2022 年 4 月 21日，中国——CEA、Soitec、格芯 (GlobalFoundries) 和意法半导体宣布一项新的合作协议，四家公司计划联合制定行业的下一代 FD-SOI(全耗尽型绝缘体
2022-04-21 17:18:48
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意法半导体宣布，其28纳米FD-SOI技术平台在测试中取得又一项重大阶段性成功:其应用处理器引擎芯片工作频率达到3GHz，在指定的工作频率下新产品能效高于其它现有技术。
2013-03-13 09:40:241298 
意法半导体独有的FD-SOI技术配备嵌入式存储器，有望突破更高性能，以实现更低工作功耗和更低待机功耗。
2013-11-09 08:54:091257 在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里，半导体厂商应该不是选择FinFET就是FD-SOI工艺技术。
2015-07-07 09:52:223744 半导体晶圆代工公司格罗方德（Globalfoundries）日前开发出支援4种技术制程的22nm FD-SOI平台，以满足新一代物联网（IoT）装置的超低功耗要求——这主要来自于该公司与意法半导体
2015-10-08 08:29:22949 耗尽型绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术正从原本的“迟到”（too-late）位置摇身一变，成为可望在物联网（IoT）与汽车市场取代鳍式场效电晶体（FinFET）的理想替代方案了。对于许多人来说，业界主导厂商代表出席一场相关领域的业界活动，象征着为这项技术背书。
2016-04-18 10:16:033179 
Globalfoundries技术长Gary Patton透露，其22FDX全空乏绝缘上覆矽（FD-SOI）制程技术可望今年稍晚上市，而目前该公司正在开发后续制程。
2016-05-27 11:17:321132 获得英 特尔（Intel）、三星、台积电（TSMC）等大厂采用的FinFET制程，号称能提供最高性能与最低功耗；但Jones指出，在约当14纳米节 点，FD-SOI每逻辑闸成本能比FinFET低16.8%，此外其设计成本也低25%左右，并降低了需要重新设计的风险。
2016-09-14 11:39:021835 
鳍式晶体管（FinFET）制程技术外，也投入全耗尽型绝缘层上覆硅（FD-SOI）市场，并推出22纳米及12纳米FDX制程平台，抢攻物联网商机。
2016-11-17 14:23:22845 22纳米 FD-SOI (22FDX)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDX eMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美国所展示的，格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储
2017-09-25 17:21:098151 5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时，FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显，人们对SOI技术的关注也与日俱增。
2017-09-29 11:22:5712372 格芯Fab1厂总经理兼高级副总裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗尽平面晶体管）工艺将是格芯当前战略中心与创新的源泉。
2018-09-20 09:30:199631 绝缘体上硅(FD-SOI)技术开发10纳米低功耗工艺技术模块，该技术未来将进一步向7纳米拓展，这也是浸没式DUV光刻技术的极限。该机构透露，FD-SOI新一代工艺将与18、22和28nm的现有设计兼容，并且还将包括嵌入式非易失性存储器(eNVM)工艺。该项目由法国政府独立于《欧盟芯片法案》提供资金。
2023-07-20 10:54:19428 FD-SOI（全耗尽型绝缘层上硅）技术是一种新的工艺技术，有望成为其30纳米以下的技术节点中成本效益最高的制造工艺。如果采用28纳米技术制作一颗晶片，在相同的选件和金属层条件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
等严格要求的专用计算机系统。可以这样认为，嵌入式系统是一种专用的计算机系统，作为装置或设备的一部分。通常，嵌入式系统是一个控制程序存储在ROM中的嵌入式处理器控制板。事实上，所有带有数字接口的设备，如
2020-08-12 00:00:00
