崛起的大陆功率半导体，日本如鲠在喉

　　功率半导体器件是日本的优势领域。如今在这个领域，中国的实力正在快速壮大。日本要想在这个领域继续保持强大的竞争力，重要的是大力研发SiC、GaN、组装等关键技术，以确保日本的优势地位，并且向开发高端IGBT产品转型，以避开MOSFET领域的价格竞争。

　　功率半导体器件是用来进行电力转换和供应的半导体元件，从汽车、铁路等工业设备到空调、冰箱等消费类产品，用途十分广泛。中国的经济发展日新月异，应对能源需求的扩大是当务之急，已经成为了功率半导体器件的消费大国。因此，在日本、美国、欧洲的功率半导体器件厂商进驻中国的同时，中国厂商也实现快速发展，各国厂商展开了激烈的开发竞争。这使得在中国申请的功率半导体器件技术专利也出现了激增。

　　在此背景下，日本专利厅通过“2014年专利申请技术动向调查”，对中国功率半导体器件专利的申请动向进行调查和分析，搞清了在中国开展业务的世界各国半导体厂商的实际情况（PDF格式的调查报告概要）。本文将介绍本次调查的主要内容。

　　图1为本次调查的技术总览图。本次调查首先按照（1）基板材料、（2）元件种类、（3）制造流程，将功率半导体器件技术大致分类，然后对每个项目又进行了细分。

　　图1：技术总览 

　　按申请人国籍统计的专利申请数量的变化：中国厂商申请数量激增

　　2008年之前，在中国申请的功率半导体器件技术专利一直维持在每年300～400件左右，从2009年起，申请数量开始激增，2011年为900件，2012年超过850件。其中，日本、中国、欧洲籍的申请数量增长最快，中国籍的增长尤为显著（图2）。

　　图2：按申请人国籍统计的申请数量推移及比例（在中国大陆申请的专利，申请年（优先权主张年）：2003～2012年）

　　注：2011年以后因为数据库录入延迟，PCT申请向各国转移的时间差等原因，可能未涵盖所有数据。 

　　中国以Si基板的技术开发为中心

　　按照基板材料统计专利申请数量（参照图1的（1）），在2003～2012年期间，日本籍申请人申请的使用Si（硅）作为基板材料的技术专利合计为497件（占在中国申请总数的25.2％）。而中国籍的申请数量为729件（37.0％），约为日本籍的1.5倍（图3）。

　　图3：按申请人国籍统计的Si基板专利的申请数量推移及比例（在中国大陆申请的专利，申请年（优先权主张年）：2003～2012年）

　　注：2011年以后因为数据库录入延迟，PCT申请向各国转移的时间差等原因，可能未涵盖所有数据。