Diodes公司推出旗下有助节省空间的DFN3020封装分立式产品系列的首批MOSFET。这三款双MOSFET组合包含了20V和30V N沟道及30V互补器件
2011-05-13 08:44:56
928 的经优化时钟树解决方案呢。虽然节省时间，但是这个使用分立式晶振和振荡器的方法经常会导致物料清单 (BOM) 成本的增加，并且会降低整个系统的性能。WEBENCH Clock Architect（时钟架构师）是业内首款时钟和定时工具；这个工具建议用户使用一
2018-07-11 09:38:145144 
分立式电路的一个显著缺点是它不提供保护，而栅极驱动器IC集成了对于确保可预测和稳定的栅极驱动非常重要的功能。
2021-05-31 16:15:164310 
引言：和上一节不同的逆变器（传送门：FCD-6：逆变器）不同的是，本节简述的整流器是和逆变器相反的一个过程，即将交流电AC转换为直流电DC。小功率输入的可以由集成方案解决，功率稍大的都是采用分立方案，本节主要简述分立式整流器的整流原理，集成式同理。
2023-06-14 16:45:31509 
英飞凌科技宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该器件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行了优化，进一步丰富了英飞凌车规级分立式高压器件的产品阵容。
2022-03-21 14:14:041435 
损耗。正是由于这些特性，GaN FET可以实现更高的开关频率，从而在保持合理开关损耗的同时，提升功率密度和瞬态性能。传统上，GaN器件被封装为分立式器件，并由单独的驱动器驱动，这是因为GaN器件和驱动器
2018-08-30 15:28:30
` Qorvo 技术支持各种交流电风扇，包括吊扇和工业风扇。这些器件控制器通常使用许多分立电源和控制元件进行设计。 这些应用对应用性能和特性具有严格的要求，如可听到的噪音和平稳地改变电机方向
2020-03-18 14:28:28
目录1 ARM+FPGA架构有什么优势2 分立式ARM+FPGA有哪些好处2.1 接口资源更多2.2 HMI体验更好2.3 ARM主频更高2.4 开发难度更低3 评估板免费试用4 产品资料下载5 技术交流群1 ARM+FPGA架构有什么优势相对于纯ARM或纯FPGA器件，ARM+...
2021-12-13 07:39:54
、功耗低，擅长进行多媒体显示、逻辑控制等。（2）FPGA擅长进行多通道或高速AD采集、接口拓展，以及高速信号传输等。ARM与FPGA通过高速通信接口快速进行数据交换，可满足各种工业现场应用场景。2.分立式
2021-07-10 08:30:00
描述 TIDA-00472 是一种基于 IGBT 的分立式三相逆变器，适用于驱动额定功率高达 250 W 的无刷直流 (BLDC) 电机，例如，用于使用无传感器梯形控制方法的抽油烟机中。此设计为直流
2018-09-18 08:51:32
：基于分立式控制器IC的交流/直流设计 图2：基于组合式控制器IC的交流/直流设计 TI对这两种架构都有支持者，并且拥有基于这两种架构的产品。尽管TI长期以来在组合式控制器方面拥有丰富的产品组合并能够在
2019-08-08 04:45:08
千克，可接受24V或48V的标称电池电压，能够提供2200 VA的标称输出，效率最高达93%。这些分立式逆变器将充电技术和逆变器融为一体。为了实现小巧的外形且方便携带，客户采用了基于高频变压器的逆变器
2019-05-13 14:11:57
描述 该分立式电源参考设计展示了一款适用于 Freescale™ MPC5748G 微控制器的完整电源解决方案。该简易分立式解决方案仅使用五个直流/直流转换器，与采用一个 PMIC 的解决方案相比
2018-12-28 11:35:07
描述 Sitara AM437x 简化型电源定序特性为电源设计人员提供了灵活性。此参考设计方案是一种用于 AM437x 处理器的经过 BOM 优化的分立式电源解决方案，采用最低数量的分立式 IC
2018-10-10 09:35:56
DN251- 用LTC1563零设计努力替换分立式低通滤波器，两项BoM和无意外
2019-06-04 13:15:47
，要求新产品降低成本。这时首先想到的就是电源。分立式设计可轻松将电源组件成本降低50% 以上。当然与单个模块相比，还需要考虑所需的非循环开发工作以及大量元件的装配成本。在开发时间足够的大批量产品中
2018-09-20 15:33:26
）开关，设计用于蜂窝，3G，LTE和其他高性能通信系统。它提供了高隔离对称拓扑，具有良好的线性和功率处理能力。在RF端口上不需要阻塞电容器。 产品型号: QPC6044产品名称：分立式开关
