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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>武汉新芯可能2018年量产48层NAND

武汉新芯可能2018年量产48层NAND

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2018-03-28 11:29:273435

长江存储正式装机:3D NAND量产还有多远?

4月11日,长江存储以芯存长江,智储未来为主题,庆贺存储器基地正式移入生产设备。 2017年9月长江存储新建的国家存储器基地项目(一期)一号生产及动力厂房实现提前封顶,2018年2月份进行厂内洁净室装修和空调、消防等系统安装,正是为4月搬入机台设备而准备,预计很快就可以实现 3D NAND 量产
2018-04-15 10:08:009280

中国力推半导体国产化,2018年底或将开始提供三维NAND闪存芯片

据报道,由于智能手机需求下降,NAND目前行情疲软。不过,年初向来是需求下降的时期。很多人认为,为迎接年底促销,各公司2018年夏季将开始采购智能手机零件,届时可能再次出现NAND短缺的情况。
2018-04-17 09:50:3014307

天马武汉G6 OLED产线正式量产

深天马A董事长陈宏良在仪式上表示,天马武汉G6 OLED产线正式量产,并将向品牌大客户供货。
2018-06-17 09:01:004531

2018年全球DRAM及NAND价格预测

根据Yole 预测2018年DRAM价格将上涨23%,NAND价格下降15%。
2018-06-28 17:05:015696

三星开始量产第五代V-NAND闪存,了解其性价比

面对2018年各大闪存颗粒厂商已经大规模量产64层堆栈3D NAND的情况,三星正式宣布开始量产第五代V-NAND闪存颗粒,堆栈数将超过90层。
2018-07-24 14:36:327167

美光第二代3D NAND闪存大规模量产,容量更大成本更低

,第一代3D NAND闪存的成本也符合预期,堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了,今年底就要大规模量产了。
2018-08-03 16:15:031188

长江存储32层三维NAND闪存芯片与今年第四季度实现量产

在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地),紫光集团联席总裁刁石京透露,中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年第四季度在此实现量产
2018-08-07 14:35:145523

2018上半年3D NAND市场低迷,下半年寄希望iPhone能重启拉货动力

2018上半年3D NAND市场供应量大幅增加,使得NAND Flash价格持续下滑,据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,2018上半年NAND Flash综合价格指数累计跌幅达35
2018-08-09 15:56:18535

2018上半年市场行情回归理性,6月NAND Flash价格呈下滑趋势

NAND Flash价格在经历了2016年和2017年暴涨之后,2018上半年市场行情回归理性,在原厂扩大64层3D NAND产出下,NAND Flash基本已回到2016年的价格水平。随着各家
2018-08-11 09:35:002863

NAND Flash市场供货量增加,综合价格指数已累计下滑28%

随着Flash各家原厂纷纷升级到64层3D NAND技术量产256Gb或512Gb单颗Die,以及提高新工厂的产出量,2018年三星将全面向3D NAND普及,美光预计2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:431607

旺宏预计2019年量产3D NAND,并进军SSD市场

非挥发性存储器厂旺宏董事长吴敏求今日透露,该公司已切入3D NAND Flash开发,预计2018年或2019年量产,并进军固态硬盘(SSD)市场。
2018-09-17 16:30:301863

半导体行业3D NAND Flash

32-48层,厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。四大NAND豪门的3D NAND闪存及特色在主要的NAND厂商中,三星最早量产了3D NAND,其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星
2018-10-08 15:52:39395

长江存储预计在2019年全速量产 2020年会赶超国际领先的闪存公司

科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地,该公司CEO杨士宁日前表态3D闪存晶圆厂的安装设备将在2018年Q1季度完工,2019年全速量产,预计2020年会在技术赶超国际领先的闪存公司。
2018-11-23 08:45:2812115

64层/72层3D NAND开始出货 SSD市场将迎来新的局面

6月15日,三星电子宣布已经开始量产第四代64层256Gb V-NAND,与48层256Gb V-NAND相比,生产效率将提高30%以上。东芝/西部数据、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115

基于Xtacking架构的64层3D NAND闪存已实现量产

现在,长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华接受采访时表示,公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。
2019-09-02 16:30:002263

中国首次量产64层3D NAND闪存芯片会有什么市场影响

紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-19 11:10:09682

中国量产64层3D NAND闪存芯片会带来什么影响

紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,开始量产基于Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存。
2019-09-23 17:05:241028

华星光电t4项目柔性屏正式量产武汉成为全国最大新型显示产业基地

据长江日报报道,这意味着350亿元投资的武汉华星光电t4项目已实现量产武汉第二条柔性屏幕生产线量产后,东湖高新区中小尺寸显示面板产出规模已达全国第一,武汉成为全国最大的新型显示产业基地。
2020-01-03 11:01:1812658

西部数据和Kioxia研发第五代BiCS 3D NAND成功,今年实现量产

根据消息报道,西部数据公司和Kioxia(铠侠)公司宣布,他们最新一代的3D NAND闪存已经开发成功,第五代BiCS 3D NAND已经开始以512 Gb颗粒形式生产,今年下半年可能会实现商业化量产
2020-02-04 16:25:344317

西安2工厂NAND Flash开始量产以应对市场需求

三星在该工厂主要量产用于智能手机,PC,服务器等领域作为数据处理设备使用的 Nand Flash 记忆芯片。值得注意的是,通过垂直结构堆叠电路提高储存容量的 3D Nand Flash 芯片便在此生产。
2020-03-20 16:03:57506

武汉新芯50纳米NOR Flash存储芯片已全线量产

  据了解,武汉新芯50纳米闪存技术于2019年12月取得突破,随后投入量产准备。从65纳米到50纳米的跃升,武汉新芯用了18个月。
2020-07-17 08:19:444077

武汉菲光预计今年3月正式量产,将实现60万颗芯片的月产能

据长江网报道,1月6日,位于武汉光谷光电创新园的武汉菲光科技有限公司(简称“武汉菲光”)光通信芯片封装测试车间,研发人员正在为客户样品进行贴片焊线。武汉菲光预计今年3月正式量产,将实现60万颗芯片
2021-01-08 13:58:282762

武汉天马微电子G6产线二期已投产,目前正在开展量产准备工作

据长江日报报道,145亿元投资建设的武汉天马G6生产线二期,已于2020年12月投产,目前正在开展量产准备工作。 武汉天马G6生产线最初投资额为120亿元,该项目一期于2016年1月主厂房桩基开工
2021-02-03 13:40:265572

三星开始量产第8代V-NAND,存储密度高达1Tb

和2022年度三星内存技术日上所承诺的,三星今日宣布,已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存储密度,可为全球企业系统提供容量更大、密度更高的存储解决方案。 三星电子第八代V-NAND
2022-11-08 13:37:36577

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存 存储领域的竞争愈加激烈,三星电子计划在2023年正式生产第9代V-NAND闪存,三星第9代V-NAND闪存
2023-08-21 18:30:53281

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