代工业领域,在
2023-10-07 10:12:26
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比,SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
。设计挑战然而,SiC MOSFET 技术可能是一把双刃剑,在带来改进的同时,也带来了设计挑战。在诸多挑战中,工程师必须确保:以最优方式驱动 SiC MOSFET,最大限度降低传导和开关损耗。最大
2017-12-18 13:58:36
元件来适应略微增加的开关频率,但由于无功能量循环而增加传导损耗[2]。因此,开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体
2018-10-29 08:51:19
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。何谓全SiC功率模块ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全
2018-11-27 16:38:04
ROHM为参战2017年12月2日开幕的电动汽车全球顶级赛事“FIAFormula E锦标赛2017-2018(第4赛季)”的文图瑞Formula E车队提供全SiC功率模块。ROHM在上个赛季(第
2018-12-04 10:24:29
SiC-MOSFET的量产。SiC功率模块已经采用了这种沟槽结构的MOSFET,使开关损耗在以往SiC功率模块的基础上进一步得以降低。右图是基于技术规格书的规格值,对1200V/180A的IGBT模块、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
SiC功率模块的栅极驱动,可实现更低损耗的清洁运行。关键要点:・“栅极误导通”的抑制方法有三种:①使关断时的Vgs为负电压,②增加外置CGS,③增加米勒钳位MOSFET。・通过优化全SiC功率模块的栅极驱动,可实现更低损耗的清洁运行。
2018-11-27 16:41:26
相较于硅,碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术,提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流,且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能,因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
设计方面,SiC功率模块被认为是关键使能技术。 为了提高功率密度,通常的做法是设计更高开关频率的功率转换器。 DC/DC 转换器和应用简介 在许多应用中,较高的开关频率会导致滤波器更小,电感和电容值
2023-02-20 15:32:06
部分及其评估而进行调整,是以非常高的速度进行高电压和大电流切换的关键。尤其在电路设计的初步评估阶段,使用评估板等工具可使开发工作顺利进行。关键要点:・使用专用栅极驱动器和缓冲模块,可显著抑制浪涌和振铃。・在损耗方面,Eon增加,Eoff減少。按总损耗(Eon + Eoff)来比较,当前损耗减少。
2018-11-27 16:36:43
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
问题的关键在于找出适宜高温工作的连接材料,匹配封装中不同材料的热性能。此外,多功能集成封装技术以及先进的散热技术在提升功率密度等方面也起着关键作用。本文重点就低杂散电感封装、高温封装以及多功能集成封装 3
2023-02-22 16:06:08
手机在向双模/多模发展的同时集成了越来越多的RF技术。手机射频模块有哪些基本构成?它们又将如何集成?RF收发器,功率放大器,天线开关模块,前端模块,双工器,SAW滤波器……跟着本文,来一一认识手机射频技术和射频模块的关键元件们吧!
2019-08-12 06:44:47
手机在向双模/多模发展的同时集成了越来越多的RF技术。手机射频模块有哪些基本构成?它们又将如何集成?RF收发器,功率放大器,天线开关模块,前端模块,双工器,SAW滤波器……跟着本文,来一一认识手机射频技术和射频模块的关键元件们吧!
2019-08-26 07:15:19
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
,并提供驱动功率开关栅极所需的驱动信号。在隔离系统中,它们还可实现隔离,将系统带电侧的高电压信号与在安全侧的用户和敏感低电压电路分离。为了充分利用GaN/SiC技术能够提供更高开关频率的功能,栅极
2018-10-16 21:19:44
,并提供驱动功率开关栅极所需的驱动信号。在隔离系统中,它们还可实现隔离,将系统带电侧的高电压信号与在安全侧的用户和敏感低电压电路分离。为了充分利用GaN/SiC技术能够提供更高开关频率的功能,栅极
2018-10-16 06:20:46
,并提供驱动功率开关栅极所需的驱动信号。在隔离系统中,它们还可实现隔离,将系统带电侧的高电压信号与在安全侧的用户和敏感低电压电路分离。为了充分利用GaN/SiC技术能够提供更高开关频率的功能,栅极驱动器
2018-10-24 09:47:32
。但是,SiC器件需要对其关键规格和驱动要求有新的了解才能充分发挥其优势。本文概述了EV和HEV的功率要求,解释了为什么基于SiC的功率器件非常适合此功能,并阐明了其辅助器件驱动器的功能。在简要讨论了
2019-08-11 15:46:45
`①未来发展导向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半导体”已逐渐步入大众生活,以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立(分立半导体)元器件备受瞩目。在科技发展道路上的,“小型化”和“节能化
2017-07-22 14:12:43
,一直被视为“理想器件”而备受期待。然而,相对以往的Si材质器件,SiC功率器件在性能与成本间的平衡以及其对高工艺的需求,将成为SiC功率器件能否真正普及的关键。近年来,随着国内多品牌的进入,SiC技术
2019-09-17 09:05:05
的快速充电器等的功率因数校正电路(PFC电路)和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同,小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定,通常如果将势垒高度
2019-05-07 06:21:51
,LeapersSemiconductor使用其专利的电弧键合™技术(图2)。 与许多汽车级功率半导体制造商使用的传统铝引线键合技术不同,电弧键合™专利芯片表面连接技术可确保满足汽车应用要求的SiC模块的可靠性,同时显着降低寄生电阻
2023-02-20 16:26:24
功率开关技术也是如此,特别是用SiC和GaN制作的宽带隙器件。SiC已经从5年前的商业起步跃升到今天的第三代,价格已与硅开关相当,特别是在考虑到连锁效益的情况下。 随着电动汽车、可再生能源和5G等
2023-02-27 14:28:47
在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU的WInSiC4AP专案所要达成的目标之一。ECSEL JU和ESI携手为该专案提供资金支援,实现具有重大经济和社会影响的优势互补
