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电子发烧友网>制造/封装>半导体技术>半导体新闻>Microchip全新存储器系列亮相 拥有超强耐用性并可在断电时保障数据安全

Microchip全新存储器系列亮相 拥有超强耐用性并可在断电时保障数据安全

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2021-06-30 15:42:461607

三星推出全新 PROPlus系列和EVO Plus系列存储

、摄像师和内容创作者而设计的全新存储系列,PRO Plus系列 和 EVO Plus系列 microSD 和 SD 卡。 三星电子品牌存储产品事业部副总裁KyuYoung Lee 表示:“各类专业人士和消费者都希望存储卡能够轻松保存和检索数据,同时知道他们宝贵的图像和视频文件受到保护。“三
2021-09-08 14:33:012585

详解Microchip微芯全新三模式RAID和HBA存储适配器

Microchip微芯全新的Adaptec PCIe Gen 4 NVMe、24G SAS三模式RAID和HBA存储适配器拥有新一代的基本NVMe和SAS-4连接与管理能力,既可提供市场领先的性能,同时又能满足数据中心基础设施最严苛的全新安全要求。
2022-02-07 12:01:201785

提供即时写入功能的FRAM存储器

FRAM存储器提供即时写入功能,无限的耐用性和接近零的软错误率,以支持对功能安全标准的遵守。引起人们对用于汽车EDR的FRAM非易失性存储技术的兴趣,因为其使用解决了这些缺点。
2022-11-25 14:19:41327

耐用性、可靠性 Power Entertainment@Amphenol Connectors

新技术星期二:耐用性、可靠性 Power Entertainment@Amphenol Connectors
2022-12-29 10:02:501015

功率 MOSFET 单次和重复雪崩耐用性等级-AN10273

功率 MOSFET 单次和重复雪崩耐用性等级-AN10273
2023-02-09 19:23:422

如何降低写入放大系数对存储器的影响

TBW(Total Bytes Written)是衡量闪存存储器寿命和耐用性的重要指标。但由于写入放大的影响,实际TBW值可能会偏离理论值。本文将介绍TBW的概念以及写入放大系数,并探讨如何降低写入放大对存储器的影响。
2023-07-25 14:19:39253

dram存储器断电后信息会丢失吗 dram的存取速度比sram快吗

DRAM(Dynamic Random Access Memory)存储器是一种易失性存储器,意味着当断电时,存储在其中的信息会丢失。这是因为DRAM使用电容来存储数据,电容需要持续地充电来保持数据的有效性。一旦断电,电容会迅速失去电荷,导致存储数据丢失。
2023-07-28 15:02:032207

ram是什么存储器断电后会丢失吗

为DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机访问存储器)。根据题目提到的“断电后会丢失”,我们可以确定RAM属于易失性存储器,即断
2024-01-12 17:27:15522

国芯思辰 |国产铁电存储器PB85RS2MC可在多MCU系统中的应用

铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料,这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性,芯片能在常温、没有电场的情况下,数据保持此状态达100年以上,铁电
2023-06-08 09:52:17

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