随着集成电路制造工艺水平的提高，半导体芯片上可以集成更多的功能，为了让产品有别于竞争对手的产品特性，在ASIC上集成存储器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系统级芯片的可靠性。随着对嵌入式存储器需求的持续增长，其复杂性、密度和速度也日益增加，从而需要提出一种专用存储器设计方法。
2019-11-01 07:01:17
随着应用需求的不断提高，许多嵌入式系统在应用时都要求带有扩展的大容量存储器来存储数据。CF 卡（Compact Flsah Card）由于价格便宜、存储容量大、体积小、兼容性好等优点被广泛应用
2019-08-20 08:23:34
FLASH存储器是什么？嵌入式Flash的特性有哪些？嵌入式Flash扇区擦除有哪些步骤？
2021-09-24 14:40:28
Cache 或者片上存储器。 对于嵌入式设备上的数据密集的应用，数据Cache 与片上存储器相比存在以下缺陷：(1) 片上存储器是固定的单周期访问，可在设计时而不是运行时研究数据访问模式；而Cache还要
2019-07-02 07:44:45
汽车微控制器正在挑战嵌入式非易失性存储器（e-NVM）的极限，主要体现在存储单元面积、访问时间和耐热性能三个方面。在许多细分市场（例如：网关、车身控制器和电池管理单元）上，随着应用复杂程度提高
2019-08-13 06:47:42
设计中的调试又是该环节的重点和难点。本文详细介绍嵌入式系统Flash存储器的接口电路的调试。1 Flash存储器接口电路的引脚信号及各项特性1.1 Flash存储器接口电路的特点Flash存储器是一种可在
2019-06-10 05:00:01
嵌入式最小硬件系统是由哪些部分组成的？嵌入式系统使用的存储器是如何进行划分的？可分为哪几类？
2021-10-22 07:18:56
嵌入式系统的构建嵌入式系统的定义嵌入式系统是指用于执行独立功能的专用计算机系统。它由包括微处理器、定时器、微控制器、存储器、传感器等一系列微电子芯片与器件，和嵌入在存储器中的微型操作系统、控制
2009-11-13 11:28:52
嵌入式系统是指用于执行独立功能的专用计算机系统。它由微电子芯片（包括微处理器、定时器、序列发生器、控制器、存储器、传感器等一系列微电子芯片与器件）和嵌入在ROM、RAM和／FLASH存储器中的微型
2019-06-25 08:25:11
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:47 编辑
嵌入式芯片的存储器映射
2012-08-20 14:14:09
嵌入式软件开发的存储器有哪些呢？分别有什么优缺点？嵌入式软件开发的处理器是什么？有何功能？
2021-12-24 06:15:25
EVERSPIN非易失性存储器嵌入式技术
2020-12-21 07:04:49
嵌入式系统的海量存储器多采用Flash存储器实现扩展，由于Flash存储器具有有限写入次数的寿命限制，因此对于Flash存储器局部的频繁操作会缩短Flash存储器的使用寿命。如何设计出一个合理
2019-08-16 07:06:12
的普及应用将大致分为两个阶段。第一阶段,它将取代车载MCU中应用的嵌入式存储器，其后在第二阶段,它将取代手机中的MCP以及独立DRAM和独立NOR闪存等。图1 65nm产品会取代嵌入式存储器，45nm
2023-04-07 16:41:05
当系统运行了一个嵌入式实时操作系统时（RTOS），操作系统通常都是使用非易失的存储器来运行软件以及采集数据。存储器的选择面很广阔，其中包括电池供电的SRAM（静态随机访问储存器），各种各样的闪存以及串口EEPROM（电可擦的，可编程的只读存储器）。
2019-06-28 08:29:29
获得了飞速发展。嵌入式Linux(Embedded Linux)是指对标准Linux经过小型化裁剪处理之后，能够固化在容量只有几K或者几M字节的存储器芯片或者单片机中，适合于特定嵌入式应用场合的专用
2021-10-27 09:47:26
早有计划。 2017年，三星与NXP达成代工合同，从这一年起，NXP的IoT SoC i.MX系列将通过三星28nm FD-SOI工艺批量生产，并计划2018年将三星的eMRAM嵌入式存储器技术将用于下一代
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技术优势？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要应用？
2021-06-26 07:14:03
对于逻辑芯片的嵌入存储器来说，嵌入式SRAM是最常用的一种，其典型的应用包括片上缓冲器、高速缓冲存储器、寄存器堆等。除非用到某些特殊的结构，标准的六管单元（6T）SRAM对于逻辑工艺有着很好的兼容性。对于小于2Mb存储器的应用，嵌入式SRAM可能有更好的成本效率并通常首先考虑。
2019-08-28 08:18:27
