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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>英飞凌推出全新TO-220 FullPAK Wide Creepage封装

英飞凌推出全新TO-220 FullPAK Wide Creepage封装

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2022-03-14 17:39:161651

Vishay推出新型FRED Pt第五代 600V Hyperfast 恢复整流器

Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔离封装的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢复整流器。
2022-10-14 16:11:241100

TO-220 封装的N沟道 80V,3.5 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN3R5-80PS

TO-220 封装的 N 沟道 80 V、3.5 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN3R5-80PS
2023-02-22 19:00:220

TO-220 封装的N沟道 80V,3.3 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN3R3-80PS

TO-220 封装的 N 沟道 80 V、3.3 mΩ 标准电平 MOSFET-PSMN3R3-80PS
2023-02-22 19:00:520

TO-220中的N沟道 30V,1.3 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R1-30PL

TO-220 中的 N 沟道 30 V、1.3 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R1-30PL
2023-02-23 18:43:380

TO-220中的N沟道 80 V 8.7mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN8R7-80PS

TO-220 中的 N 沟道 80 V 8.7 mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN8R7-80PS
2023-03-02 22:24:430

TO-220中的N沟道 30 V 2.7mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R7-30PL

TO-220 中的 N 沟道 30 V 2.7 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN2R7-30PL
2023-03-02 22:25:440

TO-220中的N沟道 30V,1.8mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R8-30PL

TO-220 中的 N 沟道 30 V、1.8 mOhm 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R8-30PL
2023-03-02 22:26:020

英飞凌推出采用小型封装且超低功耗的全新PDM麦克风

英飞凌的MEMS麦克风开发战略涵盖了主要的构建模块MEMS、ASIC和该传感器系列的封装。因此,英飞凌完全掌握着其产品的性能、质量和技术创新。如今,英飞凌在自主技术的基础上推出了最新XENSIV? MEMS麦克风产品,一款超低功耗的数字麦克风IM69D128S。
2023-03-07 13:47:04870

英飞凌StrongIRFET 2:提供高效可靠的功率开关解决方案

TO-220TO-220 FullPack 封装的StrongIRFET 2是新一代功率MOSFET技术,它解决了广泛的应用,如适配器,电视、电机驱动、电动滑板车、电池管理、轻型电动汽车、机器人、电源和园艺工具。
2023-07-19 10:44:25426

英飞凌推出全新62mm封装CoolSiC产品组合,助力实现更高效率和功率密度

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01311

英飞凌推出首款采用OptiMOS 7技术的15 V沟槽功率MOSFET

英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化,主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49363

英飞凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V产品

英飞凌科技股份公司,作为全球领先的半导体公司,近日推出全新的CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列,这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装,为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:29130

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