2018-09-10 09:20:31
。（SP3T）开关，用于蜂窝、3G、LTE等高性能通信系统。它提供高具有良好线性和功率的对称拓扑隔离处理能力。无阻塞电容器是必要的。射频端口。产品型号: QPC6064产品名称：分立式开关QPC6064产品
2018-06-11 16:14:42
`TGF2933分立式晶体管产品介绍TGF2933报价TGF2933代理TGF2933 TGF2933现货,王先生***深圳市首质诚科技有限公司Qorvo TGF2933是SiC上的7 W（P
2019-07-19 21:01:07
（P 3dB）分立GaN，可在DC至25 GHz和28 V电源下工作。该器件采用Qorvo经过验证的QGaN15工艺制造。 该器件可支持脉冲，CW和线性操作。无铅和ROHS兼容TGF2934
2019-08-08 11:11:10
`TGF2935分立式晶体管产品介绍TGF2935报价TGF2935代理TGF2935 TGF2935现货,王先生***深圳市首质诚科技有限公司该器件采用Qorvo经过验证的QGaN15构建处理
2019-07-19 21:04:35
`TGF2942分立式晶体管产品介绍TGF2942报价TGF2942代理TGF2942 TGF2942现货,王先生***深圳市首质诚科技有限公司该器件采用Qorvo TGF2942是SiC上的2 W
2019-07-19 21:06:16
，并且优化其性能。我们深知，TI必须另辟蹊径。通过将GaN FET与高性能驱动器进行共同封装，我们能够在一个模块内提供惊人的性能。 TI也力求使GaN器件更加的智能化。我们一直在努力让器件更加智能，以降
2018-09-10 15:02:53
，使用双极结型晶体管(BJT)图腾柱驱动低侧配置中的电源开关。但是，由于栅极驱动器IC的诸多优势及其附加特性，它日益取代了这些分立式解决方案。图2显示了典型BJT图腾柱配置与典型栅极驱动器IC。 图 2
2022-11-04 06:40:48
AVDD 电压。两个外部充电激励电路提供 TFT 所需的正 VGH 和负 VGL 偏置电压。一个外部运算放大器 LM7321MF 充当高电流缓冲器；它提供 TFT 背板所需的 VCOM 电压。主要特色 面向 LCD 偏置电源的分立式解决方案低成本、小尺寸还提供高电流缓冲器此电路已在参考设计板上经过测试
2018-11-19 14:54:36
增加设计复杂性。这两种方案还需要在性能和成本方面进行权衡：分立式实施比ASIC成本低，但不符合性能等级的要求。图1：具有精密放大器模拟前端的分立式缓冲器复合环路本文将探讨与全新BUF802 Hi-Z
2022-11-03 07:56:17
解决方案的成本和性能与单芯片仪表放大器不相上下。图1详细介绍了所提出的精密系统设计，该设计允许用户在存在高共模电压的情况下测量差分信号。该电路包括一个输入缓冲器、一个ADC驱动器和一个基准电压源
2018-10-19 10:30:35
描述冰箱通常使用阻尼器以控制气流，并使用风扇以提供空气循环。 多年来一直是使用分立式解决方案，但此 TI 设计使用了集成电机驱动器，可提供轻松控制、高性能和全面保护。DRV8848 驱动步进电机
2018-12-14 15:22:18
随着蜂窝基站技术的不断发展，对射频(RF)信号的要求更为复杂。通过对基站的功率放大器(PA)性能监测与控制，可以最大化地提高功率放大器的输出，同时又可获得最优越的线性度和效率。本文将讨论如何利用分立式IC对功率放大器进行监测与控制。
2019-07-04 07:16:56
描述PMP10737是一款利用分立式元件提供反极性保护和过压保护的参考设计。输入电压范围为 7V 至 35V，OVP 为 25V。LM74610 用于提供电池反向保护，即利用电荷泵驱动 N 沟道
2022-09-27 06:48:37
采用后向泵浦的方案,对新型双程放大分立式光纤拉曼放大器(D-DFRA)的增益特性进行了理论计算,并在双程泵浦放大条件下对增益和噪声特性及受激布里渊散射(SBS)效应进行了实验测量,计算与测量结果较好
2010-05-13 09:03:53
描述TIDA-00472 是一种基于 IGBT 的分立式三相逆变器，适用于驱动额定功率高达 250 W 的无刷直流 (BLDC) 电机，例如，用于使用无传感器梯形控制方法的抽油烟机中。此设计为直流
2022-09-21 07:03:13
极限，产生尽可能高的性能，从而为技术和货币投资提供最大的回报。MDC901等分立式栅极驱动器为用户提供了灵活性、诊断功能和扩展功能集，以便为给定应用选择最适合的GaN晶体管。