基于传统六晶体管(6T)存储单元的静态RAM存储器块一直是许多嵌入式设计中使用ASIC/SoC实现的开发人员所采用的利器，因为这种存储器结构非常适合主流的CMOS工艺流程，不需要增添任何额外的工艺步骤。那么究竟怎么样，才能实现嵌入式ASIC和SoC的存储器设计呢？
2019-08-02 06:49:22
本文介绍了一种0．13微米CMOS T艺下FPGA中嵌入式存储器模块的设计与实现。
2021-04-09 06:02:09
总结嵌入式系统开发中常见的存储器及其特点
2021-12-17 06:11:47
新兴存储器MRAM与ReRAM嵌入式市场
2020-12-17 06:13:02
FD-SOI 产品应用 嵌入式存储器IP设计验证 全芯片存储器电路验证和签收（DRAM，SRAM，Flash等） 存储器特征化应用 定制或半定制数字电路，如时钟树和关键电路的高精度分析
2020-07-01 09:14:03
尊敬的先生/女士，您能否提供步骤和可能的图表，以便在ADS仿真中获得N-MOS FD-SOI晶体管的C-V曲线？提前谢谢Gadora 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
《嵌入式技术ARM裸机开发》之存储器 2008年毕业于沈阳航空航天大学电子信...
2021-07-20 07:38:42
怎么设计一种面向嵌入式存储器测试和修复的IIP？如何解决设计和制造过程各个阶段的良品率问题？嵌入式存储器测试和修复技术的未来趋势是什么？STAR存储器系统的功能是什么？
2021-04-15 06:05:51
基于PLD和嵌入式存储器实现W-CDMA调制解调器的设计
2020-12-28 06:04:37
嵌入式系统中基于FAT 表的存储器管理
2009-05-14 14:11:46
33 文章中简要介绍了嵌入式存储器技术发展历程，详细地介绍了基于标准工艺上嵌入式存储器的技术关键词：IP SOC 存储器 eDRAM OTP MTP 嵌入式闪存 1T-SRAM2T-SRAMAbstract: Paper reviews h
2009-12-21 10:38:1732 22nm以后的晶体管技术领域，靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。由于这些技术都不需要向通
2010-06-23 08:01:42559 22nm以后的晶体管技术领域，靠现行BulkMOSFET的微细化会越来越困难的，为此，人们关注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件与基于立体通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421508 《集成电路应用》杂志日前采访了国内领先的嵌入式存储器方案提供商深圳江波龙电子有限公司嵌入式存储产品总监王景阳先生，请他就平板电脑如果选用嵌入式存储器进行了介绍。
2012-04-20 13:35:292011 意法半导体（ST）、Soitec与CMP（Circuits Multi Projets）携手宣佈，大专院校、研究实验室和设计公司将可透过CMP的硅中介服务採用意法半导体的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501201 日前，意法半导体（ST）宣布位于法国Crolles的12寸（300mm）晶圆厂即将拥有28奈米 FD-SOI技术，这证明了意法半导体以28奈米技术节点提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技术的能力。
2012-12-14 08:45:27793 据报道,意法半导体公司决定选择格芯22FDX®用来提升其FD-SOI平台和技术领导力，格芯FDX技术将赋能ST为新一代消费者和工业应用提供高性能、低功耗的产品。
2018-01-10 16:04:425975 性应用的新一代处理器解决方案。 格罗方德指出，意法半导体在业界率先部署 28 纳米 FD-SOI 技术平台后，决定扩大投入及发展蓝图，采用格罗方德生产就绪的 22FDX 制程及生态系统，提供第 2 代 FD-SOI 解决方案，打造未来智能系统。
2018-01-10 20:44:02707 GlobalFoundries的FD-SOI技术已经略有成效，近日传来消息，又迎来意法半导体（ST）的大单进补，在第二代FD-SOI技术解决方案领域吧彻底取代三星。
2018-01-15 14:16:031411 在工艺节点进展方面，三星电子晶圆代工业务执行副总裁兼总经理 ES Jung表示，三星晶圆代工业务发展路线将包括FinFET和FD-SOI两个方向，FD-SOI平台路线如下图。目前FD-SOI工艺主要