2019-06-27 04:20:26
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
逆变器、电动汽车牵引逆变器和充电器市场)在创新中发挥着关键作用。预计未来五年太阳能市场将以10%的年复合增长率增长,非常乐观,而光伏系统价格预计将再下降20%。这很可能是光伏逆变器电子元件技术进步的结果
2018-10-22 17:01:41
SiC功率器件的封装技术要点
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料,与S
2009-11-19 08:48:432355 三菱电机株式会社定于7月31日开始,依次提供5个品种的SiC功率半导体模块,以满足家电产品与工业设备对应用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半导体的需要。在这5种产品中,3种适用于
2012-07-25 15:59:27718 全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器,开发出额定1200V/300A的“全SiC”功率模块“BSM300D12P2E001”。
2015-05-05 14:07:44737 罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2018-05-17 09:33:1313514 使用SiC的新功率元器件技术
2018-06-26 17:56:005775 随着我国新能源汽车市场的不断扩大,充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁,可以提供高功率密度、超小的体积,因此SiC功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。
2019-03-02 09:35:1813799 据外媒报道,比利时Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模块(IPM),可用于电动出行。
2020-04-22 15:54:253711 该模块符合AQG 324汽车功率模块标准。B2 SiC模块结合烧结技术用于裸片连接和铜夹,压铸模工艺用于实现强固的封装。其SiC芯片组采用安森美的M1 SiC技术,从而提供高电流密度、强大的短路保护、高阻断电压和高工作温度,在EV主驱应用中带来领先同类的性能。
2022-05-06 09:27:27943 当前功率器件的研究已经进入一个新高度,而SiC功率模块就是其中的热门研究方向。
2022-10-19 09:22:23899 碳化硅(SiC)被认为是未来功率器件的革命性半导体材料;许多SiC功率器件已成为卓越的替代电源开关技术,特别是在高温或高电场的恶劣环境中。
2022-11-06 18:50:471289 SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求,对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新,包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联
2022-12-12 13:57:581468 一、SiC模块的特征 电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 1. SiC模块的特征 大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 继SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇,想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:21685 全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比,具有1)可大大降低开关损耗、2)开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43:22673 ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比,“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 继SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品,都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍,开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。
2023-02-24 11:51:28496 随着电子技术的不断发展,硅碳化物(SiC)功率模块逐渐在各领域获得了广泛应用。SiC功率模块具有优越的电性能、热性能和机械性能,为高性能电子设备提供了强大的支持。本文将重点介绍SiC功率模块的封装技术及其在实际应用中的优势。
2023-04-23 14:33:22850
全球知名半导体制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SiC SBD”)已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块
2023-09-14 19:15:14353 解更多公司,建议查询相关网站。 sic功率半导体技术如何实现成果转化 SIC功率半导体技术的成果转化可以通过以下途径实现: 与现有产业合作:寻找现有的使用SIC功率半导体技术的企业,与他们合作,共同研究开发新产品,将技术转化为商业化
2023-10-18 16:14:30586 在商业应用中利用宽带隙碳化硅(SiC)的独特电气优势需要解决由材料机械性能引起的可靠性挑战。凭借其先进的芯片粘接技术,Vincotech 处于领先地位。 十多年前首次推出的SiC功率模块可能会
2023-10-23 16:49:36372 1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 等领域。随着技术的不断进步和成本的降低,SiC驱动器模块将进一步提升性能,扩大市场份额,并推动下一代功率器件的发展。
2023-11-16 15:53:30257 关键技术-SiC门驱动回路/电容器
通过SiC门驱动回路优化设计提升性能和强化保护功能通过采用电容器P-N BUSBAR叠层设计减少寄生电感
2024-01-02 11:36:24116 采用多芯片并联的SiC功率模块,会产生较严重的电磁干扰和额外损耗,无法发挥SiC器件的优良性能;SiC功率模块杂散参数较大,可靠性不高。 (2)SiC功率高温封装技术发展滞后。
2024-03-04 10:35:49132 SiC器件的核心优势在于其宽禁带、高热导率、以及高击穿电压。具体来说,SiC的禁带宽度是硅的近3倍,这意味着在高温下仍可保持良好的电性能;其热导率是硅的3倍以上,有利于高功率应用中的热管理。
2024-03-08 10:27:1542
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