2023-02-24 15:09:34
Proteus是什么？如何对基于Arduino的分立式数码管循环显示0~9设计进行仿真？
2021-09-24 08:21:57
合理开关损耗的同时，提升功率密度和瞬态性能。传统上，GaN器件被封装为分立式器件，并由单独的驱动器驱动，这是因为GaN器件和驱动器基于不同的处理技术…
2022-11-16 06:23:29
电源。分立式设计可轻松将电源组件成本降低 50% 以上。当然与单个模块相比，还需要考虑所需的非循环开发工作以及大量元件的装配成本。在开发时间足够的大批量产品中，使用分立式组件构建的电源也是非常合理
2022-11-23 06:40:45
描述该参考设计是适用于旋转变压器传感器的励磁放大器和模拟前端。该设计在尺寸大小仅为 1 平方英寸的印刷电路板 (PCB) 上实施分立式组件和标准运算放大器。提供的算法和代码示例使用了 2000
2018-10-19 15:26:41
想知道分立式3运算放大器仪表放大器是否需要任何补偿电容：一般建议添加补偿电容吗？例如，与RD并联连接OA3输出到OA3反相输入。与RF1并联的一个和与RF2并联的一个怎么样？
2019-03-09 11:58:49
主要差异，以及栅极驱动器将如何为这些差异提供支持。多年来，功率输出系统的功率开关技术选择一直非常简单。在低电压水平(通常为600 V以下)，通常会选择MOSFET；在高电压水平，通常会更多地选择
2018-10-16 06:20:46
的一些主要差异，以及栅极驱动器将如何为这些差异提供支持。多年来，功率输出系统的功率开关技术选择一直非常简单。在低电压水平(通常为600 V以下)，通常会选择MOSFET；在高电压水平，通常会更多地选择
2018-10-16 21:19:44
，并提供驱动功率开关栅极所需的驱动信号。在隔离系统中，它们还可实现隔离，将系统带电侧的高电压信号与在安全侧的用户和敏感低电压电路分离。为了充分利用GaN/SiC技术能够提供更高开关频率的功能，栅极驱动器
2018-10-24 09:47:32
在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。
2019-08-09 07:03:09
可以用很多种方法来控制GaN功率级。针对LMG5200 GaN半桥功率级的TI用户指南使用了一个无源组件和分立式逻辑门的组合。在这篇博文中，我将会讨论到如何用一个Hercules微控制器来驱动它。图1
2022-11-17 06:56:35
开关用户只需选择最佳IC，然后设计适当的控制信号偏置解耦网络。包括MACOM IC开关在内的一些产品甚至包括偏置去耦网络。分立式二极管开关设计可针对可能不存在IC开关的特殊性能要求进行优化，例如
2018-10-09 10:45:42
分立式电阻、滤波、交流共模抑制和高噪声增益有什么不足之处？
2021-04-13 06:31:38
如何利用ADIsimRF对零中频分立式发射机进行电平规划？如何了解各个器件对整体性能的贡献？器件噪声和失真对整个信号链有什么影响？
2021-04-13 06:45:07
描述TIDA-01162 演示了集成式和分立式低压电机驱动解决方案之间的主要差异。分立式解决方案使用两个大型外部 MOSFET 实施，而集成式解决方案使用 TI 的 DRV8850 刷式直流电机
2018-12-07 14:22:44
输出信号；PLL监控输出信号并调谐VCO，以将其相对一个已知参考信号锁定。那么，集成压控振荡器的宽带锁相环真的能取代分立式解决方案吗？
2019-07-31 06:55:58
通信协议。虽然许多解决方案能从分立式转移到集成式——节省数以百万计美元的工艺成本——但第一代PLL/VCO的相位噪声性能还不够好，不适合许多要求低相位噪声的应用。除相位噪声性能外，与很多需要分立PLL
2018-10-17 10:49:00
Qorvo 的 QPD0007 是一款单路径分立式 GaN 晶体管，工作频率范围为 DC 至 5 GHz。它是一个单级晶体管，提供 43 dBm 的饱和输出功率，效率高达 73%。这种符合 RoHS
2022-10-13 10:58:18
Qorvo 的 QPD1017 是一款内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 3.1 至 3.5 GHz。它提供 56.6 dBm (457 W) 的饱和输出功率，增益为
2022-10-19 10:35:49
高性能高功率D类驱动器:
2009-09-30 20:19:44
