格罗方德接管IBM制造业务 - 半年巨亏13.5亿美元，格罗方德从AMD分拆以后经历了什么？

　　接管IBM制造业务，引进新技术

　　制程落后的Global Foundries除了强攻新技术，也在过去几年一直寻求交易，在2014年，他们接管了IBM的半导体制造业务，也从IBM取得半导体设计能力。在这个交易中，IBM给Global foundries公司支付15亿美元，作为接盘费用。

　　对于Global Foundries来说，拿下IBM应该不在于其工厂，更重要的是IBM所积累的专利和技术，这有利于他们推进其制程进度，紧跟竞争者。

　　以目前立体鳍式电晶体（3D-FinFET）研发为例，即可窥探出IBM的研发能量。为解决过去平面式电晶体漏电流的问题，发展出立体式的电晶体结构，FinFET（英特尔（Intel）称之为Tri-Gate）。目前全球在FinFET设计与制程技术开发的竞争中，英特尔仍为领导厂商，而至今可与英特尔一较高下的，非IBM莫属。

　　IBM与英特尔制程技术上最大的差异，则是使用绝缘层覆硅（Silicon On Insulator， SOI）基板，虽然SOI基板较英特尔所使用的块状基板（Bulk Substrate）成本高出许多，但SOI可大幅减少制程步骤，以及降低操作电压达到低功耗芯片的制作效益。由此可知，IBM所具有的研发能力不可小觑，关于英特尔与IBM的FinFET晶体管剖面图比较如图1所示，目前两种不同的基板各有优缺点，谁可胜出，仍需要时间以及市场上的验证。

　　藉由这一桩合并案，Global Foundries将具有优先使用IBM与位于美国纽约州Albany纳米科学暨工程学院（Colleges of Nanoscale Science and Engineering， CNSE）共同研发专案结果的权利，其中令人瞩目的是IBM将与CNSE共同开发的下世代微影技术。

　　那么在两家不同企业技术整合方面，目前Global Foundries14纳米FinFET制程技术的主要来源为三星电子（SamsungElectronics）。

　　其实Globalfoundries当时原计划自己推出14nm-XM工艺，但宣布之后就没了下文，最终自己的工艺腹死胎中，他们直接选择了三星的14nm FinFET工艺，借助后者丰富的经验和成熟的工艺突围。未来IBM与Global Foundries在FinFET技术的发展方向应该会朝向于支援与整合三星电子的技术。

　　但按照2014年年底分析师的报道，Global Foundries的晶圆厂当时14nm尚未准备完毕，且进度恐怕会拖延一至两季。部分设备业者猜测，财务或良率等问题，可能是拖延进度的主因。

　　而在2015年中，GlobalFoundries已经开始使用14nm FinFET（14LPE）工艺为它们的客户量产芯片。Global Foundries表示它们的14nm半导体产能可以比肩三星（Samsung Foundry）。GlobalFoundries的发言人Jason Gorss表示，他们的14nm爬坡量产已经步入正轨，产能可以等同于盟友三星。Global Foundries没有透露他们每个月能使用14nm LPE工艺生产出多少块晶圆，但该公司表示，用于14nmFinFET工艺商业生产的部分重要设备已经安装好。

　　也就是在2015年，Global Foundries超越联电，爬上了晶圆代工厂二哥的位置。

　　但对于Global Foundries来说，这是不够的，因为据媒体披露，自从2008年从AMD分拆出来之后，它一直表现不佳，2014年亏损更是高达15亿美元，2013年也亏了9亿美金。因此GlobalFoundries要多种方式求变。