2018-04-10 17:30:001703 物联网FD-SOI制程 若要说2018以及未来五年最受瞩目的半导体制程技术，除了即将量产的7奈米FinFET尖端制程，以及预计将全面导入极紫外光(EUV)微影技术的5奈米制程节点，各家晶圆代工
2018-03-15 10:54:002368 晶圆代工厂格芯日前宣布其22纳米全耗尽型绝缘上覆硅(FD-SOI)制程技术取得了36项设计订单，其中有超过十几项设计将会在今年出样(tape-out)。另一方面，其竞争对手三星则预计今年将采用其28nm FD-SOI制程出样20余款芯片。
2018-05-02 16:16:134565 格罗方德半导体今日发布了全新的12nm FD-SOI半导体工艺平台12FDXTM，实现了业内首个多节点FD-SOI路线图，从而延续了其领先地位。新一代12FDXTM平台建立在其22FDXTM平台的成功基础之上，专为未来的移动计算、5G连接、人工智能、无人驾驶汽车等各类应用智能系统而设计。
2018-05-14 15:54:002394 
加利福尼亚州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX®)技术平台已通过AEC-Q100(2级)认证，准备投入量产。作为业内符合汽车标准的先进FD-SOI
2018-05-25 11:20:001424 生产FD-SOI工艺的公司有ST Micro（其正在将此工艺用作28纳米IDM的生产），三星代工厂（28纳米工艺投产中，18纳米工艺计划投产），以及格芯代工厂（22纳米工艺投产中，12纳米计划投产）。
2018-08-02 11:35:244402 FD-SOI正获得越来越多的市场关注。在5月份的晶圆代工论坛上，三星宣布他们有17种FD-SOI产品进入大批量产阶段。
2018-08-02 14:27:2811603 晶圆代工大厂格芯在28日宣布，无限期停止7纳米制程的投资与研发，转而专注现有14/12纳米FinFET制程，及22/12纳米FD-SOI制程。
2018-08-30 15:33:002110 先进制程的研发令人有些惋惜，不过格芯倒是显得稳重、平和。日前举行的GTC大会，格芯还是强调先进制程不是市场唯一方向，当前旗下22纳米FD-SOI制程，以及14/12纳米FinFET制程依然大有市场。
2018-09-27 16:14:004321 Soitec与三星晶圆代工厂扩大合作 保障FD-SOI晶圆供应，满足当下及未来消费品、物联网和汽车应用等领域的需求，确保FD-SOI技术大量供应。
2019-01-22 09:07:00495 随着FD-SOI技术在系统芯片(SoC)设备的设计中越发受到关注，Soitec的业务也迎来了蒸蒸日上的发展，从其最新的财务报表即可见一斑。
2018-12-23 16:45:122777 三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品，该产品基于28nm FD-SOI工艺技术，并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:58964 据韩国媒体报道，近日，三星宣布已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。
2019-03-16 10:24:27886 至采用EUV技术的5/4纳米，以及支援嵌入式磁阻随机存取存储器（eMRAM）的28纳米全耗尽型绝缘层上覆硅（FD-SOI）制程进入量产，并会在今年推进至18纳米。
2019-03-18 15:21:002692 据报道，近日，三星宣布已在一条基于28纳米FD-SOI工艺的生产线上，开始大规模生产和商业运输嵌入式MRAM(eMRAM)解决方案。
2019-03-25 14:42:512985 当MOS器件的特征尺寸不断缩小至22nm及以下时，提高沟道的掺杂浓度和降低源漏结深已仍不能很好的改善短沟道效应。在SOI绝缘层上的平面硅技术基础上提出FD-SOI晶体管。研究发现要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0012 为求低功耗、高能效及高性价比之元件，市场逐渐开发出FD-SOI（完全空乏型硅绝缘层金氧半晶体管）结构；而FD-SOI构造主要以SOI晶圆为核心，透过传统Si芯片制程方式，进而以水平式晶体管架构，取代线宽较大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:204245 
事实胜于雄辩，与以往FD-SOI论坛上只以PPT展示FD-SOI优势相比，本次论坛多家公司以已经采用FD-SOI工艺的产品说明其优势，其震撼效果难以言传！
2019-08-06 16:22:453340 长期跟踪研究半导体工艺和技术趋势的IBS CEO Handel Jones发表演讲，并对FD-SOI未来走势做出预测。