25 QPD1006产品简介Qorvo 的 QPD1006 是一款 450 W (P3dB) 内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 1.2 至 1.4 GHz 和 50V 电源
2023-05-09 19:01:23
QPD1017产品简介Qorvo 的 QPD1017 是一款 450 W (P3dB) 内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 3.1 至 3.5 GHz，采用 50V
2023-05-10 11:31:32
QPD1018 产品简介Qorvo 的 QPD1018 是一款 500 W (P3dB) 内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 2.7 至 3.1 GHz
2023-05-10 11:40:23
QPD1019产品简介Qorvo 的 QPD1019 是一款 500 W (P3dB) 内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 2.9 至 3.3 GHz 和 50V 电源
2023-05-10 11:47:25
QPD9300产品简介Qorvo 的 QPD9300 是一款 30 W (P3dB) 内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 9.2 至 9.7 GHz，电源轨为 28 V
2023-05-10 13:11:25
TGF2023-2-02产品简介Qorvo 的 TGF2023-2-02 是一款分立式 2.5 mm GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 DC 至 18 GHz。TGF2023-2-02
2023-05-10 19:52:31
TGF2023-2-05 产品简介Qorvo 的 TGF2023-2-05 是一款分立式 5.0 mm GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 DC 至 18 GHz
2023-05-10 20:00:44
TGF2023-2-10产品简介Qorvo 的 TGF2023-2-10 是一款分立式 10 mm GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 DC 至 14 GHz。TGF2023-2-10
2023-05-10 20:07:14
TGF2023-2-20 产品简介Qorvo 的 TGF2023-2-20 是基于 SiCHEMT 的分立式 20 mm GaN，工作频率范围为 DC 至 14 GHz
2023-05-10 20:18:21
TGF2933 产品简介Qorvo 的 TGF2933 是一款 7 W (P3dB) 分立式 GaN on SiC HEMT，可在 DC 至 25 GHz 和 28 V 电源下工作。该器件
2023-05-11 09:32:02
TGF2954产品简介Qorvo 的 TGF2954 是一款分立式 5.04 mm GaN on SiC HEMT，工作频率为 DC-12 GHz。TGF2954 通常提供 44.5 dBm 的饱和
2023-05-11 09:42:55
TGF3015-SM产品简介Qorvo 的 TGF3015-SM 是一款 10W (P3dB)、50 欧姆输入匹配的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，工作频率范围为 30 MHz 至 3.0
2023-05-11 10:39:42
TGF3020-SM 产品简介Qorvo 的 TGF3020-SM 是一款 5W (P3dB)、50 欧姆输入匹配的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，工作频率范围为 4.0 至
2023-05-11 10:47:06
分立式零件构成之AM检波器
ＡＭ
2008-08-17 15:31:352021 
分立式电工实验装置抛弃传统的集成模块化的结构，采用元件库的形式，学生在实验过程中改变了过去那种固定的实验模式，能根据自己的思路独立设计出不同的电路模型，满足了对学
2011-05-06 16:20:090 建立FETching分立式放大器的一些提示
2016-01-07 15:05:470 TIDA-01162 演示了集成式和分立式低压电机驱动解决方案之间的主要差异。分立式解决方案使用两个大型外部 MOSFET 实施，而集成式解决方案使用 TI 的 DRV8850 刷式直流电机驱动器实施。两个设计均在单块 PCB 上实施，以实现对两个解决方案的快速比较。
2017-11-03 17:32:220 分立式IC对功率放大器进行监测与控制。 借助汲极偏压电流控制提高 PA 效率 基站的性能，是由功耗、线性度、效率以及成本评价，主要由信号链中的功率放大器决定的。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的低成本和大功率放大器的特性，使它
2017-11-24 07:03:01417 
本资料为简易分立式电子元件的简易DIY电路图，很有折腾的意义，建议大家下载看看
2018-02-24 16:56:3442 集成和分立式电源变换器
2018-08-02 00:06:003199 大联大世平推出基于TI C2000微控制器且精度为±0.1°的分立式旋转变压器前端参考设计。该参考设计是适用于旋转变压器感测器的励磁放大器和模拟前端，在尺寸大小仅为1平方英寸的印刷电路板（PCB）上实施分立式元件和标准运算放大器。
2019-01-20 11:27:00881 
以光耦合器和其他分立式解决方案为参照，了解基于iCoupler®数字隔离器技术的ADuM3223和ADuM4223隔离式栅极驱动器如何简化强大的半桥MOSFET驱动器的设计。
2019-07-29 06:14:002029 随着蜂窝基站技术的不断发展，对射频（RF）信号的要求更为复杂。通过对基站的功率放大器（PA）性能监测与控制，可以最大化地提高功率放大器的输出，同时又可获得最优越的线性度和效率。本文将讨论如何利用分立式IC对功率放大器进行监测与控制。
2020-08-19 18:51:001 FET栅极驱动器和电源的支持组件集成在栅极驱动器中，从而缩减了串联栅极电阻器、栅极灌电流路径二极管、栅源电压(VGS)钳位二极管、栅极无源下拉电阻器和电源等组件的物料清单(BOM)和组装成本。
2021-01-13 14:06:282800 本文档的主要内容详细介绍的是使用单片机实现分立式数码管循环显示0到9的C语言程序和工程文件免费下载。
2021-03-12 17:10:554 电子发烧友网为你提供分立式和集成式栅极驱动架构比较资料下载的电子资料下载，更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-03-30 08:46:369 驱动器IC的诸多优势及其附加特性，它日益取代了这些分立式解决方案。图2显示了典型BJT图腾柱配置与典型栅极驱动器IC。
图 2：BJT图腾柱（左）与栅极驱动器芯片UCC27517A-Q1（右）
分立式电路的一个显著缺点是它不提供保护，而栅极驱动器IC集成了
2022-01-12 14:47:171542 体二极管所导致的反向恢复损耗。正是由于这些特性，GaN FET可以实现更高的开关频率，从而在保持合理开关损耗的同时，提升功率密度和瞬态性能。
传统上，GaN器件被封装为分立式器件，并由单独的驱动器驱动
2022-01-26 15:11:021649 
着眼于利润率，要求新产品降低成本。这时首先想到的就是电源。
分立式设计可轻松将电源组件成本降低 50% 以上。当然与单个模块相比，还需要考虑所需的非循环开发工作以及大量元件的装配成本。在开发时间足够
2021-11-22 15:27:521386 电子发烧友网站提供《基于IGBT的分立式三相逆变器的TIDA 00472设计.zip》资料免费下载
2022-09-06 09:51:134 [常见问题解答]UCC27517A-Q1：为什么要在汽车PTC模块中用低侧驱动器IC替换分立式栅极驱动器？
2022-10-28 12:00:150 对交流/直流电源而言哪种控制器更好：分立式还是组合式？
2022-11-02 08:16:020 PowerLab 笔记：如何进行分立式设计
2022-11-07 08:07:350 分立式 LED 驱动器-AN10739
2023-02-09 21:18:500 设计供电网络 (PDN) 时，决定使用电源模块还是自研分立式电源解决方案，需要仔细考虑设计变量。
2023-11-16 16:32:51304 电子发烧友网站提供《集成压控振荡器的宽带锁相环能取代分立式解决方案吗.pdf》资料免费下载
2023-11-22 16:15:030 电子发烧友网站提供《建立FETching分立式放大器的提示.pdf》资料免费下载
2023-11-23 15:05:170 电子发烧友网站提供《分立式元件对电源进行时序控制的优缺点.pdf》资料免费下载
2023-11-29 11:36:070
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