2019-08-06 16:25:003554 在FD-SOI工艺迁移中也发现一些问题，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:444273 三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品，该产品基于28nm FD-SOI工艺技术，并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591051 获取嵌入式存储器设计的另一种方法是利用存储器编译器，它能够快捷和廉价地设计存储器物理模块。
2019-10-18 11:52:16857 
格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22纳米 FD－SOI （22FDX）平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDXeMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:16658 瑞萨电子与台积电共同宣布，双方合作开发28纳米嵌入式闪存(eFlash)制程技术，以生产支持新一代环保汽车与自动驾驶汽车的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162164 AI芯片设计大厂莱迪思半导体（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技术平台，发布全球首颗以FD-SOI组件制作的FPGA（现场可程序化逻辑门数组）产品。
2020-02-12 22:57:17842 据外媒报道称，GlobalFoundries（格芯）今天宣布已经完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。
2020-02-28 11:24:282405 据外媒报道称，美国半导体晶圆代工厂商GlobalFoundries（格芯）宣布已经完成了22FDX（22 nm FD-SOI）技术开发，而这项技术用于生产嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）。
2020-03-03 15:57:27490 近日，格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工艺平台，新型存储器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存储器）已投入生产。
2020-03-11 10:54:37713 “FD-SOI使用的范围非常广，包括智能手机、汽车、物联网等。在过去的一年，我们看到FD-SOI的使用量开始腾飞。我们预计在2020年和2021年会出现FD-SOI使用量的腾飞拐点”，Soitec
2020-07-07 16:04:043335 FPGA中嵌入式块存储器的设计(嵌入式开发平台)-该文档为FPGA中嵌入式块存储器的设计总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
2021-08-04 10:14:406 Lattice基于三星28nm FD-SOI平台推出了一系列FPGA产品，包括在嵌入式视频方面应用比较多的CrossLink-NX，重新定义的Certus-NX，去年Q4问世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年还会推出基于FD-SOI平台的两款新品。
2021-08-14 10:07:445719 机构方面表示，新的fd-soi技术将与18、22、28纳米的现有设计进行互换，还将包括嵌入式非挥发性存储器（envm）技术。该项目在法国政府的资助下被分离为《欧盟芯片法案》。
2023-07-20 09:12:34308 （电子发烧友网原创报道）2023年10月23日 第八届上海FD-SOI论坛隆重举行，论坛由芯原股份和新傲科技主办，SEMI中国和SOI产业联盟支持。该活动自2013年开始每年举行一次，上次第七届论坛
2023-11-01 16:39:041069 
谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46195 
本文简单介绍了两种常用的SOI晶圆——FD-SOI与PD-SOI。
2024-03-17 10:10:36193 
据悉，FD-SOI 是一种先进的平面半导体技术，能够通过简化制作流程进行精准的漏电流控制，相较于现有的 40nm EPM 技术，新工艺大幅度提高了性能指标：能效提升 50%，数字密度增加三倍有余，并能够承载更大的片上存储和更低的噪音系数。
2024-03-21 14:00:2369
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